JPH024675B2 - - Google Patents
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- JPH024675B2 JPH024675B2 JP2061383A JP2061383A JPH024675B2 JP H024675 B2 JPH024675 B2 JP H024675B2 JP 2061383 A JP2061383 A JP 2061383A JP 2061383 A JP2061383 A JP 2061383A JP H024675 B2 JPH024675 B2 JP H024675B2
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- cylindrical
- thin film
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- film
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子材料より成る基板上に金属薄膜
を形成する際の製造方法に関するものである。
を形成する際の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法によつ
て金属薄膜を形成する方法としては、この基板を
円筒状キヤンに沿わせて走行させつつ蒸着する方
法が最も優れている。第１図にこのような方法を
用いた真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。高
分子材料より成る基板１は円筒状キヤン２の周側
面に沿つて矢印の方向に走行する。この基板１上
に蒸発源５によつて金属薄膜が形成される。第１
図中３は供給ロール、４は巻取ロールである。こ
のような真空蒸着装置を用いて高分子材料より成
る基板上に金属薄膜を形成する際に、金属薄膜の
膜厚が薄く数100Å以下の場合には安定した金属
薄膜が形成されるが、膜厚が数100Å以上の金属
薄膜を数100Å／秒以上の高堆積速度で形成する
場合には蒸発源かの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等
の原因により基板の熱変形や熱分解を生じ安定し
た金属薄膜を形成することができない。従つて数
100Å以上の膜厚の金属薄膜を形成する際にはこ
れらの熱的ダメージを避けるために何らかの対策
を採らなくてはならない。従来このような対策の
一つとして、熱的ダメージを受けずにすむ数10Å
以下の膜厚の金属薄膜を蒸着し、その上にこの金
属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設けて数
100Å以上の膜厚の金属薄膜を数100Å／秒以上の
高堆積速度で形成する方法が考えられている。第
２図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内
部構造の概略を示す。金属薄膜の蒸着された高分
子材料より成る基板６は、その金属面を金属ロー
ラー７に接して走行しこの金属ローラー７を通じ
て電源８により接地された円筒状キヤン２との間
に電位差が与えられる。このようにして基板６と
円筒状キヤン２との間に電位差を設けると静電引
力により基板６が円筒状キヤン２に張り付く。基
板６が円筒状キヤン２に張り付いた状態で蒸発源
５によつて金属薄膜を形成すると、数100Å以上
の膜厚の金属薄膜を数10Å／秒以上の高堆積速度
で形成する際に、基板６が受ける蒸発源からの輻
射熱や蒸発原子の凝縮熱等の熱を、円筒状キヤン
２へ熱伝導により拡散することができ、基板６は
熱変形や熱分解を生じない。
て金属薄膜を形成する方法としては、この基板を
円筒状キヤンに沿わせて走行させつつ蒸着する方
法が最も優れている。第１図にこのような方法を
用いた真空蒸着装置の内部構造の概略を示す。高
分子材料より成る基板１は円筒状キヤン２の周側
面に沿つて矢印の方向に走行する。この基板１上
に蒸発源５によつて金属薄膜が形成される。第１
図中３は供給ロール、４は巻取ロールである。こ
のような真空蒸着装置を用いて高分子材料より成
る基板上に金属薄膜を形成する際に、金属薄膜の
膜厚が薄く数100Å以下の場合には安定した金属
薄膜が形成されるが、膜厚が数100Å以上の金属
薄膜を数100Å／秒以上の高堆積速度で形成する
場合には蒸発源かの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等
の原因により基板の熱変形や熱分解を生じ安定し
た金属薄膜を形成することができない。従つて数
100Å以上の膜厚の金属薄膜を形成する際にはこ
れらの熱的ダメージを避けるために何らかの対策
を採らなくてはならない。従来このような対策の
一つとして、熱的ダメージを受けずにすむ数10Å
以下の膜厚の金属薄膜を蒸着し、その上にこの金
属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設けて数
100Å以上の膜厚の金属薄膜を数100Å／秒以上の
高堆積速度で形成する方法が考えられている。第
２図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内
部構造の概略を示す。金属薄膜の蒸着された高分
子材料より成る基板６は、その金属面を金属ロー
ラー７に接して走行しこの金属ローラー７を通じ
て電源８により接地された円筒状キヤン２との間
に電位差が与えられる。このようにして基板６と
円筒状キヤン２との間に電位差を設けると静電引
力により基板６が円筒状キヤン２に張り付く。基
板６が円筒状キヤン２に張り付いた状態で蒸発源
５によつて金属薄膜を形成すると、数100Å以上
の膜厚の金属薄膜を数10Å／秒以上の高堆積速度
で形成する際に、基板６が受ける蒸発源からの輻
射熱や蒸発原子の凝縮熱等の熱を、円筒状キヤン
２へ熱伝導により拡散することができ、基板６は
熱変形や熱分解を生じない。
以上のように円筒状キヤンと基板との間に電位
差を設けることにより、安定に膜を形成すること
ができるが、第２図のような方法では基板上にあ
らかじめ金属薄膜を蒸着し基板上に導電性を持つ
層を形成しておかなくてはならず、高分子材料よ
り成る基板上に直接膜厚が数100Å以上の安定し
た金属薄膜を数100Å／秒以上の高堆積速度で蒸
着するとは不可能である。
差を設けることにより、安定に膜を形成すること
ができるが、第２図のような方法では基板上にあ
らかじめ金属薄膜を蒸着し基板上に導電性を持つ
層を形成しておかなくてはならず、高分子材料よ
り成る基板上に直接膜厚が数100Å以上の安定し
た金属薄膜を数100Å／秒以上の高堆積速度で蒸
着するとは不可能である。
発明の目的
本発明は真空蒸着法により基板に熱変形や熱分
解及びしわを生じさせずに金属薄膜を作製する方
法を提供することを目的とする。
解及びしわを生じさせずに金属薄膜を作製する方
法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は円筒状キヤンの周側面に沿つて走行し
つつある高分子材料より成る基板上に直接金属薄
膜を真空蒸着法によつて形成する際に、形成され
た金属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設け
ることを特徴とする金属薄膜の製造方法であり、
本発明の方法により高分子材料から成る基板に熱
変形や熱分解及びしわを生じさせずに金属薄膜を
形成することが可能である。
つつある高分子材料より成る基板上に直接金属薄
膜を真空蒸着法によつて形成する際に、形成され
た金属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設け
ることを特徴とする金属薄膜の製造方法であり、
本発明の方法により高分子材料から成る基板に熱
変形や熱分解及びしわを生じさせずに金属薄膜を
形成することが可能である。
実施例の説明
第３図に本発明の方法を用いた真空蒸着装置の
内部構造の概略を示す。第３図において第１図、
第２図と同一物は同一番号を付して説明を省略す
る。第３図の装置の特徴とするところは、金属ロ
ーラー７の位置が第２図に示す供給ロール３と円
筒状キヤン２の間から円筒状キヤン２と巻取ロー
ル４との間へ移つた点である。高分子材料より成
る板上に直接金属薄膜を形成する場合、従来の第
２図に示されたような方法では基板上に導電性を
持つ層が存在しないため円筒状キヤンとの間に電
位差を設けることができず基板を静電引力で張り
付けて熱的ダメージから守ることは不可能であつ
た。しかし、第３図に示した本発明による方法で
は金属ローラー７が円筒状キヤン２と巻取ロール
４との間に位置するため蒸着された金属薄膜が基
板上に存在するので金属ローラー７を通じて基板
上の金属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設
けることができ基板６を静電引力によつて円筒状
キヤンに張り付けて熱的ダメージから守ることが
できる。本発明の方法では蒸発源によつて形成さ
れた金属層を通じて電位差を設けているため、基
板が円筒状キヤンに張り付くのは、第３図で円筒
状キヤンの中心と蒸発源とを結ぶ直接から右側即
ち巻取ロール側でしかも基板６が円筒状キヤン２
に接している部分のみであり、同直線から左側即
ち供給ロール側は金属層が未だ存在しないため円
筒状キヤンとの間に電位差を設けることができず
張り付いていない。けれども、基板６が受ける熱
は熱発源５からの輻射熱や熱発原子の凝縮熱が主
であるので蒸発源５より供給ロール３側では基板
６は円筒状キヤン２に張り付いていなくても熱的
ダメージを受けない。対策を講じていなければ熱
的ダメージを受ける。蒸発源５から巻取ロール４
側では、基板６は円筒状キヤン２に張り付いてい
るため熱的ダメージから守れるので、本発明の方
法で真空蒸着の際の熱的ダメージから基板６を守
ることができる。
内部構造の概略を示す。第３図において第１図、
第２図と同一物は同一番号を付して説明を省略す
る。第３図の装置の特徴とするところは、金属ロ
ーラー７の位置が第２図に示す供給ロール３と円
筒状キヤン２の間から円筒状キヤン２と巻取ロー
ル４との間へ移つた点である。高分子材料より成
る板上に直接金属薄膜を形成する場合、従来の第
２図に示されたような方法では基板上に導電性を
持つ層が存在しないため円筒状キヤンとの間に電
位差を設けることができず基板を静電引力で張り
付けて熱的ダメージから守ることは不可能であつ
た。しかし、第３図に示した本発明による方法で
は金属ローラー７が円筒状キヤン２と巻取ロール
４との間に位置するため蒸着された金属薄膜が基
板上に存在するので金属ローラー７を通じて基板
上の金属薄膜と円筒状キヤンとの間に電位差を設
けることができ基板６を静電引力によつて円筒状
キヤンに張り付けて熱的ダメージから守ることが
できる。本発明の方法では蒸発源によつて形成さ
れた金属層を通じて電位差を設けているため、基
板が円筒状キヤンに張り付くのは、第３図で円筒
状キヤンの中心と蒸発源とを結ぶ直接から右側即
ち巻取ロール側でしかも基板６が円筒状キヤン２
に接している部分のみであり、同直線から左側即
ち供給ロール側は金属層が未だ存在しないため円
筒状キヤンとの間に電位差を設けることができず
張り付いていない。けれども、基板６が受ける熱
は熱発源５からの輻射熱や熱発原子の凝縮熱が主
であるので蒸発源５より供給ロール３側では基板
６は円筒状キヤン２に張り付いていなくても熱的
ダメージを受けない。対策を講じていなければ熱
的ダメージを受ける。蒸発源５から巻取ロール４
側では、基板６は円筒状キヤン２に張り付いてい
るため熱的ダメージから守れるので、本発明の方
法で真空蒸着の際の熱的ダメージから基板６を守
ることができる。
次に本発明の具体的な実施例を第３図を用いて
説明する。金属ローラー７に電源８によつて
100Vの電圧を印加している。第３図では直流電
源が描かれているが交流電源でも良い。円筒状キ
ヤン２は接地されている。このような装置を用い
て膜厚12μｍのポリエチレンテレフタレート基板
上に金属薄膜として膜厚1000ÅのTi膜4000Å／
秒の堆積速度で形成した。作成された膜は非常に
安定であり熱負け及びしわは見られなかつた。一
方、金属ローラー７に電圧を印加しなかつた場合
には基板に熱分解を生じ穴があいた。
説明する。金属ローラー７に電源８によつて
100Vの電圧を印加している。第３図では直流電
源が描かれているが交流電源でも良い。円筒状キ
ヤン２は接地されている。このような装置を用い
て膜厚12μｍのポリエチレンテレフタレート基板
上に金属薄膜として膜厚1000ÅのTi膜4000Å／
秒の堆積速度で形成した。作成された膜は非常に
安定であり熱負け及びしわは見られなかつた。一
方、金属ローラー７に電圧を印加しなかつた場合
には基板に熱分解を生じ穴があいた。
発明の効果
以上のように本発明の方法により静電引力で基
板を円筒状キヤンに張り付けることが可能とな
り、熱まけ、しわ等のない安定な金属薄膜を形成
することができるものである。そして、蒸着され
た金属薄膜を電極として利用できるので基板の表
面をあらかじめ導電性にしておく必要がないもの
である。
板を円筒状キヤンに張り付けることが可能とな
り、熱まけ、しわ等のない安定な金属薄膜を形成
することができるものである。そして、蒸着され
た金属薄膜を電極として利用できるので基板の表
面をあらかじめ導電性にしておく必要がないもの
である。
第１図、第２図はそれぞれ従来例における金属
薄膜の製造方法の真空蒸着装置の内部構造の概略
図、第３図は本発明の金属薄膜の製造方法におけ
る真空蒸着装置の内部構造の概略図である。 １……基板、２……円筒状キヤン、３……供給
ロール、４……巻取ロール、５……蒸発源、６…
…金属薄膜を蒸着された基板、７……金属ローラ
ー、８……基板に電圧を印加するための電源。
薄膜の製造方法の真空蒸着装置の内部構造の概略
図、第３図は本発明の金属薄膜の製造方法におけ
る真空蒸着装置の内部構造の概略図である。 １……基板、２……円筒状キヤン、３……供給
ロール、４……巻取ロール、５……蒸発源、６…
…金属薄膜を蒸着された基板、７……金属ローラ
ー、８……基板に電圧を印加するための電源。
Claims (1)
- １ 円筒状キヤンの周側面に沿つて走行しつつあ
る高分子材料より成る基板上に直接金属薄膜を真
空蒸着法によつて形成する際に、形成された金属
薄膜と上記円筒状キヤンとの間に電位差を設ける
ことを特徴とする金属薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020613A JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58020613A JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59147023A JPS59147023A (ja) | 1984-08-23 |
| JPH024675B2 true JPH024675B2 (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=12032104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58020613A Granted JPS59147023A (ja) | 1983-02-10 | 1983-02-10 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59147023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163693A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-07-29 | Ulvac Japan Ltd | 巻取式真空蒸着方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318064A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JPS6318063A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 真空蒸着方法 |
| JP2013036104A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Toray Advanced Film Co Ltd | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
-
1983
- 1983-02-10 JP JP58020613A patent/JPS59147023A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163693A (ja) * | 2010-04-12 | 2010-07-29 | Ulvac Japan Ltd | 巻取式真空蒸着方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59147023A (ja) | 1984-08-23 |
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