JPH0244768B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0244768B2 JPH0244768B2 JP56192363A JP19236381A JPH0244768B2 JP H0244768 B2 JPH0244768 B2 JP H0244768B2 JP 56192363 A JP56192363 A JP 56192363A JP 19236381 A JP19236381 A JP 19236381A JP H0244768 B2 JPH0244768 B2 JP H0244768B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sial
- sio
- powder
- carbon
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- FXSGDOZPBLGOIN-UHFFFAOYSA-N trihydroxy(methoxy)silane Chemical compound CO[Si](O)(O)O FXSGDOZPBLGOIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910018514 Al—O—N Inorganic materials 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NCWQJOGVLLNWEO-UHFFFAOYSA-N methylsilicon Chemical compound [Si]C NCWQJOGVLLNWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、セラミツク粉末の製造方法に関し、
更に詳しくは、簡便な方法でサイアロン（Si−
Al−Ｏ−Ｎ）系のセラミツク粉末を製造する方
法に関する。
更に詳しくは、簡便な方法でサイアロン（Si−
Al−Ｏ−Ｎ）系のセラミツク粉末を製造する方
法に関する。
発明の技術的背景とその問題点
近年、超高温且つ高腐食性環境下において使用
可能な構造材料として、窒化ケイ素（Si3N4）系
セラミツク焼結材料が注目を集めている。しか
し、この種のセラミツクス焼結材料において、純
粋なSi3N4焼結体の場合には、焼結性が劣り、高
密度のものが得難いと云う問題点を有している。
この改善策として、Si3N4にアルミニウム（Al）
や酸素（Ｏ）を固溶させた、所謂、サイアロン
（SiAlON）と呼ばれる化合物が関心を寄せられ
ている。かかるサイアロン系化合物は、優れた耐
食性能を有し、且つ、焼結体の高密度化も容易で
あるために、その焼結体或いは更に希土類酸化物
を加えて成る焼結体を、優れた耐食性及び機械的
特性を要求される構造材料として適用することが
試みられている。かかるサイアロン系焼結体は、
窒化珪素（Si3N4）、窒化アルミニウム（AlN）
及びアルミナ（Al2O3）又はシリカ（SiO2）から
成る混合物を焼結することによつて得られるが、
この方法は、高価なSi3N4を直接の原料としてい
るために、コスト面から用途が限定されると云う
問題点を有している。又、シリカ（SiO2）、アル
ミニウム（Al）及び珪素（Si）から成る混合物
を原料として、SiO2をAlで還元し、生成したSi
を窒化して焼結する方法もある。しかし、この方
法では、反応工程の制御が難しく、所望の焼結体
を得るには高度の熟練を要するために、量産性に
欠けるという問題点を有している。
可能な構造材料として、窒化ケイ素（Si3N4）系
セラミツク焼結材料が注目を集めている。しか
し、この種のセラミツクス焼結材料において、純
粋なSi3N4焼結体の場合には、焼結性が劣り、高
密度のものが得難いと云う問題点を有している。
この改善策として、Si3N4にアルミニウム（Al）
や酸素（Ｏ）を固溶させた、所謂、サイアロン
（SiAlON）と呼ばれる化合物が関心を寄せられ
ている。かかるサイアロン系化合物は、優れた耐
食性能を有し、且つ、焼結体の高密度化も容易で
あるために、その焼結体或いは更に希土類酸化物
を加えて成る焼結体を、優れた耐食性及び機械的
特性を要求される構造材料として適用することが
試みられている。かかるサイアロン系焼結体は、
窒化珪素（Si3N4）、窒化アルミニウム（AlN）
及びアルミナ（Al2O3）又はシリカ（SiO2）から
成る混合物を焼結することによつて得られるが、
この方法は、高価なSi3N4を直接の原料としてい
るために、コスト面から用途が限定されると云う
問題点を有している。又、シリカ（SiO2）、アル
ミニウム（Al）及び珪素（Si）から成る混合物
を原料として、SiO2をAlで還元し、生成したSi
を窒化して焼結する方法もある。しかし、この方
法では、反応工程の制御が難しく、所望の焼結体
を得るには高度の熟練を要するために、量産性に
欠けるという問題点を有している。
発明の目的
本発明の目的は、上記した問題点を解消し、簡
便な方法で、緻密且つ高温時における機械的強度
が優れ、焼結時に優れた耐食性を示すサイアロン
系のセラミツク粉末の製造方法を提供するにあ
る。
便な方法で、緻密且つ高温時における機械的強度
が優れ、焼結時に優れた耐食性を示すサイアロン
系のセラミツク粉末の製造方法を提供するにあ
る。
発明の概要
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、合成原
