JPH0536389B2 - - Google Patents
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- JPH0536389B2 JPH0536389B2 JP63192992A JP19299288A JPH0536389B2 JP H0536389 B2 JPH0536389 B2 JP H0536389B2 JP 63192992 A JP63192992 A JP 63192992A JP 19299288 A JP19299288 A JP 19299288A JP H0536389 B2 JPH0536389 B2 JP H0536389B2
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- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は炭化ケイ素セラミツクスの表面処理方
法に関し、特に、炭化ケイ素セラミツクスの表面
にケイ素またはケイ素リツチな炭化ケイ素層を形
成する炭化ケイ素セラミツクスの表面処理方法に
関するものである。
法に関し、特に、炭化ケイ素セラミツクスの表面
にケイ素またはケイ素リツチな炭化ケイ素層を形
成する炭化ケイ素セラミツクスの表面処理方法に
関するものである。
一般に、金属等の他の部材との接合を容易にす
るため、あるいは表層部分の反応性を高くして他
の反応性物質を反応させて別の物理的性質を付与
する等の目的で、炭化ケイ素セラミツクスの表面
をケイ素層で被覆することが行われている。
るため、あるいは表層部分の反応性を高くして他
の反応性物質を反応させて別の物理的性質を付与
する等の目的で、炭化ケイ素セラミツクスの表面
をケイ素層で被覆することが行われている。
従来、上記炭化ケイ素セラミツクスである炭化
ケイ素焼結体の表面にケイ素層を設ける方法は、
金属ケイ素粉末をシート状に成形したものまたは
粉末のままで炭化ケイ素焼結体の表面に接触させ
てケイ素が溶融する温度まで昇温し、ケイ素層を
形成している。
ケイ素焼結体の表面にケイ素層を設ける方法は、
金属ケイ素粉末をシート状に成形したものまたは
粉末のままで炭化ケイ素焼結体の表面に接触させ
てケイ素が溶融する温度まで昇温し、ケイ素層を
形成している。
しかしながら、上記の方法で形成されるケイ素
層にあつては、基材となる炭化ケイ素焼結体の表
面へケイ素を付加的に融着させるものであるの
で、その接合力が充分でないという問題点を有し
ていた。
層にあつては、基材となる炭化ケイ素焼結体の表
面へケイ素を付加的に融着させるものであるの
で、その接合力が充分でないという問題点を有し
ていた。
本発明は炭化ケイ素焼結体の表面にこの焼結体
との接合力が強固なケイ素層またはケイ素リツチ
な炭化ケイ素層を形成する炭化ケイ素セラミツク
スの表面処理方法を提供することを目的としてい
る。
との接合力が強固なケイ素層またはケイ素リツチ
な炭化ケイ素層を形成する炭化ケイ素セラミツク
スの表面処理方法を提供することを目的としてい
る。
上記の目的を達成するために本発明は、炭化ケ
イ素焼結体をその一部がケイ素と炭素に分解する
温度まで昇温し、この昇温した炭化ケイ素焼結体
表面に、炭素とは容易に反応するがケイ素とは反
応し難い物質を供給して反応させ、反応物を前記
焼結体表面から除去する手段を有している。
イ素焼結体をその一部がケイ素と炭素に分解する
温度まで昇温し、この昇温した炭化ケイ素焼結体
表面に、炭素とは容易に反応するがケイ素とは反
応し難い物質を供給して反応させ、反応物を前記
焼結体表面から除去する手段を有している。
本発明は上記の手段を採用したことにより、炭
化ケイ素セラミツクスである炭化ケイ素焼結体の
表面にケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素
層を確実に形成できることとなる。
化ケイ素セラミツクスである炭化ケイ素焼結体の
表面にケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素
層を確実に形成できることとなる。
以下、本発明の処理方法について詳しく述べ
る。
る。
本発明においては、まず、炭化ケイ素セラミツ
クスである炭化ケイ素焼結体をアルゴン等の不活
性ガス中（好ましくは１〜５気圧）の条件下で、
炭化ケイ素焼結体の一部が分解する温度まで昇温
する。
クスである炭化ケイ素焼結体をアルゴン等の不活
性ガス中（好ましくは１〜５気圧）の条件下で、
炭化ケイ素焼結体の一部が分解する温度まで昇温
する。
次に、上記の温度に昇温後、炭化ケイ素焼結体
の表面に、炭素とは容易に反応するがケイ素とは
反応し難い物質、例えば二酸化炭素、水素等を供
給し、炭化ケイ素焼結体表面の炭素と反応させ
る。
の表面に、炭素とは容易に反応するがケイ素とは
反応し難い物質、例えば二酸化炭素、水素等を供
給し、炭化ケイ素焼結体表面の炭素と反応させ
る。
前記炭素とは容易に反応するがケイ素とは反応
し難い物質として二酸化炭素を用いた場合、焼結
体の表面では以下の反応が起きる。
し難い物質として二酸化炭素を用いた場合、焼結
体の表面では以下の反応が起きる。
Ｃ＋CO2→2CO
そして、上記の焼結体の表面での反応終了後、
アルゴン等の不活性ガス雰囲気にして、反応によ
り生成した物質を焼結体の表面から除去し、降温
する。
アルゴン等の不活性ガス雰囲気にして、反応によ
り生成した物質を焼結体の表面から除去し、降温
する。
これにより、炭化ケイ素焼結体の表層部分に
は、ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層
が形成されることとなる。
は、ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層
が形成されることとなる。
上記で得られた表層部分にケイ素層またはケイ
素リツチな炭化ケイ素層が形成された炭化ケイ素
焼結体にあつては、その表層部分に形成されるケ
イ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層が基材
である炭化ケイ素焼結体に付加的に接合されたも
のでなく、一体となつた状態で形成されるので、
前記ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層
が炭化ケイ素焼結体に強固に接合されたものとな
る。
素リツチな炭化ケイ素層が形成された炭化ケイ素
焼結体にあつては、その表層部分に形成されるケ
イ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層が基材
である炭化ケイ素焼結体に付加的に接合されたも
のでなく、一体となつた状態で形成されるので、
前記ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層
が炭化ケイ素焼結体に強固に接合されたものとな
る。
上記本発明の処理方法において、炭化ケイ素焼
結体の一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇
温する温度条件、および、炭素と容易に反応しケ
イ素と反応し難い物質の供給量は、その供給する
物質の種類や目的とする炭化ケイ素焼結体の表層
から除去する炭素の量等に応じて任意に設定する
ことができるものであるが、前記温度条件の好ま
しくは1600〜2500℃であり、さらに好ましくは
1700〜2200℃である。
結体の一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇
温する温度条件、および、炭素と容易に反応しケ
イ素と反応し難い物質の供給量は、その供給する
物質の種類や目的とする炭化ケイ素焼結体の表層
から除去する炭素の量等に応じて任意に設定する
ことができるものであるが、前記温度条件の好ま
しくは1600〜2500℃であり、さらに好ましくは
1700〜2200℃である。
また、上記の炭化ケイ素焼結体の表層における
炭素の反応量は、反応生成物の量を計測すること
により容易に把握できるので、ケイ素層またはケ
イ素リツチな炭化ケイ素層の形成状態を把握でき
る。
炭素の反応量は、反応生成物の量を計測すること
により容易に把握できるので、ケイ素層またはケ
イ素リツチな炭化ケイ素層の形成状態を把握でき
る。
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説
明する。
明する。
炭化ケイ素焼結体をアルゴンガス１気圧中にお
いて、1730℃まで昇温する。この1730℃における
炭化ケイ素焼結体の分解量は、熱力学の平衡値計
算では10.6％であるが、実際には分解する速度に
律速されるため、一度に10.6％までも分解され
ず、10.6％に到達するまで徐々に分解反応が進行
する。次に、アルゴンガスに代えて二酸化炭素ガ
スを２気圧で供給する。この状態を５時間維持し
た後、前記二酸化炭素ガスに代えてアルゴンガス
を１気圧で供給し、室温まで降温する。
いて、1730℃まで昇温する。この1730℃における
炭化ケイ素焼結体の分解量は、熱力学の平衡値計
算では10.6％であるが、実際には分解する速度に
律速されるため、一度に10.6％までも分解され
ず、10.6％に到達するまで徐々に分解反応が進行
する。次に、アルゴンガスに代えて二酸化炭素ガ
スを２気圧で供給する。この状態を５時間維持し
た後、前記二酸化炭素ガスに代えてアルゴンガス
を１気圧で供給し、室温まで降温する。
上記で得られた炭化ケイ素焼結体の表層はケイ
素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層が形成さ
れていた。
素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層が形成さ
れていた。
本発明は、上記のように炭化ケイ素焼結体をそ
の一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温
し、この昇温した炭化ケイ素焼結体表面に、炭素
とは容易に反応するがケイ素とは反応し難い物質
を供給して反応させ、反応物を前記焼結体表面か
ら除去するようにしたので、炭化ケイ素焼結体の
表層に、ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ
素層を確実に形成するとともに、形成されたケイ
素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層は基材の
炭化ケイ素焼結体との接合力が強固であるなどの
すぐれた効果を有するものである。
の一部がケイ素と炭素に分解する温度まで昇温
し、この昇温した炭化ケイ素焼結体表面に、炭素
とは容易に反応するがケイ素とは反応し難い物質
を供給して反応させ、反応物を前記焼結体表面か
ら除去するようにしたので、炭化ケイ素焼結体の
表層に、ケイ素層またはケイ素リツチな炭化ケイ
素層を確実に形成するとともに、形成されたケイ
素層またはケイ素リツチな炭化ケイ素層は基材の
炭化ケイ素焼結体との接合力が強固であるなどの
すぐれた効果を有するものである。
Claims (1)
- １ 炭化ケイ素焼結体をその一部がケイ素と炭素
に分解する温度まで昇温し、この昇温した炭化ケ
イ素焼結体表面に、炭素とは容易に反応するがケ
イ素とは反応し難い物質を供給して反応させ、反
応物を前記焼結体表面から除去することを特徴と
する炭化ケイ素セラミツクスの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192992A JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63192992A JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244083A JPH0244083A (ja) | 1990-02-14 |
| JPH0536389B2 true JPH0536389B2 (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=16300423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63192992A Granted JPH0244083A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 炭化ケイ素セラミックスの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244083A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3532641B2 (ja) * | 1994-11-16 | 2004-05-31 | 日本特殊陶業株式会社 | 多孔質セラミック材料とその製造方法、及びバルブユニット |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63192992A patent/JPH0244083A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244083A (ja) | 1990-02-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |