JPS59149931A - 金属薄膜の製造方法 - Google Patents
金属薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS59149931A JPS59149931A JP58024025A JP2402583A JPS59149931A JP S59149931 A JPS59149931 A JP S59149931A JP 58024025 A JP58024025 A JP 58024025A JP 2402583 A JP2402583 A JP 2402583A JP S59149931 A JPS59149931 A JP S59149931A
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- JP
- Japan
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- film
- thin film
- metal thin
- substrate
- metal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高分子材料より成る基板上に金属薄膜を形成す
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
る金属薄膜の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法により金属薄膜
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
を形成する方法としては、基板を円筒状キャンの周側面
に沿わせて走行させつつ蒸着する方法が最も優れている
。第１図にこのような方法を用いた真空蒸着装置の内部
構造の概略を示す。
高分子材料より成る基板１は円筒状キャン２の周側面に
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源５
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取りロールである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板上に金属薄膜
を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以下
の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数１００八以
上の膜厚を数１ｏｏ八／へ以上の高堆積速度で形成する
場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等に
より基板の熱変形や熱分解を生じてしまい安定な蒸着膜
が得られない。高分子材料より成る一基板の一方の表面
にだけ金属薄膜を蒸着する場合には、金属薄膜と円筒状
キャンとの間に電位差を設けて蒸着することにより、上
記の問題は解決される。このことの−例を第２図を用い
て説明する。
沿って矢印の向きに走行する。この基板１上に蒸発源５
によって金属薄膜が形成される。３゜４はそれぞれ基板
１の供給ロール及び巻き取りロールである。このような
真空蒸着装置にて高分子材料より成る基板上に金属薄膜
を蒸着する際に、金属薄膜の膜厚が薄く数１００Å以下
の場合には、安定に薄膜が形成されるが、数１００八以
上の膜厚を数１ｏｏ八／へ以上の高堆積速度で形成する
場合には、蒸発源からの輻射熱や蒸発原子の凝縮熱等に
より基板の熱変形や熱分解を生じてしまい安定な蒸着膜
が得られない。高分子材料より成る一基板の一方の表面
にだけ金属薄膜を蒸着する場合には、金属薄膜と円筒状
キャンとの間に電位差を設けて蒸着することにより、上
記の問題は解決される。このことの−例を第２図を用い
て説明する。
一方の表面に膜厚数１０’Ｏ八以、下の金属薄膜Ｂが蒸
着された高分子材料より成る基板６は、その金属薄膜Ｂ
を金属ローラ７に接して走行する。金属ローラ了は電源
８によｐ１接地された円筒状キャン２との間に電圧が印
加されている。このようにすると基板６と円筒状キャン
２との間に静電気的な引力が生し、基板゛６が円筒状キ
ャンに張り付く。
着された高分子材料より成る基板６は、その金属薄膜Ｂ
を金属ローラ７に接して走行する。金属ローラ了は電源
８によｐ１接地された円筒状キャン２との間に電圧が印
加されている。このようにすると基板６と円筒状キャン
２との間に静電気的な引力が生し、基板゛６が円筒状キ
ャンに張り付く。
張や付いた状態で蒸発源５から薄膜材料を蒸発させ、基
板６上に金属薄膜Ｃを形成すると、蒸発源からの輻射熱
や蒸発原子の凝縮熱が円筒状キャン２に拡散するので、
基板の熱変形や熱分解か生しない。基板６のキャン２へ
の張り付きが不十分であると熱拡散の量が小さく、基板
が熱的ダメージを受ける。
板６上に金属薄膜Ｃを形成すると、蒸発源からの輻射熱
や蒸発原子の凝縮熱が円筒状キャン２に拡散するので、
基板の熱変形や熱分解か生しない。基板６のキャン２へ
の張り付きが不十分であると熱拡散の量が小さく、基板
が熱的ダメージを受ける。
以上述べた例は、高分子材料より成る基板の一方の表面
に金人気薄膜を蒸着し、他方の表面には金属尚膜が無い
場合についてであるが、既に一方の表面に金属薄膜の形
成されている高分子材料より成る基板の他方の表面にさ
らに金属薄膜を蒸着する際には、上記の方法が使用出来
ない。すなわち静電気的な印力によって基板を円筒状キ
ャンに張り付かせることがでさず、従来の方法で蒸着を
行なうと熱変形や熱分解を生じてしまう 発明の目的 本発明は真空蒸着法により、一方の表面に金属薄膜の形
成されている高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解
を生じさせずに、この基板の他方の表面に金属薄膜を形
成する方法を提供することを目的とする。
に金人気薄膜を蒸着し、他方の表面には金属尚膜が無い
場合についてであるが、既に一方の表面に金属薄膜の形
成されている高分子材料より成る基板の他方の表面にさ
らに金属薄膜を蒸着する際には、上記の方法が使用出来
ない。すなわち静電気的な印力によって基板を円筒状キ
ャンに張り付かせることがでさず、従来の方法で蒸着を
行なうと熱変形や熱分解を生じてしまう 発明の目的 本発明は真空蒸着法により、一方の表面に金属薄膜の形
成されている高分子材料より成る基板に熱変形や熱分解
を生じさせずに、この基板の他方の表面に金属薄膜を形
成する方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある
、一方の表面に金属薄膜への形成されている高分子材料
より成る基板の他方の表面に直接にあるいは金属薄膜Ｂ
を介して金属薄膜Ｃを真空蒸着法によって形成する際に
、上記基板の上記金属薄膜Ａ側に高分子材料よ構成るフ
ィルムを重ねて走行させかつ上記金属薄膜Ａあるいは上
記釜属薄膜Ｃと上記キャンとの間に電１位差を設けるこ
とを特徴とする金属薄膜の製造方法であり、本発明の方
法を用いることによって、高分子材料より成る基板に熱
変形や熱分解を生じさせずに、金属薄膜をイむることが
可能である。
、一方の表面に金属薄膜への形成されている高分子材料
より成る基板の他方の表面に直接にあるいは金属薄膜Ｂ
を介して金属薄膜Ｃを真空蒸着法によって形成する際に
、上記基板の上記金属薄膜Ａ側に高分子材料よ構成るフ
ィルムを重ねて走行させかつ上記金属薄膜Ａあるいは上
記釜属薄膜Ｃと上記キャンとの間に電１位差を設けるこ
とを特徴とする金属薄膜の製造方法であり、本発明の方
法を用いることによって、高分子材料より成る基板に熱
変形や熱分解を生じさせずに、金属薄膜をイむることが
可能である。
実施例の説明
以下本発明の実施例を第３図及び第４図を用いて説明す
る。第３図は本発明の方法を実施するための真空蒸着装
置内部の一例を示す図であり、第１図、第２図と同一物
は同一番号を伺しておく。
る。第３図は本発明の方法を実施するための真空蒸着装
置内部の一例を示す図であり、第１図、第２図と同一物
は同一番号を伺しておく。
一方の表面に金属薄膜への形成されている高分子材料よ
構成る基板９は、この金属薄膜へを金偏ローラ７に接し
て矢印の向きに走行する。金属ローラ７は′電源８によ
り円筒状キャン２との間に′低圧が印加されている。１
１．１２は金属ローラであり、１２のローラで上記基板
９と高分子材料より成るフィルム１０が重ね合わされ、
そのまま円筒状キャン２に入る。１３．１４はそれぞれ
上記高分子材料より成るフィルム１ｏの供給ロール及び
巻き取りロールである。基板９とフィルム１０とが重な
り合って、円筒状キャン２に接している様子を拡大して
模式的に第４図に示す。１６は両面に金属薄膜が形成さ
れる高分子材料より成る基板、１６は金属薄膜Ａ１１７
は金属薄膜Ｃであり、蒸発源５により蒸着されつつある
部分が示されている。第３図の装置にて、電源８の電圧
を６０〜２６０Ｖとして実験を行なった結果、基板９は
静電気的な引力によ一〕て円部状キャン２に、安定に張
り付いて走行し、熱変形、熱分解を生じずに金属薄膜を
作製出来ることが明らかになった。なお金属薄膜に電圧
を印加するだめの電源としては、第３図で（ｄ直流電源
が描かれているが、交流電源でも差しつかえない。また
高分子材料より成る基板１５と金属薄膜Ｃとの間に、金
属薄膜Ｂが存在しても悪影響は及はさない。また第３図
では金属薄膜Ａに電圧を印加しているが、金属薄膜Ｃに
印加しても良いし、両膜に印加しても良い。
構成る基板９は、この金属薄膜へを金偏ローラ７に接し
て矢印の向きに走行する。金属ローラ７は′電源８によ
り円筒状キャン２との間に′低圧が印加されている。１
１．１２は金属ローラであり、１２のローラで上記基板
９と高分子材料より成るフィルム１０が重ね合わされ、
そのまま円筒状キャン２に入る。１３．１４はそれぞれ
上記高分子材料より成るフィルム１ｏの供給ロール及び
巻き取りロールである。基板９とフィルム１０とが重な
り合って、円筒状キャン２に接している様子を拡大して
模式的に第４図に示す。１６は両面に金属薄膜が形成さ
れる高分子材料より成る基板、１６は金属薄膜Ａ１１７
は金属薄膜Ｃであり、蒸発源５により蒸着されつつある
部分が示されている。第３図の装置にて、電源８の電圧
を６０〜２６０Ｖとして実験を行なった結果、基板９は
静電気的な引力によ一〕て円部状キャン２に、安定に張
り付いて走行し、熱変形、熱分解を生じずに金属薄膜を
作製出来ることが明らかになった。なお金属薄膜に電圧
を印加するだめの電源としては、第３図で（ｄ直流電源
が描かれているが、交流電源でも差しつかえない。また
高分子材料より成る基板１５と金属薄膜Ｃとの間に、金
属薄膜Ｂが存在しても悪影響は及はさない。また第３図
では金属薄膜Ａに電圧を印加しているが、金属薄膜Ｃに
印加しても良いし、両膜に印加しても良い。
次に本発明の具体的な実施例について説明する。
第３図に示される基本構成を有する真空蒸着装置にて、
膜厚４０μｍのポリエチレンテレフタレート基板の両側
に膜厚２００ｏ人のＣｏ −Ｃｒ合金膜を形成した。ま
ず、金属薄膜ＡとしてのＣｏ −Ｃｒ合金膜を従来の方
法で蒸着し、次に金属薄膜ＣとしてのＣｏ ＝Ｃｒ合金
膜を本発明の方法により蒸着し／ね。蒸着の際に、高分
子材料より成るフィルム１゜として膜厚１６ ）ｔｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、金属薄膜
Ａに印加する電源８の電圧は８０■とした。作製された
膜は非常に安定であり、熱変形、熱分解、クラック等は
見られなかった。一方、電圧を印加せずに金属薄Ｂｃと
してのｃｏ＝Ｃｒ合金膜を蒸着すると、ポリエチレンテ
レフタレート基板は熱分解を生じ、一部に穴がおいてし
まった。
膜厚４０μｍのポリエチレンテレフタレート基板の両側
に膜厚２００ｏ人のＣｏ −Ｃｒ合金膜を形成した。ま
ず、金属薄膜ＡとしてのＣｏ −Ｃｒ合金膜を従来の方
法で蒸着し、次に金属薄膜ＣとしてのＣｏ ＝Ｃｒ合金
膜を本発明の方法により蒸着し／ね。蒸着の際に、高分
子材料より成るフィルム１゜として膜厚１６ ）ｔｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、金属薄膜
Ａに印加する電源８の電圧は８０■とした。作製された
膜は非常に安定であり、熱変形、熱分解、クラック等は
見られなかった。一方、電圧を印加せずに金属薄Ｂｃと
してのｃｏ＝Ｃｒ合金膜を蒸着すると、ポリエチレンテ
レフタレート基板は熱分解を生じ、一部に穴がおいてし
まった。
発明の効果
以」二のように本発明によれば蒸着時に基板を円筒状キ
ャンに張り付けることが出来、その結果熱変形や熱分解
の無い安定な金属薄膜を提供することが可能である。
ャンに張り付けることが出来、その結果熱変形や熱分解
の無い安定な金属薄膜を提供することが可能である。
第１図及び第２図は従来の真空蒸着装置内部の概略を示
す原理図、第３図は本発明の金属薄膜の製造方法を実施
するだめの真空蒸着装置内部の一例を示す原理図、第４
図は第３図の一部を模式的に拡大した拡大図である。 ２・・・・・・円筒状キャン、８・・・・・・基板に電
圧を印加するための電源、９・・・・・・一方の表面に
金属薄膜Ａの形成されている高分子材料より成る基板、
１０・−・高分子材料より成るフィルム、１６・・・・
・・金属薄膜Ａ１１７・川・・金属薄膜ｃＱ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ワ。。 国中５ ■ 【ヒ６ 吊３図 第４図
す原理図、第３図は本発明の金属薄膜の製造方法を実施
するだめの真空蒸着装置内部の一例を示す原理図、第４
図は第３図の一部を模式的に拡大した拡大図である。 ２・・・・・・円筒状キャン、８・・・・・・基板に電
圧を印加するための電源、９・・・・・・一方の表面に
金属薄膜Ａの形成されている高分子材料より成る基板、
１０・−・高分子材料より成るフィルム、１６・・・・
・・金属薄膜Ａ１１７・川・・金属薄膜ｃＱ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ワ。。 国中５ ■ 【ヒ６ 吊３図 第４図
Claims (1)
- 円筒状キャンの周側面に沿って走行しつつある、一方の
表面に金属薄膜Ａの形成されている高分子材料より成る
基板の他方の表面に直接にあるいは金属薄膜Ｂを介して
金属薄膜Ｃを真空蒸着法によって形成する際に、上記基
板の上記金属薄膜Ａ側に高分子材料より成るフィルムを
重ねて走行させ、かつ上記金属薄膜Ａあるいは上記金属
薄膜Ｃと上記キャンとの間に電位差を設けることを特徴
とする金属薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024025A JPS59149931A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 金属薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58024025A JPS59149931A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 金属薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149931A true JPS59149931A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12126982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58024025A Pending JPS59149931A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 金属薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149931A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9718041B2 (en) | 2012-06-14 | 2017-08-01 | Nuvera Fuel Cells, LLC | Steam reformers, modules, and methods of use |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58024025A patent/JPS59149931A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9718041B2 (en) | 2012-06-14 | 2017-08-01 | Nuvera Fuel Cells, LLC | Steam reformers, modules, and methods of use |
| US10105667B2 (en) | 2012-06-14 | 2018-10-23 | Nuvera Fuel Cells, LLC | Steam reformers, modules, and methods of use |
| US10773229B2 (en) | 2012-06-14 | 2020-09-15 | Ivys, Inc. | Steam reformers, modules, and methods of use |
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