料として、シリカ（SiO2）よりも反応性に富む
メチル珪酸（CH3SiO3/2）を使用することに想到
した。そして、メチル珪酸（CH3SiO3/2）をカー
ボン（Ｃ）により還元し、生成した珪素（Si）を
窒化アルミニウム（AlN）及び／又は酸化アル
ミニウム（Al2O3）の存在下に窒化することによ
り、簡便な操作で所望のセラミツク粉末が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに到つた。
料として、シリカ（SiO2）よりも反応性に富む
メチル珪酸（CH3SiO3/2）を使用することに想到
した。そして、メチル珪酸（CH3SiO3/2）をカー
ボン（Ｃ）により還元し、生成した珪素（Si）を
窒化アルミニウム（AlN）及び／又は酸化アル
ミニウム（Al2O3）の存在下に窒化することによ
り、簡便な操作で所望のセラミツク粉末が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに到つた。
即ち、本発明のセラミツク粉末の製造方法は、
(1) 一般式：Si6-zAlzN8-zOz（式中、ｚは０〜４
の数である。但し、ｚ＝０を除く。） で示される化合物もしくはSiAl4N4O2、
SiAl5N5O2、SiAl6N6O2又はSiAl6N3O2のそれぞ
れの化合物に相応するように配合された、 メチル珪酸（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）並びに
窒化アルミニウム（AlN）及び／又は酸化アル
ミニウム（Al2O3）から成る混合粉末を出発原料
とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中において、加
熱処理を施すことにより、前記珪素アルミニウム
オキシ窒化物（Si−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末
を合成することを特徴とするものであり、又、 (2) 一般式：ROX/2・Si6-zAlzN8-zOz、ROX/2・
SiAl4N4O2、ROX/2・SiAl5N5O2、ROX/2・
SiAl6N6O2又はROX/2・SiAl6N3O2 （式中、Ｒはイツトリウム（Ｙ）、セリウム
（Ce）、ランタン（La）及びスカンジウム
（Sc）から成る群より選ばれた１種もしくは２
種以上のものを表わし、ｘはＲの原子価を表わ
し、ｚは０〜４の数である。但し、ｚ＝０を除
く。） で示されるそれぞれの化合物に相応するように配
合された、 メチル珪酸（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）、窒化ア
ルミニウム（AlN）及び／又は酸化アルミニウ
ム（Al2O3）並びに希土類酸化物（ROX/2（Ｒ、ｘ
は前記と同意義である。））から成る混合粉末を出
発原料とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中におい
て、加熱処理を施すことにより、前記希土類酸化
物・珪素アルミニウムオキシ窒化物（ROX/2・Si
−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末を合成することを
特徴とするものである。
の数である。但し、ｚ＝０を除く。） で示される化合物もしくはSiAl4N4O2、
SiAl5N5O2、SiAl6N6O2又はSiAl6N3O2のそれぞ
れの化合物に相応するように配合された、 メチル珪酸（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）並びに
窒化アルミニウム（AlN）及び／又は酸化アル
ミニウム（Al2O3）から成る混合粉末を出発原料
とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中において、加
熱処理を施すことにより、前記珪素アルミニウム
オキシ窒化物（Si−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末
を合成することを特徴とするものであり、又、 (2) 一般式：ROX/2・Si6-zAlzN8-zOz、ROX/2・
SiAl4N4O2、ROX/2・SiAl5N5O2、ROX/2・
SiAl6N6O2又はROX/2・SiAl6N3O2 （式中、Ｒはイツトリウム（Ｙ）、セリウム
（Ce）、ランタン（La）及びスカンジウム
（Sc）から成る群より選ばれた１種もしくは２
種以上のものを表わし、ｘはＲの原子価を表わ
し、ｚは０〜４の数である。但し、ｚ＝０を除
く。） で示されるそれぞれの化合物に相応するように配
合された、 メチル珪酸（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）、窒化ア
ルミニウム（AlN）及び／又は酸化アルミニウ
ム（Al2O3）並びに希土類酸化物（ROX/2（Ｒ、ｘ
は前記と同意義である。））から成る混合粉末を出
発原料とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中におい
て、加熱処理を施すことにより、前記希土類酸化
物・珪素アルミニウムオキシ窒化物（ROX/2・Si
−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末を合成することを
特徴とするものである。
以下において、本発明を更に詳しく説明する。
