JPH0252326U - - Google Patents

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JPH0252326U
JPH0252326U JP12959088U JP12959088U JPH0252326U JP H0252326 U JPH0252326 U JP H0252326U JP 12959088 U JP12959088 U JP 12959088U JP 12959088 U JP12959088 U JP 12959088U JP H0252326 U JPH0252326 U JP H0252326U
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semiconductor wafer
sealing means
pattern
reduction lens
reticle mask
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案による半導体装置の縮小投影
露光装置の構成図、第2図は従来装置の構成図で
ある。 1……チヤンバ、2……ステージ、3……Oリ
ング、4……減圧ポンプ、21……照明系レンズ
、22……レチクルマスク、25……縮小レンズ
、27……光路、28……半導体ウエハ、29〜
31……ステージ、32……駆動系部分、33…
…センサ、34……位置検出器。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエハ上に形成すべき回路パターンの拡
    大パターンが形成されたレチクルマスクと、 上記レチクルマスクを照明する照明手段と、 上記レチクルマスクを通過した光による上記拡
    大パターンに対応したパターンを縮小して上記半
    導体ウエハ上に結像露光する縮小レンズを備えた
    半導体装置の製造装置において、 上記縮小レンズと上記半導体ウエハの間の光路
    を含めて上記半導体ウエハの周囲を密閉する密閉
    手段と、 上記密閉手段に接続され、上記密閉手段の内部
    を減圧する減圧手段を備えたことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
JP12959088U 1988-10-04 1988-10-04 Pending JPH0252326U (ja)

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