JPH0260659B2 - - Google Patents
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- JPH0260659B2 JPH0260659B2 JP55115319A JP11531980A JPH0260659B2 JP H0260659 B2 JPH0260659 B2 JP H0260659B2 JP 55115319 A JP55115319 A JP 55115319A JP 11531980 A JP11531980 A JP 11531980A JP H0260659 B2 JPH0260659 B2 JP H0260659B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポリオキサゾール前駆物質並びにこ
の前駆物質の製造方法に関する。
の前駆物質の製造方法に関する。
ポリマーの前駆物質は例えば特開昭49−115541
号公報から公知である。公知のポリマー前駆物質
は多官能性の炭素環状又は複数環状で、放射線に
敏感な基を有する化合物とジアミン、ジイソシア
ネート、ビス酸塩化物又はジカルボン酸とのポリ
付加生成物又はポリ縮合生成物である。放射線に
敏感な基を有する化合物は付加反応又は縮合反応
に適したカルボキシル基、カルボン酸クロリド
基、アミノ基、イソシアネート基又はヒドロキシ
ル基、及び部分的にオルト位又はペリ位でエステ
ル様にカルボキシル基に結合している放射線反応
性の基2個を含み、これらの化合物と反応可能の
ジアミン、ジイソシアネート、ビス酸塩化物及び
ジカルボン酸は少なくとも1個の環状構造単位を
有する。
号公報から公知である。公知のポリマー前駆物質
は多官能性の炭素環状又は複数環状で、放射線に
敏感な基を有する化合物とジアミン、ジイソシア
ネート、ビス酸塩化物又はジカルボン酸とのポリ
付加生成物又はポリ縮合生成物である。放射線に
敏感な基を有する化合物は付加反応又は縮合反応
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基、アミノ基、イソシアネート基又はヒドロキシ
ル基、及び部分的にオルト位又はペリ位でエステ
ル様にカルボキシル基に結合している放射線反応
性の基2個を含み、これらの化合物と反応可能の
ジアミン、ジイソシアネート、ビス酸塩化物及び
ジカルボン酸は少なくとも1個の環状構造単位を
有する。
これらの公知のポリマー前駆物質は、露光によ
りまた場合によつて引続き熱処理することにより
変化する高い熱安定性のポリマーから保護層及び
絶縁層並びにレリーフ構造体を製造するのに使用
する。この場合特に次の物質群、すなわちポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリ−1,3−キナゾリン−2,6−ジオン、ポ
リイソインド−ルキナゾリンオン、ポリ−1,3
−オキサジン−6−オン、及びポリベンゾ−1,
3−オキサジン−2,4−ジオンのポリマーが得
られる。
りまた場合によつて引続き熱処理することにより
変化する高い熱安定性のポリマーから保護層及び
絶縁層並びにレリーフ構造体を製造するのに使用
する。この場合特に次の物質群、すなわちポリイ
ミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
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リイソインド−ルキナゾリンオン、ポリ−1,3
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られる。
本発明の目的は、レリーフ構造体或いは保護層
及び絶縁層の製造のための出発物質の範囲を拡げ
た新規ポリマー前駆物質、特に放射線反応性のポ
リオキサゾール前駆物質を製造することにある。
及び絶縁層の製造のための出発物質の範囲を拡げ
た新規ポリマー前駆物質、特に放射線反応性のポ
リオキサゾール前駆物質を製造することにある。
この目的は本発明によれば、この前駆物質が一
般式: K0197 但し、式中〔A〕は K0198 または K0199 R′はHまたはCH3、 nは2ないし約100の整数、 RはClまたはOR′基を表す、 を満足することによつて達成される。
般式: K0197 但し、式中〔A〕は K0198 または K0199 R′はHまたはCH3、 nは2ないし約100の整数、 RはClまたはOR′基を表す、 を満足することによつて達成される。
本発明によるポリオキサゾール前駆物質は、
3,3′ジヒドロキシベンジンをイソフタル酸ジク
ロリド又は−エステル或いはベンゾフエノンジカ
ルボン酸ジクロリド又は−エステルと反応させて
ヒドロキシル基含有ポリ縮合生成物を生ぜしめ、
このポリ縮合生成物を室温又は約100℃までの温
度で有機溶剤中で、場合によつてはアミン系触媒
の存在下においてグリシジルアクリレート又は−
メタクリレートと反応させることによつて有利に
製造される。
3,3′ジヒドロキシベンジンをイソフタル酸ジク
ロリド又は−エステル或いはベンゾフエノンジカ
ルボン酸ジクロリド又は−エステルと反応させて
ヒドロキシル基含有ポリ縮合生成物を生ぜしめ、
このポリ縮合生成物を室温又は約100℃までの温
度で有機溶剤中で、場合によつてはアミン系触媒
の存在下においてグリシジルアクリレート又は−
メタクリレートと反応させることによつて有利に
製造される。
放射線反応性のポリオキサゾール前駆物質は従
来未だ知られていない。本発明による化合物はこ
れらの特性を有している。すなわちこれらの化合
物は放射線によつて網状化可能であり、その際優
れた特性を有する高い熱安定性のポリマーに変化
することができる。本発明による化合物はフオト
構造化可能性の他に、有機溶剤への良好な可溶性
によつて特徴づけられる。
来未だ知られていない。本発明による化合物はこ
れらの特性を有している。すなわちこれらの化合
物は放射線によつて網状化可能であり、その際優
れた特性を有する高い熱安定性のポリマーに変化
することができる。本発明による化合物はフオト
構造化可能性の他に、有機溶剤への良好な可溶性
によつて特徴づけられる。
本願のポリオキサゾール前駆物質は有機溶剤例
えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ガンマブチロラクトン、N−メチルピロリド
ン等のいわゆる極性有機溶媒に可能である。な
お、これらの溶媒同志の混合物やあるいはシクロ
ヘキサノンとの混合物も溶媒として用い得る。後
述の例1に於いてはN−メチルピロリドンが用い
られ、又、例2ではジメチルアセトアミドとシク
ロヘキサノンの混合物が利用されていることが分
かる。
えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド、ガンマブチロラクトン、N−メチルピロリド
ン等のいわゆる極性有機溶媒に可能である。な
お、これらの溶媒同志の混合物やあるいはシクロ
ヘキサノンとの混合物も溶媒として用い得る。後
述の例1に於いてはN−メチルピロリドンが用い
られ、又、例2ではジメチルアセトアミドとシク
ロヘキサノンの混合物が利用されていることが分
かる。
本発明のポリベンゾオキサゾール前駆物質は以
下に示すような化学構造式を持つ物質であるが、
これを原理的に簡単に表現すると次のような構成
を持つものであると言うことができる。
下に示すような化学構造式を持つ物質であるが、
これを原理的に簡単に表現すると次のような構成
を持つものであると言うことができる。
K0200
このような構成を持つために、加熱処理すると
ポリベンゾオキサゾールに移行するものである。
つまり環状閉鎖反応が行われつつ次のような循環
が起こつて高分子に成長する。
ポリベンゾオキサゾールに移行するものである。
つまり環状閉鎖反応が行われつつ次のような循環
が起こつて高分子に成長する。
K0201
高分子即ちポリオキサゾールが生成したかどう
かは、赤外線スペクトロスコープ試験からよく分
かる。前駆物質即ち前段ポリマーは、構成要素−
NH−CO−(酸アミドグループ)に基づき、
1680/cmおよび3350/cmの二つのスペクトル帯が
現れ、それぞれCO−およびNH−グループに対
応するものである。しかし、これらのスペクトル
帯は、加熱処理によつて生じた高分子生成物質、
即ちポリマーには全く見られない。ポリマーの赤
外線スペクトルが示すスペクトル帯は全く新しい
一個所1625/cmだけであつて、これは一元的にオ
キサゾールリングに生じた構成要素 C=N− に対応しているものである。
かは、赤外線スペクトロスコープ試験からよく分
かる。前駆物質即ち前段ポリマーは、構成要素−
NH−CO−(酸アミドグループ)に基づき、
1680/cmおよび3350/cmの二つのスペクトル帯が
現れ、それぞれCO−およびNH−グループに対
応するものである。しかし、これらのスペクトル
帯は、加熱処理によつて生じた高分子生成物質、
即ちポリマーには全く見られない。ポリマーの赤
外線スペクトルが示すスペクトル帯は全く新しい
一個所1625/cmだけであつて、これは一元的にオ
キサゾールリングに生じた構成要素 C=N− に対応しているものである。
ポリマー前駆物質から高分子物質(ポリマー)
が生成したことの証明は溶解度の測定によつても
できる。即ち前駆物質は一定有機酸に可溶である
のに反し、生成した高分子は不溶であるというこ
とである。
が生成したことの証明は溶解度の測定によつても
できる。即ち前駆物質は一定有機酸に可溶である
のに反し、生成した高分子は不溶であるというこ
とである。
なお、構造単位
K0202
を持つポリマーはいわゆるポリベンゾオキサゾー
ルである。このようなポリマーはその製造にアロ
マテイツクジヒドロオキシジアミノ化合物が係わ
つているようなポリマー前駆物質から生じる。ジ
ヒドロキシベンジジンはそのような化合物であ
る。従つて後に述べる例1および2によればどの
ようにして本発明のポリマー前駆物質が生ずるか
が具体的に了解できる。
ルである。このようなポリマーはその製造にアロ
マテイツクジヒドロオキシジアミノ化合物が係わ
つているようなポリマー前駆物質から生じる。ジ
ヒドロキシベンジジンはそのような化合物であ
る。従つて後に述べる例1および2によればどの
ようにして本発明のポリマー前駆物質が生ずるか
が具体的に了解できる。
本発明による製造方法は試験的に容易に実施す
ることができ、比較的低い温度、すなわち前駆物
質が不溶性の環化生成物に未だ変化しない温度で
進行する。反応生成物は純粋な状態で生じる。
ることができ、比較的低い温度、すなわち前駆物
質が不溶性の環化生成物に未だ変化しない温度で
進行する。反応生成物は純粋な状態で生じる。
フオトレジストとして使用する場合また保護層
及び絶縁層を製造する場合(この場合構造化が生
じる)の外に、本発明による前駆物質は一般に、
構造化されていない形で保護及び絶縁被膜を製造
するために使用することができる。この場合これ
らの前駆物質は光波導管の光導電性繊維用合成樹
脂被膜を製造するのに特に有利に使用することが
できる。
及び絶縁層を製造する場合(この場合構造化が生
じる)の外に、本発明による前駆物質は一般に、
構造化されていない形で保護及び絶縁被膜を製造
するために使用することができる。この場合これ
らの前駆物質は光波導管の光導電性繊維用合成樹
脂被膜を製造するのに特に有利に使用することが
できる。
放射線反応性ポリベンゾキサゾール前駆物質の
製造を記憶する実施例に基づき本発明を更に詳述
する。
製造を記憶する実施例に基づき本発明を更に詳述
する。
例 1
ジメチルアセトアミド50容量部及びピリジン9
容量部中の3,3′−ジヒドロキシベンジジン6.49
重量部の溶液に激しく攪拌しながら−5〜−20℃
の温度で約30分間にミクロヘキサノン20容量部中
のイソフタル酸ジクロリド6.1重量部を滴加する。
室温で更に3時間攪拌した後、粘性の反応溶液を
1夜放置し、次いで溶液を攪拌下に水1000容量部
に滴加する。その際析出する樹脂を分離し、水及
びメタノールで洗浄し、真空中で約60℃で乾燥す
る。
容量部中の3,3′−ジヒドロキシベンジジン6.49
重量部の溶液に激しく攪拌しながら−5〜−20℃
の温度で約30分間にミクロヘキサノン20容量部中
のイソフタル酸ジクロリド6.1重量部を滴加する。
室温で更に3時間攪拌した後、粘性の反応溶液を
1夜放置し、次いで溶液を攪拌下に水1000容量部
に滴加する。その際析出する樹脂を分離し、水及
びメタノールで洗浄し、真空中で約60℃で乾燥す
る。
記範した方法で製造したポリベンゾキサゾール
−プレポリマー10重量部をN−メチルピロリドン
100容量部に溶かす。この溶液にグリシジルメタ
クリレート50容量部、ベンジルジメチルアミン
0.5容量部及びヒドロキノン0.5重量部を加える。
約90℃の温度で2時間加熱した後反応生成物を攪
拌下にエタノール1000容量部から生ぜしめる。真
空中で乾燥した後、黄褐色の粉末が得られ、これ
はプレポリマーとは異なり、水−アルカリ性溶液
にもはや溶解しない。この事実はフエノール系ヒ
ドロキシル基の充分量が不飽和エポキシドでエー
テル化されたことを明らかに示すものである。ポ
リベンゾキサゾール前駆物質のIR−スペクトル
(フイルム)はメタクリレート基に特有のバンド
を950及び1290cm-1で示す。これらのバンドは光
に反応しないプレポリマーのスペクトルには存在
しない。
−プレポリマー10重量部をN−メチルピロリドン
100容量部に溶かす。この溶液にグリシジルメタ
クリレート50容量部、ベンジルジメチルアミン
0.5容量部及びヒドロキノン0.5重量部を加える。
約90℃の温度で2時間加熱した後反応生成物を攪
拌下にエタノール1000容量部から生ぜしめる。真
空中で乾燥した後、黄褐色の粉末が得られ、これ
はプレポリマーとは異なり、水−アルカリ性溶液
にもはや溶解しない。この事実はフエノール系ヒ
ドロキシル基の充分量が不飽和エポキシドでエー
テル化されたことを明らかに示すものである。ポ
リベンゾキサゾール前駆物質のIR−スペクトル
(フイルム)はメタクリレート基に特有のバンド
を950及び1290cm-1で示す。これらのバンドは光
に反応しないプレポリマーのスペクトルには存在
しない。
例 2
例1に相応して放射線反応性でないプレポリマ
ーを製造するが、イソフタル酸ジクロリドの代わ
りに4,4′−ベンゾフエノンジカルボン酸ジクロ
リド(シクロヘキサノン30容量部中で9.4重量部)
を使用する。プレポリマーを除去することなく、
この際得られた反応溶液にグリシジルアクリレー
ト40容量部、ベンジルジメチルアミン1容量部及
びヒドロキノン0.5重量部を加える。約65℃で12
時間攪拌及び加熱した後、反応生成物をエタノー
ル500容量部から生ぜしめる。乾燥した黄褐色の
粉末が得られ、これは水−アルカリ性溶液にもは
や溶解しない。IR−スペクトル(フイルム)は
815及び990cm-1で吸収バンドを示し、これはアク
リレート基に存在するものである。
ーを製造するが、イソフタル酸ジクロリドの代わ
りに4,4′−ベンゾフエノンジカルボン酸ジクロ
リド(シクロヘキサノン30容量部中で9.4重量部)
を使用する。プレポリマーを除去することなく、
この際得られた反応溶液にグリシジルアクリレー
ト40容量部、ベンジルジメチルアミン1容量部及
びヒドロキノン0.5重量部を加える。約65℃で12
時間攪拌及び加熱した後、反応生成物をエタノー
ル500容量部から生ぜしめる。乾燥した黄褐色の
粉末が得られ、これは水−アルカリ性溶液にもは
や溶解しない。IR−スペクトル(フイルム)は
815及び990cm-1で吸収バンドを示し、これはアク
リレート基に存在するものである。
例 3
先に記載した方法で製造したポリベンゾキサゾ
ール前駆物質5重量部をN−フエニルマレインイ
ミド0.25重量部、ミヒラー・ケトン0.1重量部及
びビニル−トリス(β−メトキシ−エトトキシ)
−シラン0.05重量部と一緒に、ジメチルアセトミ
ドとジオキサンとの混合物(容量比1:1)20容
量部に溶かす。溶液を毎分1000回転で二酸化シリ
コン表面を有するシリコンウエハに遠心塗布して
フイルム状にし、引続き約65℃で真空下に3時間
乾燥し、その後500Wの高圧水銀灯を用いて6分
間接触テストマスクを介して露光する。次いでメ
チルエチルケトン、N−メチルピロリドン、γ−
ブチロラクトン及びオールから成る溶剤混合物
(容量比1:1:1:1)で現像する。その際層
厚4μm及び溶解能7μmのレリーフ構造体が得ら
れる。次いで275℃及び400℃でそれぞれ30分間熱
処理した場合、構造品質に悪影響をもたらすこと
なく、2.1μmの層厚が得られる。
ール前駆物質5重量部をN−フエニルマレインイ
ミド0.25重量部、ミヒラー・ケトン0.1重量部及
びビニル−トリス(β−メトキシ−エトトキシ)
−シラン0.05重量部と一緒に、ジメチルアセトミ
ドとジオキサンとの混合物(容量比1:1)20容
量部に溶かす。溶液を毎分1000回転で二酸化シリ
コン表面を有するシリコンウエハに遠心塗布して
フイルム状にし、引続き約65℃で真空下に3時間
乾燥し、その後500Wの高圧水銀灯を用いて6分
間接触テストマスクを介して露光する。次いでメ
チルエチルケトン、N−メチルピロリドン、γ−
ブチロラクトン及びオールから成る溶剤混合物
(容量比1:1:1:1)で現像する。その際層
厚4μm及び溶解能7μmのレリーフ構造体が得ら
れる。次いで275℃及び400℃でそれぞれ30分間熱
処理した場合、構造品質に悪影響をもたらすこと
なく、2.1μmの層厚が得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式: K0191 但し、式中〔A〕は K0192 または K0193 R′はHまたはCH3、 nは2ないし約100の整数、 RはClまたはOR′基を表す、 から成ることを特徴とするポリオキサゾール前駆
物質。 2 一般式: K0194 但し、式中〔A〕は K0195 または K0196 R′はHまたはCH3、 nは2ないし約100の整数、 RはClまたはOR′基を表す、 で示される、 3,3′−ジヒドロキシベンジジンとイソフタル
酸ジクロリド又は−エステル或いはベンゾフエノ
ンジカルボン酸ジクロリド又は−エステルとから
のヒドロキシル基含有ポリ縮合生成物へのグリシ
ジルアクリレート又は、−メタクリレートの付加
生成物から成る、ポリオキサゾール前駆物質を製
造する方法において、3,3′−ジヒドロキシベン
ジジンをイソフタル酸ジクロリド又は−エステル
或いはベンゾフエノンカルボン酸ジクロリド又は
−エステルと反応させることによりヒドロキシル
基含有ポリ縮合生成物を生ぜしめ、ポリ縮合生成
物を室温又は約100℃までの温度で有機溶剤中に
おいて、場合によつてはアミノ系触媒の存在下で
グリシジルアクリレート又は−メタクリレートと
反応させることを特徴とするポリオキサゾール前
駆物質の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792933828 DE2933828A1 (de) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Polyoxazol-vorstufen sowie deren herstellung. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5643254A JPS5643254A (en) | 1981-04-21 |
| JPH0260659B2 true JPH0260659B2 (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=6078953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11531980A Granted JPS5643254A (en) | 1979-08-21 | 1980-08-21 | Polyoxazol precurcor and its manufacture |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4398009A (ja) |
| EP (1) | EP0025506B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5643254A (ja) |
| AT (1) | ATE3556T1 (ja) |
| DE (2) | DE2933828A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3107519A1 (de) * | 1981-02-27 | 1982-09-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | "verfahren zur herstellung von orietierungsschichten fuer fluessigkristalldisplays sowie orientierungsschichten aufweisende fluessigkeitskristalle" |
| DE3411714A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyimidazol- und polyimidazopyrrolon-reliefstrukturen |
| DE3411659A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyoxazol- und polythiazol-vorstufen |
| DE3411697A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyimid- und polyisoindolochinazolindion-reliefstrukturen |
| DE3888390D1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-04-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Dielektrika. |
| IT1228515B (it) * | 1988-03-03 | 1991-06-20 | Central Glass Co Ltd | Resine poliammidi aromatiche resistenti al calore e fotosensibili e metodo per la loro preparazione |
| DE3820361A1 (de) * | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Basf Ag | Verfahren zur kontinuierlichen herstellung von aromatischen polykondensaten |
| US5008346A (en) * | 1989-04-28 | 1991-04-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Graft copolymers of poly(p-phenylene benzbisimidazole) |
| US5322916A (en) * | 1993-03-16 | 1994-06-21 | The Dow Chemical Company | Method for the preparation of amide oligomers and polybenzazole polymers therefrom |
| JP2005002330A (ja) * | 2003-05-19 | 2005-01-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学樹脂材料、光学素子、光モジュール、フッ素化ポリマー前駆体及びフッ素化ポリマー |
| US11137362B2 (en) | 2019-12-10 | 2021-10-05 | Covestro Llc | Method for assessing the long-term thermal resistance of closed-cell thermal insulating foams at multiple mean temperatures |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE657130A (ja) * | 1963-12-16 | 1965-06-15 | ||
| DE1595723A1 (de) * | 1965-02-09 | 1970-04-30 | Gen Electric | Verfahren zur Herstellung von stickstoffhaltigen Polymeren |
| US3483105A (en) * | 1966-05-18 | 1969-12-09 | Ppg Industries Inc | Highly radiation-sensitive telomerized polyamides |
| NL177718C (nl) * | 1973-02-22 | 1985-11-01 | Siemens Ag | Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren. |
| DE2437348B2 (de) * | 1974-08-02 | 1976-10-07 | Ausscheidung in: 24 62 105 | Verfahren zur herstellung von reliefstrukturen |
-
1979
- 1979-08-21 DE DE19792933828 patent/DE2933828A1/de not_active Withdrawn
-
1980
- 1980-08-06 AT AT80104643T patent/ATE3556T1/de not_active IP Right Cessation
- 1980-08-06 EP EP80104643A patent/EP0025506B1/de not_active Expired
- 1980-08-06 DE DE8080104643T patent/DE3063496D1/de not_active Expired
- 1980-08-19 US US06/179,462 patent/US4398009A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-08-21 JP JP11531980A patent/JPS5643254A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3063496D1 (en) | 1983-07-07 |
| EP0025506B1 (de) | 1983-05-25 |
| JPS5643254A (en) | 1981-04-21 |
| EP0025506A1 (de) | 1981-03-25 |
| DE2933828A1 (de) | 1981-03-12 |
| ATE3556T1 (de) | 1983-06-15 |
| US4398009A (en) | 1983-08-09 |
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