JPH0245719B2 - - Google Patents
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- JPH0245719B2 JPH0245719B2 JP59162852A JP16285284A JPH0245719B2 JP H0245719 B2 JPH0245719 B2 JP H0245719B2 JP 59162852 A JP59162852 A JP 59162852A JP 16285284 A JP16285284 A JP 16285284A JP H0245719 B2 JPH0245719 B2 JP H0245719B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- particle size
- fine particles
- size distribution
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の構成
〔産業上の利用分野〕
本発明は、塩化アルカリ水溶液の電解、或は水
電解に好適に使用される低水素過電圧特性を持つ
た活性陰極の製造方法に関するものである。
電解に好適に使用される低水素過電圧特性を持つ
た活性陰極の製造方法に関するものである。
従来より陰極で水素ガスを発生する技術として
隔膜（アスベストの如き多孔性隔膜及びイオン
交換膜の如き密隔膜を含む）を使用したアルカリ
金属塩水溶液の電解が知られており、又水電解も
これに該当する。
隔膜（アスベストの如き多孔性隔膜及びイオン
交換膜の如き密隔膜を含む）を使用したアルカリ
金属塩水溶液の電解が知られており、又水電解も
これに該当する。
近年省エネルギーの観点から、この種技術にお
いて電解電圧の低減化が望まれて来ており、かゝ
る電解電圧低減の手段として各種活性陰極が提案
されている。
いて電解電圧の低減化が望まれて来ており、かゝ
る電解電圧低減の手段として各種活性陰極が提案
されている。
このような活性陰極は通常、鉄、銅、ニツケル
及びこれらを含む合金、バルブ金属などの耐アル
カリ性基材の表面に低水素過電圧特性をもつ活性
金属材料の層を溶射、熱分解、溶融物への浸漬、
電気メツキ、化学メツキ、蒸着爆着などの手段で
被覆することによつて得られ、就中この活性金属
材料層の表面に細かい凹凸を形成して、多孔性の
粗なる活性表面を作ることにより活性金属材料層
本来の電気化学的触媒作用に加えて、活性表面積
の増大による水素過電圧低減の効果により助長せ
しめることも行なわれている。
及びこれらを含む合金、バルブ金属などの耐アル
カリ性基材の表面に低水素過電圧特性をもつ活性
金属材料の層を溶射、熱分解、溶融物への浸漬、
電気メツキ、化学メツキ、蒸着爆着などの手段で
被覆することによつて得られ、就中この活性金属
材料層の表面に細かい凹凸を形成して、多孔性の
粗なる活性表面を作ることにより活性金属材料層
本来の電気化学的触媒作用に加えて、活性表面積
の増大による水素過電圧低減の効果により助長せ
しめることも行なわれている。
この様な活性陰極として固体微粒子を分散せし
めたメツキ浴を使用し、その中のメツキ金属成分
と共に該固体微粒子を陰極基材表面にメツキする
いわゆる分散メツキによる活性陰極も提案されて
いる。（例えば、特開昭57−35689、同57−89491、
同57−94582、同57−94583など）。
めたメツキ浴を使用し、その中のメツキ金属成分
と共に該固体微粒子を陰極基材表面にメツキする
いわゆる分散メツキによる活性陰極も提案されて
いる。（例えば、特開昭57−35689、同57−89491、
同57−94582、同57−94583など）。
この様にして得た水素発生陰極の性能は、格段
の進歩を示すに至つているが、一方かゝる陰極の
製造をより効率的に行い安価にして活性持続性に
優れた陰極を得んとすることも必要不可欠な事柄
である。実際問題として電極の製造コストを低
く、かつ効率よく行うことは例えば塩化アルカリ
水溶液電解に要する総合的な経費にも反映するも