本発明は、メチル珪酸（CH3SiO3/2）と炭素
（Ｃ）を出発原料とする酸化物還元法による窒化
珪素（Si3N4）粉末の合成法において、所望のサ
イアロン系化合物もしくは希土類酸化物・サイア
ロン系化合物に相応するように、CH3SiO3/2、Ｃ
及びAlN及び／又はAl2O3を所定量配合し、もし
くは、更に、ROX/2を所定量配合して成る混合粉
末を出発原料とするものである。
（Ｃ）を出発原料とする酸化物還元法による窒化
珪素（Si3N4）粉末の合成法において、所望のサ
イアロン系化合物もしくは希土類酸化物・サイア
ロン系化合物に相応するように、CH3SiO3/2、Ｃ
及びAlN及び／又はAl2O3を所定量配合し、もし
くは、更に、ROX/2を所定量配合して成る混合粉
末を出発原料とするものである。
上記Si3N4粉末を合成する際に、反応は次のよ
うに進行していると考えられる。
うに進行していると考えられる。
3CH3SiO3/2＋4.5〜1.5C＋2N2→Si3N
4＋4.5CO＋4.5H2 かかる反応において、CH3SiO3/2のＣによる還
元反応により生成する、還元されたSiが、AlN又
はAl2O3、もしくはROX/2、並びに雰囲気中に存
在するN2と反応して、所望のサイアロン系化合
物が得られるものである。本発明における還元、
窒化反応を行なわしめる条件は、例えば、1300〜
1550℃において、２〜10時間程度反応させること
が好ましい。上記窒素を含む非酸化性雰囲気とし
ては、例えば、N2、NH3、N2−H2、N2−不活
性ガス等が挙げられるが、その主成分は、N2又
はNH3でなければならない。殊に、Al2O3を使用
して合成を行なわしめる場合には、かかる窒素源
としてのN2又はNH3の存在は不可欠である。
4＋4.5CO＋4.5H2 かかる反応において、CH3SiO3/2のＣによる還
元反応により生成する、還元されたSiが、AlN又
はAl2O3、もしくはROX/2、並びに雰囲気中に存
在するN2と反応して、所望のサイアロン系化合
物が得られるものである。本発明における還元、
窒化反応を行なわしめる条件は、例えば、1300〜
1550℃において、２〜10時間程度反応させること
が好ましい。上記窒素を含む非酸化性雰囲気とし
ては、例えば、N2、NH3、N2−H2、N2−不活
性ガス等が挙げられるが、その主成分は、N2又
はNH3でなければならない。殊に、Al2O3を使用
して合成を行なわしめる場合には、かかる窒素源
としてのN2又はNH3の存在は不可欠である。
本発明において使用される出発原料の配合比
は、目的とするサイアロン系化合物の組成によ
り、適宜選択することが好ましい。勿論、ここで
最終的に得られるサイアロン系化合物粉末中に、
酸素（Ｏ）を残存せしめるために、還元に寄与す
るカーボン量を適宜減量させる等のことも可能で
ある。
は、目的とするサイアロン系化合物の組成によ
り、適宜選択することが好ましい。勿論、ここで
最終的に得られるサイアロン系化合物粉末中に、
酸素（Ｏ）を残存せしめるために、還元に寄与す
るカーボン量を適宜減量させる等のことも可能で
ある。
尚、反応終了後、系内に残存する炭素を除去す
るために、例えば、酸化性雰囲気中において、
600〜800℃の温度で加熱処理して、残存炭素を酸
化除去することが好ましい。
るために、例えば、酸化性雰囲気中において、
600〜800℃の温度で加熱処理して、残存炭素を酸
化除去することが好ましい。
本発明において、反応は次のように進行するも
のと考えられる。即ち、先ず、CH3SiO3/2の還元
窒化反応において、その反応系にはAlNやAl2O3
等の他の原料粉末が共存するために、これら
AlN粉末等が反応の核となつて、上記還元、窒
化反応が容易に促進される。一方において、前記
CH3SiO3/2の還元、窒化反応の進行に伴ない、残
余のAlNやAl2O3等と、還元されたSiとの間の反
応も容易に生起し、その結果として、微細且つ粒
径の揃つた所望のサイアロン系化合物が得られ
る。
のと考えられる。即ち、先ず、CH3SiO3/2の還元
窒化反応において、その反応系にはAlNやAl2O3
等の他の原料粉末が共存するために、これら
AlN粉末等が反応の核となつて、上記還元、窒
化反応が容易に促進される。一方において、前記
CH3SiO3/2の還元、窒化反応の進行に伴ない、残
余のAlNやAl2O3等と、還元されたSiとの間の反
応も容易に生起し、その結果として、微細且つ粒
径の揃つた所望のサイアロン系化合物が得られ
る。
上記反応において、Si源として使用される
CH3SiO3/2が、良好な結果をもたらす理由は定か
ではないが、次のように考えることができる。即
ち、CH3SiO3/2は加熱により、300〜500℃程度の
温度において、有機基（メキル基）が分解脱離し
易くなる。この際に、分解した有機基は、本発明
のような非酸化性雰囲気下においては、更に、Ｃ
とＨに分解し、Ｃは遊離炭素粒子として、大部分
SiO3/2の近傍に存在する。ここで、更に加熱を続
けると、SiO3/2は、例えばシリカ（SiO2）等に比
べて熱的に不安定であるために、Ｃにより容易に
還元されて、SiO2よりも速やかに窒素と反応す
る。又、前述の如く、本発明においては、
CH3SiO3/2の熱分解により生成したＣが、分解後
もSiO3/2の近傍に存在しているために、還元剤と
して添加するＣの量を少なくすることができるの
で、セラミツク粉末の収率が著しく改善されると
いう利点をも有するものである。
