JPH0246054Y2 - - Google Patents
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- JPH0246054Y2 JPH0246054Y2 JP1981138160U JP13816081U JPH0246054Y2 JP H0246054 Y2 JPH0246054 Y2 JP H0246054Y2 JP 1981138160 U JP1981138160 U JP 1981138160U JP 13816081 U JP13816081 U JP 13816081U JP H0246054 Y2 JPH0246054 Y2 JP H0246054Y2
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- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案はICなどの半導体素子がダイボンドさ
れる構造の混成集積回路装置に関する。
れる構造の混成集積回路装置に関する。
(従来の技術)
従来、素子裏面を絶縁させる必要のある半導体
素子を回路基板にダイボンドするとき、配線パタ
ーンを簡素化あるいは短縮させる目的で、半導体
素子の下に配線用導体を形成することがある。こ
の場合、第1図に示すように、回路基板1上の配
線用導体2にガラスコーテイング3を施して絶縁
性をもたし、このガラスコーテイング3を含むダ
イボンド部分に接着剤4を塗布し、この接着剤4
により半導体素子5をダイボンドしている。6は
ダイボンド部分の周囲に形成されたボンデイング
パツドで、このパツド6と半導体素子5の所定の
電極との間にリード線をワイヤボンデイングして
いる。このような従来の構造では、半導体素子5
の下部に配線用導体2を形成するにはその導体2
にガラスコーテイング3を施さなければならず、
工程数が増え、コストアツプの要因になつてい
た。
素子を回路基板にダイボンドするとき、配線パタ
ーンを簡素化あるいは短縮させる目的で、半導体
素子の下に配線用導体を形成することがある。こ
の場合、第1図に示すように、回路基板1上の配
線用導体2にガラスコーテイング3を施して絶縁
性をもたし、このガラスコーテイング3を含むダ
イボンド部分に接着剤4を塗布し、この接着剤4
により半導体素子5をダイボンドしている。6は
ダイボンド部分の周囲に形成されたボンデイング
パツドで、このパツド6と半導体素子5の所定の
電極との間にリード線をワイヤボンデイングして
いる。このような従来の構造では、半導体素子5
の下部に配線用導体2を形成するにはその導体2
にガラスコーテイング3を施さなければならず、
工程数が増え、コストアツプの要因になつてい
た。
そこで、半導体素子5を回路基板1にダイボン
ドするにあたり、第1図に示すようなガラスコー
テイング3を施さず、絶縁性接着剤だけでおこな
うこともあつた。第2図はその例である。
ドするにあたり、第1図に示すようなガラスコー
テイング3を施さず、絶縁性接着剤だけでおこな
うこともあつた。第2図はその例である。
第2図おいて、7は混成集積回路装置の回路基
板で、この回路基板7上には、ダイボンドされる
ICなどの半導体素子8の裏面に対応するダイボ
ンド部分の周囲に形成されたボンデイングパツド
9が形成され、さらにボンデイングパツドを兼ね
る配線用導体10がダイボンド部分を横切るよう
に形成されている。この配線用導体10を含むダ
イボンド部分にエポキシ樹脂などの絶縁性接着剤
11が塗布され、絶縁性接着剤11により半導体
素子8がダイボンド部分にダイボンドされてい
る。なお、絶縁性接着剤11は配線用導体10の
厚みより厚くする。そして、半導体素子8の各電
極と回路基板7上の各パツドとの間にリード線が
ワイヤボンドされている。
板で、この回路基板7上には、ダイボンドされる
ICなどの半導体素子8の裏面に対応するダイボ
ンド部分の周囲に形成されたボンデイングパツド
9が形成され、さらにボンデイングパツドを兼ね
る配線用導体10がダイボンド部分を横切るよう
に形成されている。この配線用導体10を含むダ
イボンド部分にエポキシ樹脂などの絶縁性接着剤
11が塗布され、絶縁性接着剤11により半導体
素子8がダイボンド部分にダイボンドされてい
る。なお、絶縁性接着剤11は配線用導体10の
厚みより厚くする。そして、半導体素子8の各電
極と回路基板7上の各パツドとの間にリード線が
ワイヤボンドされている。
(考案が解決しようとする課題)
しかしながら、第2図のような場合、絶縁性接
着剤11によつて半導体素子8と配線用導体10
との絶縁性を確保しているため、絶縁性接着剤1
1の厚みを配線用導体10の厚みより厚くする必
要がある。そのため、絶縁性接着剤11は、配線
用導体10の厚みより厚くする量を塗布する必要
がある。こうした場合、配線用導体10部分の絶
縁性接着剤11は配線用導体10の略厚み分だけ
盛り上がることになる。そのため、半導体素子8
を、回路基板7にダイボンドするために絶縁性接
着剤11面上に載置したとき、この絶縁性接着剤
11の盛り上がりにより半導体素子8が傾き、ワ
イヤボンデイング作業がしにくくなるという不都
合が生ずる。特に、配線用導体10がダイボンド
部分の偏つた位置に形成された場合は、半導体素
子8の傾きが顕著である。そのため、この半導体
素子8が傾かないようにするために絶縁性接着剤
11の塗布厚みを厳しく管理する必要があつた。
着剤11によつて半導体素子8と配線用導体10
