JPH0244020A - グラファイトの製造方法 - Google Patents

グラファイトの製造方法

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JPH0244020A
JPH0244020A JP63192537A JP19253788A JPH0244020A JP H0244020 A JPH0244020 A JP H0244020A JP 63192537 A JP63192537 A JP 63192537A JP 19253788 A JP19253788 A JP 19253788A JP H0244020 A JPH0244020 A JP H0244020A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
graphite
properties
films
film
ray
Prior art date
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Pending
Application number
JP63192537A
Other languages
English (en)
Inventor
Mutsuaki Murakami
睦明 村上
Kazuhiro Watanabe
和廣 渡辺
Susumu Yoshimura
吉村 進
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Science and Technology Agency
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Research Development Corp of Japan
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Research Development Corp of Japan, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Research Development Corp of Japan
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Priority to DE8888307924T priority patent/DE3871660T2/de
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はX線光学素子、X線モノクロメータ−中性子線
回折ミラー、フィルターなどとして利用されるブロック
状グラファイトの製造方法に関する。
従来の技術 グラファイトは抜群の耐熱性や耐薬品性、高電導性など
のため工業材料として重要な地位をしめ、電極、発熱体
、構造材として広く使用されている。
中でも単結晶グラファイトと同等の特性を有する人工グ
ラファイトは、そのすぐれたXlsや中性子線に対する
分光、反射特性のゆえにX線や中性子線のモノ・クロメ
ータ−、フィルターあるいは分光結晶として広く使われ
ている。
この様な単結晶グラファイトとしては天然に産するもの
を使用するのが一つの方法であるが、良質のグラファイ
トは生産量が非常に限られており、しかも取り扱いにく
い粉末状又は小さなブロック状であるだめ人工的にグラ
ファイトを製造する事が行われている。
その様な人造グラファイトの製造方法は主として次の2
つの方法に分類する事が出来る。
第1はFe、 Nl/C系溶融体からの析出、St、A
1等の炭化物の分解、あるいは高温、高圧下での炭素融
液の冷却によって作る方法である。この様にして得られ
たグラファイトはキッシュグラファイトと呼ばれ天然の
グラファイトと同じ物性を有している。しかしながら、
この方法によっては微/1〜な薄片状のグラファイトし
か得られず、製造法の煩雑さやコスト高と相まって工業
的にはほとんど使われていない。
第2は気相中での炭化水素ガスの高温分解沈積とその熱
間加工によって作る方法であり、10#/−の圧力をか
け3400℃で長時間再焼鈍するという工程により作成
される。この様にして得られたグラファイトは高配向パ
イログラファイト(HOPG)と呼ばれ、その特性は天
然グラファイトとほぼ同等である。この方法ではキッシ
ュグラファイトと異なり、かなり大きなサイズのものも
作製出来るが、製造法が複雑であり歩留りが低く、非常
に高価であると言う欠点がある。
これに対して多様な有機物あるいは炭素質物を3000
℃以上で加熱してグラファイト化する方法が古くから考
えられて来た。
しかし、この方法では天然グラファイトやキッシュグラ
ファイトと同じ物性のグラファイトは得られなかった。
例えば、グラファイトの最も典型的な物性であるab面
方向の電気伝導度は、天然グラファイトやキッシュグラ
ファイトでは1〜2.5X10’S/cmであるのに対
し、この方法では一般に1〜2×10″S/−の電導塵
の生成物しか得られない。すなわち、この事はこの様な
方法では一般にグラファイト化が完全には進行しない事
を示している。
この方法において、通常は出発原料としてコークスなど
の炭素質物とコールタールなどのバインダーが使用され
る。コークスやチャコールを3000℃程度に加熱して
生成するこれらの炭素の構造は比較的グラファイト(黒
鉛)構造に近いものから、それと程遠い構造のものまで
かなりの種類が存在する。この様に単なる熱処理によっ
てその構造が比較的容易に黒鉛的な構造に変る炭素を易
黒鉛化性炭素と呼び、そうでないものを難黒鉛化性炭素
と呼んでいる。この様な構造上の相違が生ずる原因は黒
鉛化の機構と密接に関連していて、炭素前駆体中に存在
する構造欠陥が引続いて行われる加熱処理によって除去
され易いか否か、によっている。そのため炭素前駆体の
微細構造が黒鉛化性に対して重要な役割を果たしている
これらのコークスなどを出発原料とする方法に対し高分
子材料を用い、これを熱処理する事によりグラファイト
質フィルムを作成しようと言ういくつかの研究が行われ
ている。これは高分子材料の分子構造を生かしながら炭
素前駆体の微細構造を制御しようとするものである。こ
の方法は高分子を真空中あるいは不活性気体中で熱処理
し、分解および重縮合反応を経て、炭素質物を形成させ
る方法であるが、どのような高分子を出発原料として用
いてもすぐれたグラファイト質のフィルムが得られる訳
ではなく、むしろほとんどの高分子材料はこの目的には
使用できない事が知られていた。例えば、この様な目的
のために熱処理がこころみもれた高分子としては、フェ
ノールホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリロニトリル、
ポリアミド、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレン
オキシド、ポリ塩化ビニールなどがあるがこれらはいず
れも難黒鉛化材料に属しており、高いグラファイト化率
を有する物は得られていなかった。
本発明者はこの様な問題点を解決すべく種々検討を重ね
、数多くの高分子のグラファイト化を試みた。
その結果、フィルム状ポリアミド(PA)ポリオキサジ
アゾール(POD) 、芳香族ポリイミド(PI)、3
種類のポリベンゾチアゾール(PBT)、ポリベンゾビ
スチアゾール(PBBT)、ポリベンゾオキサゾール(
PBO) 、ポリベンゾビスオキサゾール(PBBO)
、ポリチアゾール(PT)の各高分子が特定の温度で熱
処理するとき、従来知られたどの様な高分子材料よりも
容易にグラファイト化する事の新知見を得た。それらは
、特開昭61−275114号公報、特開昭61−27
5115公報、特開昭61−275117号公報に記さ
れている。
この方法によれば上記の高分子を1800℃以上、好ま
しくは2500℃以上で加熱する事により容易に、グラ
ファイト化率の高いグラファイトが短時間で製造出来る
グラファイト化の程度を表わすには格子定数、C軸方向
の結晶子の大きさなどX線回折のパラメーターとそれか
ら計算した黒鉛化率が良く使用され、電気伝導度値もし
ばしば利用される。格子定数はX線の(002)回折線
の位置より計算され、天然単結晶グラファイトの格子定
数である6708Aの値に近いほどグラファイト構造が
発達している事を示している。又、C軸方向の結晶子の
大きさは(002)回折線の半値幅より計算され、その
価が大きいほどグラファイトの平面構造が良く発達して
いる事を示している。天然単結晶グラファイトの結晶子
の太きさは1oooA以上である。黒鉛化率は結晶面間
隔(d、。2)より文献ル・カルボン第1巻 129頁
、1965年(Les Carbons Vol、 I
I)129.1965)の方法によって計算される。も
ちろん天然単結晶グラファイトでは100%である。電
気伝導度値はグラファイトのab面方向の値を言い、天
然単結晶グラファイトでは1〜2.5X10’S/口で
ある。電導変位が大きいほどグラファイト構造に近い事
を示している。
さらにX線回折パラメーターの一つにab面の重なり方
を示すロッキング特性がある。これは回折強度曲線と言
われ単色で平行なX線束が入射した時結晶を回転して得
られる回折強度曲線であり、(00t)回折線の出現す
る角度で20を固定し、θを回転する事により測定する
。この値は吸収の半値幅をもって評価され、回転角度(
0)で表現される。この値は小さいほどab面がきれい
に重なっている事を示している。
発明が解決しようとする課題 さて、先に述べた特殊な高分子フィルムよりグラファイ
トを得る方法は容易で非常にすぐれた方法であるが、こ
の方法にもその後いろいろな検討を加えた結果、次の様
ないくつかの欠点がある事が明らかになった。
その欠点の第1はこの方法では厚手のグラファイト、す
なわち、グラファイトのブロックが出来ない点である。
−見グラファイト化の反応は出発原料フィルムの厚さと
は無関係の様に考えられるが、実際にはその反応は原料
の厚さに強く依存している。この事は従来全く知られて
いない事であるが、我々は種々の実験を行ないこの点を
明らかにした。例えば厚さの異なる4種類の芳香族ポリ
アミドフィルムをグラファイト化しグラファイトの格子
定数、黒鉛化率、ab面方向の電気伝導度の値をもちい
て評価した結果を第1表に示す。この結果は明らかに出
発ポリアミドフィルムの厚さによってそのグラファイト
化反応の進行の程度が異なる事を示している。例えばグ
ラファイト化率は厚さの相違によって99〜88チまで
変化する。この事は同じポリアミド原料を用いても薄い
フィルム状のグラファイトは得られるが厚いブロック状
のグラファイトは得られ難い事を示している。
以下余白 第1表 以下余白 欠点の第2は、高分子原料を単に加熱するだけではグラ
ファイトのab軸方向の面がC軸方向にいかにきれいに
重なっているかと言う特性が向上しないと言う点である
。この特性は結晶をX線光学素子などに使用しようとす
る時に重要な特性となる。
ab面の重なり方を測定するには先にのべたX線回折に
よるロッキング法が用いられる。グラファイト結晶をX
Sなどの光学結晶として用いるには、その用途によるが
、一般には50μm以下の薄いグラファイトフィルムで
は04°以下、1rrtn以上の厚いグラファイトブロ
ックでは3°以下が必要であるとされている。これに対
し第1表に示したグラファイト化PAの場合、出発フィ
ルム厚が10.25゜100、 600μmの試料でロ
ッキング特性はそれぞれ7.5.。9.5:’ 11’
:  16°であった。この事はロッキング特性に関し
て言えば単に加熱グラファイト化しただけではすぐれた
放射線光学素子は出来ない事を示し、ている。これはフ
ィルム厚が厚くなるほど熱処理に伴う試料内部からのガ
ス発生のため、ab面が配向しにくいと言う事である。
本発明は以上述べた様な高分子フィルムを加熱してグラ
ファイトを製造しようとする方法のもついくつかの欠点
を改良し、ロッキング特性を含むすぐれたグラファイト
結晶としての特性を有し、しかも厚手のブロック状グラ
ファイトを製造することを目的として成されたものであ
る。
課題を解決するだめの手段 上記目的を達成するために、本発明は芳香族ポリアミド
フィルムを2200℃以上の温度で熱処理して得た炭素
質フィルムの複数枚を2000℃以上でプレス圧着する
ようにしたものである。
作用 上記構成によりグラフアイ) ab面がきれいに重なっ
た任意の厚さのすぐれた特性のグラファイトを得ること
ができる。
実施例 以下本発明の実施例について詳細に説明するが、本発明
がこれらに限定されるものでないことは言うまでもない
なお、グラファイト化の程度は上記格子定数、黒鉛化率
、電気伝導度ロッキング特性などの値より評価した。
グラファイトの各物性の測定は下記に従って行なった。
1、格子定数(Co) フィリップ社製PW−1051型X線デイフラクトメー
ターを用い、0区α線を使用して試料のX線回折線を測
定した。COO値は2θ=26〜27゜付近に現われる
(OO2)回折線よりブラッグの式nλ= 2 d s
inθ(ただし2ti=co)を用いて計算した。ここ
でn=2、λはX線の波長である。
2、黒鉛化率(%) 黒鉛化率は面間隔(d)の値より次式を用いて計算した
d、、t = 3.354g + 3.44 (1−g
 )ここでgは黒鉛化の程度を示しg=1は完全な黒鉛
、g=0は無定形炭素を示す。
3、電気伝導度(S/cm) 試料に銀ペーストと金線を用いて4端子電極を取シ付け
、外側電極より一定電流を流し、内側電極においてその
電圧降下を測定する事によって測定した。試料の幅、長
さ、厚さを顕微鏡によって決定し電気伝導度値を決定し
た。
4、 ロッキング特性(0) 理学電機社製 ロータフレックスRU −200B型X
線回折装置を用い、グラファイト(002)回折線のピ
ーク位置におけるロッキング特性を測定した。得られた
吸収曲線の半値幅をもってロッキング特性とした。
本発明者らは天然グラファイトと同等のすぐれた特性を
有する良質のグラファイトを得る目的で前記、PA%P
OD、PI、PBT、PBBT等の高分子フィルムをグ
ラファイト化し、これをホットプレスした。その結果、
芳香族ポリアミドフィルム(PA)を熱処理して得られ
るグラファイトフィルムは2000℃、4#/d以上の
温度、及び圧力下で容易に圧着する事が出来、同時にそ
のロッキング特性が著しく改良出来る事を見出した。な
お、温度が2000℃未満あるいは圧力が4に’i/−
未満ではフィルム同志が接着しない事が分った。
例えば前記の2600℃処理した4種のPAフィルムを
それぞれ4枚ずつ2600’C,20#/−の圧力でホ
ントプレスして得られた、それぞれ24μm、80μm
、  320μm、  1800μmの厚さのグラファ
イトのロッキング特性はそれぞれ1.2°、1.4°、
1.6°、1.9゜アミドフィルムを石英板にはさんで
、窒素中、毎分20℃の速度で昇温し、1000℃で1
時間熱処理した。こうして得られた熱処理フィルムを黒
鉛基板でサンドインチし、アルゴン気流中で室温より毎
分10℃の速度で昇温し、所望の温度Tpで1時間処理
し、毎分20℃の速度で降温させた。使用した炉は進成
電炉社製46−1型カーボンヒーター炉である。
次に、得られたフィルム4枚を中外炉工業■社製超高温
ホットプレスを用いてホットプレスを行った。プレス温
度は2500℃、圧力は20H/−プレス時間は1時間
である。こうして得られたグラファイトのホットプレス
前の物性値、ホットプレス後の物性値を第2表に示す。
第2表の結果より明らかである様にホットプレスによる
処理は格子定数、黒鉛化率、電気伝導度特性にはあまり
影響を及ぼさないが、ロッキング特性には著しい特性の
向上をもたらす。この様なすぐれたロッキング特性はこ
の様な処理をほどこしたグラファイトがX線光学素子等
の応用に最適である事を示している。
以下余白 実施例2 実施例1と同様の方法でPAフィルムを2800℃処理
しくTp)、いろいろな条件下でホットプレスを行った
。その結果を第3表に示す。プレス時間は1時間である
。2000℃未満、4に9/CfA未満のホットプレス
条件下ではPAフィルムは圧着せず、ロッキング特性も
あまり改良されない事が分る。
これに対してプレス温度および圧力をこの条件以上の条
件にすると圧着する事が出来、同時に著しいロッキング
特性の改良が観察出来る。より高い温度、より高圧力は
共に有効であり、2800℃、100#/−のプレス条
件下では、ロッキング値0.28゜と言うすぐれた値を
得る事が出来た。この値はプレス時間をより長くする事
によってもさらに改良が可能で2800℃、100却/
−の圧力下、2時間のプレスではその値は026°にな
った。
以下余白 実施例3 実施例2と同じ方法で2800℃処理したPAフィルム
を2800℃、40#/−の圧力下で1時間ホットプレ
スした。プレスの際に使用するフィルムの枚数を10枚
、20枚、80枚、200枚とした。こうして得られた
グラファイトの厚みはそれぞれほぼ33Iin。
110μm、  380μm、  11TIInであっ
たが、ロッキング特性などの物理的な性質にはほとんど
変りがなかった。すなわちこの方法によっていくらでも
厚いブロック状グラファイトが得られる事が分った。
発明の効果 以上、要するに本発明は、2200℃以上でグラファイ
ト化した複数枚の芳香族ポリアミドフィルムをさらに2
000℃、4汚/−以上の圧力でホットプレスする事を
特徴とするグラファイトの製造方法であって、従来、製
造することが困難であったほぼ完全なグラファイトを容
易に作成する事が出来、特に従来の方法に比べ著しくロ
ッキング特性の改良された、ブロック状グラファイトを
得る事が出来る。本発明の方法で得られたグラファイト
はX線や中性子線モノクロメータ−1 に広く使用する事が出来る。
フィルターなど

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 芳香族ポリアミドフィルムを2200℃以上の温度で熱
    処理して得られる複数枚の炭素質フィルムを2000℃
    以上の温度領域で4kg/cm^2以上の圧力を加えな
    がら圧着する事を特徴とするグラファイトの製造方法。
JP63192537A 1987-08-26 1988-08-01 グラファイトの製造方法 Pending JPH0244020A (ja)

Priority Applications (4)

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JP63192537A JPH0244020A (ja) 1988-08-01 1988-08-01 グラファイトの製造方法
US07/236,999 US4954193A (en) 1987-08-26 1988-08-26 Method for making a graphite film or sheet
EP88307924A EP0305197B1 (en) 1987-08-26 1988-08-26 Method for making a graphite film or sheet and radiation optical elements using the graphite sheet
DE8888307924T DE3871660T2 (de) 1987-08-26 1988-08-26 Verfahren zur herstellung eines graphitfilms oder -blatts und strahlungsoptische vorrichtung, in der das graphitblatt verwendet wird.

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Cited By (4)

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JP2002363421A (ja) * 2001-06-06 2002-12-18 Polymatech Co Ltd 熱伝導性成形体及びその製造方法
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