JPH026082A

JPH026082A - 抵抗溶接装置

Info

Publication number: JPH026082A
Application number: JP63313782A
Authority: JP
Inventors: Takatomo Izume; 井爪　孝友; Raronde Mishieru; ミシエル・ラロンデ
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-12-15
Filing date: 1988-12-14
Publication date: 1990-01-10
Also published as: CA1315854C; US4985612A; CN1037292A; CN1011952B; JPH0775880A; JPH0538586A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的コ（産業上の利用分野）この発明は抵抗熔接装置の改良に関し、とくにこの抵抗
熔接装置を構成する熔接制御トランスと熔接制御ユニッ
トとのコンパクトな組み合わせに関する。

（従来の技術）一般に抵抗熔接器やアーク熔接器等の熔接装置が広く用
いられている。このような熔接器は工場等で多く使われ
ており１、特に自動車工場では自動車ボディに薄い鋼板
を熔接する際に必要不可欠のものとなっている。

第１１図は従来の抵抗熔接器の基本構成を示すもので、
熔接電極を備えたガン１と、熔接制御トランス２と、熔
接制御ユニット３とからなっている。近年は抵抗熔接器
の小型化に対する要求が高まってきているが、この種の
小型抵抗熔接器は、例えばガン１およびトランス２のア
センブリと制御ユニット３といった２つのコンポーネン
トから構成できる。

自動車工場で通常用いられる抵抗熔接装置では、第１２
図に示すように、熔接制御トランス２、シーケンサ４お
よびプログラムユニット５がコンベアラインＣに沿って
配設され、熔接制御ユニット３のみがコンベアラインＣ
から離れた位置にある制御／監視室に設置される。この
ため、多くの場合制御ユニット３とコンベアラインＣと
は物理的に数十メーター以上能れることになる。すると
、ユニット３とトランス２との間に長尺のパワーケーブ
ル６が必要になり、ユニット３とシーケンサ４との間に
長尺の信号ケーブル７が必要になり、ユニット３とユニ
ット５との間に長尺の信号ケーブル８が必要になる。

ところで、最近の自動車工場ではマルチスポット熔接が
多く用いられる。このマルチスポット熔接では、自動車
ボディすなわち熔接しようとするワークピースが治具に
取り付けられ、多くの熔接電極を備えたガンを持つ工業
用ロボットにより、ワークピースに対して多数のスポッ
ト熔接が同時に行なわれる。

（発明の課題）上述した従来の熔接装置では、ガン、熔接制御トランス
、熔接制御ユニット、シーケンサ、プログラムユニット
がバラバラに配置されているため、熔接制御）・ランス
と各ユニット間の信号伝送用に多くの長尺ケーブルの設
置が必要になる。このため、その設置コストおよび設置
スペース等が問題になっている。さらにマルチスボッＩ
・熔接を行なう場合では、ガン、トランス、シーケンサ
、プログラムユニットと言った多くのコンボーネンＩ・
が所定の相互関連をもって配設されねばならないので、
熔接条件の変更、各コンポーネントの配置替え若しくは
それらのメンテナンスは大変な作業になる。

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、上記従来の
問題を軽減若しくは除去できる抵抗熔接装置を提供する
ことを目的とする。

［発明の構成］（発明の課題を解決するための手段）この発明に係る抵抗熔接装置は、熔接電極により所定の
電力でもって熔接を行なう熔接手段ＷＣＴと；この熔接
手段に着脱自在に結合されるものであって、この熔接手
段の熔接条件を決定する制御手段ＷＣＵとを具備してい
る。

（作用）このような熔接装置では、従来のシーケンサやプログラ
ムユニットの機能は制御手段ＷＣＵに吸収される。この
制御手段ＷＣＵでは熔接条件等の設定／変更が個別がつ
自由にできる。また制御手段ＷＣＵは熔接手段ＷＣＴと
着脱自在なので、個々の重量／サイズは相対的に小さく
なり、工場内での手作業による配置替えが容易になる。

ここで制御手段ＷＣＵと熔接手段ＷＣＴとの結合部分を
規格化しておけば、種々の制御手段ＷＣＵのどれでも複
数の熔接手段ＷＣＴいずれかに自由に接続できる。また
個々の制御手段ＷＣＵを通信線を介してホストコンピュ
ータ（または機器制御インターフェイスＭＣＩ）に接続
することにより、多数の熔接装置を総括的に制御できる
。さらに、制御手段ＷＣＵおよび熔接手段ＷＣＴからな
る全てのアセンブリにおいて、制御手段ＷＣＵと熔接手
段ＷＣＴとの間の配線ケーブルが不要になる。

（実施例）以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。

なお説明にあたり、各国において共通部分には共通の参
照符号を用いることにより、説明済み部分の重複説明を
避けることにする。

第１図はこの発明の一実施例に係る抵抗熔接器のアセン
ブリを示す斜視図である。このアセンブリは熔接制御ト
ランス１０（以下単にＷＣＴと略記する）および熔接制
御ユニッ？−１７＋１８（以下単にＷＣＵと略記する）
からなっている。熔接電極ＩＸを持つガン１はケーブル
２を介してＷＣＴＩＯに接続される。ここでは図示しな
いが、ＷＣＴＩＯおよびＷＣＵＬ７＋１８はそれぞれ冷
却器を備えており、ＷＣＴの冷却器は冷却水パイプ２６
０を介してＷＣＵの冷却器に接続されている。外部から
の冷却水はまずＷＣＵの冷却器に注入され、ＷＣＵを通
過した冷却水は続いてＷＣＴの冷却器に送られる。ＷＣ
Ｕ内のＳＣＲ（サイリスタ）およびＷＣＴ内のトランス
により温ためられた冷却水はＷＣＴから外部へ流れ出る
ようになっている。

第１図の冷却構造では、１本の冷却水バイブだけで熔接
器アセンブリのＷＣＵおよびＷＣＴ双方を充分に冷却で
きる。

第２図は第１図に示す熔接制御トランスＷＣＴＩＯの一
側面を示す、また第３図はこのＷＣＴＩＯの底面を示す
。ＷＣＴＩＯの底端面１４には金属スタッド１１ａ。

１１ｂと、サーモスタット信号線１２と、タッピングネ
ジ穴１５とが設けられている。スタッドｌｌａ、ｌｌｂ
は、ＷＣＴＩＯの一次巻線をＷＣＵの一部を構成する電
源モジュール（１７）内のＳＣＲ（サイリスク）に接続
するのに用いられる。ＷＣＴＩＯ内のサーモスタット（
図示せず）からの信号線１２はＷＣＵの一部を構成する
制御モジュール（１８）に接続される。このサーモスタ
ットは、ＷＣＴＩＯがオーバーヒートするのを防止する
ために用いられる。

第４図は第１図に示す熔接器アセンブリの上側面を示す
。また、第５図は第４図のＷＣＵの一側面を示す。図示
するように、熔接制御ユニットＷＣＵは電源モジュール
１７および制御モジュール１８からなっている。電源モ
ジュール１７および制御モジュール１８からなるＷＣＵ
は、ＷＣＴＩＯの底端面１４にマウントされ、ネジ１９
（第５図）とタッピングネジ穴１５（第３図）により固
定される。

第６図は電源モジュール１７の内部の詳細を示す、第５
図のネジ１９はネジ穴２０ａ−２０ｄを通して第３図−
のタッピングネジ穴１５にねじ込まれる。その他のタッ
ピングネジ穴２１ａ−２１ｄは制御モジュール１８を電
源モジュール１７に固定するためのもので、この固定に
は他のネジ（第９図の２１０ａ−２１０ｄ）が用いられ
る。

第６図において、高圧電源ライン２２Ｌ１はＳＣＲモジ
ュール２３の端子Ｌ１に接続される。端子Ｌ１およびＨ
ｌは、ＳＣＲモジュール２３のプラスチックハウジング
に内装される逆並列接続されたＳＣＲに接続される。

（このＳＣＲに関する詳細な回路構成は第１７Ａ図を参
照して後述する。）端子Ｈ１およびＨ２は、ＷＣＴＩＯ
の一次巻線につながった第３図のスタッドｌｌａおよび
１１ｂに接続される。端子Ｌ１およびＨ２には、電源ラ
イ／２２Ｌ１および２２Ｈ２を介して、例えば４８０Ｖ
程度の高圧ＡＣ電力が供給される。

ＷＣＴＩＯからのサーモスタット信号線１２は、低圧コ
ネクタ２５のターミナルブロック２４に接続される。

この低圧ターミナルブロック２４には、シャントトリッ
プ信号その他の信号線も接続される。低圧ターミナルブ
ロック２４は、例えばプラスチック製の絶縁板２５０に
より、高圧ターミナルＬｌ、Ｈ１，Ｈ２から隔離される
。

絶縁板２５０により、低圧信号線（１２）のリードチッ
プが高圧ターミナルに誤って触れてしまう事故が防止さ
れる。

第６図のＳＣＲモジュール２３は一対の逆並列接続ＳＣ
Ｒと共にその冷却構造を含んでいる。冷却水はニップル
２６ａ、２６ｂの一方から流入しその他方から流出する
。

第７Ａ図は冷却水が通るＳＣＲ冷却容器２３０の側面を
示す。また、第７Ｂ図はこの冷却容器２３０の内部構造
例を示す、冷却容器２３０は銅等の金属でできている。

ＳＣＲモジュール２３のプラスチックハウジング内に配
設された５ＣＲ−１，５ＣＲ−２は、例えばマイカまた
はマイラー（登録商標）製の絶縁シート２３２を介して
、冷却容器２３０の冷却面に間接的に熱結合される。

第７Ｂ図に示すような構成により、冷却容器２３０を、
ＳＣＲモジュール２３のプラスチックハウジング内でＳ
ＣＲとともに一体化できる。これにより冷却容器２３０
がＳＣＲと近接配置され、ＳＣＲモジュール２３をコン
パクトなものにできる。

加えて、高圧を扱うＳＣＲが電気的絶縁製の良いプラス
チックハウジング内に密封されるがら、ＳＣＲモジュー
ル２３を含む電源モジュール１７を金属ケースに収める
場合でも、この金属ゲースの壁面とＳＣＲモジュール２
３のプラスチックハウジングとの間隔を大きく採る必要
がなくなる。このことも、電源モジュール１７の小型化
に寄与する。

第８図は第４図の制御モジュール１８の内部構造を部分
的に示す、この制御モジュール１８には、ＥＰＲＯＭ３
０、ＬＥＤ３５Ａ、マイクロプロセサＭＰＵ　（図示せ
ず）、ポテンシオメータ（図示せず）等が取り付けられ
たプリント基板（ＰＣボード）３３が内装されている。

このＰＣボード３３は、柔らかなゴムなどのクツション
材３４により、制御モジュール１８内の所定の空間に保
持されている。制御モジュール１８は、軽量プラスチッ
クのモールドで作ることができる。

ＰＣボード３３に取り付けられたＬＥＤ３５Ａの直上に
は、プラスチックレンズ３５Ｂが配置されている。この
レンズを介してＬＥＤ３５Ａの点灯状態を見ることによ
り、熔接装置の使用者はそのＷＣＵが動作しているかど
うかを知ることができる。なお、このレンズ３５Ｂは、
制御モジュールの外部との光データ通信インターフェイ
スとして利用することもできる。

各ＷＣＵの動作は、そこに内臓されたＥＰＲＯＭ３０の
記憶内容に依存する。すなわち、ＥＰＲＯＭ３０の記憶
内容を書き替えるか、これを池のＥＰＲＯＭ３０と交換
することにより、そのＷＣＵの動作を容易に変更／修正
できる。

第９図は第８図の制御モジュール１８の底面を示す。

ＰＣボード３３のポテンシオメータのノブ３２ａ、３２
ｂおよび３２ｃは、熔接電流、最大熔接電流および最小
熔接電流をプリセットするのに用いられる。アドレスス
イッチ３１は、各制御モジュール１８にそれぞれ固有の
ユニット番号（例えば０〜１５）を付与するときに用い
られる。なお多数のＷＣＵが機器制御インターフェイス
（ホストコンピュータ）ＭＣＩに接続された場合、この
ＭＣＩはスイッチ３１により付与された各ＷＣＵに固有
のユニット番号を識別することができる。

ＰＣボード３３上の回路の信号線は、第９図に示される
低圧コネクタ３６に接続されている。制御モジュール１
８が電源モジュール１７に結合されるときには、第９図
の低圧コネクタ３６は第６図の低圧コネクタ２５に差し
込まれる。ここで、ネジ２１０ａ−２１０ｄとタッピン
グネジ穴２１ａ−２１ｄとにより、制御モジュール１８
は電源モジュール１７に機械的に固定される。

なお、コネクタ２５とコネクタ３６との間の電気的な接
続インターフェイスと共に、モジュール１７とモジュー
ル１８との間の機械的な接続インターフェイスは、規格
化されている。従って、任意のＷＣＵをどのＷＣＴにも
接続できる。このため、あるプログラムを持つＥＰＲＯ
Ｍ３０を含むＷＣＵをその他のプログラムを持つＥＰＲ
ＯＭ３０を含む他のＷＣＵと交換した場合、この簡単な
交換作業だけで、そのＷＣＵに結合されたＷＣＴの熔接
特性を容易に変更できる。

第１０図はこの発明に係る抵抗熔接装置を利用した熔接
システムの概要を示す、ここでは、ＷＣＴとＷＣＵとの
アセンブリが３組並列接続され、この並列アセンブリが
機器制御インターフェイス（ＭＣＩ）４２に接続されて
いる。このＭＣＩ４２には端末装置４３がさらに接続さ
れている。なお、これらのＷＣＴ／ＷＣｔＪアセンブリ
は、例えばＲ５−２３２またはＲ８−４２２規格の一般
的なシリアル通信ラインを介して、デジーチエイン接続
される。

ＷＣＵの電源モジュール１７はワイアードオア接続され
、かつ、マスターしゃ断器４０内のシャントトリップ回
路４１に接続される。端末装置４４はＷＣＵのいくつか
に適宜接続される。仮に、いくつかのＷＣＵ内のＳＣＲ
が壊れて短絡してしまったとすると、このような壊れな
ＳＣＲを含むＷＣＵからシャントトリップ回路４１ヘシ
ャントトリップ信号が送られ、これによりＷＣＴへの給
電がしゃ断される。

第１０図の実施例では、ＭＣＩ４２に対するラダープロ
グラムおよび複数ＷＣＵの各制御モジュール１８内に記
憶された熔接プログラムを、端末装置４３を用いて実行
させることができる。たとえ多数のＷＣＵを同時に使用
する場合であっても、各ＷＣＵに固有のユニット番号を
ＭＣＩ４２を介して指定することにより、端末装置４３
は所望の制御モジュール１８と交信することができる。

直列伝送線路を用いて所定の熔接シーケンスを実行しよ
うとするときは、ＭＣＩ４２は作動させようとする制御
モジュール１８のユニット番号を直列伝送されるテキス
トに付加し、これを直列伝送線路へ送出する。このテキ
ストは全ての制御モジュール１８に転送されるが、この
テキストに付加されたユニット番号と合致する１つの制
御モジュールだけが、このテキストに応答する。そして
、この、１つの制御モジュール１８だけが、送られてき
たテキストの中味にしたがって熔接３行なう。

２以上のＷＣＴで同時に熔接を行なおうとするときは、
ＭＣＩ４２は２以上のユニット番号を含むアドレスデー
タを全ての制御モジュールに送る。すると、送られたユ
ニット番号に対応したＷＣＴだけがそれらの熔接を実行
する。もし全てのＷＣＴを同時４こ作動させたいときは
、全てのユニット番号を指定する特別なアドレスデータ
（例えばデータ９９）を、ＭＣＩ４２から全ての制御モ
ジュール１８に送る。

またＭＣＩ４２は、各制御モジュール１８に対して、熔
接が完了したかどうか、あるいは良好な熔接が行なわれ
たかどうか等の問い合わせを発するようにもなっている
。

第１３図は多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリが用いられ
る抵抗熔接システムを示すもので、例えば自動車工場で
用いられる。このシステムには従来技術と本願発明が混
在しており、この発明に係る部分が実線で示され、従来
からの部分が破線で示されている。

第１３図の破線で示すように、この従来システム部分で
は、熔接コントローラ１つにつき３つのタップスイッチ
付き熔接トランスがジャンクションボックスを介して結
合され、これらの熔接コントローラが熔接バスを介して
ＭＣＩ（図示せず）に並列に接続される。

この従来システムの構成では１つの熔接コントローラが
３つの熔接トランスに共通している。このため、これら
３つの熔接トランスの熔接特性が互いに異なるときは、
この熔接コントローラの制御特性を１つの熔接トランス
に合わせたとしても、残りの２つの熔接トランスに対し
ては特性ミスマツチとなる。

第１３図の実線で示すように、この発明に係る熔接シス
テム部分では、１つのＷＣＵ（熔接コントローラ）が１
つのＷＣＴ（タップレス熔接制御トランス）に専用に設
けられており、かつＷＣＵとＷＣＴとのアセンブリの全
てが単一のシリアルデータ伝送線路（例えばＲ９−４２
２準拠のもの）を介してＭＣＩ（図示せず）に接続され
ている。そして、各ＷＣＵの制御特性は、第９図に示し
なＥＰＲＯＭ３０内のプログラムに応じて、任意に決定
できる。

Ｍ］は全てのＷＣＵからの全熔接データを集め、各ＷＣ
Ｕに指令若しくは熔接データを個別に送ることができる
。従って、仮に全てのＷＣＴの熔接特性が互いに異なる
ものであっても、各ＷＣＴに対して最良の特性を得るこ
とができる。

第１４図は、おのおのがタップスイッチ１４２を備えた
３つのＷＣＴと１つのＷＣＵとの組み合わせを示す。

この図では、ジャンクションボックス１４１の選択によ
って、ＷＣＴと１つのＷＣＵとの接続を行なっている。

この発明のＷＣＵは、第１４図に示すような構成の熔接
器にも適用できる汎用性を備えている。すなわち、プロ
グラムの可変性とコンパクトさというこの発明のＷＣＵ
が持つ特徴は、ジャンクションボックス１４１およびタ
ップスイッチ１４２を用いた場合にもなお、価値を失わ
ない。

第１５図はこの発明に係る抵抗熔接システムの概要を示
すもので、デジーチェーン接続のシリアル通信線（ＲＳ
−４２２＞を介して、ＷＣＴ／ＷＣＵの複数アセンブリ
が機器制御インターフェイスＭＣＩに接続される場合を
示す、ここで、ＭＣＩ４２Ａはプログラマブルロジック
コントローラＰＬＯ４２Ｂを備えており、ＰＬＣ４２Ｂ
は、各ＷＣＴの熔接電極ＩＸのオン／オフや第１２図に
示すようなコンベアＣの作動を制御するのに用いられる
。

第１６図は、第１５図の機器制御インターフェイスＭＣ
Ｉと併用される代表的な周辺機器を示す、ここでは、フ
ァイルサーバ用バードディスク装置４３Ａや他のＭＣＩ
等が、例えばイーサネットのようなローカルエリアネッ
トワークを介して、ＭＣＩ　４２Ａに接続されている。

その他、ＭＣＩ４２Ａには、ファイルサーバアクセス機
器４３Ｂ、ＷＣＬＩ用アクセス機器４３Ｃ、リモー）Ｉ
１０端末４３Ｄ等が接続されている。このような構成の
下で、ＭＣＩ　４２Ａは多くの周辺機器から種々な情報
を収集できる。

第１７Ａ図は熔接制御トランスＷＣＴの一次回路および
シャントトリップ回路に係る熔接制御ユニットＷＣＵの
回路構成例を示す、ＷＣＴの一次巻線の一端は、逆並列
接続された５ＣＲ−および５ＣＲ−２のターミナルＨ１
に接続される。５ＣＲ−１のゲートおよびカソードは、
高圧コネクタのコンタクトＧ１およびに１を介して、駆
動トランスＴＤの第１の二次巻線に接続される。５ＣＲ
−２のゲートおよびカソードは、高圧コネクタのコンタ
クトＧ２およびに２を介して、駆動トランスＴＤの第２
の二次巻線に接続される。

ＷＣＴの一次巻線の他端は、ターミナルＨ２に接続され
る。ターミナルＨ２は、高圧コネクタのコンタクトＬ２
を介して、電源トランスＴＰの二次巻線の一端に接続さ
れる。電源トランスＴＰの二次巻線の他端は、高圧コネ
クタのコンタクトＬ１を介して、ターミナルＬ１に接続
される。電源トランスＴＰの一次巻線は、例えばＡＣｌ
ｌｏＶの電源ラインに接続される。

ターミナルＨ１およびＲ２はしゃ断器４０の電源回路に
接続される。ターミナルＨ１は、抵抗Ｒを介して、シャ
ントトリップリレーＣＲＩのコイルＣＲの一端に接続さ
れる。ターミナルＨ２は、シャンＩ−トリップリレーＣ
Ｒ２のリレー接点を介して、シャントトリップリレーＣ
Ｒ１のコイルＣＲの他端に接続される。リレーＣＲ２の
コイルＣＲの駆動は第１５図その他に示したＭＣＮ４２
）により行なわれる。

リレーＣＲＩのリレー接点は、全てのＷＣＵにより形成
されるシャントトリップルーズの中に挿入されている。

このシャントトリップループはシャントトリップ制御リ
レー４１のコイルおよび２４ＶのＡＣ電源も含む。リレ
ー４１のリレー接点はしゃ断器４０のシャントトリップ
コイルと１１０ＶのＡＣ電源との間に挿入される。

ＷＣＴの一次巻線に生じる電圧信号は、低圧コネクタ２
５を介して、ＰＣボード３３内の電気回路に導かれる。

ＳＣＲに流れる電流は、変流器ＣＴにより検出される。

検出されたＳＣＲ電流信号は、低圧コネクタ２５を介し
て、ｐｃボード３３内に送られる。

第１７Ｂ図は、第８図に示されるＰＣボード３３に組み
込まれる回Ｆ！＠楕成を示す、ＷＣＴの一歇巻線（また
はターミナルＬｌ、Ｌ２間）の電圧信号は、第１電圧検
出器３３２を介してマイクロプロセサ（以下単にＭＰＵ
と略記する）３３１に供給される。ＳＣＲの両端に現わ
れる電圧の信号は、第２電圧検出器３３３を介してＭＰ
Ｕ３３１に供給される。ＳＣＲに流れる電流の信号は、
整流器３３５を介してＭＰＵ３３１に供給される。

ＭＰＵ３３１は、Ｒ８−４２２シリアル通信インターフ
ェイス３３０を介して、第１５図等に示すＭＣＩ４２Ａ
と結合される。ＭＰＵ３３１に所定の動作シーケンスは
、ＲＯＭ３０Ａに格納しておくことができる。ＭＣＩ４
２Ａへ送ろうとするデータおよびＭＣＩ４２Ａから送ら
れてくるデータは、ＲＡＭ３０Ｂに格納できる。

ＰＣボード３３内のＭＰＵ３３１は、ＷＣＴおよびＳＣ
Ｒの電圧／電流の情報を受は取り、受は取った情報から
、熔接電流の大きさを検出したり、電圧／電流の位相差
からその力率を算出したりする。ＭＰＵ３３１が検出し
たデータは、Ｒ５−４２２通信線を介して、ＭＣＩ４２
Ａに送られる。ＭＰＵ３３１はまた、点弧回路３３４を
介して、ＳＣＲを点弧制御する。

ＭＰＵ３３１からの電流データから、ＭＣＩ４２Ａは、
例えばＳＣＨの破壊によって引き起こされた過大電流を
検出できる。この過大電流が検出されると、ＭＣＩ４２
Ａはシャンｌ−１−リップリレーＣＲ２へのシャントト
リップ禁止信号の送出を停止し、これによりＣＲ２のリ
レー接点が閉じる。このとき、ＷＣＴの一次巻線にある
程度の電圧が出ているときは、シャン１−トリップリレ
ーＣＲ１が励起され、ＣＲＩのリレー接点が閉じる。す
ると、第１７Ａ図のシャントトリップループＣＵおよびＷＣＴへの給電が、しゃ断器４０により中断
される。

第１８Ａ図は熔接条部データＤｃｏｎのフォーマット例
を示す．この例では、データＤｃｏｎの１キヤラクタが
６つのチャネルＣＨ１−ＣＨ６の垂直データ群ＶＤＧで
表され、データＤｃｏｎの１テキスｌ−が６つの水平デ
−タ群ＨＤＧとともに開始コードＳＴＸ、終了コードＥ
ＸＴおよびパリティコードＨＰＣで表されている。チャ
ネルＣＨＩ−ＣＨ６のデータは、ＷＣＵからＭＣＩへ、
またはＭＣＩからＷＣＵへ、シリアル伝送される。

第１８Ｂ図はシリアル伝送されるデータＤｃｏｎのパリ
ティチエツク手順を示すフローチャー１−である、まず
、ＭＣＩ（第１５図）内のマイクロコンピュータは、パ
リティコードＨＰＣをゼロに初期化する（ＳＴＩＯ）。

次に、マイクロコンピュータは、第１８Ａ図に示すよう
な現在のテキストの１キヤラクタを読み取る（ＳＴ１２
）。

続いて、マイクロコンピュータはキャラクタのチヤオ・
ルＣＨＩ−ＣＨ６のイクスクルーシブオア（ＥＸ−ＯＲ
）をとって、キャラクタの垂直パリティ（例えば偶数パ
リティ）をチエツクする（ＳＴ１４）、このパリティチ
エツクがＯＫであれば（ＳＴ１４のＯＫ）、マイクロコ
ンピュータは読み取ったデータ（ＶＤＧ）が終了コード
ＥＸＴの次のものであるかどうかをチエツクする（ＳＴ
Ｉ６）。

もし読み取った電流データが終了コードＥＸＴの次のも
のでないときは（ＳＴ１６のノー）、現在のＨＰＣと現
在のＶＤＧのＥＸ−ＯＲとの論理和から、新たなパリテ
ィコードＨＰＣが作り出される。こうして作り出された
新パリティコードＨＰＣにより現在のパリティコードＲ
ＰＣが置換され（ＳＴ１８）、フローはステップ５Ｔ１
２へ戻る。

パリティコードＨＰＣのチャネルＣＨＩの内容は、チャ
ネルＣＨＩの水平データ群ＨＤＧ内の全ビットのＥＸＯ
Ｒを示す、同様に、パリティコードＨＰＣのチャネルＣ
Ｈ２〜ＣＨ６の内容は、それぞれ、チャネルＣＨ２〜Ｃ
Ｈ６の水平データ群ＨＤＧ内の全ビットのＥＸ−ＯＲを
示す。

ステップ５Ｔ１４におけるパリティチエツクの結果が否
定的（ＮＧ）であるときは、例えば第１６図の端末装置
４３ＡのＣＲＴにおいてエラーメツセージが表示され（
ＳＴ２４）、その後の処理で同じデータが再送される。

もし読み取った電流データが終了コードＥＸＴの次のも
のであるときは（ＳＴ１６のイエス）、マイクロコンピ
ュータは現在の読み取りデータが現在のパリティチエツ
クコードＨＰＣと一致するかどうかチエツクする（ＳＴ
２０＞、ここで、現在の読み取りデータが現在のパリテ
ィチエツクコードＨＰＣと一致するときは（ＳＴ２０の
イエス）、マイクロコンピュータは伝送されてきたテキ
ストにエラーなしと判定する（ＳＴ２２）、現在の読み
取りデータが現在のパリティチエツクコードＨＰＣと一
致しないときは（ＳＴ２０のノー）、マイクロコンピュ
ータは伝送されてきたテキストにエラーありと判定する
（ＳＴ２４＞。この場合は、同じデータの伝送が再び行
なわれる。

第１８Ｃ図はシリアル伝送されるデータＤｃｏｎのパリ
ティチエツク手順の他側を示すフローチャートである。

まず、熔接条件データＤｃｏｎの１テキストがＭＣｒ４
２のマイクロコンピュータに入力される（ＳＴ３０）。

マイクロコンピュータは、データＤｃｏｎの１キヤラク
タ（ＶＤＧ）内の全ビットのＥＸ−ＯＲを検出して、水
平パリティチエツクコードＨＰＣを発生しく５Ｔ３２）
、次に現在のキャラクタ内にある“１“データの総数Ｎ
ｖを計算する（ＳＴ３４）。

マイクロコンピュータは計算された数Ｎｖが偶数である
かどうかをチエツクする（ＳＴ３６）。数Ｎｖが偶数で
あるときは（ＳＴ’３６のイエス）、マイクロコンピュ
ータは現在のデータＤｃｏｎのチャネル（ＣＨＩ〜ＣＨ
６）に１パリティピット加える（ＳＴ３８）、そして現
在のチャネル（ＣＨＩ〜ＣＨ６）内にある”１”データ
の総数Ｎｈを計算する（ＳＴ４０）。

マイクロコンピュータは計算された数Ｎｈが偶数である
かどうかをチエツクする（ＳＴ４２）、数Ｎｈが偶数で
あるときは（ＳＴ４２のイエス）、マイクロコンピュー
タは現在のテキストの後に次のテキストがあるかどうか
をチエツクする（ＳＴ４４）、現在のテキス１への後に
次のテキストがあるときは（ＳＴ４４のイエス）、フロ
ーはステップ５Ｔ３０へ戻る。現在のテキストの後に次
のテキス）・かないときは（ＳＴ４４のノー）、マイク
ロコンピュータは伝送されたテキストにエラーがなかっ
たものとの判定を下す（ＳＴ４６）。

仮に、数Ｎｖが奇数であるか（ＳＴ３６のノー）または
数Ｎｈが奇数であるときは（ＳＴ４２のノー）、エラー
メツセージが表示され（ＳＴ４８）　、同じデータの再
送が行なわれる。

をお、第１８Ｂ、１８Ｃ図のパリティチエ・ツクは、各
Ｖｖ’ＣＩＪｔ７）Ｍ　Ｐ　０３３１　（第１７Ｂ図）
でも行なうことができる。

第１９図は熔接条件データＤｃｏｎの確認手順を示すフ
ローチャートである。ＭＣＩ４２Ａのマイクロコンピュ
ータは熔接条件データＤｃｏｎをＷＣＵヘシリアル伝送
する。第１７Ｂ図のＷＣＵのｐｃボード３３内のＭＰＵ
３３１はこのデータＤ　ｃ　ｏ、ｎを受信する（ＳＴ５
０）。

続いて、このデータＤｃｏｎに対する許容エラー値Ｄｅ
ｒｒがＭＰＵ３３１に入力される（ＳＴ５２）、通常、
データＤｃｏｎの値の１０％位を許容エラー値Ｄｅｒｒ
として採用できる。ＭＰＵ３３１にはまた、実際の熔接
データＤｗｅＬも入力される＜５Ｔ５４）。

ＷＣＴの一次巻線電圧および力率などは熔接データＤｗ
ｅｌに含寸れている。ごカー次熔接電流は第１７Ｂ図の
変流３ＣＴにより検出できる。また、力率は、検出器３
３２で検出された一次巻線電圧と上記−次熔接電流との
位相差から算出できる。

ＭＰＵ３３１は次にデータＤｗｅ　ｌとデータ］）ｃｏ
ｎとの差を検出する（ＳＴ５６）。そして検出した差の
大きさｉＤｗｅ　１−Ｄｃｏｎｌが許容エラー値Ｄｅｒ
ｒより小さいかどうかがチエツクされる（ＳＴ５８）。

この！Ｄｗｅ、１−ＤｃｏｎｌがＤｅｒ＋−より小さい
ときは（ＳＴ５８のイエス）　、ＭＰ０３３１は実際の
熔接が熔接条件データＤｃｏｎに従って正常に行なわれ
たものと判定する。ムしｌＤｗｅ　Ｉ−ＤｃｏｎｌがＤ
ｅｒｒ以上であるときは（ＳＴ５８のノー）、この判定
結果は例えば第１６図のＭＣＩ　４２Ａに送られ、端末
装置４３ＡのＣＲＴにエラーメソセージが表示される（
ＳＴ６０）。

この場合、ＭＣＩ　４２Ａは、同じ熔接を再実行させる
指令をＭＰＵ３３１に送ることができる。

第２０図は所定の設定値データＤｓｅｔに基づく熔接動
作の確認手順を示すフローチャートである。実際の熔接
電流（ＷＣＴの一次電流）を決定する設定値データＤｓ
ｅｔは、第１７Ｂ図のＭＰＵ３３１に入力される（ＳＴ
７０）。ＭＰＵ３３１は第１７Ｂ図の変流器ＣＴで検出
した熔接電流データＤｃｕｒを受ける（ＳＴ７２）。

ＭＰＵ３３１は、例えばデータＤｃｕｒの値を熔接電流
の１サイクルに渡り積分く累算）し、この１サイクルの
間に得られたデータＤｃｕｒの平均値Ｄａｖｅを計算す
る（ＳＴ７４）。

ＭＰＵ３３１は平均値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０
％より大きいかどうかチエツクする（ＳＴ７６）。平均
値Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％より大きいときは
（ＳＴ７６のイエス）、ＭＰｔＪ３：ｌはＷＣＴが良好
な熔接を行なったものと判定する（ＳＴ７８）。この場
合は再熔接は行なわれない（ＳＴ８０）、、もし平均値
Ｄａｖｅが設定値Ｄｓｅｔの９０％以下であったときは
＜５Ｔ７６のノー）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴによる熔接
が不良であったものと判定する（ＳＴ８２）。この場合
は再熔接が行なわれる（ＳＴ８４）。

ＭＰｔＪ３３１により熔接不良が検出されると、ＭＣＩ
４２Ａはこの爆接不良を認知し、不良熔接を行なっなＷ
ＣＴのＭＰＵ３３１に再熔接指令を送る。正常な熔接を
行なったＷＣＴのＭＰＵがＭＣＩ　４２Ａからこのよう
な再熔接指令を受けることはない。

第２１図は熔接電流Ｄｃｕｒの確認手ｊ＠を示すフロー
チャートである。ＭＣＩ４２Ａは最大電流限データＤｍ
ａｘおよび最小電流限データＤｍｉｎを出力する。第１
７Ｂ図のＭＰＵ３３１は、これらのデータＤｍａｘおよ
びＤｍｉｎを受ける（ＳＴ９０，５Ｔ９２）、このあと
ＭＰｔＪ３３１は変流器ＣＴから実際の熔接電流データ
ＤＣｕｒを受ける（ＳＴ９４）。

ＭＰＵ３３１は熔接電流データＤｃｕｒの値が最大電流
限データＤｍａｘと最小電流限データＤｍｉｎとの間に
収まっているかどうかチエツクする（ＳＴ９６＞。デ−
タＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉｎの間に収まってい
たときは（ＳＴ９６のイエス）、ＭＰＵ３３１はＷＣＴ
に正常な熔接電流が流れたと判定する（ＳＴ９８）。

もしデータＤｃｕｒの値がＤｍａｘとＤｍｉｎの間に収
まっていなかったときは（ＳＴ９６のノー）、ＭＰＵ３
３１はＷＣＴの熔接電流が異常であったと判定する（Ｓ
Ｔ１００）、この場合は、ＭＰＵ３３１はＭＣＩ　４２
Ａへアラーム信号を送る（ＳＴ１０２）。

第２２図は第１７Ａ、１７Ｂ図のＳＣＲに対する新たな
点弧角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を示すフロ
ーチャートである。第２３図は第２２図の制御手順を実
行する構成を示すブロック図である。なお、第２３図は
ＭＰＵ３３１を示していないが、第２３図の構成の動作
は第１７Ｂ図のＭＰＵ３３１で制御できる。

設定値発生器５ｏから得られた設定値データＤｓｅｔは
、加算点５２の正入力に与えられる（ＳＴＩＩＯ＞。

ＳＣＲ用の点弧角データＤｆｉαおよび導通角データＤ
ｃｏａは、ＰＩＤゲインパラメータ発生器５８からＰＩ
Ｄ制御回路５６へ送られる（ＳＴ１１２，５Ｔ１１４）
。

熔接電流データＤｃｕｒは、変流器ＣＴから電流帰還増
幅回路５４を介して加算点５２の負入力へ送られる（Ｓ
Ｔ１１６）。

データＩ）ｓｅｔとデータＤｃｕｒとの差分データＤｄ
ｉｆは加算点５２で検出され（ＳＴ１１８）、このデー
タＤｄｉｆはＰＩＤ制御回路５６へ送られる。ＰＩＤ制
御回路５６は、データＤｃｕｒ、ＤｆｉａおよびＤｃ。

ａから、力率角データＤｐｆａを算出する。（ＳＴ１２
０）。算出された力率角データＤｐｆａは、点弧角制御
回路６０に入力される。この点弧角制御回路６０におい
て、ＰＩＤ制御の下で、データＤｆｉａ、Ｄｐｆａおよ
びＤｄｉｆに基づきその後に用いる点弧角データＤｆｉ
ａ＊が算出される。ＳＣＲユニット（ＳＣＲモジュール
）２３は、この算出されたデータＤｆｉａ＊により決定
される新たな点弧角で動作する。

以上述べたような熔接装置では、従来のシーケンサやプ
ログラムユニットの機能は制御ユニットＷＣＵに吸収さ
れる。この制御ユニットＷＣＵでは熔接条件等の設定／
変更が個別かつ自由にできる。また制御ユニットＷＣＵ
は爆接トランスＷＣＴと着脱自在なので、ｗｃｕ、ｗＣ
Ｔ個々の重量／サイズは相対的に小さくなり、工場内で
の配置替えが容易になる。

［発明の効果］この発明は、その実施態様に応じて以下のような効果を
奏する。

（１）ｗｃｕはＷＣＴに着脱自在にマウントでき、また
ＷＣＴの機能をＷＣＵから分離できるから、その応用範
囲が広がって量産効果を得やすくなり、コスト的に有利
になる。

（２）電源モジュール１７および制御モジュール１８を
ＷＣＵのコンパクトなプラスチックハウジングに収める
ようにすると、ＷＣＵのサイズを従来の同クラスの抵抗
熔接器よりも小さくできる。このことから熔接装置のス
ペースファクタがよくなる。

（３）着脱自在なＷＣＵとＷＣＴとの間の電気的／機械
的インタ、−フェイスを標準化できるので、どのＷＣＵ
も任意のＷＣＴに接続可能となる。

（４）全てのＷＣＵは共通の電気的構成を持つことがで
き、これにより制御系−群あたり１台の中央制御部（ホ
ストコンピュータ若しくはプログラマブルロジックコン
トローラを備えた機器制御インターフェイス）に各ＷＣ
Ｕの爆接データを集めることができる。この場合、中央
制御部は、集められたデータ若しくはプリセットされた
データに応じて、各ＷＣＵの動作の統制をとることがで
きる。

（５）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを備えており、この
ＷＣＴはＷＣＵに含まれるマイクロコンピュータの内臓
プログラムにより制御される。このプログラムの内容は
各ＷＣＴに合わせて自由に決定できるから、例えば３つ
のＷＣＴを１つのコントローラで制御する従来装置の場
合の不利を伴わずに、全ての爆接についてより良い結果
が得られる。

（６）電力および冷却水の供給はＷＣＴとＷＣＵとのア
センブリ内でうまくまかなわれる。すなわち、電力およ
び冷却水の供給は１箇所に設置されるＷＣＴ／ＷＣＵア
センブリに対して一括して行なうことができる。

（７）各ＷＣＴはそれ自身のＷＣＵを儂えており、各Ｗ
ＣＵはそこに内臓された特定のプログラムにより制御さ
れ、各プログラムの内容は各ＷＣＴの特性に応じて決定
できるから、各ＷＣＴが持つべき動作条件を特定のプロ
グラムにより診断／決定できる。これにより、各ＷＣＴ
を破壊から保護することも可能になる。

（８）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備えているときは
、コストが掛かり取扱の面倒なタップスイッチをＷＣＴ
に設ける必要性がなくなる。このタップスイッチは、通
常、多数のＷＣＴを用いるときに各ＷＣＴへの電カバラ
ン′スをとるため（、こ１吏うが、このタッフ゛スイッ
チの機能は各ＷＣＵの制御機能で賄えるからである。

（９）第６図の実施例のように構成すれば、低圧部分（
２４，２５）を高圧部分（Ｌｌ、Ｈｌ、Ｈ２）から絶縁
板（プラスチック板）２５０により隔離できる。このよ
うにすれば、ユーザーが低圧信号線（１２）をＷＣＵ内
部に接続する際に、この信号線が誤って高圧部分に触れ
てしまうという事故がなくなる。

（１０）熔接設定情報を複数箇所、すなわちＭＣＩのメ
モリと各ＷＣＵのメモリの双方に保存できる。この場合
、ＭＣＩのメモリと各ＷＣＵ、のメモリの双方が同じ情
報を記憶するので、熔接制御情報がＭＣＩ側で変更され
ると、この変更は自動的かつ正確に各ＷＣＵ側に伝わる
。

（１１）熔接設定情報がＭＣＩおよび各ＷＣＵそれぞれ
のメモリに格納される場合、ＭＣＩや各ＷＣＵは、時々
刻々と、互いの記憶内容が異なっていないかどうかを硲
認し合うことができる。

＜１２＞ＷＣＴ、電源モジュール、制御モジュール等は
全てパーツ化され、また各々のパーツを軽量でコンパク
トなプラスチック容器に収めることができるので、従来
の同クラスの熔接器と較べて小型軽量化しやすい。

（１３）ＭＣＩとＷＣＵとの間の信号伝送では、例えば
パリティチエツク法（第１８　ａ　−１８ＣＩＺ＞によ
りエラーチエツクできる。この場合、ＭＣＩと各ＷＣＵ
との間の通信エラーを取り除くことができ、正確な熔接
制御シーゲンスを確実に行ない得、これにより熔接不良
または不良とは判定されなくても不良ギリギリの低品質
熔接がなされることを防止できる。（この点、従来から
の直接的な配線法では、配線の一部が断線したりすると
熔接制御シーケンスがおかしくなり、不良熔接または低
品質熔接が起きやすかった。）（１４）ＷＣＴ／ＷＣｔＪのアセンブリを所定の場所に
取り付ける際に大型のリフトを用意する必要はない。

（従来の熔接器ではこのような大型リフトが必要となる
ことが多かった。）（１５）ＷＣＵをＷＣＴに直接取り１寸けることができ
るので、これらの間の入出力配線やその接続プラグ等が
不要になり、この点からも製品コスト的に有利となる。

（１６）各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを備えているとき
は、複数のＷＣＴを用いるときに従来必要であったジャ
ンクションボックスを省略できる。

（１７）・各ＷＣＴがそれ自身のＷＣＵを偏えており、
各ＷＣＬ＋をそこに格納されたプログラムにより制御で
きる。このプログラムは各ＷＣＴｍの力率制御に特定で
きるから、ＷＣＴを大電力で動作させる際にこのＷＣＴ
が飽和しないような力率制御が可能となる。

（１８）熔接を定電流で行なおうとするときは、定電流
補償の対象が１トランス／１ガンとシンプルであるため
、電流補償が容易となる。（なお、この種の定電流補償
は、例えば特願昭６１−２１７９２１号に開示されてい
る。）（１９）ＷＣＵが第１７Ｂ図の３３２で示すような電圧
検出器を備えているときは、ＡＣ電源ラインとＷＣＵと
の間の電圧降下の影響を受けることなく、正確なＡＣ電
源ライン電圧の検出が可能となる。すなわち、検出した
サンプル値があたかもＷＣＴから得られたものであるか
のごとく、かつ全ての電源ライン電圧降下がこのＷＣＴ
の位置で観測されているかのごとく、ＡＣ電源ライン電
圧をより確実に検出できる。

（２０）熔接層に集めるデータは多数の熔接作業の平均
に合せたものでなく、個々の熔接作業に特に合せたもの
となっている。このため熔接の品質判定に対してより正
確なデータを採用できる。

（２１）各ＷＣＵは良好な熔接が行なわれたかどうかチ
エツクできる（第２０図）６行なわれた熔接が不良であ
ったときは、ＭＣＩは不良熔接を行なったＷＣＴのＷＣ
Ｕ　（１つまたは複数）にのみ再熔接指令を送る。これ
により、せっかく良好な熔接を行なったＷＣＴで無駄な
再熔接が行なわれるのを防止できる。

（２２）１つの熔接に対して１つのＷＣＵを用意できる
から、各ｖＣＵの動作の診断に厳密な電流制限値を採用
できる（第２１図）。

（２３）ＷＣＴ／ＷＣＵ収納用にモールドプラスチック
を採用したことにより、金属キャビネットを用いた従来
の熔接器よりも生産性が高くなる。

（２４）シャントトリップループが開となったときにし
ゃ断器をトリップするようにシャントトリップ回路を改
良（第、１７Ａ図）できる、この改良により、いわゆる
「フェイルセーフ状態」が得られる。

（２５）ＷＣＵがどんなときでもシャントトリップを実
行してしまうことを防止するよう改良した。すなわち、
シャントトリップは、次の２条件が同時に成立したとき
にのみ機能する：（ｉ　）ＳＣＨの出力（第１７Ａ図のターミナルＨ１゜
Ｈ２）にある程度の電圧が出ていること。

（１１）シャントトリップ禁止状態が解けていること（
つまり第１７Ａ図の実施例ではリレーＣＲ２の接点が閉
じていること）。

（２６）各ＷＣＵはそれぞれの特定番号（アドレス番号
）で識別できるから、たとえ数多くのＷＣＵが１つのＭ
ＣＩに単一のシリアル伝送線を介して接続されていても
、このＭＣＩは正確に各ＷＣＵの動作の統制をとること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る抵抗熔接装置の外観
斜視図であって熔接制御トランスＷＣＴと熔接制御ユニ
ットＷＣＵとのアセンブリを示す；第２図は第１図に示
す熔接制御トランスＷＣＴの一側面図；第３図は第１図
に示す熔接制御ｌ・ランスＷＣＴの底面図：第４図は第
１図に示す抵抗熔接装置アセンブリの上側面図であって
熔接制御ユニットＷＣＵに含まれる電源モジュール（１
７）および制御モジュール（１８）を示す；第５図は第
４図に示す熔接制御ユニットＷＣＵの一側面図；第６図
は第４図に示す電源モジュール（１７）の内部構造を例
示する図；第７Ａ図は第６図のＳＣＲモジュール（２３
）に含まれる冷却部を示す一側面図：第７Ｂ図は第７Ａ
図のＳＣＲ冷却構造の内部構造を例示する図；第８図は
第４図の制御モジュール（１８）の内部構造を部分的に
例示する図；第９図は第８図の制御モジュール（１８）
の底面を例示する図；第１０図はこの発明に係る抵抗熔
接装置を利用した熔接システムの概要を示すものでＷＣ
ＴとＷＣＵとのアセンブリが複数並列に機器制御インタ
ーフェイスＭＣＩに接続された場合を示す：第１１図は
従来の抵抗熔接装置の基本構成を示す；第１２図は自動
車工場等で用いられる従来の抵抗熔接システムの例を示
す；第１３図は多数のＷＣＴ／ＷＣＵアセンブリが用い
られる抵抗熔接システムの例であってこの発明に係る部
分（実線部分）と従来システム（破線部分）とが混在す
る場合を示す；第１４図は１つのＷＣＵに３つのタップ
スイッチ付きＷＣＴを組み合わせた構成の斜視図であっ
てジャンクションボックスにより選択されたＷＣＴがＷ
ＣＵに接続される場合を示す；第１５図はこの発明に係
る抵抗熔接システムの概要を示すもので機器制御インタ
ーフェイスＭＣＩにＷＣＴ／ＷＣＵの複数アセンブリが
デジーチェーン接続のシリアル通信線により接続される
場合を示す；第１６図は第１５図の機器制御インターフ
ェイスＭＣＩの代表的な周辺機器を示す；第１７Ａ図は
熔接制御トランスＷＣＴの一次回路およびシャントトリ
ップ回路に係る熔接制御ユニットＷＣＵの回路構成例を
示す；第１７Ｂ図は第８図に示されるＰＣボード（３３
）に組み込まれる回路構成と共に第６図のＳＣＲモジュ
ール（２３）の点弧回路（３３５）を示す；第１８Ａ図
は熔接条件データＤｃｏｎのフォーマット例を示す；第
１８Ｂ図はシリアル伝送されるデータ（Ｄｃｏｎ）のパ
リティチエツク手順を例示するフローチャート；第１８
Ｃ図は直列伝送されるデータ（Ｄｃｏｎ）のパリティチ
エツク手順の他側を示すフローチャート；第１９図は熔
接条件データＤｃｏｎの確認手順を例示するフローチャ
ート；第２０図は所定のデータＤｓｅｔに基づく熔接動
作の確認手順を例示するフローチャート；第２１図は熔
接電流Ｄｃｕｒの確認手順を例示するフローチャート；
第２２図は第１７Ａ、１７Ｂ図のＳＣＲ，に対する新た
な点弧角データＤｆｉａ＊を決定する制御手順を例示す
るフローチャー１・；第２３図は第２２図の制御手順を
実行する構成を例示するブロック図である。１０−−一熔接制御トランス（ＷＣＴ）；　１７＋１８
−・熔接制御ユニット（ＷＣＵ）；　１−−−ガン；Ｉ
Ｘ・−熔接電極、；２−−−ケーブル、　２６０−ｍ−
冷却水バイブ・１４−−一底端面；　１１ａ、］、］１
ｂ−−−スタッド；１２−−−ザーモスタット信号線　
１５．２１　ａ、〜２１　ｄ−−−タッピングネジ穴、
１７−−−電源モジュール；１８−・−制御モジュール
；　１９，２１０ａ　〜２１０ｄ−−−ネジ；２３−−
−３ＣＲモジュール；Ｌｌ、Ｌ２．Ｈｌ、Ｈ２−−一高
圧ターミナル；２２Ｌ１，２２Ｈ２−−一高圧電源ライ
ン、２４−ｍ−低圧ターミナルブロック；２５−・−低
圧コネクタ；２５０−−一絶縁板；２６ａ、２６ｂ−一
一ニップル；２３０−・−冷却容器；２３２・−絶縁シ
ート・３０−−−ＥＰＲＯＭ　、３１−ｍ−アドレスス
イッチ；３２ａ〜３２ｃｍ−−ノブ：３３−−−ＰＣボ
ード；３４−−−クツション材；　３５Ａ−−−ＬＥＤ
３５Ａ・３５Ｂ−−−プラスチックレンズ、３６−−−
低圧コネクタ・４〇−−−マスターしゃ断器、４１−ｍ
−シヤントトリップ回路；４２．４２Ａ−ｍ−機器制御
インターフェイス（ＭＣＩ　）、　４２　Ｂ−−−プロ
グラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）；４３，４
４−−一端末装置；　４３　Ａ−−−ファイルサーバ用
バードディスク装置；４３Ｂ−・・ファイルサーバアク
セス機器、　４３　Ｃ−−−ＷＣＵ用アクセス機器、４
３Ｄ−ｍ−すモートＩ１０端末、１４１−−−ジャンク
ションボックス：１４２−一一タツブスイッチ；ＴＤ−
−−駆動トランス、ＴＰ−・電源トランス、ＣＲ１゜Ｃ
Ｒ２・−シャントトリップリレー、ＣＴ−−一変流器；
３３０−ｍ−シリアル通信インターフェイス、３３１−
−−マイクロプロセサ（ＭＰＵ）；３３２−−一第１電
圧検出器、３３Ｂ−−−第２電圧検出器、３３４−−一
点弧回路；３３５−一一整流器；Ｄｃｏｎ−−−熔接条
件データ；ＣＨＩ〜ＣＨ６−−−チヤネル、ＶＤＧ−・
・垂直データ群；ＨＤ　Ｇ−−一水平データ群、５ＴＸ
−・−開始コード；ＥＸＴ−−一終了コード；　ＨＰＣ
・・−パリティコード；Ｄｅｒｒ−一一許容エラー値；
Ｄｗｅｉ−熔接データ：Ｄｓｅｔ−−一般定値データ；
Ｄａｖｅ−−−熔接電流平均値；Ｄｍａｘ−−一最大電
流限データ；　Ｄｍ　ｉ　ｎ−−−最小電流限データ；
Ｄｆｉａ−−一点弧角データ；Ｄｃｏａ−−−導通角デ
ータ；Ｄｐｆａ−一一力率角データ：Ｄｄｉｆ−−−差
分データ；Ｄｆｉａ＊−−一点弧角データ；５０−−一
般定値発生器；５２−ｍ−加算点；５４・−電流帰還増
幅回路、　５６−−−Ｐ　Ｉ　Ｄ制御回路；５８−・Ｐ
ＩＤゲインパラメータ発生器、６０−−一点弧角制御回
路出願人代理人　弁理士　鈴江　武彦第図第２図第３図第８図第９図第（（図第１９図第２２図

Claims

【特許請求の範囲】

熔接電極を持ち、この熔接電極により所定の電力でもっ
て熔接を行なう熔接手段と；この熔接手段に着脱自在に
結合されるものであって、この熔接手段の熔接条件を決
定する制御手段とを具備したことを特徴とする抵抗熔接
装置。