ので、決して無視することの出来ない重要な問題
である。
の進歩を示すに至つているが、一方かゝる陰極の
製造をより効率的に行い安価にして活性持続性に
優れた陰極を得んとすることも必要不可欠な事柄
である。実際問題として電極の製造コストを低
く、かつ効率よく行うことは例えば塩化アルカリ
水溶液電解に要する総合的な経費にも反映するも
ので、決して無視することの出来ない重要な問題
である。
本発明は上記した分散メツキによる陰極の製法
においてそのメツキ効率を向上せしめ、製造コス
トを低減せしめんとするものである。
においてそのメツキ効率を向上せしめ、製造コス
トを低減せしめんとするものである。
本発明は、固体微粒子を分散させたメツキ浴を
使用して電気メツキにより活性陰極を製造する際
に、大巾にコスト低減を計り、かつメツキ操作を
安定化して容易に優れた低水素過電圧陰極を製造
することが出来る方法である。
使用して電気メツキにより活性陰極を製造する際
に、大巾にコスト低減を計り、かつメツキ操作を
安定化して容易に優れた低水素過電圧陰極を製造
することが出来る方法である。
本発明におけるメツキ浴は鍍着されるべき金属
成分の主体がニツケルであるようなメツキ成分を
含み、かつ固体微粒子を分散させたメツキ浴であ
り、かゝるメツキ浴を使用して陰極基材に電気メ
ツキを施すものである。
成分の主体がニツケルであるようなメツキ成分を
含み、かつ固体微粒子を分散させたメツキ浴であ
り、かゝるメツキ浴を使用して陰極基材に電気メ
ツキを施すものである。
上記の如く固体微粒子を分散させたメツキ浴に
よるメツキを前記の通り一般に分散メツキと称す
るが、本発明方法は、主としてかゝる分散メツキ
における固体微粒子を規定することによりメツキ
の効率化をはからんとするものである。
よるメツキを前記の通り一般に分散メツキと称す
るが、本発明方法は、主としてかゝる分散メツキ
における固体微粒子を規定することによりメツキ
の効率化をはからんとするものである。
本発明方法において使用する陰極基材として
は、メツキの密着性に格別支障を生じない耐食性
の金属材料が用いられ、具体的には鉄、銅、ニツ
ケル及びこれらを含む合金やバルブ金属よりなる
耐アルカリ性の金属素材が好ましく用いられ、又
かゝる金属素材に予めニツケルメツキ等のメツキ
を施したものを使用することも出来る。
は、メツキの密着性に格別支障を生じない耐食性
の金属材料が用いられ、具体的には鉄、銅、ニツ
ケル及びこれらを含む合金やバルブ金属よりなる
耐アルカリ性の金属素材が好ましく用いられ、又
かゝる金属素材に予めニツケルメツキ等のメツキ
を施したものを使用することも出来る。
又その形状としては特に制限はないが、エキス
パンドメタル、及びこれをプレスした有孔平板、
パンチングメタル、織成金網等の多孔板形状のも
のが好ましく採用され、それらの空隙率は１〜99
％の範囲にあることが好ましい。
パンドメタル、及びこれをプレスした有孔平板、
パンチングメタル、織成金網等の多孔板形状のも
のが好ましく採用され、それらの空隙率は１〜99
％の範囲にあることが好ましい。
本発明に使用するメツキ浴は前記の通り陰極基
材にニツケルを主成分とする金属を析出するもの
であるが、ニツケル以外の成分としてコバルト、
モリブデン、鉄、タングステン、アルミニウムな
どを含有させることが出来る。しかしながら耐食
性の面からニツケルが主成分であり、余程の効果
がない限りにおいて、メツキ浴の管理上からシン
プルなものが望まれる。
材にニツケルを主成分とする金属を析出するもの
であるが、ニツケル以外の成分としてコバルト、
モリブデン、鉄、タングステン、アルミニウムな
どを含有させることが出来る。しかしながら耐食
性の面からニツケルが主成分であり、余程の効果
がない限りにおいて、メツキ浴の管理上からシン
プルなものが望まれる。
主成分のニツケルは、例えば硫酸ニツケル、塩
化ニツケル、スルフアミン酸ニツケル等の形で加
えられ、これに更にアンモニウム又はその塩、ホ
ウ酸又はその塩、クエン酸又はその塩、ピロリン
酸塩、塩化アルカリなどが加えられて浴が構成さ
