JPH0261888B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0261888B2 JPH0261888B2 JP670685A JP670685A JPH0261888B2 JP H0261888 B2 JPH0261888 B2 JP H0261888B2 JP 670685 A JP670685 A JP 670685A JP 670685 A JP670685 A JP 670685A JP H0261888 B2 JPH0261888 B2 JP H0261888B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- molded product
- magnetic flux
- density
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0013—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor using fillers dispersed in the moulding material, e.g. metal particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明は、磁場射出成形における消磁方法に関
するものである。
するものである。
(ロ) 従来の技術
磁場射出成形機を用いて異方性プラスチツクマ
グネツトを成形する際には、磁場発生コイルに所
定向きの直流電流を流して金型キヤビテイ内に磁
場を発生させた状態で磁性材料を混入した溶融樹
脂を金型キヤビテイ内に注入し、磁性材料を磁場
方向に配向させ、そのまま冷却固化させることに
より磁性材料を成形品中に配向させたまま固定す
る。次いで、消磁を行い、成形品を金型から取り
出す。消磁を行うのは、成形品が磁性を帯びたま
までは、金型に付着して取り出しが困難であり、
また成形品取り出し後の取扱いについても不便で
あるからである。成形品の消磁を行うために、従
来は磁場発生コイルに前述の着磁の場合に流した
直流電流の向きとは逆向きの直流電流を流して着
磁の場合とは逆向きの磁場を金型キヤビテイに発
生させ、成形品の磁性を減じるようにしていた。
グネツトを成形する際には、磁場発生コイルに所
定向きの直流電流を流して金型キヤビテイ内に磁
場を発生させた状態で磁性材料を混入した溶融樹
脂を金型キヤビテイ内に注入し、磁性材料を磁場
方向に配向させ、そのまま冷却固化させることに
より磁性材料を成形品中に配向させたまま固定す
る。次いで、消磁を行い、成形品を金型から取り
出す。消磁を行うのは、成形品が磁性を帯びたま
までは、金型に付着して取り出しが困難であり、
また成形品取り出し後の取扱いについても不便で
あるからである。成形品の消磁を行うために、従
来は磁場発生コイルに前述の着磁の場合に流した
直流電流の向きとは逆向きの直流電流を流して着
磁の場合とは逆向きの磁場を金型キヤビテイに発
生させ、成形品の磁性を減じるようにしていた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかし、上記のような従来の消磁方法には次の
ような問題点があつた。すなわち、金型の変更、
成形品の変更、磁性材料の変更などを行つた場合
には残留磁束密度が変化し、安定した消磁を行う
ことが困難であり、また金型や材料を変更しない
場合であつても成形条件や環境条件の微妙な変化
により成形品の着磁状態は各シヨツト毎に必ずし
も一定ではないので、消磁のために常に一定の逆
向きの磁場を作用させたのでは安定した消磁を行
うことができない。成形品が十分に消磁されない
場合には次のような不都合を生ずる。すなわち、
成形品取り出し時に成形品が金型に付着して取り
出し作業が困難となる。また、金型にも磁性が残
るため磁性材料が成形品の品質を低下させる異物
として金型に付着する。更に、取り出し後に成形
品を多極着磁する場合には、磁気が残つていると
多極着磁後の磁極間の磁気特性に差を生じ、多極
着磁が不完全なものとなる。成形品及びスプルー
ランナーを粉砕して再度成形に使用する場合に
は、粉砕した破片が粉砕機、成形機等に付着して
余分な清掃作業が必要となり、また破片同志がく
