JPS60185656U - 高周波スパツタ装置 - Google Patents

高周波スパツタ装置

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JPS60185656U
JPS60185656U JP7488384U JP7488384U JPS60185656U JP S60185656 U JPS60185656 U JP S60185656U JP 7488384 U JP7488384 U JP 7488384U JP 7488384 U JP7488384 U JP 7488384U JP S60185656 U JPS60185656 U JP S60185656U
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JP
Japan
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substrate
frequency sputtering
high frequency
sputtering device
sputtering
Prior art date
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Pending
Application number
JP7488384U
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弘雄 夫馬
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Toyota Central R&D Labs Inc
Original Assignee
Toyota Central R&D Labs Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の好適な実施例を示す説明図、第２図は
本考案の効果を示す説明図、第３図は従来の高周波スパ
ッタ装置の概略を示す説明図である。 １０・・・真空槽、１２・・・基板、１２ａ・・・基板
端部、１４・・・基板ホルダ、１６・・・マグネトロン
電極、２０・・・陰極、２６・・・シールドプレート、
２８、で・スパッタターゲット、３８・・・絶縁体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 真空槽内にスパッタ蒸着される基板を保持する基板ホル
    ダと、前記基板に対向して配置されるスパッタターゲッ
    トにスパッタエネルギを与えるマグネトロン電極とを有
    する高周波スパッタ装置において、基板と基板ホルダと
    の間に絶縁体を介挿し、基板内の電流発生を阻止するこ
    とを特徴とする高周波スパッタ装置。
JP7488384U 1984-05-21 1984-05-21 高周波スパツタ装置 Pending JPS60185656U (ja)

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JP7488384U JPS60185656U (ja) 1984-05-21 1984-05-21 高周波スパツタ装置

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JPS60185656U true JPS60185656U (ja) 1985-12-09

Family

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JP7488384U Pending JPS60185656U (ja) 1984-05-21 1984-05-21 高周波スパツタ装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6484407A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Fujitsu Ltd Manufacture of thin film magnetic head

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5558371A (en) * 1978-10-25 1980-05-01 Hitachi Ltd Sputtering apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5558371A (en) * 1978-10-25 1980-05-01 Hitachi Ltd Sputtering apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6484407A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Fujitsu Ltd Manufacture of thin film magnetic head

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