JPH0244083A - 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 - Google Patents
炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法Info
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- JPH0244083A JPH0244083A JP63192992A JP19299288A JPH0244083A JP H0244083 A JPH0244083 A JP H0244083A JP 63192992 A JP63192992 A JP 63192992A JP 19299288 A JP19299288 A JP 19299288A JP H0244083 A JPH0244083 A JP H0244083A
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 52
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 52
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は炭化ケイ素セラミンクスの表面処理方法に関し
、特に、炭化ケイ素セラミックスの表面にケイ素または
ケイ素リッチな炭化ケイ素層を形成する炭化ケイ素セラ
ミックスの表面処理方法に関するものである。
、特に、炭化ケイ素セラミックスの表面にケイ素または
ケイ素リッチな炭化ケイ素層を形成する炭化ケイ素セラ
ミックスの表面処理方法に関するものである。
（従来技術および解決しようとする問題点〕−Ｇに、金
属等の他の部材との接合を容易にするため、あるいは表
層部分の反応性を高くして他の反応性物質を反応させて
別の物理的性質を付与する等の目的で、炭化ケイ素セラ
ミックスの表面をケイ素層で被覆することが行われてい
る。
属等の他の部材との接合を容易にするため、あるいは表
層部分の反応性を高くして他の反応性物質を反応させて
別の物理的性質を付与する等の目的で、炭化ケイ素セラ
ミックスの表面をケイ素層で被覆することが行われてい
る。
従来、上記炭化ケイ素セラミックスである炭化ケイ素焼
結体の表面にケイ素層を設ける方法は、金属ケイ素粉末
をシート状に成形したものまたは粉末のままで炭化ケイ
素焼結体の表面に接触させてケイ素が溶融する温度まで
昇温し、ケイ素層を形成している。
結体の表面にケイ素層を設ける方法は、金属ケイ素粉末
をシート状に成形したものまたは粉末のままで炭化ケイ
素焼結体の表面に接触させてケイ素が溶融する温度まで
昇温し、ケイ素層を形成している。
しかしなから、上記の方法で形成されるケイ素層にあっ
ては、基材となる炭化ケイ素焼結体の表面へケイ素を付
加的に融着させるものであるので、その接合力が充分で
ないという問題点を有していた。
ては、基材となる炭化ケイ素焼結体の表面へケイ素を付
加的に融着させるものであるので、その接合力が充分で
ないという問題点を有していた。
本発明は炭化ケイ素焼結体の表面にこの焼結体との接合
力が強固なケイ素層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層
を形成する炭化ケイ素セラミンクスの表面処理方法を提
供することを目的としている。
力が強固なケイ素層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層
を形成する炭化ケイ素セラミンクスの表面処理方法を提
供することを目的としている。
上記の目的を達成するために本発明は、炭化ケイ素焼結
体をその一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温し
、この昇温した炭化ケイ素焼結体表面に、炭素とは容易
に反応するがケイ素とは反応し難い物質を供給して反応
させ、反応物を前記焼結体表面から除去する手段を有し
ている。
体をその一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温し
、この昇温した炭化ケイ素焼結体表面に、炭素とは容易
に反応するがケイ素とは反応し難い物質を供給して反応
させ、反応物を前記焼結体表面から除去する手段を有し
ている。
（作用〕
本発明は上記の１段を採用したことにより、炭化ケイ素
セラミ、クスである炭化ケイ素焼結体の−に面にゲイ素
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層を確実に形成でき
ることとなる。
セラミ、クスである炭化ケイ素焼結体の−に面にゲイ素
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層を確実に形成でき
ることとなる。
以下、本発明の処理力法について詳しく述べる。
本発明においては、まず、炭化ケイ素セラミックスであ
る炭化ケイ素焼結体をアルゴン等の不活性ガス中（々ｆ
：＋：しくは１〜５気圧）の条件下で、炭化ケイ素焼結
体の一部が分、解する温度まで１温する。
る炭化ケイ素焼結体をアルゴン等の不活性ガス中（々ｆ
：＋：しくは１〜５気圧）の条件下で、炭化ケイ素焼結
体の一部が分、解する温度まで１温する。
次に、上記の温度に昇温後、炭化ケイ素焼結体の表面に
、炭素とは容易に反応するがケイ素とは反応し難い物質
、例えば二酸化炭素、水素等を供給し、炭化ケイ素焼結
体表面の炭素と反応させる。
、炭素とは容易に反応するがケイ素とは反応し難い物質
、例えば二酸化炭素、水素等を供給し、炭化ケイ素焼結
体表面の炭素と反応させる。
前記炭素とは容易に反応するがケイ素とは反応し難い物
質として二酸化炭素を用いた場合、焼結体の表面では以
下の反応が起きる。
質として二酸化炭素を用いた場合、焼結体の表面では以
下の反応が起きる。
Ｃ＋ ＣＯ，→２ＣＯ
そして、上記の焼結体の表面での反応終了後、アルゴン
等の不活性ガス雰囲気にして、反応により生成した物質
を焼結体の表面から除去し、降温する。
等の不活性ガス雰囲気にして、反応により生成した物質
を焼結体の表面から除去し、降温する。
これにより、炭化ケイ素焼結体の表層部分には、ケイ素
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層が形成されること
となる。
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層が形成されること
となる。
上記で得られた表層部分にケイ素層またはケイ素リッチ
な炭化ケイ素層が形成された炭化ケイ素焼結体にあって
は、その表層部分に形成されるケイ素層またはケイ素リ
ッチな炭化ケイ素層が基材である炭化ケイ素焼結体に付
加的に接合されたものでなく、一体となった状態で形成
されるので、１１コ記ケイ素層またはケイ素リッチな炭
化ケイ累層が炭化ケイ素焼結体に強固に接合されたもの
となる。