CH3SiO3/2が、良好な結果をもたらす理由は定か
ではないが、次のように考えることができる。即
ち、CH3SiO3/2は加熱により、300〜500℃程度の
温度において、有機基（メキル基）が分解脱離し
易くなる。この際に、分解した有機基は、本発明
のような非酸化性雰囲気下においては、更に、Ｃ
とＨに分解し、Ｃは遊離炭素粒子として、大部分
SiO3/2の近傍に存在する。ここで、更に加熱を続
けると、SiO3/2は、例えばシリカ（SiO2）等に比
べて熱的に不安定であるために、Ｃにより容易に
還元されて、SiO2よりも速やかに窒素と反応す
る。又、前述の如く、本発明においては、
CH3SiO3/2の熱分解により生成したＣが、分解後
もSiO3/2の近傍に存在しているために、還元剤と
して添加するＣの量を少なくすることができるの
で、セラミツク粉末の収率が著しく改善されると
いう利点をも有するものである。
以下において、実施例を掲げ、本発明を更に詳
しく説明する。
しく説明する。
実施例 １
平均粒径0.1mmのCH3SiO3/2粉末402ｇ（６モ
ル）、平均粒径0.029μの炭素粉末81ｇ（6.75モル）
及び平均粒径0.95μのAlN粉末82ｇ（２モル）を
混合し、ボールミリングして原料粉末を先ず調製
した。次いで、この原料粉末を、1450℃、N2雰
囲気中で５時間還元、窒化反応させてから、700
℃空気雰囲気中３時間加熱処理して残存炭素を除
去した。
ル）、平均粒径0.029μの炭素粉末81ｇ（6.75モル）
及び平均粒径0.95μのAlN粉末82ｇ（２モル）を
混合し、ボールミリングして原料粉末を先ず調製
した。次いで、この原料粉末を、1450℃、N2雰
囲気中で５時間還元、窒化反応させてから、700
℃空気雰囲気中３時間加熱処理して残存炭素を除
去した。
上記操作により得られた平均粒径1.1μの灰色粉
末について、Ｘ線回折法によりその組成を分析し
たところ、Si4Al2N6O2で示されるサイアロン化
合物であることが確認された。
末について、Ｘ線回折法によりその組成を分析し
たところ、Si4Al2N6O2で示されるサイアロン化
合物であることが確認された。
実施例 ２
実施例１と同様の組成の原料粉末に、更に、平
均粒径0.72μの酸化イツトリウム（Y2O3）粉末
33.2ｇ（0.15モル）を添加した混合粉末につい
て、実施例１の場合と同様の条件において還元、
窒化反応及び炭素除去処理を行なつた。
均粒径0.72μの酸化イツトリウム（Y2O3）粉末
33.2ｇ（0.15モル）を添加した混合粉末につい
て、実施例１の場合と同様の条件において還元、
窒化反応及び炭素除去処理を行なつた。
上記操作により得られた平均粒径1.1μの灰色粉
末について、同様にＸ線回折法によりその組成を
分析したところ、 8wt％Y2O3−92wt％Si4Al2N6O2 で示されるサイアロン系化合物であることが確認
された。
末について、同様にＸ線回折法によりその組成を
分析したところ、 8wt％Y2O3−92wt％Si4Al2N6O2 で示されるサイアロン系化合物であることが確認
された。
発明の効果
本発明のセラミツク粉末の製造方法によれば、
煩雑な操作を要さずに、簡便に所望のサイアロン
系化合物粉末が得られるものであり、しかも、得
られたサイアロン系化合物粉末の粒径が微細なも
のであるために、緻密で、高温時における機械的
強度及び耐食性が優れたセラミツク焼結体の製造
原料として、実用上極めて適したものである。
煩雑な操作を要さずに、簡便に所望のサイアロン
系化合物粉末が得られるものであり、しかも、得
られたサイアロン系化合物粉末の粒径が微細なも
のであるために、緻密で、高温時における機械的
強度及び耐食性が優れたセラミツク焼結体の製造
原料として、実用上極めて適したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式：Si6-zAlzN8-zOz （式中、ｚは０〜４の数である。但し、ｚ＝０を
除く。） で示される化合物、もしくは、SiAl4N4O2、
SiAl5N5O2、SiAl6N6O2又はSiAl6N3O2のそれぞ
れの化合物に相応するように配合された、 メチル珪酸（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）並びに
窒化アルミニウム（AlN）及び／又は酸化アル
ミニウム（Al2O3）から成る混合粉末を出発原料
とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中において、加
熱処理を施すことにより、前記珪素アルミニウム
オキシ窒化物（Si−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末
を合成することを特徴とするセラミツク粉末の製
造方法。 ２ 一般式：ROX/2・Si6-zAlzN8-zOz、ROX/2・
SiAl4N4O2、ROX/2・SiAl5N5O2、ROX/2・
SiAl6N6O2又はROX/2・SiAl6N3O2 （式中、Ｒはイツトリウム、セリウム、ランタン
及びスカンジウムから成る群より選ばれた１種も
しくは２種以上のものを表わし、ｘはＲの原子価
を表わし、ｚは０〜４の数である。但し、ｚ＝０
を除く。） で示されるそれぞれの化合物に相応するように配
合された、 メチル珪素（CH3SiO3/2）、炭素（Ｃ）、窒化ア
ルミニウム（AlN）及び／又は酸化アルミニウ
ム（Al2O3）並びに希土類酸化物（ROX/2（Ｒ、ｘ
は前記と同意義である。））から成る混合粉末を出
発原料とし、窒素を含む非酸化性雰囲気中におい
て、加熱処理を施すことにより、前記希土類酸化
物・珪素アルミニウムオキシ窒化物（ROX/2・Si
−Al−Ｏ−Ｎ系化合物）粉末を合成することを
特徴とするセラミツク粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192363A JPS5895607A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツク粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192363A JPS5895607A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツク粉末の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895607A JPS5895607A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH0244768B2 true JPH0244768B2 (ja) | 1990-10-05 |
Family
ID=16290029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192363A Granted JPS5895607A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | セラミツク粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895607A (ja) |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192363A patent/JPS5895607A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5895607A (ja) | 1983-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4117095A (en) | Method of making α type silicon nitride powder | |
| US4428916A (en) | Method of making α-silicon nitride powder | |
| JPH0134925B2 (ja) | ||
| US4716133A (en) | Method for production of silicon nitride sintered body | |
| US4619905A (en) | Process for the synthesis of silicon nitride | |
| JPS61151006A (ja) | 窒化アルミニウム質粉末の製造方法 | |
| JPS6112844B2 (ja) | ||
| EP0238338B1 (en) | Process for producing alpha-sialon powder | |
| GB2132182A (en) | Process for preparation of silicon nitride powder of good sintering property | |
| JP3290686B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| EP0217633A1 (en) | Method for producing sialon powders | |
| JPS61191506A (ja) | 高α型窒化珪素粉末の製造法 | |
| KR20230020046A (ko) | 실리콘 분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 실리콘 분말 | |
| JPH0244768B2 (ja) | ||
| US5108967A (en) | Process for producing nonequiaxed silicon aluminum oxynitride | |
| JPH0649565B2 (ja) | α型窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPS61201608A (ja) | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JPS6229365B2 (ja) | ||
| JP2855460B2 (ja) | 窒化けい素系複合粉末の製造方法 | |
| JPS60122706A (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JP2984796B2 (ja) | β―サイアロン粉末の製造方法 | |
| JP2584240B2 (ja) | βサイアロン−α窒化けい素複合粉末の製造方法 | |
| JP3162739B2 (ja) | β−サイアロン粉末の合成方法 | |
| JPS6183606A (ja) | 易焼結性窒化アルミニウム質粉末の製造方法 | |
| JP3124862B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |