JPH0248640B2 - - Google Patents
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- JPH0248640B2 JPH0248640B2 JP61034971A JP3497186A JPH0248640B2 JP H0248640 B2 JPH0248640 B2 JP H0248640B2 JP 61034971 A JP61034971 A JP 61034971A JP 3497186 A JP3497186 A JP 3497186A JP H0248640 B2 JPH0248640 B2 JP H0248640B2
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- JP
- Japan
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- plating
- plated
- rotation
- bath
- substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0085—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor
- H05K3/0088—Apparatus for treatments of printed circuits with liquids not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46; conveyors and holding means therefor for treatment of holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing of the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0292—Using vibration, e.g. during soldering or screen printing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は多数の細孔を有するスルーホールプリ
ント基板（以下T.H.P.と略称する）に、低金属
イオン濃度、高酸濃度の高均一電着性浴のみなら
ず、中程度の金属イオン濃度の鍍金浴によつて
も、高陰極電流密度を用いて高速鍍金を行ない得
るスルーホールプリント基板の高速鍍金方法に関
するものである。
ント基板（以下T.H.P.と略称する）に、低金属
イオン濃度、高酸濃度の高均一電着性浴のみなら
ず、中程度の金属イオン濃度の鍍金浴によつて
も、高陰極電流密度を用いて高速鍍金を行ない得
るスルーホールプリント基板の高速鍍金方法に関
するものである。
（従来の技術）
従来T.H.Pに対する鍍金方法は、高均一電着性
浴に各種の添加剤を加え、１〜3Amp／ｄm2の陰
極電流密度で行うものである。
浴に各種の添加剤を加え、１〜3Amp／ｄm2の陰
極電流密度で行うものである。
高均一電着性浴及び添加剤の使用目的は、パネ
ル表面の電着を添加剤によつて制御して、孔部の
厚さ（Ｈ）と表面の厚さ（Ｓ）との比が小さくな
るのを防ぐためである。
ル表面の電着を添加剤によつて制御して、孔部の
厚さ（Ｈ）と表面の厚さ（Ｓ）との比が小さくな
るのを防ぐためである。
また、T.H.P.の如き形状ではなく、ICのチツ
プキヤリアー等の如く表面に高速鍍金を施す場合
には、鍍金表面に高速の鍍金液流を加えることに
よつて目的を達成しているが、かかる従来の高速
液流による方法は金属イオン濃度が高く、酸濃度
の低いPH４前後の鍍金浴以外では使用が不可能で
あり、T.H.P.には使用することができず、した
がつてT.H.P.の高速鍍金は実現しえなかつた。
プキヤリアー等の如く表面に高速鍍金を施す場合
には、鍍金表面に高速の鍍金液流を加えることに
よつて目的を達成しているが、かかる従来の高速
液流による方法は金属イオン濃度が高く、酸濃度
の低いPH４前後の鍍金浴以外では使用が不可能で
あり、T.H.P.には使用することができず、した
がつてT.H.P.の高速鍍金は実現しえなかつた。
また、低金属イオン濃度、高酸濃度鍍金浴の場
合、高速液流が金属表面を流れるので平滑な表面
には層流が生じ、表面に密着した薄層が流動せ
ず、そのため金属イオンの供給ができなくなる。
さらに酸濃度が高いので液流が連続して直接衝突
するような部位は、反対にエツチングされる場合
がある。
合、高速液流が金属表面を流れるので平滑な表面
には層流が生じ、表面に密着した薄層が流動せ
ず、そのため金属イオンの供給ができなくなる。
さらに酸濃度が高いので液流が連続して直接衝突
するような部位は、反対にエツチングされる場合
がある。