との絶縁性を確保しているため、絶縁性接着剤1
1の厚みを配線用導体10の厚みより厚くする必
要がある。そのため、絶縁性接着剤11は、配線
用導体10の厚みより厚くする量を塗布する必要
がある。こうした場合、配線用導体10部分の絶
縁性接着剤11は配線用導体10の略厚み分だけ
盛り上がることになる。そのため、半導体素子8
を、回路基板7にダイボンドするために絶縁性接
着剤11面上に載置したとき、この絶縁性接着剤
11の盛り上がりにより半導体素子8が傾き、ワ
イヤボンデイング作業がしにくくなるという不都
合が生ずる。特に、配線用導体10がダイボンド
部分の偏つた位置に形成された場合は、半導体素
子8の傾きが顕著である。そのため、この半導体
素子8が傾かないようにするために絶縁性接着剤
11の塗布厚みを厳しく管理する必要があつた。
本考案は、上記問題点に鑑みてなされたもので
あつて、製造工程の簡略化をはかるとともに、絶
縁性接着剤の塗布厚みを厳しく管理しなくてもダ
イボンド時における半導体素子の傾きをなくすこ
とのできる混成集積回路装置を提供させることを
目的にしている。
あつて、製造工程の簡略化をはかるとともに、絶
縁性接着剤の塗布厚みを厳しく管理しなくてもダ
イボンド時における半導体素子の傾きをなくすこ
とのできる混成集積回路装置を提供させることを
目的にしている。
(課題を解決するための手段)
本考案の混成集積回路装置は、上記目的を達成
するために、半導体素子がダイボンドされる回路
基板を備え、回路基板のダイボンド部分の周囲
に、複数のボンデイングパツドが形成され、回路
基板のダイボンド部分を横切る配線用導体が形成
され、配線用導体を含むダイボンド部分に絶縁性
接着剤によつて半導体素子がダイボンドされる混
成集積回路装置であつて、回路基板の配線用導体
以外のダイボンド部分に、複数のダミーパツドを
分散して設け、半導体素子を回路基板にダイボン
ドしたときに前記分散して設けたダミーパツドに
よりその半導体素子が傾かないようにしたことを
特徴とする。
するために、半導体素子がダイボンドされる回路
基板を備え、回路基板のダイボンド部分の周囲
に、複数のボンデイングパツドが形成され、回路
基板のダイボンド部分を横切る配線用導体が形成
され、配線用導体を含むダイボンド部分に絶縁性
接着剤によつて半導体素子がダイボンドされる混
成集積回路装置であつて、回路基板の配線用導体
以外のダイボンド部分に、複数のダミーパツドを
分散して設け、半導体素子を回路基板にダイボン
ドしたときに前記分散して設けたダミーパツドに
よりその半導体素子が傾かないようにしたことを
特徴とする。
(作用)
上記のように、絶縁性接着剤によつて半導体素
子がダイボンドされるため、製造工程の簡略化を
はかることができる。また、回路基板の配線用導
体以外のダイボンド部分に複数のダミーパツドを
分散して設けたことにより、配線用導体の形成さ
れている部分の絶縁性接着剤が配線用導体の略厚
み分だけ盛り上がつたとしても、ダミーパツドの
部分の絶縁性接着剤もダミーパツドの略厚み分だ
け盛り上がるため、半導体素子を絶縁性接着剤面
上に載置したとき、半導体素子が傾かないように
なる。そのため、ワイヤボンデイングを確実に行
うことができる。
子がダイボンドされるため、製造工程の簡略化を
はかることができる。また、回路基板の配線用導
体以外のダイボンド部分に複数のダミーパツドを
分散して設けたことにより、配線用導体の形成さ
れている部分の絶縁性接着剤が配線用導体の略厚
み分だけ盛り上がつたとしても、ダミーパツドの
部分の絶縁性接着剤もダミーパツドの略厚み分だ
け盛り上がるため、半導体素子を絶縁性接着剤面
上に載置したとき、半導体素子が傾かないように
なる。そのため、ワイヤボンデイングを確実に行
うことができる。
(実施例)
以下、本考案の実施例を図面を参照しつつ詳述
する。
する。
第3図において、7は混成集積回路装置の回路
基板で、この回路基板7上には、ダイボンドされ
るICなどの半導体素子8の裏面に対応するダイ
ボンド部分の周囲の所定箇所にたとえばAuから
なる複数のボンデイングパツド9が形成され、さ
らにボンデイングパツドを兼ねる配線用導体10
がダイボンド部分を横切るように形成されてい
る。また、ダイボンド部分の四隅に分散して、複
数のダミーパツド12が設けられている。この配
線用導体10を含むダイボンド部分にエポキシ樹
脂などの絶縁性接着剤11が塗布され、絶縁性接
着剤11により半導体素子8がダイボンド部分に
ダイボンドされている。なお、絶縁性接着剤11
は配線用導体10の厚みより厚くする。本考案に
おいては、上記実施例のように複数のダミーパツ
ド12を設けることにより、絶縁接着剤11の塗
布厚みを厳しく管理しなくても、半導体素子8が
傾くことなく、ワイヤボンデイングが確実に行え
る。通常接着剤の塗布はデイスペンス,印刷,ス
タンピング等の手段を用いて行われる。
基板で、この回路基板7上には、ダイボンドされ
るICなどの半導体素子8の裏面に対応するダイ
ボンド部分の周囲の所定箇所にたとえばAuから
なる複数のボンデイングパツド9が形成され、さ
らにボンデイングパツドを兼ねる配線用導体10
がダイボンド部分を横切るように形成されてい
る。また、ダイボンド部分の四隅に分散して、複
数のダミーパツド12が設けられている。この配
線用導体10を含むダイボンド部分にエポキシ樹
脂などの絶縁性接着剤11が塗布され、絶縁性接
着剤11により半導体素子8がダイボンド部分に
ダイボンドされている。なお、絶縁性接着剤11
は配線用導体10の厚みより厚くする。本考案に
おいては、上記実施例のように複数のダミーパツ
ド12を設けることにより、絶縁接着剤11の塗
布厚みを厳しく管理しなくても、半導体素子8が
傾くことなく、ワイヤボンデイングが確実に行え
る。通常接着剤の塗布はデイスペンス,印刷,ス
タンピング等の手段を用いて行われる。
なお、このダミーパツド12は、実施例では四
隅に分散して設けられているが、半導体素子8が
傾かない位置に分散して複数設けられていれば特
定の位置に限定されるものではない。また、配線
用導体10とダミーパツド12とによつて半導体
素子8が傾かないようにしてもよいことは言うま
でもない。
隅に分散して設けられているが、半導体素子8が
傾かない位置に分散して複数設けられていれば特
定の位置に限定されるものではない。また、配線
用導体10とダミーパツド12とによつて半導体
素子8が傾かないようにしてもよいことは言うま
でもない。
(考案の効果)
本考案の混成集積回路装置は、以上説明したよ
うに構成されているため、製造工程の簡略化をは
かることができるとともに、絶縁性接着剤の塗布
厚みを厳しく管理しなくても半導体素子が傾くこ
となくワイヤボンデイングを確実に行うことがで
きる。
うに構成されているため、製造工程の簡略化をは
かることができるとともに、絶縁性接着剤の塗布
厚みを厳しく管理しなくても半導体素子が傾くこ
となくワイヤボンデイングを確実に行うことがで
きる。
第1図および第2図は従来の混成集積回路を示
し、第1図aはその要部平面図、同図bはそのA
−A線断面図、第2図aは回路基板の要部平面
図、同図bは混成集積回路の要部平面図、同図c
はそのB−B線断面図である。第3図は本考案に
よる混成集積回路の一実施例を示し、同図aは回
路基板の要部平面図、同図bは混成集積回路の要
部平面図、同図cはそのC−C線断面図である。 7……回路基板、8……半導体素子、9……ボ
ンデイングパツド、10……配線用導体、11…
…絶縁性接着剤、12……ダミーパツド。
し、第1図aはその要部平面図、同図bはそのA
−A線断面図、第2図aは回路基板の要部平面
図、同図bは混成集積回路の要部平面図、同図c
はそのB−B線断面図である。第3図は本考案に
よる混成集積回路の一実施例を示し、同図aは回
路基板の要部平面図、同図bは混成集積回路の要
部平面図、同図cはそのC−C線断面図である。 7……回路基板、8……半導体素子、9……ボ
ンデイングパツド、10……配線用導体、11…
…絶縁性接着剤、12……ダミーパツド。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体素子がダイボンドされる回路基板を備
え、回路基板のダイボンド部分の周囲に、複数の
ボンデイングパツドが形成され、回路基板のダイ
ボンド部分を横切る配線用導体が形成され、配線
用導体を含むダイボンド部分に絶縁性接着剤によ
つて半導体素子がダイボンドされる混成集積回路
装置であつて、 回路基板の配線用導体以外のダイボンド部分
に、複数のダミーパツドを分散して設け、半導体
素子を回路基板にダイボンドしたときに前記分散
して設けたダミーパツドによりその半導体素子が
傾かないようにしたことを特徴とする混成集積回
路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981138160U JPS5842940U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981138160U JPS5842940U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842940U JPS5842940U (ja) | 1983-03-23 |
| JPH0246054Y2 true JPH0246054Y2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=29931394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981138160U Granted JPS5842940U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842940U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58207655A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444773A (en) * | 1977-09-16 | 1979-04-09 | Nippon Cetu Kk | Method of mounting electronic parts to printed board |
| JPS5797634A (en) * | 1980-12-11 | 1982-06-17 | Canon Inc | Hybrid integrated circuit |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP1981138160U patent/JPS5842940U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5842940U (ja) | 1983-03-23 |
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