JPS596513B2 - マイクロ波装置モジユ−ル - Google Patents

マイクロ波装置モジユ−ル

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JPS596513B2
JPS596513B2 JP53164786A JP16478678A JPS596513B2 JP S596513 B2 JPS596513 B2 JP S596513B2 JP 53164786 A JP53164786 A JP 53164786A JP 16478678 A JP16478678 A JP 16478678A JP S596513 B2 JPS596513 B2 JP S596513B2
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JP
Japan
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pct
microwave device
high frequency
function element
insulating substrate
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JP53164786A
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JPS5591849A (en
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栄志 山村
欣司郎 小瀬村
隆雄 島
紀雄 日高
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to US06/206,543 priority patent/US4427991A/en
Priority to DE8080900085T priority patent/DE2966040D1/de
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
    • H10W76/134—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections parallel to the conductive base
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばＧａＡｓＦＥＴなどの増幅素子および
これに付属するインダクタやキャパシタからなるバイア
ス回路、インピーダンス整合回路および信号分岐・合成
回路等から構成されるマイクロ波増幅器などのマイクロ
波装置と、これを収容するパッケージから成るマイクロ
波装置モジュールに関する。
従来第１図に示すように集積回路基板上に構成されたマ
イクロ波装置１は取付けネジ孔３を有する金属基体２上
に載置されていた。
いま、このマイクロ波装置１が１段のバランス型増幅器
であり、３段構成の増幅器を必要とする場合には、第２
図に示すようにそれぞれオーリングにより封止された入
力用コネクタ５や出力用コネクタおよびアース端子９や
直流供給端子１０などを具えた金属ケース４の中の図の
ように３つの増幅器を配置取付けし、入・出力用コネク
タおよび各増幅器間をワイヤ１１、１２、１３を用いて
ワイヤボンディングして接続した後、図示しないふたと
金属ケース４の上面７をヘリアーク溶接して気密封止を
行なつていた。
しかしながら従来のこのような構造では３段の増幅器を
収容する為金属ケースの寸法が大きくなつて溶接部分が
長くなるので完全な気密封止がしにくく、またコネクタ
の取付け部分はオーリングを使用しているものの、使用
している間に次第に気密が保てなくなるなど、充分な気
密封止が行なえないという欠点があり、増幅器の特性の
劣化をはやめる要因となつていた。
本発明は従来のこのような欠点を解決し、充分な気密封
止の行なわれたマイクロ波装置モジュールを提供するこ
とを目的とする。
このような本発明の特徴は、各種素子を組合せてバラン
ス型増幅器を構成したマイクロ波装置と該マイクロ波装
置を塔載する基体と、該基体上に設けられ該マイクロ波
装置を封止する封止部と、該マイクロ波装置と接続され
該封止部外へ導出される複数対の端子部とを具備し、該
複数対の端子部は直接多段結合が可能なように相対向す
る位置に設けたことにある。
以下、図面を参照して本発明を説明する。
第３図は本発明によるマイクロ波装置モジユールの一実
施例の外観図でふたを取つたものである。
図において第１図と同じ番号は同じものを示す。取付け
ネジ孔３を有し、無酸素銅から成る金属基体２上に絶縁
基板３４を設けその上に絶縁わく３５が設けられている
。この絶縁わく３５と絶縁わく上に接着されるふたによ
りマイクロ波装置の封止が行なわれる。絶縁基板３４に
はマイクロ波装置の集積回路基板収容部が設けられ、こ
こにマイク口波装置１が収容されている。また絶縁基板
３４には絶縁わく３５の内側から外側に至る導電膜３９
，４０，４１が設けられこれらはそれぞれ絶縁わく３５
の外側において各端子３６，３６′，３７，３７′，３
８，３８５と接続され内側において図のようにマイクロ
波装置１とワイヤボンデイングによつて接続される〇金
属基体２と絶縁基板３４とは例えばコバールを介して銀
ロー付けされ、絶縁基板３４と絶縁わく３５とはガラス
付け、絶縁わく３５と図示しないふたとは金（Ａｕ）と
錫（Ｓｎ）の合金により接着され、マイクロ波装置１に
対する気密封止は充分に行なわれる。
このようにして第３図に示すマイクロ波装置モジユール
は例えばマイクロ波増幅器としての独立した機能をもつ
と共に充分な気密封止が成されているので、上記従来例
のように３段構成の増幅器を作る場合には第４図のよう
にふた４５４６２費４７をかぶせて気密封止した各マイ
クロ波増幅器モジユール４２，４３，４４を入・出力コ
ネクタを具えた図示しないケース内に取付けネジ孔の部
分でネジ止めし、リード端子をそれぞれワイヤボンデイ
ングして接続した後、ケースの図示しないふたをかぶせ
て完成する。
この場合にマイクロ波増幅器モジユールは上記のように
各々が充分な気密封止が成されているので、モジユール
を収容するケースのふた、およびコネクタの取付け部分
における気密封止が充分なものでなくともこれによつて
マイクロ波装置の特性が劣化することはなくなる。
尚、上記実施例では端子部にリード端子を設けているが
、リード端子を設けずにボンデイングパツドとしてもよ
い。
又マイクロ波増幅器モジユールはケースに入れずに例え
ば通信装置盤に直接取付けてもよい。以上説明したよう
に本発明によれば、１個のマイクロ波装置の機能を具え
、かつそれ自体で充分な気密封止の行なわれたマイクロ
波装置モジユールが実現されるので、気密性に起因する
マイクロ波装置の特性の劣化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のマイクロ波装置の実装図、第２図は第１
図のマイクロ波装置をケースに収容した場合の外観図、
第３図は本発明によるマイクロ波装置モジユールの一実
施例の外観図、第４図は第３図のマイクロ波装置モジユ
ールを多段接続した場合を示す図である。 図において１はマイクロ波装置、２は基体、３４は絶縁
基板、３５は絶縁わく、３６，３６′，３７，３７′，
３８，３８′はリード端子を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 各種素子を組合せてバランス型増幅器を構成したマ
    イクロ波装置と該マイクロ波装置を搭載する基体と、該
    基体上に設けられ該マイクロ波装置を封止する封止部と
    、該マイクロ波装置と接続され該封止部外へ導出される
    複数対の端子部とを具備し、該複数対の端子部は直接多
    段結合が可能なように相対向する位置に設けたことを特
    徴とするマイクロ波装置モジュール。
JP53164786A 1978-12-26 1978-12-28 マイクロ波装置モジユ−ル Expired JPS596513B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53164786A JPS596513B2 (ja) 1978-12-28 1978-12-28 マイクロ波装置モジユ−ル
PCT/JP1979/000323 WO1980001437A1 (fr) 1978-12-26 1979-12-22 Unite a semi-conducteur de haute frequence
US06/206,543 US4427991A (en) 1978-12-28 1979-12-22 High frequency semiconductor device
DE8080900085T DE2966040D1 (en) 1978-12-26 1979-12-22 High frequency semiconductor unit
EP80900085A EP0020787B1 (en) 1978-12-26 1980-07-14 High frequency semiconductor unit

Applications Claiming Priority (1)

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JP53164786A JPS596513B2 (ja) 1978-12-28 1978-12-28 マイクロ波装置モジユ−ル

Publications (2)

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JPS5591849A JPS5591849A (en) 1980-07-11
JPS596513B2 true JPS596513B2 (ja) 1984-02-13

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Family Applications (1)

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JPS5591849A (en) 1980-07-11
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