上記に関する顕著な例は、ノズルによる噴流が
直接被鍍金体にあたる場合、ノズルの位置に対向
する鍍金体表面が鍍金されず、ノズルとノズルの
間の中心部にあたる表面に線状に目視可能なやけ
が発生する。
直接被鍍金体にあたる場合、ノズルの位置に対向
する鍍金体表面が鍍金されず、ノズルとノズルの
間の中心部にあたる表面に線状に目視可能なやけ
が発生する。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を排除したスルーホールプ
リント基板の高速鍍金方法であり、スルーホール
プリント基板を、該基板の板面を包含する平面内
で平行回転せしめるとともに、さらに上下方向、
左右方向又は同時に上下及び左右方向に於てそれ
ぞれ回転方向に対して１〜5゜の角度を与えて振動
せしめ、被鍍金基板の回転径５〜80mm、回転数毎
秒0.5〜４回にて所定の鍍金浴にて25〜30℃の温
度にて鍍金する方法であり、多数の細孔を有する
T.H.Pに低金属イオン濃度、高酸濃度の高均一電
着性浴のみならず、中程度の金属イオン濃度の鍍
金浴によつても、高陰極電流密度を用いて高速鍍
金を行い得る鍍金方法である。
リント基板の高速鍍金方法であり、スルーホール
プリント基板を、該基板の板面を包含する平面内
で平行回転せしめるとともに、さらに上下方向、
左右方向又は同時に上下及び左右方向に於てそれ
ぞれ回転方向に対して１〜5゜の角度を与えて振動
せしめ、被鍍金基板の回転径５〜80mm、回転数毎
秒0.5〜４回にて所定の鍍金浴にて25〜30℃の温
度にて鍍金する方法であり、多数の細孔を有する
T.H.Pに低金属イオン濃度、高酸濃度の高均一電
着性浴のみならず、中程度の金属イオン濃度の鍍
金浴によつても、高陰極電流密度を用いて高速鍍
金を行い得る鍍金方法である。
（発明の構成）
本発明方法は、被鍍金基板に５〜80mmの回転径
と0.5〜４回の回転数及び１〜5゜の回転角による
運動を与え、 (1) 孔内壁がその周辺の鍍金液に生ずる応力によ
る乱流によつて、均等に急激な金属イオンの供
給と陰極電流の供給をうけ、 (2) 基板表面は、回転角によつて陽極間に基板の
直角方向の振動が発生するので、鍍金浴の乱流
が発生し、金属イオンの供給が確保され、かく
して孔内壁部の鍍金厚さ（Ｈ）と表面の鍍金厚
さ（Ｓ）との比、すなわちＨ／Ｓ比が従来方法
より高い高速鍍金が可能となる。
と0.5〜４回の回転数及び１〜5゜の回転角による
運動を与え、 (1) 孔内壁がその周辺の鍍金液に生ずる応力によ
る乱流によつて、均等に急激な金属イオンの供
給と陰極電流の供給をうけ、 (2) 基板表面は、回転角によつて陽極間に基板の
直角方向の振動が発生するので、鍍金浴の乱流
が発生し、金属イオンの供給が確保され、かく
して孔内壁部の鍍金厚さ（Ｈ）と表面の鍍金厚
さ（Ｓ）との比、すなわちＨ／Ｓ比が従来方法
より高い高速鍍金が可能となる。
以下に添付図面により本発明による方法を具体
的に詳述する。
的に詳述する。
添付図面中、第１図は本発明方法を実施するた
めの鍍金装置の一実施態様を示す正面略示図であ
り、１は所定の回転半径を有し、駆動部材（図示
せず）により回転せしめられる一対の回転板であ
り、２個の該回転板１のそれぞれの中心より一定
距離はなれた位置に於てブスバー２の両端部が相
対的に固定されている。
めの鍍金装置の一実施態様を示す正面略示図であ
り、１は所定の回転半径を有し、駆動部材（図示
せず）により回転せしめられる一対の回転板であ
り、２個の該回転板１のそれぞれの中心より一定
距離はなれた位置に於てブスバー２の両端部が相
対的に固定されている。
ブスバー２は一対の引掛け治具３が図示のよう
にブスバー２の対向側面に懸吊され、この引掛け
治具３の間に被鍍金基板T.H.P.４が一対の上記
治具３により保持される。
にブスバー２の対向側面に懸吊され、この引掛け
治具３の間に被鍍金基板T.H.P.４が一対の上記
治具３により保持される。
上記の如くに保持されたT.H.P.４を鍍金浴中
に浸潰し、駆動装置により一対の回転板１を回転
させれば、その回転がブスバー２及び引掛け治具
３を介してT.H.P.４を回転せしめ、したがつて
T.H.P.４面に設けられた孔５もその上下及び左
右関係が常に一定して同様に回転する。
に浸潰し、駆動装置により一対の回転板１を回転
させれば、その回転がブスバー２及び引掛け治具
３を介してT.H.P.４を回転せしめ、したがつて
T.H.P.４面に設けられた孔５もその上下及び左
右関係が常に一定して同様に回転する。
本発明方法に於ては、被鍍金基板、すなわち
T.H.P.４の板面を包含する平面内で平行回転す
るとともに、さらにT.H.P.４は第２図及ぼ第３
図に示す如く左右方向（第２図）及び上下方向
（第３図）に於て回転方向に対して所定の角度
（β、α）を持つて振動せしめられて鍍金される。
T.H.P.４の板面を包含する平面内で平行回転す
るとともに、さらにT.H.P.４は第２図及ぼ第３
図に示す如く左右方向（第２図）及び上下方向
（第３図）に於て回転方向に対して所定の角度
（β、α）を持つて振動せしめられて鍍金される。
第２図は第１図の装置の上方より見た平面略示
図であり、ブスバー２に対してT.H.P.４が左右
方向に対して角βだけ傾斜するように引掛け治具
３が懸吊されている。したがつて回転直径×sinβ
の値だけT.H.P.４の表面に対し直角に振幅を有
することになる。しかもその頻度は回転数に等し
い。
図であり、ブスバー２に対してT.H.P.４が左右
方向に対して角βだけ傾斜するように引掛け治具
３が懸吊されている。したがつて回転直径×sinβ
の値だけT.H.P.４の表面に対し直角に振幅を有
することになる。しかもその頻度は回転数に等し
い。
第３図は第１図の装置の側面略示図であり、ブ
スバー２に引掛け治具３が上下方向に対して角α
だけ傾斜して懸吊されている。したがつてT.H.
P.４は垂直方向に対して角αだけ傾斜している。
スバー２に引掛け治具３が上下方向に対して角α
だけ傾斜して懸吊されている。したがつてT.H.
P.４は垂直方向に対して角αだけ傾斜している。
上述の装置により本発明方法を実施すれば、
T.H.P.孔内壁は孔部周辺の鍍金液に生ずる応力
による乱流によつて、均等に急激な金属イオンの
供給と陰極電流の供給ができ、且つパネル表面は
回転角によつて陽極間にパネルの直角方向の振動
が発生する結果、鍍金浴の乱流が発生し、金属イ
オンの供給が確保され、高速の鍍金が可能とな
る。
T.H.P.孔内壁は孔部周辺の鍍金液に生ずる応力
による乱流によつて、均等に急激な金属イオンの
供給と陰極電流の供給ができ、且つパネル表面は
回転角によつて陽極間にパネルの直角方向の振動
が発生する結果、鍍金浴の乱流が発生し、金属イ
オンの供給が確保され、高速の鍍金が可能とな
る。
（実施例）
以下に実施例を示し本発明を詳述する。
実施例 １
硫酸銅180ｇ／、硫酸200ｇ／、浴温28℃の
鍍金浴中に於て、第１図に示す如く100×100×
1.6mm、孔数81個の基板について、界転板の回転
径20mm、回転数毎秒２回、回転角度（α）1゜で
6Amp／ｄm2、10分間の鍍金を５回行つた。
鍍金浴中に於て、第１図に示す如く100×100×
1.6mm、孔数81個の基板について、界転板の回転
径20mm、回転数毎秒２回、回転角度（α）1゜で
6Amp／ｄm2、10分間の鍍金を５回行つた。
その結果、やけのない表面を有する厚さ12.3μ
の銅鍍金基板が得られた。
の銅鍍金基板が得られた。
本実施例に於ては硫酸銅浴用の添加剤を使用し
なかつたが、孔壁部の鍍金厚さ（Ｈ）と表面の鍍
金厚さ（Ｓ）との比、すなわちＨ／Ｓ比は66％で
あつた。
なかつたが、孔壁部の鍍金厚さ（Ｈ）と表面の鍍
金厚さ（Ｓ）との比、すなわちＨ／Ｓ比は66％で
あつた。
実施例 ２
硫酸銅180ｇ／、硫酸200ｇ／、浴温28℃の
鍍金浴中に於て、100×100×1.6mm、孔数81個の
基板について、回転板の回転径20mm、回転数毎秒
２回、回転角度（β）1゜で8Amp／ｄm2、10分間
の鍍金を５回行つた。
鍍金浴中に於て、100×100×1.6mm、孔数81個の
基板について、回転板の回転径20mm、回転数毎秒
２回、回転角度（β）1゜で8Amp／ｄm2、10分間
の鍍金を５回行つた。
その結果やけのない表面を有する厚さ16μの銅
鍍金基板が得られた。
鍍金基板が得られた。
本実施例に於ては硫酸銅浴用に添加剤を添加し
なかつたが、Ｈ／Ｓ比は90％であつた。
なかつたが、Ｈ／Ｓ比は90％であつた。
実施例 ３
硫酸銅120ｇ／、硫酸200ｇ／、ハーシヨウ
村田製硫酸銅浴添加剤CX−B20ｇ／、浴温28
℃の鍍金浴中に於て、回転板の回転径80mm、回転
数毎秒２回、回転角度（α）1゜、12Amp／ｄm2、
10分間の条件で330×400×1.6mm、孔数約2500個
の基板20個についてそれぞれ鍍金を施した。
村田製硫酸銅浴添加剤CX−B20ｇ／、浴温28
℃の鍍金浴中に於て、回転板の回転径80mm、回転
数毎秒２回、回転角度（α）1゜、12Amp／ｄm2、
10分間の条件で330×400×1.6mm、孔数約2500個
の基板20個についてそれぞれ鍍金を施した。
その結果、表面厚さ約25μ、Ｈ／Ｓ比が75％の
美しい銅鍍金基板が得られた。
美しい銅鍍金基板が得られた。
実施例 ４
錫14ｇ／、鉛９ｇ／、硼弗化水素酸500
ｇ／からなる浴温28℃の半田鍍金浴中に於て、
回転板の回転径40mm、回転数毎秒２回、回転角
（α及びβ）各1゜、15Amp／ｄm2、３分間の条件
で、330×400×1.6mm、孔数約2500個の基板20個
についてそれぞれ鍍金を施した。
ｇ／からなる浴温28℃の半田鍍金浴中に於て、
回転板の回転径40mm、回転数毎秒２回、回転角
（α及びβ）各1゜、15Amp／ｄm2、３分間の条件
で、330×400×1.6mm、孔数約2500個の基板20個
についてそれぞれ鍍金を施した。
その結果、表面厚さ約18μ、Ｈ／Ｓ比がほぼ
100％の美しい半田鍍金基板が得られた。
100％の美しい半田鍍金基板が得られた。
実施例 ５
硫酸銅120ｇ／、硫酸200ｇ／、ハーシヨウ
村田製CX−B20ｇ／からなる浴温28℃の鍍金
浴中に於て、回転板の回転径20mm、回転数毎秒２
回、回転角（α）1゜、16Amp／ｄm2、10分間の
条件で100×200×1.6mm、孔数100個の基板10個に
ついてそれぞれ鍍金を施した。
村田製CX−B20ｇ／からなる浴温28℃の鍍金
浴中に於て、回転板の回転径20mm、回転数毎秒２
回、回転角（α）1゜、16Amp／ｄm2、10分間の
条件で100×200×1.6mm、孔数100個の基板10個に
ついてそれぞれ鍍金を施した。
その結果、表面厚さ約32μ、Ｈ／Ｓ比が90％の
美しい銅鍍金基板が得られた。
美しい銅鍍金基板が得られた。
実施例 ６
硫酸銅180ｇ／、硫酸200ｇ／、ハーシヨウ
村田製CX−B20ｇ／からなる浴温28℃の鍍金
浴中に於て、回転板の回転径20mm、回転数毎秒２
回、回転角（β）1゜、18Amp／ｄm2、８分間の
条件で、100×200×1.6mm、孔数100個の基板10個
についてそれぞれに鍍金を施した。
村田製CX−B20ｇ／からなる浴温28℃の鍍金
浴中に於て、回転板の回転径20mm、回転数毎秒２
回、回転角（β）1゜、18Amp／ｄm2、８分間の
条件で、100×200×1.6mm、孔数100個の基板10個
についてそれぞれに鍍金を施した。
その結果、表面厚さ約25μ、Ｈ／Ｓ比が90％の
銅鍍金基板が得られた。
銅鍍金基板が得られた。
（発明の効果）
従来の方法に於ては陰極電流密度は2Amp／ｄ
m2程度であり、Ｈ／Ｓは10〜20％である。また、
従来の方法に於ては添加剤を加えない場合は180
ｇ／の硫酸銅濃度ではＨ／Ｓ比がやはり10〜20
％程度である。
m2程度であり、Ｈ／Ｓは10〜20％である。また、
従来の方法に於ては添加剤を加えない場合は180
ｇ／の硫酸銅濃度ではＨ／Ｓ比がやはり10〜20
％程度である。
これに対し本発明方法によれば、添加剤の使用
なくして実施例１及び２の結果が示す如く、Ｈ／
Ｓ比は66％及び90％である。
なくして実施例１及び２の結果が示す如く、Ｈ／
Ｓ比は66％及び90％である。
また、添加剤を添加した場合は、実施例３〜６
が示すごとくＨ／Ｓが75〜100％である。
が示すごとくＨ／Ｓが75〜100％である。
本発明者によれば、低金属イオン濃度、高酸濃
度の高均一電着性浴のみならず、中程度の金属イ
オン濃度の鍍金浴に於ても高陰極電流密度を用い
てスルーホールプリント基板の高速鍍金が実施さ
れる。
度の高均一電着性浴のみならず、中程度の金属イ
オン濃度の鍍金浴に於ても高陰極電流密度を用い
てスルーホールプリント基板の高速鍍金が実施さ
れる。
添付図面中、第１図は本発明方法を実施するた
めの鍍金装置の一実施態様を示す表面略示図、第
２図は第１図に示す装置の上方より見た平面略示
図、第３図は第１図に示す装置の側面略示図であ
る。なお、図示された主要部と符号との対応は以
下の通りである。 １……回転板、２……ブスバー、３……引掛け
治具、４……T.H.P.、５……T.H.P.の孔。
めの鍍金装置の一実施態様を示す表面略示図、第
２図は第１図に示す装置の上方より見た平面略示
図、第３図は第１図に示す装置の側面略示図であ
る。なお、図示された主要部と符号との対応は以
下の通りである。 １……回転板、２……ブスバー、３……引掛け
治具、４……T.H.P.、５……T.H.P.の孔。
Claims (1)
- １ スルーホールプリント基板を、該基板の板面
を包含する平面内で平行回転せしめるとともに、
さらに上下方向、左右方向又は同時に上下及び左
右方向に於いてそれぞれ回転方向に対して１〜5゜
の角度を与えて振動せしめ、被鍍金基板の回転径
５〜80mm、回転数毎秒0.5〜４回にて所定の鍍金
浴にて25〜30℃の温度にて高陰極電流密度を用い
て鍍金することを特徴とする高速鍍金方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034971A JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
| KR1019870001314A KR900005846B1 (ko) | 1986-02-21 | 1987-02-18 | 고속도금방법 |
| US07/017,947 US4726884A (en) | 1986-02-21 | 1987-02-24 | Method of high speed plating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034971A JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196398A JPS62196398A (ja) | 1987-08-29 |
| JPH0248640B2 true JPH0248640B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=12429024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034971A Granted JPS62196398A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | スルーホールプリント基板の高速鍍金方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4726884A (ja) |
| JP (1) | JPS62196398A (ja) |
| KR (1) | KR900005846B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01316498A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Nec Corp | プリント基板のめっき治具 |
| DE3905100A1 (de) * | 1989-02-20 | 1990-08-23 | Hans Henig | Verfahren und vorrichtung zum elektrolytaustausch vornehmlich in engen vertiefungen grossflaechiger werkstuecke |
| CH683007A5 (de) * | 1990-08-17 | 1993-12-31 | Hans Henig | Verfahren zum kontinuierlichen Austausch der wässrigen Lösungen während einer Oberflächenbehandlung sowie eine Vorrichtung dazu. |
| DE4133561C2 (de) * | 1991-10-10 | 1994-02-03 | Reinhard Kissler Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Galvanisieren von Waren |
| US6001235A (en) * | 1997-06-23 | 1999-12-14 | International Business Machines Corporation | Rotary plater with radially distributed plating solution |
| DE10061226A1 (de) * | 2000-12-08 | 2002-06-20 | Emil Hepting | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Waren in einem Tauchbad |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501349A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-08 | ||
| JPS563690A (en) * | 1979-06-20 | 1981-01-14 | Ibiden Co Ltd | High speed through-hole plating method |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP61034971A patent/JPS62196398A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-18 KR KR1019870001314A patent/KR900005846B1/ko not_active Expired
- 1987-02-24 US US07/017,947 patent/US4726884A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR870008057A (ko) | 1987-09-24 |
| JPS62196398A (ja) | 1987-08-29 |
| US4726884A (en) | 1988-02-23 |
| KR900005846B1 (ko) | 1990-08-13 |
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