つついて大きな固まりとなり、スクリユーの食い
込みを阻害することもある。このため、成形品及
びスプルーランナーを金型から取り出したあと、
別の消磁機によつて再度消磁を行う必要があつ
た。本発明は、上記のような問題点を解決し、成
形品取り出し前に確実に消磁を行うことができる
消磁方法を得ることを目的としている。
ような問題点があつた。すなわち、金型の変更、
成形品の変更、磁性材料の変更などを行つた場合
には残留磁束密度が変化し、安定した消磁を行う
ことが困難であり、また金型や材料を変更しない
場合であつても成形条件や環境条件の微妙な変化
により成形品の着磁状態は各シヨツト毎に必ずし
も一定ではないので、消磁のために常に一定の逆
向きの磁場を作用させたのでは安定した消磁を行
うことができない。成形品が十分に消磁されない
場合には次のような不都合を生ずる。すなわち、
成形品取り出し時に成形品が金型に付着して取り
出し作業が困難となる。また、金型にも磁性が残
るため磁性材料が成形品の品質を低下させる異物
として金型に付着する。更に、取り出し後に成形
品を多極着磁する場合には、磁気が残つていると
多極着磁後の磁極間の磁気特性に差を生じ、多極
着磁が不完全なものとなる。成形品及びスプルー
ランナーを粉砕して再度成形に使用する場合に
は、粉砕した破片が粉砕機、成形機等に付着して
余分な清掃作業が必要となり、また破片同志がく
つついて大きな固まりとなり、スクリユーの食い
込みを阻害することもある。このため、成形品及
びスプルーランナーを金型から取り出したあと、
別の消磁機によつて再度消磁を行う必要があつ
た。本発明は、上記のような問題点を解決し、成
形品取り出し前に確実に消磁を行うことができる
消磁方法を得ることを目的としている。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は、成形品残留磁束密度が所定の許容値
範囲内になるまで繰り返し消磁方向の磁場を発生
させることにより上記問題点を解決する。すなわ
ち、本発明によると、まず磁場発生コイルの通電
を停止したときの成形品残留磁束の密度及び方向
を磁気回路に設けた磁気センサーによつて検出す
る。成形品残留磁束の密度が所定の許容値範囲外
の場合（すなわち、検出された成形品残留密度の
絶対値が許容値よりも大きい場合）には成形品残
留磁束の密度及び方向に応じて制御装置によつて
演算された指令信号により電源装置を作動させ磁
場発生コイルに所定の電流を供給して成形品残留
磁束の密度を小さくする方向の所定の大きさの磁
場を発生させる。次いで再び磁場発生コイルを非
通電状態として成形品残留磁束の密度及び方向を
磁気センサーによつて検出し、検出される成形品
残留磁束の密度が所定の許容値範囲内になるまで
上記動作を自動的に繰り返す。
範囲内になるまで繰り返し消磁方向の磁場を発生
させることにより上記問題点を解決する。すなわ
ち、本発明によると、まず磁場発生コイルの通電
を停止したときの成形品残留磁束の密度及び方向
を磁気回路に設けた磁気センサーによつて検出す
る。成形品残留磁束の密度が所定の許容値範囲外
の場合（すなわち、検出された成形品残留密度の
絶対値が許容値よりも大きい場合）には成形品残
留磁束の密度及び方向に応じて制御装置によつて
演算された指令信号により電源装置を作動させ磁
場発生コイルに所定の電流を供給して成形品残留
磁束の密度を小さくする方向の所定の大きさの磁
場を発生させる。次いで再び磁場発生コイルを非
通電状態として成形品残留磁束の密度及び方向を
磁気センサーによつて検出し、検出される成形品
残留磁束の密度が所定の許容値範囲内になるまで
上記動作を自動的に繰り返す。
(ホ) 作用
金型キヤビテイに磁場を発生させた状態で射出
装置から磁性材料を混入した溶融樹脂が注入さ
れ、着磁が行われる。着磁終了後、磁気センサー
によつて成形品残留磁束の密度及び方向が検出さ
れ、磁束密度の検出値が制御装置にあらかじめ設
定した所定の許容値範囲内であるかどうかの判断
が行われ、検出値が許容値範囲外の場合には制御
装置は電源装置に信号を与えて磁場発生コイルに
電流を供給させる。磁場発生コイルに供給させる
電流は、成形品残留磁束密度を小さくする方向の
磁場を発生させる向きに供給される。また、発生
する磁場の大きさ及びその作用時間は磁気センサ
ーの検出値の大きさに応じて制御装置によつて決
定される。こうして、成形品残留磁束密度を小さ
くする方向の磁場を発生させた後、再び磁場発生
コイルへの電流の供給を停止し、成形品残留磁束
の密度及び方向を磁気センサーによつて検出す
る。この検出値が前述の許容値範囲内の場合には
消磁を完了するが、検出値が許容値範囲外の場合
には再び同様の動作により、磁場発生コイルに電
源装置から電流が供給され、成形品残留磁束密度
を小さくする方向の磁場が発生させられる。以
下、同様の動作を繰り返すことにより、成形品残
留磁束密度は次第に減少し、最終的には許容値範
囲内まで小さくなる。上記動作は自動的かつ連続
的に行われ、しかも成形品残留磁束密度を小さく
する方向の磁場の大きさは制御装置によつて適切
となるように設定されるので、消磁のために必要
とする時間は比較的短くて済む。冷却工程の終了
後（なお、消磁工程が冷却工程よりも長い時間を
必要とする場合には、消磁工程の終了後）、型開
きが行われ成形品の取り出しが行われる。成形品
は十分に消磁されているので、取り出し作業は容
易であり、また取り出し後消磁を行う必要はな
い。
装置から磁性材料を混入した溶融樹脂が注入さ
れ、着磁が行われる。着磁終了後、磁気センサー
によつて成形品残留磁束の密度及び方向が検出さ
れ、磁束密度の検出値が制御装置にあらかじめ設
定した所定の許容値範囲内であるかどうかの判断
が行われ、検出値が許容値範囲外の場合には制御
装置は電源装置に信号を与えて磁場発生コイルに
電流を供給させる。磁場発生コイルに供給させる
電流は、成形品残留磁束密度を小さくする方向の
磁場を発生させる向きに供給される。また、発生
する磁場の大きさ及びその作用時間は磁気センサ
ーの検出値の大きさに応じて制御装置によつて決
定される。こうして、成形品残留磁束密度を小さ
くする方向の磁場を発生させた後、再び磁場発生
コイルへの電流の供給を停止し、成形品残留磁束
の密度及び方向を磁気センサーによつて検出す
る。この検出値が前述の許容値範囲内の場合には
消磁を完了するが、検出値が許容値範囲外の場合
には再び同様の動作により、磁場発生コイルに電
源装置から電流が供給され、成形品残留磁束密度
を小さくする方向の磁場が発生させられる。以
下、同様の動作を繰り返すことにより、成形品残
留磁束密度は次第に減少し、最終的には許容値範
囲内まで小さくなる。上記動作は自動的かつ連続
的に行われ、しかも成形品残留磁束密度を小さく
する方向の磁場の大きさは制御装置によつて適切
となるように設定されるので、消磁のために必要
とする時間は比較的短くて済む。冷却工程の終了
後（なお、消磁工程が冷却工程よりも長い時間を
必要とする場合には、消磁工程の終了後）、型開
きが行われ成形品の取り出しが行われる。成形品
は十分に消磁されているので、取り出し作業は容
易であり、また取り出し後消磁を行う必要はな
い。
(ヘ) 実施例
第３図に磁場射出成形機を示す。固定盤１０に
磁場発生コイル１２及び固定型１４が取り付けら
れており、可動盤１６に磁場発生コイル１８及び
可動型２０が取り付けられている。固定型１４及
び可動型２０（以下、両者を合せて呼称する場合
には金型１４及び２０とする）の合せ面にキヤビ
テイ２２が形成される。可動盤１６はシリンダ２
４によつて水平方向に移動可能である。また、固
定盤１０側にはキヤビテイ２２内に溶融樹脂を注
入可能な射出装置２６が配置されている。磁場発
生コイル１２及び１８には電源装置２８から後述
のように所定の電流が供給可能である。可動型２
０内に磁気センサー３０が設けられており、磁気
センサー３０からの信号は、マイクロコンピュー
タにより構成される制御装置３２に入力される。
制御装置３２は、後述のように、電源装置２８の
作動を制御する。
磁場発生コイル１２及び固定型１４が取り付けら
れており、可動盤１６に磁場発生コイル１８及び
可動型２０が取り付けられている。固定型１４及
び可動型２０（以下、両者を合せて呼称する場合
には金型１４及び２０とする）の合せ面にキヤビ
テイ２２が形成される。可動盤１６はシリンダ２
４によつて水平方向に移動可能である。また、固
定盤１０側にはキヤビテイ２２内に溶融樹脂を注
入可能な射出装置２６が配置されている。磁場発
生コイル１２及び１８には電源装置２８から後述
のように所定の電流が供給可能である。可動型２
０内に磁気センサー３０が設けられており、磁気
センサー３０からの信号は、マイクロコンピュー
タにより構成される制御装置３２に入力される。
制御装置３２は、後述のように、電源装置２８の
作動を制御する。
この磁場射出成形機による成形、着磁、消磁等
の動作を第１及び第２図に基づいて説明する。ま
ず、シリンダ２４によつて固定型１４と可動型２
０とを締め付け、次いで電源装置２８から磁場発
生コイル１２及び１８に直流電流を流し、金型１
４及び２０のキヤビテイ２２に強力な磁場を発生
させる。磁場が安定した後（すなわち、型閉じ工
程完了時から計時を開始するタイマーT1が計時
完了した後）、キャビテイ２２内に射出装帯２６
から磁性材料を混入した溶融樹脂を注入する。キ
ヤビテイ２２内に注入された磁性材料は磁場方
向、すなわち磁束線に平行な方向に配向させられ
る。この際の磁化曲線は第２図のｏ→ａ曲線によ
つて示される。ａ点で飽和磁束密度B1となる。
磁性材料が十分に配向した後（すなわち、磁場発
生コイル１２及び１８への通電開始時から計時を
開始するタイマーT2が計時完了した後）、磁場発
生コイル１２及び１８への通電を停止し、キヤビ
テイ２２内の溶融樹脂を冷却・固化させる。この
際、磁化曲線はａ→ｂ曲線で示されるものとな
り、成形品はB2の大きさの残留磁束密度を有す
ることになる。磁場発生コイル１２及び１８への
通電を停止してから所定の休止時間後（すなわ
ち、通電停止時から計時を開始するタイマーT3
の計時完了後）に磁場発生コイル１２及び１８に
成形品残留磁束密度を小さくする向きの磁場を発
生させるよう電流が供給される。すなわち、発生
磁場は着磁の際の発生磁場H1とは向きが逆であ
り、磁場の大きさはH2である。この発生磁場の
大さきH2は制御装置３２からの信号によつて決
定される。制御装置３２は、着磁後の磁気センサ
ー３０の検出値、すなわち残留磁束の密度B2及
びその方向に基づいて発生磁場H2の大きさ及び
方向を演算して指令する。すなわち、発生磁場
H2の方向は残留磁束密度B2を小さくする方向で
あり、また発生磁場H2は残留磁束密度B2の値が
大きいほど大きくなるように設定する。また制御
装置３２は発生磁場H2の作用時間長さも指令す
る。これにより磁化曲線はｂ点からｃ点へ変化
し、次いで磁場発生コイル１２及び１８への通電
を停止することにより、例えばｃ点からｄ点へ変
化する。ｄ点における残留磁束密度は再び磁気セ
ンサー３０によつて検出され、その値は例えば
B3である。このB3の値が目標とする許容値範囲
内に入れば（すなわち、B3の絶対値が許容値Bx
よりも小さければ）、これで消磁が完了するが、
この例のようにB3が許容値Bxよりも大きい場合
には制御装置３２は再び電源装置２８へ信号を与
えて、磁場発生コイル１２及び１８に電流を供給
させる。この際の、電流の方向及び大きさもｄ点
における残留磁束密度B3の方向及び大きさに応
じて決定される。すなわち、前述の場合と同様
に、残留磁束密度B3を小さくする方向の磁場で
あり、また残留磁束密度B3の大きさに応じた発
生磁場H3である。これにより、磁化曲線はｄ点
からｅ点へ変化し、次いでｆ点に達する。ｆ点に
おける残留磁束密度B4が再度磁気センサー３０
によつて検出され、以下同様に磁化曲線はｆ→ｇ
→ｈと変化し、ｈ点における残留磁束密度B5の
大きさに応じて再び磁場発生コイル１２及び１８
へ通電され、磁化曲線はｈ→ｉ→ｊと変化する。
ｊ点における残留磁束密度は目標とする許容値範
囲内（−Bx〜Bx）にあるので、これにより消磁
工程が完了する。消磁工程は冷却工程開始持に計
時を開始するタイマーT4が計時完了するまでに
完了する。タイマーT4が計時完了後型開きし成
形品の取り出しを行うが、消磁工程の時間がタイ
マーT4の計時時間よりも長い場合には消磁工程
の終了後型開きし成形品の取り出しが行われる。
なお、第１及び２図に示した例では、消磁のため
に４回の通電が行われ、消磁のための発生磁場の
方向は４回とも同じであるが、場合によつては第
４及び５図に示すように、消磁のための発生磁場
が大きすぎた場合にはこれと逆向きの磁場を発生
させることになる（この例ではH3及びH4が着磁
のための磁場H1と同方向になつており、消磁の
ために５回の通電を繰り返している）。なお、磁
気センサー３０は可動型２０に設けたが、磁気回
路内であればこれ以外の場所であつても差し支え
ない。
の動作を第１及び第２図に基づいて説明する。ま
ず、シリンダ２４によつて固定型１４と可動型２
０とを締め付け、次いで電源装置２８から磁場発
生コイル１２及び１８に直流電流を流し、金型１
４及び２０のキヤビテイ２２に強力な磁場を発生
させる。磁場が安定した後（すなわち、型閉じ工
程完了時から計時を開始するタイマーT1が計時
完了した後）、キャビテイ２２内に射出装帯２６
から磁性材料を混入した溶融樹脂を注入する。キ
ヤビテイ２２内に注入された磁性材料は磁場方
向、すなわち磁束線に平行な方向に配向させられ
る。この際の磁化曲線は第２図のｏ→ａ曲線によ
つて示される。ａ点で飽和磁束密度B1となる。
磁性材料が十分に配向した後（すなわち、磁場発
生コイル１２及び１８への通電開始時から計時を
開始するタイマーT2が計時完了した後）、磁場発
生コイル１２及び１８への通電を停止し、キヤビ
テイ２２内の溶融樹脂を冷却・固化させる。この
際、磁化曲線はａ→ｂ曲線で示されるものとな
り、成形品はB2の大きさの残留磁束密度を有す
ることになる。磁場発生コイル１２及び１８への
通電を停止してから所定の休止時間後（すなわ
ち、通電停止時から計時を開始するタイマーT3
の計時完了後）に磁場発生コイル１２及び１８に
成形品残留磁束密度を小さくする向きの磁場を発
生させるよう電流が供給される。すなわち、発生
磁場は着磁の際の発生磁場H1とは向きが逆であ
り、磁場の大きさはH2である。この発生磁場の
大さきH2は制御装置３２からの信号によつて決
定される。制御装置３２は、着磁後の磁気センサ
ー３０の検出値、すなわち残留磁束の密度B2及
びその方向に基づいて発生磁場H2の大きさ及び
方向を演算して指令する。すなわち、発生磁場
H2の方向は残留磁束密度B2を小さくする方向で
あり、また発生磁場H2は残留磁束密度B2の値が
大きいほど大きくなるように設定する。また制御
装置３２は発生磁場H2の作用時間長さも指令す
る。これにより磁化曲線はｂ点からｃ点へ変化
し、次いで磁場発生コイル１２及び１８への通電
を停止することにより、例えばｃ点からｄ点へ変
化する。ｄ点における残留磁束密度は再び磁気セ
ンサー３０によつて検出され、その値は例えば
B3である。このB3の値が目標とする許容値範囲
内に入れば（すなわち、B3の絶対値が許容値Bx
よりも小さければ）、これで消磁が完了するが、
この例のようにB3が許容値Bxよりも大きい場合
には制御装置３２は再び電源装置２８へ信号を与
えて、磁場発生コイル１２及び１８に電流を供給
させる。この際の、電流の方向及び大きさもｄ点
における残留磁束密度B3の方向及び大きさに応
じて決定される。すなわち、前述の場合と同様
に、残留磁束密度B3を小さくする方向の磁場で
あり、また残留磁束密度B3の大きさに応じた発
生磁場H3である。これにより、磁化曲線はｄ点
からｅ点へ変化し、次いでｆ点に達する。ｆ点に
おける残留磁束密度B4が再度磁気センサー３０
によつて検出され、以下同様に磁化曲線はｆ→ｇ
→ｈと変化し、ｈ点における残留磁束密度B5の
大きさに応じて再び磁場発生コイル１２及び１８
へ通電され、磁化曲線はｈ→ｉ→ｊと変化する。
ｊ点における残留磁束密度は目標とする許容値範
囲内（−Bx〜Bx）にあるので、これにより消磁
工程が完了する。消磁工程は冷却工程開始持に計
時を開始するタイマーT4が計時完了するまでに
完了する。タイマーT4が計時完了後型開きし成
形品の取り出しを行うが、消磁工程の時間がタイ
マーT4の計時時間よりも長い場合には消磁工程
の終了後型開きし成形品の取り出しが行われる。
なお、第１及び２図に示した例では、消磁のため
に４回の通電が行われ、消磁のための発生磁場の
方向は４回とも同じであるが、場合によつては第
４及び５図に示すように、消磁のための発生磁場
が大きすぎた場合にはこれと逆向きの磁場を発生
させることになる（この例ではH3及びH4が着磁
のための磁場H1と同方向になつており、消磁の
ために５回の通電を繰り返している）。なお、磁
気センサー３０は可動型２０に設けたが、磁気回
路内であればこれ以外の場所であつても差し支え
ない。
(ト) 発明の効果
以上説明してきたように、本発明によると、成