な炭化ケイ素層が形成された炭化ケイ素焼結体にあって
は、その表層部分に形成されるケイ素層またはケイ素リ
ッチな炭化ケイ素層が基材である炭化ケイ素焼結体に付
加的に接合されたものでなく、一体となった状態で形成
されるので、１１コ記ケイ素層またはケイ素リッチな炭
化ケイ累層が炭化ケイ素焼結体に強固に接合されたもの
となる。
上記本発明の処理方法において、炭化ケイ素焼結体の一
部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温する温度条件
、および、炭素と容易に反応しケイ素と反応し難い物質
の供給量は、その供給する物質の種類や目的とする炭化
ケイ素焼結体の表層から除去する炭素の量等に応じて任
意に設定することができるものであるが、前記温度条件
の好ましくは１６００〜２５００°Ｃであり、さらに好
ましくは１７００〜２２００°Ｃである。
部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温する温度条件
、および、炭素と容易に反応しケイ素と反応し難い物質
の供給量は、その供給する物質の種類や目的とする炭化
ケイ素焼結体の表層から除去する炭素の量等に応じて任
意に設定することができるものであるが、前記温度条件
の好ましくは１６００〜２５００°Ｃであり、さらに好
ましくは１７００〜２２００°Ｃである。
また、上記の炭化ケイ素焼結体の表層における炭素の反
応量は、反応生成物の量を計測することにより容易に把
握できるので、ケイ素層またはケイ素リッチな炭化ケイ
素層の形成状態を把握できる。
応量は、反応生成物の量を計測することにより容易に把
握できるので、ケイ素層またはケイ素リッチな炭化ケイ
素層の形成状態を把握できる。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
炭化ケイ素焼結体をアルゴンガス１気圧中において、１
７３０°Ｃまで昇温する。この１７３０°Ｃにおける炭
化ケイ素焼結体の分６解鼠は、熱力学の平衡値計算では
１０．６％であるが、実際には分解する速度に律速され
るため、−度に１０００％までも分解されず、ｌ００６
％に到達するまで徐々に分解反応が進行する。次に、ア
ルゴンガスに代えて二酸化炭素ガスを２気圧で供給する
。この状態を５時間維持した後、前記二酸化炭素ガスに
代えてアルゴンガスを１気圧で供給し、室温まで降温す
る。
７３０°Ｃまで昇温する。この１７３０°Ｃにおける炭
化ケイ素焼結体の分６解鼠は、熱力学の平衡値計算では
１０．６％であるが、実際には分解する速度に律速され
るため、−度に１０００％までも分解されず、ｌ００６
％に到達するまで徐々に分解反応が進行する。次に、ア
ルゴンガスに代えて二酸化炭素ガスを２気圧で供給する
。この状態を５時間維持した後、前記二酸化炭素ガスに
代えてアルゴンガスを１気圧で供給し、室温まで降温す
る。
上記で得られた炭化ケイ素焼結体の表層はケイ素層また
はケイ素リッチな炭化ケイ素層が形成されていた。
はケイ素リッチな炭化ケイ素層が形成されていた。
本発明は、上記のように炭化ケイ素焼結体をその一部が
ケイ素と炭素に分解する温度まで昇温し、この昇温した
炭化ケイ素焼結体表面に、炭素とは容易に反応するがケ
イ素とは反応し難い物質を供給して反応させ、反応物を
前記焼結体表面から除去するようにしたので、炭化ケイ
素焼結体の表層に、ケイ素層またはケイ素リッチな炭化
ケイ素層を確実に形成するとともに、形成されたケイ素
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層は基材の炭化ゲイ
素焼結体との接合力が強固であるなどのすぐれた効果を
有するものである。
ケイ素と炭素に分解する温度まで昇温し、この昇温した
炭化ケイ素焼結体表面に、炭素とは容易に反応するがケ
イ素とは反応し難い物質を供給して反応させ、反応物を
前記焼結体表面から除去するようにしたので、炭化ケイ
素焼結体の表層に、ケイ素層またはケイ素リッチな炭化
ケイ素層を確実に形成するとともに、形成されたケイ素
層またはケイ素リッチな炭化ケイ素層は基材の炭化ゲイ
素焼結体との接合力が強固であるなどのすぐれた効果を
有するものである。
Claims (1)
- （１）炭化ケイ素焼結体をその一部がケイ素と炭素に分
解する温度まで昇温し、この昇温した炭化ケイ素焼結体
表面に、炭素とは容易に反応するがケイ素とは反応し難
い物質を供給して反応させ、反応物を前記焼結体表面か
ら除去することを特徴とする炭化ケイ素セラミックスの
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192992A JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192992A JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244083A true JPH0244083A (ja) | 1990-02-14 |
| JPH0536389B2 JPH0536389B2 (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=16300423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192992A Granted JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712821A1 (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-22 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Porous ceramic material and producing method of same, and valve unit |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63192992A patent/JPH0244083A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0712821A1 (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-22 | NGK Spark Plug Co. Ltd. | Porous ceramic material and producing method of same, and valve unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536389B2 (ja) | 1993-05-28 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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