JPH0245628U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0245628U JPH0245628U JP12498288U JP12498288U JPH0245628U JP H0245628 U JPH0245628 U JP H0245628U JP 12498288 U JP12498288 U JP 12498288U JP 12498288 U JP12498288 U JP 12498288U JP H0245628 U JPH0245628 U JP H0245628U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas injection
- gas
- chamber
- electrode
- large number
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は本考案装置の一実施例を示す構成説明
図、第２図は第１図の−線矢視図、第３図は
本考案におけるガス注入板の要部の断面図、第４
図は本考案におけるガス注入板の一部の拡大断面
図、第５図は従来装置の一例を示す構成説明図、
第６図は従来装置の他例を示す構成説明図である
。 １……チヤンバ、２……アース側ガス注入電極
、３……ウエーハ載置側電極、４……ガス導入口
、５……排気口、６……ウエーハ、７……ガス注
入孔、８……溝穴、９……ガス注入板、１０……
（永久）磁石、１１……メクラ部材、１６……高
周波電源。
図、第２図は第１図の−線矢視図、第３図は
本考案におけるガス注入板の要部の断面図、第４
図は本考案におけるガス注入板の一部の拡大断面
図、第５図は従来装置の一例を示す構成説明図、
第６図は従来装置の他例を示す構成説明図である
。 １……チヤンバ、２……アース側ガス注入電極
、３……ウエーハ載置側電極、４……ガス導入口
、５……排気口、６……ウエーハ、７……ガス注
入孔、８……溝穴、９……ガス注入板、１０……
（永久）磁石、１１……メクラ部材、１６……高
周波電源。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) チヤンバ１内にアース側ガス注入電極２と
ウエーハ載置側電極３を対向して配設し、アース
側ガス注入電極２のガス導入口４より多数のガス
注入孔７を経て反応ガスをチヤンバ１内に導入し
、チヤンバ１の排気口５より排気すると共に、上
記両電極２，３間に高周波電圧ｅを印加してウエ
ーハ載置側電極３上のウエーハ６をイオンエツチ
ングするようにした装置において、上記アース側
ガス注入電極２の面に、ガス導入口４に連通する
多数のガス注入孔７とこの各ガス注入孔７に連通
する溝穴８とを有するガス注入板９を取付け、こ
のガス注入板９の各ガス注入孔７及び溝穴８の外
周部に磁石１０を埋設してなるリアクテイブイオ
ンエツチング装置。 (2) 多数のガス注入孔７を部分的にメクラ部材
１１で塞ぎ、反応ガスの注入領域を変更してエツ
チング速度の均一性を制御するようにした実用新
案登録請求の範囲第１項記載のリアクテイブイオ
ンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12498288U JPH0245628U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12498288U JPH0245628U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245628U true JPH0245628U (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=31375184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12498288U Pending JPH0245628U (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245628U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046029A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61226925A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Anelva Corp | 放電反応装置 |
| JPS62299031A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Nec Corp | 平行平板型エツチング装置の電極構造 |
| JPS6317529A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | エツチング装置 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP12498288U patent/JPH0245628U/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046029A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS61226925A (ja) * | 1985-04-01 | 1986-10-08 | Anelva Corp | 放電反応装置 |
| JPS62299031A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Nec Corp | 平行平板型エツチング装置の電極構造 |
| JPS6317529A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Toshiba Corp | エツチング装置 |
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