JPS62109403A - マイクロ波装置 - Google Patents
マイクロ波装置Info
- Publication number
- JPS62109403A JPS62109403A JP60249501A JP24950185A JPS62109403A JP S62109403 A JPS62109403 A JP S62109403A JP 60249501 A JP60249501 A JP 60249501A JP 24950185 A JP24950185 A JP 24950185A JP S62109403 A JPS62109403 A JP S62109403A
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- JP
- Japan
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- microwave
- terminal
- insulating substrate
- metal film
- bias
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はレーダ、通信等に使用するマイクロ波回路を
保護するための装置に関するものである。
保護するための装置に関するものである。
第4図は例えばMicrowave Jouna I
VO’L28 。
VO’L28 。
A 4 、 April 、 1985. P72に
示された従来のマイクロ波装置の斜視図であ99図にお
いて(1)はきよう体、(2)は上蓋、(3)は絶縁性
基板、(4)はマイクロ波回路、(5)は入力端子、(
6)は出力端子、(7)はバイアス端子、(8)〜(I
Gは貫通端子、αυは金属細線である。
示された従来のマイクロ波装置の斜視図であ99図にお
いて(1)はきよう体、(2)は上蓋、(3)は絶縁性
基板、(4)はマイクロ波回路、(5)は入力端子、(
6)は出力端子、(7)はバイアス端子、(8)〜(I
Gは貫通端子、αυは金属細線である。
きよう体(1)の底面には絶縁性基板(3)が装着され
ており、側面には貫通端子(8)〜O1が設けられてい
る。また、絶縁性基板(3)の表面にはマイクロ波回路
(4)、入力端子(5)、出力端子(61およびバイア
ス端子(6)がそれぞれ形成されており、入力端子(5
)と貫通端子(8)、出力端子(6)と貫通端子(9)
、バイアス端子(7)と貫通端子αC間はそれぞれ金属
細線Uυで接続されている。上蓋(2)はマイクロ波回
路(4)を保護するために用いるもので、きよう体(1
1の上面に半田付等で装着することにより、きよう体E
11内部が気密に保たれている。貫通端子(8)ときよ
う体(l)9貫通端子(9)ときよう体(1)9貫通端
子αlときよう体(1)。
ており、側面には貫通端子(8)〜O1が設けられてい
る。また、絶縁性基板(3)の表面にはマイクロ波回路
(4)、入力端子(5)、出力端子(61およびバイア
ス端子(6)がそれぞれ形成されており、入力端子(5
)と貫通端子(8)、出力端子(6)と貫通端子(9)
、バイアス端子(7)と貫通端子αC間はそれぞれ金属
細線Uυで接続されている。上蓋(2)はマイクロ波回
路(4)を保護するために用いるもので、きよう体(1
1の上面に半田付等で装着することにより、きよう体E
11内部が気密に保たれている。貫通端子(8)ときよ
う体(l)9貫通端子(9)ときよう体(1)9貫通端
子αlときよう体(1)。
とでそれぞれ同軸線路が形成されておシ、所望の特性イ
ンピーダンスが得られるように貫通端子(8)〜α〔の
形状が選ばれている。
ンピーダンスが得られるように貫通端子(8)〜α〔の
形状が選ばれている。
貫通端子(8)から入射したマイクロ波は金属細線αυ
、入力端子(5)を通ってマイクロ波回路(4)に到達
する。そこで増幅、減衰あるいは変調されたマイクロ波
は出力端子(6)、金属細線αυを通って貫通端子(9
)に到達する。マイクロ波目力(4)に半導体を用い、
所望のバイアスが必要な場合は貫通端子翰からバイアス
を印加する。
、入力端子(5)を通ってマイクロ波回路(4)に到達
する。そこで増幅、減衰あるいは変調されたマイクロ波
は出力端子(6)、金属細線αυを通って貫通端子(9
)に到達する。マイクロ波目力(4)に半導体を用い、
所望のバイアスが必要な場合は貫通端子翰からバイアス
を印加する。
一般に受信機等では複数のマイクロ波装置を用いる場合
が多い。第5図は従来のマイクロ波装置を2個縦接続し
た場合の斜視図である。この図Kかいて、α2は支持板
、αJはマイクロストリップ線路である。支持板aa上
に2個のマイクロ波装置を配置し、その間にはマイクロ
ストリップ線路(I3が設けられている。入力側のマイ
クロ波装置の出力端子(91とマイクロストリップ線路
へ3.マイクロストリップ線路a3と出力側のマイクロ
波装置の入力端子(8)とを接続することにより、2個
のマイクロ波装置が縦続接続されている。
が多い。第5図は従来のマイクロ波装置を2個縦接続し
た場合の斜視図である。この図Kかいて、α2は支持板
、αJはマイクロストリップ線路である。支持板aa上
に2個のマイクロ波装置を配置し、その間にはマイクロ
ストリップ線路(I3が設けられている。入力側のマイ
クロ波装置の出力端子(91とマイクロストリップ線路
へ3.マイクロストリップ線路a3と出力側のマイクロ
波装置の入力端子(8)とを接続することにより、2個
のマイクロ波装置が縦続接続されている。
従来のマイクロ波装置は以上のように構成されているの
で、マイクロ波回路を補護するためにきよう体と上蓋が
必要になるとともに、入力端子。
で、マイクロ波回路を補護するためにきよう体と上蓋が
必要になるとともに、入力端子。
出力端子およびバイアス端子をきよう体外部に取り出す
ために貫通端子が必要となり9部品数が増える問題点が
あった。また、マイクロ波装置を複数個使用する場合、
マイクロストリップ線路が必要になるため、受信機等が
大きくなってしまう問題もあった。
ために貫通端子が必要となり9部品数が増える問題点が
あった。また、マイクロ波装置を複数個使用する場合、
マイクロストリップ線路が必要になるため、受信機等が
大きくなってしまう問題もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するため罠なされ
たものでマイクロ波回路を補護するための部品数を低減
できるとともに、直接接続可能なマイクロ波装置を得る
ことを目的とする。
たものでマイクロ波回路を補護するための部品数を低減
できるとともに、直接接続可能なマイクロ波装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係るマイクロ波装置はマイクロ波回路を形成
している絶縁性基板の裏面に、マイクロ波回路の入力端
子、出力端子およびバイアス端子を貫通孔を介して取シ
出すとともに、マイクロ波回路を金属カバーで気密封じ
したものである。
している絶縁性基板の裏面に、マイクロ波回路の入力端
子、出力端子およびバイアス端子を貫通孔を介して取シ
出すとともに、マイクロ波回路を金属カバーで気密封じ
したものである。
この発明におけるマイクロ波装置は上記のような簡単な
構造でマイクロ波回路を保護でき、従来必要であったバ
イアス端子、上蓋等が不要となるため1部品数の削減が
図れる。
構造でマイクロ波回路を保護でき、従来必要であったバ
イアス端子、上蓋等が不要となるため1部品数の削減が
図れる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図(a)〜第1図(C)はこの発明のマイクロ波装置を
構成する部品の斜視図であシ、第1図(a)は絶縁性基
板の表面、第1図(1))は絶縁性基板の裏面。
図(a)〜第1図(C)はこの発明のマイクロ波装置を
構成する部品の斜視図であシ、第1図(a)は絶縁性基
板の表面、第1図(1))は絶縁性基板の裏面。
第1図(C)は金属カバーを示している。また、第2図
はこのマイクロ波装置の斜視図である。これらの図にお
いて、 (141は貫通孔、 ttSは接地金属膜、α
e〜錦は金属膜、 Q9は金属カバーである。
はこのマイクロ波装置の斜視図である。これらの図にお
いて、 (141は貫通孔、 ttSは接地金属膜、α
e〜錦は金属膜、 Q9は金属カバーである。
絶縁性基板(3)の表面には第1図(a)に示すように
マイクロ波回路(4)、入力端子(5)、出力端子(6
)およびバイアス端子(7)が形成されておシ、これら
を囲むように接地金属膜aSが形成されている。一方。
マイクロ波回路(4)、入力端子(5)、出力端子(6
)およびバイアス端子(7)が形成されておシ、これら
を囲むように接地金属膜aSが形成されている。一方。
絶縁性基板(3)の裏面Kti第1図(1))のように
接地金属膜Q!9.全9.ae、αη、αυが互いに分
離されて設けられている。また、絶縁性基板(3)の側
面にも接地金属膜aりが設けられておシ、絶縁性基板(
3)の表面と裏面との接地金属膜Qりがそれぞれ接続さ
れている。
接地金属膜Q!9.全9.ae、αη、αυが互いに分
離されて設けられている。また、絶縁性基板(3)の側
面にも接地金属膜aりが設けられておシ、絶縁性基板(
3)の表面と裏面との接地金属膜Qりがそれぞれ接続さ
れている。
入力端子(5)と金属膜αe、出力端子(6)と金属膜
αで。
αで。
バイアス端子(7)と金属膜舖とはスルホールメッキ等
を施こした貫通孔0により、それぞれ電気的に接続され
ておシ、金属カバーは第1図(C)に示すように容器状
になっている。
を施こした貫通孔0により、それぞれ電気的に接続され
ておシ、金属カバーは第1図(C)に示すように容器状
になっている。
この発明のマイクロ波装置では第2図に示すように半田
付等によシマイクロ波回路(4)をおおうように金属カ
バーa9が絶縁性基板(3)の表面に設けられている。
付等によシマイクロ波回路(4)をおおうように金属カ
バーa9が絶縁性基板(3)の表面に設けられている。
また、気密封じするために貫通孔Iの内部には金属ある
いは誘電体が充てんされている。
いは誘電体が充てんされている。
このように構成することによシワマイクロ波回路(4)
を外気としゃ断でき、しかも入力端子(5)、出力端子
(6)およびバイアス端子(7)をマイクロ波装置の表
面上に設けることができる。
を外気としゃ断でき、しかも入力端子(5)、出力端子
(6)およびバイアス端子(7)をマイクロ波装置の表
面上に設けることができる。
したがって、金属膜lleから入射したマイクロ波は貫
通孔I、入力端子(5)を通ってマイクロ波回路(4)
に到達する。そこで、増幅等が行なわれたマイクロ波は
出力端子(6)1貫通端子α4を通って金属膜αηに現
われる。半導体に必要なバイアス電圧は金属膜0鵠に印
加することができる。
通孔I、入力端子(5)を通ってマイクロ波回路(4)
に到達する。そこで、増幅等が行なわれたマイクロ波は
出力端子(6)1貫通端子α4を通って金属膜αηに現
われる。半導体に必要なバイアス電圧は金属膜0鵠に印
加することができる。
第3図はこの発明のマイクロ波装置を2個縦続接続した
場合の斜視図である。支持板α2上にマイクロ波装置2
個配置し、入力側のマイクロ波装置の金属膜卸と出力側
のマイクロ波装置の金属膜tlOとを金属片■で直接接
続することによシ、容易に縦続接続できる。この場合、
2個のマイクロ波装置を接続するために従来用いていた
マイクロストリップ線路αりは不要となる。
場合の斜視図である。支持板α2上にマイクロ波装置2
個配置し、入力側のマイクロ波装置の金属膜卸と出力側
のマイクロ波装置の金属膜tlOとを金属片■で直接接
続することによシ、容易に縦続接続できる。この場合、
2個のマイクロ波装置を接続するために従来用いていた
マイクロストリップ線路αりは不要となる。
なお、上記実施例ではマイクロ波回路は入力端子(5)
、出力端子(6)およびバイアス端子(7)を有する場
合について示したが、入力端子(5)と出力端子(6)
。
、出力端子(6)およびバイアス端子(7)を有する場
合について示したが、入力端子(5)と出力端子(6)
。
出力端子(6)とバイアス端子(7)を有する場合であ
ってもこの発明に変わりがない。
ってもこの発明に変わりがない。
また、絶縁性基板(3)、金属カバーα1は角状の場合
について示しているが9円形状のものであっても良い。
について示しているが9円形状のものであっても良い。
以上のように、この発明によれば絶縁性基板の表面に形
成したマイクロ波回路の人出端子、出力端子およびバイ
アス端子を貫通孔により、絶縁性基板の裏面に設けると
ともに、絶縁性基板の表面を金属カバーで気密封じする
ことによυ、マイクロ波回路を外気と容易にしゃ断でき
、マイクロ波回路を保護するための部品数の削減が図れ
る。また、受信機等に多くのマイクロ波装置を使用する
場座、マイクロ波装置間を直接接続できるため受信機等
の装置の小形化が図れる効果がある。
成したマイクロ波回路の人出端子、出力端子およびバイ
アス端子を貫通孔により、絶縁性基板の裏面に設けると
ともに、絶縁性基板の表面を金属カバーで気密封じする
ことによυ、マイクロ波回路を外気と容易にしゃ断でき
、マイクロ波回路を保護するための部品数の削減が図れ
る。また、受信機等に多くのマイクロ波装置を使用する
場座、マイクロ波装置間を直接接続できるため受信機等
の装置の小形化が図れる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による構成部品の斜視図、
第2図はこの発明のマイクロ波装置の斜視図、第3図は
この発明のマイクロ波装置を2個縦続接続した場合の斜
視図、第4図は従来のマイクロ波装置の斜視図、第5図
は従来のマイクロ波装置を2個縦続接続した場合の斜視
図である。 (3)は絶縁性基板、(4)はマイクロ波回路、(5)
は入力端子、(61は出力端子、(7)はバイアス端子
、(14は貫通孔、 a!9は接地金属膜、αe−Ql
は金属膜、 (1(1は金属カバーである。 なえ9図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
第2図はこの発明のマイクロ波装置の斜視図、第3図は
この発明のマイクロ波装置を2個縦続接続した場合の斜
視図、第4図は従来のマイクロ波装置の斜視図、第5図
は従来のマイクロ波装置を2個縦続接続した場合の斜視
図である。 (3)は絶縁性基板、(4)はマイクロ波回路、(5)
は入力端子、(61は出力端子、(7)はバイアス端子
、(14は貫通孔、 a!9は接地金属膜、αe−Ql
は金属膜、 (1(1は金属カバーである。 なえ9図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 絶縁性基板の表面に入力端子、出力端子あるいはバイア
ス端子を有するマイクロ波回路を形成し、かつ、上記各
端子と対向させて上記絶縁性基板の裏面にはそれぞれ金
属膜を設け、上記各端子と上記各端子に対向させて設け
た上記金属膜とをそれぞれ貫通孔を介して電気的に接続
するとともに、上記絶縁性基板の表面を金属カバーで気
密封じしたことを特徴とするマイクロ波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249501A JPS62109403A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249501A JPS62109403A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109403A true JPS62109403A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17193904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249501A Pending JPS62109403A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109403A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249501A patent/JPS62109403A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
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