JPH0249430A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置に係り、特に半導体装置における配
線の構造に関するものである。

（従来の技術） 半導体装置においては機能素子を形成したのち、これら
の素子間に配線を施して各々の素子を電気的に連結させ
所望の回路機能を得ている。この際、配線を単一層のみ
で行なうと、素子の集積度を上げるとともに配線が複雑
化して＠細化の限界に接近するため製造が困難であった
。そこで、ＩＣの高度集積化に伴い配線の占有面積を少
なくするなめ、配線を複数層とする多層配線がなされて
いた。

゛多層配線は、基板内に形成された各素子領域と第１層
目の配線との間、配線と配線との間に層間絶縁膜を介在
させ、所定の領域に穿孔されるコンタクト孔を介して異
なる層の配線間を電気的に接続して形成される。

すなわち、例えば第２図に示すように、シリコン基板１
の素子分離領域１ａに接続するように、アルミニウム金
属等から成る第１層目の配線２を図の表裏方向に帯状に
形成する。配線２上に層間絶縁膜３を着膜し、更にアル
ミニウム薄膜を堆積し、これをフォトリソ法によりパタ
ーニングし、第１層目の配線２とは異なり図の左右方向
に帯状となるパターン形状を有する第２層目の配線４を
形成する。配線２と配線４との接続が必要な場合には、
所望箇所の層間絶縁膜３にコンタクト孔（図示せず）を
形成して両者間を接続していた。

（発明が解決しようとする課題） 上述のような多層配線構造においては、第１層目の配置
！２と第２層目の配線４とが交差する部分においては、
層間絶縁膜３は素子分離領域１１ａ上に形成された配線
２上に着膜されるので、その表面に急峻な高低差を生じ
させる。従って、層間絶縁膜３上に着膜した第２層目の
配線４に段差が生じ、この部分で第３図に示すように、
配ａ４に断線５が生じやすく半導体の回路機能が停止す
るという問題点があった。

本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、多層配線構
造を有する半導体装置において、その信頼性の向上が図
れる配線の構造を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 上記課題を解消するため本発明に係る半導体装置は、層
間絶縁膜上に配線を形成した半導体装置において、前記
配線上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に前記配線と同一
のパターン形状を有するバイパス配線を形成し、配線と
バイパス配線とを前記絶縁層に穿孔されたコンタクト孔
を介して電気的に接続したことを特徴とする。

（作用） 本発明によれば、配線と同一のパターン形状を有するバ
イパス配線を形成したので、配線に断線が生じてもバイ
パス配線を介して信号が流れることにより半導体の回路
機能が損なわれることがない。

（実施例） 本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。

第１図は、本発明の実施例にかかる多層配線構造を有す
る半導体装置の断面説明図である、第２図と同機に、素
子分離領域１ａを有するシリコン基板１上にアルミニウ
ム金属等から成る第１層目の配線２が図の表裏方向に帯
状に形成される。配線２上に層間絶縁膜３を着膜し、更
にアルミニウム薄膜を堆積し、これをフォトリソ法によ
りパタニングし第１層目の配線２とは異なるパターン形
状を有する第２層目の配線４が形成されている。

第１図中、第２図と同一符号を付した部分は同一構成を
とる。

第２層目の配線層４上には５ｔＯ２を着膜して絶縁層１
１が形成される。この絶縁層１１上には前記配線４と同
一のパターン形状を有するバイパス配線１２が形成され
ている。配線４とバイパス配線１２とは、絶縁層１１に
穿孔されたコンタクト孔１３を介して電気的に接続して
いる。このコンタクト孔１３は、第１図に示すべく、急
峻な段差部４ａを挾んでその両側の絶縁層１１に形成し
、段差部４ａを挟んでその上方側及び下方側の配線４と
、バイパス配線１２とが接続できるようにしている。

次に、本実施例の半導体装置の製造工程について説明す
る。

シリコン基板１上に第１層目の配線２１層間絶縁ｖ！３
．第２層目の配線４を順次形成した第２図のような半導
体装置の配線４上の全面に、ＳｉＯを着膜して絶縁層１
１を形成する。絶縁層１１の所定箇所にコンタクト孔１
３を穿孔する。コンタクト孔１３の穿孔は、所定箇所に
開口部を有するレジストパターン（図示せず）を絶縁層
１１上に形成した後、異方性エツチングを行い、その後
レジストパターンを除去して形成される。

コンタクト孔１３が形成された絶縁層１１上にアルミニ
ウムを着膜し、フォトリソ法により前記配線４と同じパ
ターン形状としたバイパス配線１２を形成する。

従って、断線が生じやすい段差部４ａで配線４が切断さ
れても、電気信号は配線４．コンタクト孔１３．バイパ
ス配線１２．コンタクト孔１３配線４と流れ、回路機能
を損なうことがない。

本実施例では、二層配線について説明したが、三層以上
の多層配線についても適用することができる。

（発明の効果） 上述したように本発明は、配線と同一のバタン形状を有
するバイパス配線を配線に接続して形成したので、配線
に断線が生じてもバイパス配線を迂回して電気信号が流
れ、半導体の回路機能が損なわれることがなく、半導体
の信頼性の向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の半導体装置の断面説明図、第２
図は従来の半導体装置の断面説明図、第３図は同上の半
導体装置において断線が生じた場合の断面説明図である
。 ・・・・・・シリコン基板 ・・・・・・配線 ・・・・・・層間絶縁膜 ・・・・・・配線 ・・・・・・絶縁層 ・・・・・・バイパス配線 ・・・・・・コンタクト孔

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 層間絶縁膜上に配線を形成した半導体装置において、 前記配線上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に前記配線と
   同一のパターン形状を有するバイパス配線を形成し、配
   線とバイパス配線とを前記絶縁層に穿孔されたコンタク
   ト孔を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体
   装置。