JPH0249418A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は、大規模集積回路を有する半導体装置の製造方
法に関する。

【発明の概要】

本発明は、大規模集積回路を有する半導体装置製造のフ
ォトリソグラフィー工程において、それぞれの単一の半
導体装置を、同一のアライメントマークを用いて、複数
回露光することにより、縮少投影露光装置の機能強化及
び、半導体製造工程の増加を、はとんど行わずに、より
大規模な集積回路を有する半導体装置の製造を可能にし
たものである。 〔従来の技術１ 従来の技術は、単一の半導体装１は、−工程当たり、−
回の露光で製造していた。 ［発明が解決しようとする課題］ 上記の様な露光方法では、縮少投影露光装置のレンズの
露光領域の大きさが、半導体装置の大きさの限界となっ
てしまい、−船釣には、２ｃｍ”を越える大規模集積回
路の製造には困難があった。また、無理に数回の露光に
より単一の大規模集積回路を作ろうとすると、その露光
領域の接続部分に困難がある為、余裕をもった配線中が
必要となり、また配線工程を増加させなければならない
など、工程が複雑になる上、半導体装置の大きさが巨大
になる割には集積度があがらないという欠点を有してい
た。 〔課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明では、複数回の露光
により、それぞれの単一の半導体装置を製造する工程に
おいて、あらかじめ、前工程で隣り合う２チツプの間に
アライメントマークを挿入しておき、後の配線まわりの
工程において、隣り合う２回の露光を同一のアライメン
トマークを用いてアライメントを行い、境界配線部分を
重複して露光を行うようにした。 〔作用］ 一度のレジストコートの後、複数回の露光により、それ
ぞれの単一の半導体装置を製造する工程において、隣り
合う露光を、同一のアライメントマークを用いて行うた
め、その接合部分のアライメントずれに関するマージン
は、非常に少なくなるため、特に大きな配線中をとる必
要もなく、また露光及びアライメント以外の工程数を増
加することもせずに、大面積（従来の２倍またはそれ以
上）の大規模集積回路の製造が可能となる。 ［実施例］ 以下に、この発明の第１実施例を、第１図にもとづいて
説明する。第１図は、露光領域の平面図である。第１図
中、あらかじめ前工程１例えば素子分離工程等、配線工
程の前工程において、あらかじめアライメントマーク１
と２の中に段差を形成する。 後の配線工程において、配線用金属の被覆を行い、その
上にポジ型フォトレジストをコー１した後、領域３に、
アライメントマーク１と２を用いて、例λばＴｈｒｏｕ
ｇｈ　　Ｔｈｅ　　Ｌｅｎｓ方式を用いてアライメント
を行い、縮小投影露光装置を用いて露光を行う０次に、
領域４に、同様に、アライメントマーク１と２を用い、
縮小投影露光装置を用いて、領域３とは別のマスクを用
い露光を行う。 このような露光工程の後、現像を行い、レジストによる
配線パターンを形成する。その後に金属のエツチングを
行い、レジストを剥離することにより、所望の配線を得
ることができる。ここで第１図における領域３及び領域
４における重複領域５の部分は、アライメント誤差等を
考慮しても、−船釣に、ｌＬＬｍ以下で十分可能であり
、また素子のレイアウト及び、縮小投影露光装置のレン
ズの露光可能領域により、必ずしも第１図の様に。 −直線にする必要はなく、１μｍ程度の重複露光領域が
あれば、どのような形状でも、可能である。 ここで重複領域が一直線状ではない実施例として、第２
実施例を、第２図に基づき、第３実施例を第３図に基づ
き、第４実施例を第５図に基づき説明する。第２図、第
３図、第４図は、各実施例における露光領域を示す平面
図である。第２、第３、第４実施例供に、第２図から第
４図中におけるアライメントマーク１と２を用い、領域
３及び領域４を、複雑な形状を持った重複露光領域５と
供に露光を行うことにより、第１実施例と同様に所望の
配線を得ることができる。また、第１図〜第４図におけ
る重複領域５の、領域３と領域４との配線の接続におい
ては、アライメントずれ及び、重複露光における線巾細
りを考え、設計寸法を、あらかじめマスク作成時に実配
線パターンに比べ太めに作成する必要があるが、　ＲＢ
的な縮小投影露光装置におけるレンズ及びアライメント
方式では、この太らせる量は、ウェハー上寸法で。 ｌＬＬｍまたはそれ以下で十分に可能である。 さらに複雑な第５実施例について、第５図を用いて説明
する６第５図は、第５実施例の露光領域の平面図である
。６，７．８．９は、あらかじめ前工程で形成されたア
ライメントマーク領域である。配線用金属の被覆を行い
、その上にポジ型フォトレジストをコートした後、アラ
イメントマーク領域６、及び７を用いてまず領域１０を
露光する。このとき、領域１７ａ、１７ｂ、及び領域１
６も同時に露光する。次に、同じくアライメントマーク
領域６と７を用い、領域１０の露光時とは別のマスクを
用いて領域１１を露光する。このとき、領域１１と供に
、領域１８ａ、１８ｂ、１６．１９も同時に露光する。 従って、領域１６は、領域ｌＯ及び１１の重複領域とな
る。さらに、アライメントマーク領域６と７を用い、別
のマスクを用いて、領域１４ａ及び１４ｂを露光する。 このときあわせて、領域１７ａ及び１７ｂも露光する。 すると、領域１７ａ及び１８ｂは、領域ｌＯとの重複領
域となる。また、領域１４ａ及び１４ｂは、それぞれ別
々のマスクを用い、２度に分けて露光してもかまわない
。同様に、アライメントマーク領域６と７を用い、以前
に用いたマスクとは別のマスクを用い１重複領域１８ａ
、１８ｂとともに、領域１５ａ、１５ｂを露光する。 以上において、重複領域１６、！７ａ、１７ｂ、１８ａ
、１８ｂにおけるマスク設計寸法に関する考察は、第１
図の領域５における考察と同様である。さらに、アライ
メントマーク領域８と９を用い、以前用いたマスクとは
別のマスクを用いて、領Ｆ！ｉ１２を露光する。このと
き、領域１２とともに、領域１９．２０を露光する。そ
して最後に、アライメントマーク領域８と９を用い、領
域１３を、さらに別のマスクを用いて露光する。このと
き、領域１３と゛ともに、領域２０も露光を行う。 領域２０に関する考察は、第１実施例を示す第１図中の
領域５と同様に考えられるため、マスクの設計寸法も、
第１図の領域５のときと同様にすることができる。また
領域１９は１重複領域ではあるが、領域１１と、領域１
２は別のアライメントマークを用いて露光を行っている
ため、マスクの線巾及びその間隔は、第１図の領域５よ
りはより太めに行わなければならない０以上のような露
光工程の後、現像及び金属エツチング及び、レジストの
剥離工程を経ることにより、所望の配線工程を得ること
ができる。 以上のようにアライメント及び露光工程を組み合わせる
ことにより、様々な大規模集積回路の配線を形成するこ
とが可能である。 なお、他工程における、フォトリソグラフィー工程にお
けるアライメント及び露光も、上記配線工程と同様に行
う方が、より微細化に適する。 ［発明の効果］ この発明は、以上説明したように、半導体装置の大きさ
を、最小限にとどめながら、特に工程を増加することな
く大規模集積回路の製造を可能にする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例の半導体装置の露光領域
の平面図、第２図は１本発明の第２実施例の半導体装置
の露光領域の平面図、第３図は、本発明の第３実施例の
半導体装置の露光領域の平面図、第４図は、本発明の第
４実施例の半導体装置の露光領域の平面図、第５図は、
本発明のより複雑な応用例である第５実施例の半導体装
置の露光領域の平面図である。 ６． １０゜ １５ａ。 １６゜ ２０　・　・ ７．８，９・アライメントマーク領域 １１．１２．１３．１４ａ、１４ｂ、 １５ｂ・・・露光領域 １７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂ、１９・・・・・重複
露光領域 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　　林　　　敬　之　助・アライメント
マーク領域 ・アライメントマーク領域 ・露光領域 ・露光領域 ・重複露光領域 第１大Ｉイテｌの露九４１帳の竿面図 嶋 第２大艶（７Ｉ＋の需″Ｌ領Ｊ衷の工面品名３大慶イ列
の子導体又１の露光Ｍけ式の半面国力

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体製造の微細加工リソグラフィー工程において、半
   導体基板上にフォトレジストを被覆する工程と、一つの
   半導体基板を区切り、複数回にわけて露光を行う工程と
   、複数回の露光時、隣接する２回の露光を、境界上の同
   一のアライメントマークを用い、境界部分を重複して露
   光する工程と、現像を行い、レジストの所望の場所を残
   しエッチングを行う工程を有することを特徴とする半導
   体装置の製造方法。