形品残留磁束密度が所定の許容値範囲内になるま
で繰り返し消磁方向の磁場を自動的に発生させる
ようにしたので、成形品を十分に消磁することが
でき、成形品の取り出しが容易となり、また成形
品取り出し後に別の消磁機によつて消磁する作業
が不要となり、従来の問題点を解決することがで
きる。
形品残留磁束密度が所定の許容値範囲内になるま
で繰り返し消磁方向の磁場を自動的に発生させる
ようにしたので、成形品を十分に消磁することが
でき、成形品の取り出しが容易となり、また成形
品取り出し後に別の消磁機によつて消磁する作業
が不要となり、従来の問題点を解決することがで
きる。
第１図は磁場射出成形の各工程及び発生磁場を
示す図、第２図は第１図に示す発生磁場によつて
成形品が磁化する磁化曲線を示す図、第３図は磁
場射出成形機を示す図、第４図は別の発生磁場を
示す図、第５図は第４図に示す発生磁場によつて
成形品が磁化する磁化曲線を示す図である。 １０……固定盤、１２，１８……磁場発生コイ
ル、１４……固定型、１６……可動盤、２０……
可動型、２２……キユビテイ、２４……シリン
ダ、２６……射出装置、２８……電源装置、３０
……磁気センサー、３２……制御装置。
示す図、第２図は第１図に示す発生磁場によつて
成形品が磁化する磁化曲線を示す図、第３図は磁
場射出成形機を示す図、第４図は別の発生磁場を
示す図、第５図は第４図に示す発生磁場によつて
成形品が磁化する磁化曲線を示す図である。 １０……固定盤、１２，１８……磁場発生コイ
ル、１４……固定型、１６……可動盤、２０……
可動型、２２……キユビテイ、２４……シリン
ダ、２６……射出装置、２８……電源装置、３０
……磁気センサー、３２……制御装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁場射出成形機によつて成形されたプラスチ
ツクマグネツト成形品を金型から取り出す前に消
磁する磁場射出成形における消磁方法において、 磁場発生コイルの通電を停止したあと成形品残
留磁束の密度及び方向を磁気回路に設けた磁気セ
ンサーによつて検出し、成形品残留磁束の密度が
所定の許容値範囲外の場合には成形品残留磁束の
密度及び方向に応じて制御装置によつて指令され
る信号により電源装置を作動させ磁場発生コイル
に所定の電流を供給して成形品残留磁束の密度を
小さくする方向の所定の大きさの磁場を発生さ
せ、次いで再び磁場発生コイルを非通電状態とし
て成形品残留磁束の密度及び方向を磁気センサー
によつて検出し、検出される成形品残留磁束の密
度が所定の許容値範囲内になるまで上記動作を自
動的に繰り返すことを特徴とする磁場射出成形に
おける消磁方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP670685A JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP670685A JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167511A JPS61167511A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0261888B2 true JPH0261888B2 (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=11645745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP670685A Granted JPS61167511A (ja) | 1985-01-19 | 1985-01-19 | 磁場射出成形における消磁方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61167511A (ja) |
-
1985
- 1985-01-19 JP JP670685A patent/JPS61167511A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61167511A (ja) | 1986-07-29 |
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