れる。分散される固体微粒子としてはニツケル、
コバルト、銀、ラネーニツケル等の金属粉末、酸
化ニツケル、酸化ジルコニウム、酸化モリブデ
ン、酸化ロジウムなどの酸化物、タングステンカ
ーバイト、シリコンカーバイド等の炭化物、硫化
ニツケル、硫化モリブデンなどの硫化物、その他
窒化物や炭素などを挙げることが出来る。これら
の固体微粒子はそれ自体が水素過電圧の低いもの
や、又分散メツキを行うことにより水素感電圧が
低下するものがある。
化ニツケル、スルフアミン酸ニツケル等の形で加
えられ、これに更にアンモニウム又はその塩、ホ
ウ酸又はその塩、クエン酸又はその塩、ピロリン
酸塩、塩化アルカリなどが加えられて浴が構成さ
れる。分散される固体微粒子としてはニツケル、
コバルト、銀、ラネーニツケル等の金属粉末、酸
化ニツケル、酸化ジルコニウム、酸化モリブデ
ン、酸化ロジウムなどの酸化物、タングステンカ
ーバイト、シリコンカーバイド等の炭化物、硫化
ニツケル、硫化モリブデンなどの硫化物、その他
窒化物や炭素などを挙げることが出来る。これら
の固体微粒子はそれ自体が水素過電圧の低いもの
や、又分散メツキを行うことにより水素感電圧が
低下するものがある。
本発明方法においては、固体微粒子の粒径が
0.01〜100μの大きさのものが好ましく、又これ以
上の粒径のものを含んでいても使用出来るが、逆
に粒度分布の幅の狭いものはよくなく、その幅が
10μ以上の広い分布を持つものが使用される。
0.01〜100μの大きさのものが好ましく、又これ以
上の粒径のものを含んでいても使用出来るが、逆
に粒度分布の幅の狭いものはよくなく、その幅が
10μ以上の広い分布を持つものが使用される。
粒度分布幅が10μ未満の固体微粒子を用いる
と、一応メツキ物は得られるが、水素過電圧が悪
くなつたり、メツキの付着のムラが出来たり、過
大又は過小に粒子がついたりするのでメツキ浴中
の固体微粒子の分布が10μ以上であることが必要
である。
と、一応メツキ物は得られるが、水素過電圧が悪
くなつたり、メツキの付着のムラが出来たり、過
大又は過小に粒子がついたりするのでメツキ浴中
の固体微粒子の分布が10μ以上であることが必要
である。
本発明ではこのような固体微粒子の分布をもつ
たものを使用してメツキを行うのであるが、ある
一定の浴量ではメツキ面積の増大、例えば棒状の
基材にメツキする場合にはメツキ枚数の増加に従
つて、メツキの付き具合いが悪くなつてくる。そ
のため途中でメツキ浴から残りの固体微粒子を除
いて、新たに固体微粒子を添加することゝなり、
そのための労力及び除いた固体微粒子の処理など
が必要となる。これらの更新頻度を著しく減少さ
せることによりコストの大巾な低減が期待され
る。
たものを使用してメツキを行うのであるが、ある
一定の浴量ではメツキ面積の増大、例えば棒状の
基材にメツキする場合にはメツキ枚数の増加に従
つて、メツキの付き具合いが悪くなつてくる。そ
のため途中でメツキ浴から残りの固体微粒子を除
いて、新たに固体微粒子を添加することゝなり、
そのための労力及び除いた固体微粒子の処理など
が必要となる。これらの更新頻度を著しく減少さ
せることによりコストの大巾な低減が期待され
る。
この目的のために固体微粒子をメツキの進行に
伴つて追加するのであるが、浴と同じ様な粒度分
布のものを添加すると、少しずつ浴の粒度分布が
異つてきて、多数の陰極を同じ浴でメツキするこ
とは出来なくなる。意外なことにメツキ浴の最初
に使用した固体微粒子の持つ粒度分布よりも細か
い粒度側に偏倚した粒度分布の固体微粒子を浴に
追加しつゝ電気メツキを進行させることにより
かゝる問題が解消されることを見出した。
伴つて追加するのであるが、浴と同じ様な粒度分
布のものを添加すると、少しずつ浴の粒度分布が
異つてきて、多数の陰極を同じ浴でメツキするこ
とは出来なくなる。意外なことにメツキ浴の最初
に使用した固体微粒子の持つ粒度分布よりも細か
い粒度側に偏倚した粒度分布の固体微粒子を浴に
追加しつゝ電気メツキを進行させることにより
かゝる問題が解消されることを見出した。
