JPH0261820A - 平行磁気記録媒体 - Google Patents
平行磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0261820A JPH0261820A JP21345688A JP21345688A JPH0261820A JP H0261820 A JPH0261820 A JP H0261820A JP 21345688 A JP21345688 A JP 21345688A JP 21345688 A JP21345688 A JP 21345688A JP H0261820 A JPH0261820 A JP H0261820A
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- Japan
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- alloy
- medium
- magnetic
- coercive force
- magnetic recording
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固定磁気ディスク装置に搭載され、平行磁
気記録方式で用いられる平行磁気記録媒体に関する。
気記録方式で用いられる平行磁気記録媒体に関する。
近年、情報処理量の増加に伴い、情報処理装置の周辺機
器として清報M積に用いられる固定磁気ディスク装置(
以下単にHDDとも称する)の記憶界1の増大が要望さ
れている。
器として清報M積に用いられる固定磁気ディスク装置(
以下単にHDDとも称する)の記憶界1の増大が要望さ
れている。
HDDの構成を簡易に述べると、磁気ヘッド。
磁気記録媒体1回路系および駆動系に分けられるが、記
1.α容1を増大させるためには磁気記録媒体の高記録
密度化が重要である。
1.α容1を増大させるためには磁気記録媒体の高記録
密度化が重要である。
磁気記録媒体への磁気記録では、記録パターンは残留磁
化状態として書き込まれるが、この残留磁化パターンが
磁気記録媒体の磁性層面内に平行に形成される平行磁気
記録方式と、磁性層面に垂直に形成される垂直磁気記録
方式とがあり、いずれの方式を採るかによって磁気記録
媒体に要望される特性は異なる。
化状態として書き込まれるが、この残留磁化パターンが
磁気記録媒体の磁性層面内に平行に形成される平行磁気
記録方式と、磁性層面に垂直に形成される垂直磁気記録
方式とがあり、いずれの方式を採るかによって磁気記録
媒体に要望される特性は異なる。
平行磁気記録方式のHDDに搭載される平行磁気記録媒
体(以下、単に媒体とも称する)の記録密度を増大させ
るためには、高密度化につれて太き(なる反磁界に対抗
して残留磁化パターンを形成するために保磁力Hcを高
めることが必要であり、また、良好なパターンを得るた
めに所定値以上の飽和磁束密度も必要である。反磁界を
減らすために磁性層の膜厚を薄くすることも有効である
。
体(以下、単に媒体とも称する)の記録密度を増大させ
るためには、高密度化につれて太き(なる反磁界に対抗
して残留磁化パターンを形成するために保磁力Hcを高
めることが必要であり、また、良好なパターンを得るた
めに所定値以上の飽和磁束密度も必要である。反磁界を
減らすために磁性層の膜厚を薄くすることも有効である
。
これらの要望に沿うものとして、強磁性金寓1例えばC
o−Ni合金などを用いて、めっき法あるいはスパッタ
法などで薄膜磁性層を形成した薄膜媒体が開発され、市
場に供されている。
o−Ni合金などを用いて、めっき法あるいはスパッタ
法などで薄膜磁性層を形成した薄膜媒体が開発され、市
場に供されている。
飽和磁束密度Bsとしては、一般に8000Gauss
〜9000Gauss以上が必要とされている。現在一
般に使用されている薄膜媒体はこのBs値は達成してい
る。一方、保磁力Hc は例えばCoに20原子%のN
iを含有させた合金(Co−2,Ni合金)からなる磁
性層を備えた媒体ではHCl2000eが上限であり、
また、C0−2゜N1合金にCrを10原子%添加した
Co −2ONI I。Cr合金からなる磁性層を備
えた媒体でもHc13000eが上限となっているのが
現状である。
〜9000Gauss以上が必要とされている。現在一
般に使用されている薄膜媒体はこのBs値は達成してい
る。一方、保磁力Hc は例えばCoに20原子%のN
iを含有させた合金(Co−2,Ni合金)からなる磁
性層を備えた媒体ではHCl2000eが上限であり、
また、C0−2゜N1合金にCrを10原子%添加した
Co −2ONI I。Cr合金からなる磁性層を備
えた媒体でもHc13000eが上限となっているのが
現状である。
ところが、例えば第2図はCo 2ONI合金からな
る磁性層を備えた媒体の保磁力Hc と記録密度D s
oとの関係を示す線図であるが、D、。はHcの増加
につれてほぼ直線的に増大する。この記録密度り、。は
、媒体を周速8.1m/secで回転させ、トラック幅
Tw23μm、ギャップ長0.89μmの磁気ヘッドで
残留磁化Brxδを400 G *μm一定としたとき
のものである。第2図の例示のように媒体の高記録密度
化には保磁力Hcを高めることが重要な課題となる。
る磁性層を備えた媒体の保磁力Hc と記録密度D s
oとの関係を示す線図であるが、D、。はHcの増加
につれてほぼ直線的に増大する。この記録密度り、。は
、媒体を周速8.1m/secで回転させ、トラック幅
Tw23μm、ギャップ長0.89μmの磁気ヘッドで
残留磁化Brxδを400 G *μm一定としたとき
のものである。第2図の例示のように媒体の高記録密度
化には保磁力Hcを高めることが重要な課題となる。
また、前述のように薄膜媒体は磁性層が強磁性金属薄膜
であるため耐食性が低いという欠点がある。この対策と
して、従来、磁性層の上にカーボン膜などを形成して有
害雰囲気から磁性層を保護しているが充分満足すべき結
果は得られておらず、耐食性の向上が望まれている。
であるため耐食性が低いという欠点がある。この対策と
して、従来、磁性層の上にカーボン膜などを形成して有
害雰囲気から磁性層を保護しているが充分満足すべき結
果は得られておらず、耐食性の向上が望まれている。
この発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、
保磁力Hcが大きくて高記録密度を達成することができ
、かつ、耐食性の向上した平行磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
保磁力Hcが大きくて高記録密度を達成することができ
、かつ、耐食性の向上した平行磁気記録媒体を提供する
ことを目的とする。
上記の目的は、この発、明によれば、コバルト(Co)
−クロム(Cr)−ジルコニウム(Zr)合金からなる
磁性層を備えた平行磁気記録媒体によって達成される。
−クロム(Cr)−ジルコニウム(Zr)合金からなる
磁性層を備えた平行磁気記録媒体によって達成される。
Co−Cr系合金はCo−Ni系合金に比べて耐食性が
優れており、媒体の磁性材料としてCo−Cr系合金を
用いると、従来一般に用いられているCo−Ni系合金
の場合よりも耐食性は向上し媒体の信頼性は高くなる。
優れており、媒体の磁性材料としてCo−Cr系合金を
用いると、従来一般に用いられているCo−Ni系合金
の場合よりも耐食性は向上し媒体の信頼性は高くなる。
しかしながらCo−Cr合金を磁性材料とする媒体は保
磁力が小さく高記録密度の媒体とはなり得ない。第3図
はCo−Cr合金を磁性材料として用いた媒体の磁気特
性を示すもので、Cr含有量と保磁力Hc、飽和磁束密
度Bsとの関係を示す線図である。飽和磁束密度Bs
はCr含有量の増加につれて直線的に減少するが、Cr
含有lが14原子%以下であれば一般的に必要とされる
9000Gauss以上を満足する。また、耐食性の面
からはCr含有量5原子%以上が必要であることが知ら
れている。
磁力が小さく高記録密度の媒体とはなり得ない。第3図
はCo−Cr合金を磁性材料として用いた媒体の磁気特
性を示すもので、Cr含有量と保磁力Hc、飽和磁束密
度Bsとの関係を示す線図である。飽和磁束密度Bs
はCr含有量の増加につれて直線的に減少するが、Cr
含有lが14原子%以下であれば一般的に必要とされる
9000Gauss以上を満足する。また、耐食性の面
からはCr含有量5原子%以上が必要であることが知ら
れている。
従って、Cr含有lが5原子%以上14原子%以下の範
囲にあれば、耐食性に優れ、かつ、飽和磁束密度Bsが
9000Gauss以上の特性を有する媒体が得られる
。一方、保磁力Hc はCr含有量20原子%まではほ
ぼ直線的に増加し、20原子%で約7500eと最高値
を示し、20原子%を超えると急激に減少する。
囲にあれば、耐食性に優れ、かつ、飽和磁束密度Bsが
9000Gauss以上の特性を有する媒体が得られる
。一方、保磁力Hc はCr含有量20原子%まではほ
ぼ直線的に増加し、20原子%で約7500eと最高値
を示し、20原子%を超えると急激に減少する。
いずれにしても、保磁力Hc は従来の媒体の1200
0e=13000eに比べてはるかに小さい値である。
0e=13000eに比べてはるかに小さい値である。
このようなCo−Cr合金にZrを添加すると保磁力H
cを大幅に増大させることができる。第1図は、前述の
耐食性および飽和磁束密度から限定されるCrの含有量
の下限および上限の合金であるCr含有量5原子%のC
o−Cr合金(Co sCr合金)およびCr含有1
14原子%のCo−Cr合金((:o −、、Cr合金
)にそれぞれZrを添加したときのZr添加量と保磁力
Hc、飽和磁束密度Bsとの関係を示す線図である。
cを大幅に増大させることができる。第1図は、前述の
耐食性および飽和磁束密度から限定されるCrの含有量
の下限および上限の合金であるCr含有量5原子%のC
o−Cr合金(Co sCr合金)およびCr含有1
14原子%のCo−Cr合金((:o −、、Cr合金
)にそれぞれZrを添加したときのZr添加量と保磁力
Hc、飽和磁束密度Bsとの関係を示す線図である。
Zrを添加することによりHc は急激に増大し、各合
金へのZ「の添加量を1原子%としたCo−、、Cr−
Zr合金の場合11500e、 Co−5Cr −+Z
r合金の場合12500eに達し、最高では従来Hcの
上限といわれていた13000eを越えて14000e
にまで上昇する。
金へのZ「の添加量を1原子%としたCo−、、Cr−
Zr合金の場合11500e、 Co−5Cr −+Z
r合金の場合12500eに達し、最高では従来Hcの
上限といわれていた13000eを越えて14000e
にまで上昇する。
また、Bs はZ「の添加量の増加につれて漸減し、C
o−5Cr合金の場合6原子%Co−、4Cr合金の場
合2原子%でそれぞれ9000Gaussとなる。
o−5Cr合金の場合6原子%Co−、4Cr合金の場
合2原子%でそれぞれ9000Gaussとなる。
以上の結果より、Co −Cr−Zr合金を磁性材料と
して用いると、耐食性に優れ、高保磁力で記録密度の高
い媒体が得られることになる。合金組成をCo −xc
r −y2r Cx 、 yはそれぞれ原子%を示す
〕と表した場合、5原子%≦X≦14原子%、1原子%
≦y<6原子%が好適であり、より好適には10原子%
≦X≦14原子%、2原子%≦y<4原子%である。
して用いると、耐食性に優れ、高保磁力で記録密度の高
い媒体が得られることになる。合金組成をCo −xc
r −y2r Cx 、 yはそれぞれ原子%を示す
〕と表した場合、5原子%≦X≦14原子%、1原子%
≦y<6原子%が好適であり、より好適には10原子%
≦X≦14原子%、2原子%≦y<4原子%である。
表面を鏡面仕上げ加工されたディスク状八1合金基板に
無電解めっき法でN1−P合金層を形成し、このN1−
P合金層表面を研磨して表面粗さをRaで20人とし、
さらにテクスチャ加工を施して所要の形状の基板とする
。この基板を超精密洗浄した後、インライン方式のスパ
ッタ成膜装置により基板表面に所要の各層を順次スパッ
タ法で成膜して媒体を作製した。すなわち、まず基板を
ホルダーにセットし、成膜装置の仕込室へ衆人し、5×
1O−6Torrまで高真空に排気する。設定した圧力
以下に到達後成膜室へ搬送し、所定温度1例えば150
℃の温度にまで加熱し、この温度を維持した状態で低速
圃送しながら、Cr、 Co−l2Cr−21r合金、
カーボンの順に圧力10mTorr のアルゴンガス露
囲気中でスパッタ法により成膜を行う。成膜完了後、取
出し室へ搬送し、大気を導入した後取り出して媒体を得
た。なお平行磁気記録媒体であるので、磁性層の膜厚は
0.04〜0.12μmである。
無電解めっき法でN1−P合金層を形成し、このN1−
P合金層表面を研磨して表面粗さをRaで20人とし、
さらにテクスチャ加工を施して所要の形状の基板とする
。この基板を超精密洗浄した後、インライン方式のスパ
ッタ成膜装置により基板表面に所要の各層を順次スパッ
タ法で成膜して媒体を作製した。すなわち、まず基板を
ホルダーにセットし、成膜装置の仕込室へ衆人し、5×
1O−6Torrまで高真空に排気する。設定した圧力
以下に到達後成膜室へ搬送し、所定温度1例えば150
℃の温度にまで加熱し、この温度を維持した状態で低速
圃送しながら、Cr、 Co−l2Cr−21r合金、
カーボンの順に圧力10mTorr のアルゴンガス露
囲気中でスパッタ法により成膜を行う。成膜完了後、取
出し室へ搬送し、大気を導入した後取り出して媒体を得
た。なお平行磁気記録媒体であるので、磁性層の膜厚は
0.04〜0.12μmである。
比較のために、磁性材料をCo zoN1合金、C0
−2ONl 、ocr合金、 Co 2ONl
t、scr合金に変え、その他は実施例と同様にして比
較例1,2.3の媒体を作製した。なお、このとき、基
板温度、 Cr膜厚を調整して実施例、比較例の各媒体
ともBrXδが400Gxμmと一定となるようにした
。
−2ONl 、ocr合金、 Co 2ONl
t、scr合金に変え、その他は実施例と同様にして比
較例1,2.3の媒体を作製した。なお、このとき、基
板温度、 Cr膜厚を調整して実施例、比較例の各媒体
ともBrXδが400Gxμmと一定となるようにした
。
これら実施例、比較例の媒体について、保磁力Hc、飽
和磁束密度Bs、記録密度り、。を測定した。
和磁束密度Bs、記録密度り、。を測定した。
その結果を第1表に示す。
第 1 表
第1表に見られるとおり、実施例の媒体は保磁力Hcが
14000eと比較例より高く、従って記録密度D s
oが1040 F P P Mと高く、優れた媒体で
あることが判る。
14000eと比較例より高く、従って記録密度D s
oが1040 F P P Mと高く、優れた媒体で
あることが判る。
〔発明の効果コ
この発明によれば、媒体の磁性材料としてC0Cr−Z
r合金を用いる。このような材料を用いることにより、
保磁力Hcが大きくて高記録密度を達成することができ
、かつ、耐食性の向上した平行磁気記録媒体を得ること
ができ、記ゴ、α容量が大きく、かつ、信・磁性の向上
した固定磁気ディスク装置を得ることが可能となる。
r合金を用いる。このような材料を用いることにより、
保磁力Hcが大きくて高記録密度を達成することができ
、かつ、耐食性の向上した平行磁気記録媒体を得ること
ができ、記ゴ、α容量が大きく、かつ、信・磁性の向上
した固定磁気ディスク装置を得ることが可能となる。
第1図はCo −Cr−Zr合金からなる磁性層を備え
た媒体において、Cr含有量をパラメータとしたときの
Zr含有+iと保磁力Hc、飽和磁束密度Bsとの関係
を示す線図、第2図はCo 2ONl合金からなる磁
性1を備えた媒体の保磁力Hcと記録密度D5゜との関
係を示す線図、第3図はCo−Cr合金からなる磁性1
・3を(11打えた媒体のCr含有量と保磁力Hc飽和
磁束密度Bsとの関係を示す線図である。 −Co−=sCr−xZ− Z「含有量×(原子2≦) 第1図 保磁力Hc (Oe) 第2図
た媒体において、Cr含有量をパラメータとしたときの
Zr含有+iと保磁力Hc、飽和磁束密度Bsとの関係
を示す線図、第2図はCo 2ONl合金からなる磁
性1を備えた媒体の保磁力Hcと記録密度D5゜との関
係を示す線図、第3図はCo−Cr合金からなる磁性1
・3を(11打えた媒体のCr含有量と保磁力Hc飽和
磁束密度Bsとの関係を示す線図である。 −Co−=sCr−xZ− Z「含有量×(原子2≦) 第1図 保磁力Hc (Oe) 第2図
Claims (1)
- 1)コバルト(Co)−クロム(Cr)−ジルコニウム
(Zr)合金からなる磁性層を備えたことを特徴とする
平行磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21345688A JPH0261820A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 平行磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21345688A JPH0261820A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 平行磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261820A true JPH0261820A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16639516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21345688A Pending JPH0261820A (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | 平行磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0261820A (ja) |
-
1988
- 1988-08-27 JP JP21345688A patent/JPH0261820A/ja active Pending
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