この場合の粒度分布の偏倚の程度には特に制限
はないが、粒度分布として両者が重複せずに全く
離れてしまつたものは好ましくなく、最初に使用
した固体微粒子の分布幅に対し、追加用の固体微
粒子が1/2〜1/10程度にズレているものが好まし
い。
はないが、粒度分布として両者が重複せずに全く
離れてしまつたものは好ましくなく、最初に使用
した固体微粒子の分布幅に対し、追加用の固体微
粒子が1/2〜1/10程度にズレているものが好まし
い。
この場合、好ましくはメツキ物のメツキを剥離
させて測定した固体微粒子の粒度分布より細かい
粒度分布を持つものを追加することである。この
方法を採用することにより、固体微粒子の消費量
がほぼ1/10〜1/1000に低減される。これらの追加
量はメツキ物付着量の1.5〜６倍程度が好ましく
メツキ物の付着量より多くなる理由は、単に付着
してメツキ浴から出るものや、一度析出したもの
が剥離してメツキ浴中へ堆積されるものがあるた
めである。
させて測定した固体微粒子の粒度分布より細かい
粒度分布を持つものを追加することである。この
方法を採用することにより、固体微粒子の消費量
がほぼ1/10〜1/1000に低減される。これらの追加
量はメツキ物付着量の1.5〜６倍程度が好ましく
メツキ物の付着量より多くなる理由は、単に付着
してメツキ浴から出るものや、一度析出したもの
が剥離してメツキ浴中へ堆積されるものがあるた
めである。
本発明方法において、粒度分布の幅が10μ以上
の固体微粒子を用いること、及びメツキの進行に
伴つて該固体微粒子よりも細かい粒度側に偏倚し
た粒度分布の固体微粒子を用いることにより、適
正な分散メツキがなしうる理由は明らかではな
い。
の固体微粒子を用いること、及びメツキの進行に
伴つて該固体微粒子よりも細かい粒度側に偏倚し
た粒度分布の固体微粒子を用いることにより、適
正な分散メツキがなしうる理由は明らかではな
い。
しかし上記した固体微粒子の追加を行なう場合
と追加しない場合とで分散メツキの仕上りが明ら
かに相違し、前者の場合には表面緻密なメツキ層
が得られるのに対し、後者の場合には表面が荒く
比較的剥離し易いメツキ物が得られることから固
体微粒子の電気泳動的な作用に起因しているもの
と思われる。
と追加しない場合とで分散メツキの仕上りが明ら
かに相違し、前者の場合には表面緻密なメツキ層
が得られるのに対し、後者の場合には表面が荒く
比較的剥離し易いメツキ物が得られることから固
体微粒子の電気泳動的な作用に起因しているもの
と思われる。
以下に実施例および比較例により説明する。
実施例 １
SUS310S製のラス網（6SW×12LW×1.5T×
1.8W、単位mm；SWは網目の短手方向の長さ、
LWは網目の長手方向の長さ、Ｔは厚み、Ｗは刻
み巾を表わす。以下同じ）の両面をプレスにより
平担化した基材（1dm2（100mm×100mm））20枚を
使用して下記の工程でメツキを行なつた。
1.8W、単位mm；SWは網目の短手方向の長さ、
LWは網目の長手方向の長さ、Ｔは厚み、Ｗは刻
み巾を表わす。以下同じ）の両面をプレスにより
平担化した基材（1dm2（100mm×100mm））20枚を
使用して下記の工程でメツキを行なつた。
トリクロルエチレン洗浄→電解エツチング
→水洗→ストライクメツキ→水洗→分散
メツキ→水洗→分散メツキ→水洗 この工程における主要な部分の使用薬剤、操作
条件等は次の通りである。
→水洗→ストライクメツキ→水洗→分散
メツキ→水洗→分散メツキ→水洗 この工程における主要な部分の使用薬剤、操作
条件等は次の通りである。
(1) 電解エツチング（工程）
〔エツチング液〕
硫 酸 300ｇ／
界面活性剤 １〜２ｇ／
液 量 ５
〔条件〕
温 度 ５〜20℃
電流密度 3A／ｄm2
使用陰極 Pb板（1dm2）
時 間 ６分
(2) ストライクメツキ（工程）
〔メツキ液〕
塩化ニツケル 100ｇ／
塩 酸 100ｇ／
液 量 ５
〔条件〕
温 度 ５〜20℃
電流密度 3A／ｄm2
陽 極 Ni板
時 間 ３分
(3) 分散メツキ（工程および）
〔メツキ液〕
硫酸ニツケル 84ｇ／
塩化ニツケル 30 〃
塩化アンモン 4.5 〃
塩化カリ ６ 〃
ホウ酸 30 〃
硫酸銅 0.4 〃
活性炭（初期投入） 15 〃
液 量 ５
〔条件〕
温 度 30〜60℃
電流密度 20A／ｄm2
時 間 10分
陽 極 Ni板
（ポンプによる液撹拌実施）
〔操作〕
上記メツキ浴を使用しラス網１枚メツキ後
に、追加用の活性炭（初期投入活性炭と同じも
のをボールミルで48時間粉砕）12ｇを補給し、
又浴中の硫酸銅を分析し不足分を補給し、この
ようにして20枚のラス網のメツキを行なつた。
この場合の初期投入の活性炭の粒度分布は第１
図に示す通りであり、追加用活性炭の粒度分布
は第２図に示す通りのものであつた。
に、追加用の活性炭（初期投入活性炭と同じも
のをボールミルで48時間粉砕）12ｇを補給し、
又浴中の硫酸銅を分析し不足分を補給し、この
ようにして20枚のラス網のメツキを行なつた。
この場合の初期投入の活性炭の粒度分布は第１
図に示す通りであり、追加用活性炭の粒度分布
は第２図に示す通りのものであつた。
以上の２回分散メツキによる工程を経て得た20
枚のメツキ物の外観には全く差異はなく、又電位
の測定（20％KOH、室温、20A／ｄm2でHg／
HgOを基準電極としてルギン管をラス網の背面
に直接当接して測定）では−1.01〜−1.04Vの範
囲内にあり異常な電位を示したものは皆無であつ
た。
枚のメツキ物の外観には全く差異はなく、又電位
の測定（20％KOH、室温、20A／ｄm2でHg／
HgOを基準電極としてルギン管をラス網の背面
に直接当接して測定）では−1.01〜−1.04Vの範
囲内にあり異常な電位を示したものは皆無であつ
た。
比較例 １
活性炭の追加を行なわずに、それ以外は実施例
１と同じように操作してメツキ物を得た。
１と同じように操作してメツキ物を得た。
その結果、ラス網の５枚目から外観に変化が見
られ、10枚目に至つては表面に大きな粒径のもの
が部分的に付いた不均一なメツキ物となつた。電
位は１〜２枚目まで−1.02〜−1.04V ９〜10枚目
−1.06〜−1.08Vを示した。１枚目のものと10枚
目のものを30％NaOH中で90℃、50A／dM2で48
時間水素発生をし、再び電位を測定したところ、
１枚目のもの−1.01V、10枚目のもの−1.11Vを
示し、性能に著しい差が生じた。
られ、10枚目に至つては表面に大きな粒径のもの
が部分的に付いた不均一なメツキ物となつた。電
位は１〜２枚目まで−1.02〜−1.04V ９〜10枚目
−1.06〜−1.08Vを示した。１枚目のものと10枚
目のものを30％NaOH中で90℃、50A／dM2で48
時間水素発生をし、再び電位を測定したところ、
１枚目のもの−1.01V、10枚目のもの−1.11Vを
示し、性能に著しい差が生じた。
実施例 ２
実施例１と同じ材質、形状で、面積が80dM2
（700×1140mm）のラス網を用いて、以下の工程で
メツキを行つた。なおメツキ浴の組成は、同じ工
程では実施例１と同じである。
（700×1140mm）のラス網を用いて、以下の工程で
メツキを行つた。なおメツキ浴の組成は、同じ工
程では実施例１と同じである。
トリクロルエチレン洗浄→電解エツチング
→水洗→ストライクメツキ→水洗→分散
メツキ→水洗→ニツケルイオウメツキ→水
洗→分散メツキ→水洗→ニツケルイオウメ
ツキ→水洗→分散メツキ→水洗→ニツケ
ルイオウメツキ→水洗 上記工程においてのトリクロルエチレン洗浄
で脱脂を行い、0.3M2のメツキ浴での電解エツ
チングを行い、水洗後0.3M2のメツキ浴でのス
トライクメツキを行つた。
→水洗→ストライクメツキ→水洗→分散
メツキ→水洗→ニツケルイオウメツキ→水
洗→分散メツキ→水洗→ニツケルイオウメ
ツキ→水洗→分散メツキ→水洗→ニツケ
ルイオウメツキ→水洗 上記工程においてのトリクロルエチレン洗浄
で脱脂を行い、0.3M2のメツキ浴での電解エツ
チングを行い、水洗後0.3M2のメツキ浴でのス
トライクメツキを行つた。
水洗後にの分散メツキを5A／dM2×20分行
い、水洗してのニツケルイオウメツキを5A／
dM2×20分行つた。
い、水洗してのニツケルイオウメツキを5A／
dM2×20分行つた。
以上の様にして分散メツキを３回行い、最後に
のニツケルイオウメツキを5A／dM2×40分メ
ツキを行つた。
のニツケルイオウメツキを5A／dM2×40分メ
ツキを行つた。
こゝで用いた活性炭はいずれも実施例１と同じ
ものであり、１枚のメツキ終了後、硫酸銅を分析
して不足分を添加した。又粉細した活性炭を100
ｇずつ追加した。
ものであり、１枚のメツキ終了後、硫酸銅を分析
して不足分を添加した。又粉細した活性炭を100
ｇずつ追加した。
このようにしてラス網36枚をメツキしたが、外
観には全く異常は見られなかつた。次いで２枚目
と35枚目より1dM2を切り出し、メツキの付着量
を分析したところ、２枚目は9.5〜10.3ｇ／dM2、
35枚目は9.7〜10.1ｇ／dM2であり、又このメツキ
物中の炭素量の分析結果は１枚目3.8〜4.2％、35
枚目は3.9〜4.3％であつた。電位は１枚目−1.02
〜−1.04V35枚目は−1.02〜−1.05Vで変化は認め
られなかつた。又付着した２枚目と35枚目の粒径
分布を測定した結果を図−３、図−４に示した。
これをみると、ほとんど粒径分布の変化は認めら
れない。
観には全く異常は見られなかつた。次いで２枚目
と35枚目より1dM2を切り出し、メツキの付着量
を分析したところ、２枚目は9.5〜10.3ｇ／dM2、
35枚目は9.7〜10.1ｇ／dM2であり、又このメツキ
物中の炭素量の分析結果は１枚目3.8〜4.2％、35
枚目は3.9〜4.3％であつた。電位は１枚目−1.02
〜−1.04V35枚目は−1.02〜−1.05Vで変化は認め
られなかつた。又付着した２枚目と35枚目の粒径
分布を測定した結果を図−３、図−４に示した。
これをみると、ほとんど粒径分布の変化は認めら
れない。
実施例 ３
実施例１と同じ工程で分散メツキ浴中の固体微
粒子ラネーニツケル30ｇ／とし（Ni55％Al45
％）硫酸銅を除いて分散メツキを行つた。
粒子ラネーニツケル30ｇ／とし（Ni55％Al45
％）硫酸銅を除いて分散メツキを行つた。
初期投入のラネーニツケルの粒度は、平均６−
8μであり、小さい方の粒径は1μ、大きい方の粒
径は24μであつた。又追加用のラネーニツケルの
粒度は平均３−4μであり小さい方の粒径は1μ以
下、大きい方の粒径は12μであつた。この追加用
ラネーニツケルを1dM21枚当り55ｇ追加して５枚
メツキを行つた。１枚目の電位は−1.07V、５枚
目の電位は−1.08Vを示し、外観には差は認めら
れなかつた。
8μであり、小さい方の粒径は1μ、大きい方の粒
径は24μであつた。又追加用のラネーニツケルの
粒度は平均３−4μであり小さい方の粒径は1μ以
下、大きい方の粒径は12μであつた。この追加用
ラネーニツケルを1dM21枚当り55ｇ追加して５枚
メツキを行つた。１枚目の電位は−1.07V、５枚
目の電位は−1.08Vを示し、外観には差は認めら
れなかつた。
本発明によれば、初期投入の固体微粒子の粒度
分布に対して、これより細かい粒度側にズレた粒
度分布の追加用固体微粒子を単に追加使用して分
散メツキを行うという簡単な方法で優れた品質の
活性陰極を得ることが出来、これによれば固体微
粒子の節約をはかりつゝ活性陰極の量産が可能と
なるものである。
分布に対して、これより細かい粒度側にズレた粒
度分布の追加用固体微粒子を単に追加使用して分
散メツキを行うという簡単な方法で優れた品質の
活性陰極を得ることが出来、これによれば固体微
粒子の節約をはかりつゝ活性陰極の量産が可能と
なるものである。
又、かゝる方法によつて品質一定の活性陰極を
安価に製造出来るという利点もあり、本発明はこ
れらの点において利用価値大なるものである。
安価に製造出来るという利点もあり、本発明はこ
れらの点において利用価値大なるものである。
第１図、第２図は実施例１に使用した固体微粒
子の粒度分布を示すヒストグラムであり、第１図
は初期投入用の固体微粒子の場合を、第２図は追
加投入用の固体微粒子の場合を示したものであ
る。第３図、第４図は実施例２で得た分散メツキ
活性陰極に形成されたメツキ中の固体微粒子の粒
度分布を示したヒストグラムであり、第３図は陰
極製作順位の２枚目のものについて、第４図は同
じく35枚目のものについて示したものである。
子の粒度分布を示すヒストグラムであり、第１図
は初期投入用の固体微粒子の場合を、第２図は追
加投入用の固体微粒子の場合を示したものであ
る。第３図、第４図は実施例２で得た分散メツキ
活性陰極に形成されたメツキ中の固体微粒子の粒
度分布を示したヒストグラムであり、第３図は陰
極製作順位の２枚目のものについて、第４図は同
じく35枚目のものについて示したものである。
Claims (1)
- １ 鍍着されるべき金属成分の主体がニツケルで
あるメツキ成分を含み、かつ固体微粒子を分散さ
せてなるメツキ浴を使用して陰極基材に電気メツ
キを施すことからなり、粒度分布の幅が10μ以上
の上記固体微粒子を用い、メツキの進行に伴つて
該固体微粒子の粒度分布よりも細かい粒度側に偏
倚した粒度分布の固体微粒子を追加しつゝ電気メ
ツキを行なうことを特徴とする活性陰極の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162852A JPS6141785A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 活性陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59162852A JPS6141785A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 活性陰極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141785A JPS6141785A (ja) | 1986-02-28 |
| JPH0245719B2 true JPH0245719B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=15762464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59162852A Granted JPS6141785A (ja) | 1984-08-03 | 1984-08-03 | 活性陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141785A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101861412B (zh) | 2007-11-16 | 2013-04-24 | 阿克佐诺贝尔股份有限公司 | 电极 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047912B2 (ja) * | 1980-12-02 | 1985-10-24 | 東亞合成株式会社 | 水素発生用陰極の製造法 |
| JPS5831091A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-23 | Asahi Glass Co Ltd | 電極の製造方法 |
| JPS58213887A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-12 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 電解用電極 |
-
1984
- 1984-08-03 JP JP59162852A patent/JPS6141785A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141785A (ja) | 1986-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |