JPH026206B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、電極層を有する電子部品とその製造
法に関するものである。さらに詳しくは、セラミ
ツクス製基板とその基板上に設けられた電極層か
らなる電子部品と、その製造法に関するものであ
る。 従来より、基板とその基板上に設けられた電極
層からなる単位構造を持つ電子部品として、各種
のものが知られている。そのような電子部品の例
としては、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、
バリスタ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、
そしてプリント配線用導電パターンなどを挙げる
ことができる。 これらの電子部品の電極層の導電性材料として
最も一般的に用いられているのは、銀、金、パラ
ジウム、白金などの貴金属あるいはそれらの合金
である。これらの貴金属は導電性が高く、電極用
の材料として優れたものであるが、非常に高価で
あるため、電子部品の製造コストの低減に対して
大きな障害となつている。 この理由から、電極用の材料として貴金属の代
わりに安価な卑金属を用いることからなる対策、
あるいは、微粒子状の卑金属を貴金属で被覆して
得た貴金属被覆粉末からなる導電性塗料（ペース
ト）を用いることにより貴金属の使用量を低減さ
せることからなる対策などが検討されている。 電極用の材料として貴金属の代わりに銅、ニツ
ケルなどの卑金属を用いる前者の対策は、たとえ
ば、セラミツクコンデンサ、IC基板などの製造
において実用化されている。しかしながら、これ
らの卑金属を用いる場合には、その基板への焼き
付け作業は、酸化防止のため窒素雰囲気中で実施
する必要があり、このため、その実施のために
は、雰囲気を制御した特殊な焼成炉が必要となる
との問題がある。 さらに、最近急速に普及しつつある積層コンデ
ンサ、また同様な方法により製造される積層バリ
スタ、積層コイル、多層ICパツケージなどの製
造にあたつては、それぞれコンデンサ用基板、バ
リスタ用基板などと電極用の材料とを高温下で同
時焼成する方法がとられるため、電極用材料が高
温条件でも安定であることが要求される。一般に
卑金属は、高温下では、特殊な雰囲気中に置かな
い限り、不安定であり、従つてこのような電極用
材料と基板との同期焼成工程をその製造工程に含
む電子部品を製造するための電極用材料（導電性
金属材料）としては、一般には従来どうり高価な
白金、パラジウム、銀、これらの合金などの貴金
属が用いられている。 さらに、貴金属の粉末を用いた時にも同様であ
るが、卑金属の粉末を導電性材料の形態でセラミ
ツクス製の基板に塗布して同時焼成を行なつた時
に、その金属とセラミツクスとの間の膨張収縮曲
線の違い、あるいはそれらの焼結開始温度の違い
などに起因する各種の構造的欠陥が発生して、生
成する電極の電気的特性、機械的強度を低下させ
ることも多いとの問題がある。 一方、前述のように微粒子状の卑金属を貴金属
で被覆して得た貴金属被覆粉末からなる導電性材
料を、貴金属の代わりに用いることにより貴金属
の使用量を低減させることからなる対策も検討さ
れ、公表されている。しかし、従来知られている
粉末の被覆方法である化学メツキ法などのような
方法では、形成される貴金属被覆層に、核部分と
なる卑金属の成分が一部分混入するとの問題があ
る。このため、そのような被覆粒子粉末を用いた
導電性塗料を基板の表面に焼成して製造した電極
層は、使用した貴金属の持つ導電性に比べて低下
した導電性を示すことになり、電子部品に用いる
電極としては実用上利用することができない。 本発明は、電極用材料として用いる導電性金属
材料の電気的特性を低下させることなく、導電性
金属材料の使用量の低減が可能な電極層を有する
電子部品を提供することを主な目的とする。 本発明はさらに、電極用材料として用いる導電
性金属材料の電気的特性を低下させることなく、
その機械的特性および耐はんだ性を向上させた電
極層を有する電子部品を提供することもまた、そ
の目的とするものである。 本発明はさらに、上記のような特性を持つた電
極層を有する電子部品の製造法を提供することも
また、その目的とするものである。 本発明の、その他の目的、および特徴について
は、本明細書の以下の記載より明らかにされる。 以上に述べたような本発明の目的は、次に述べ
る本発明により達成することができる。 本発明は第一に、セラミツクス製基板とその基
板上に設けられた電極層からなる電子部品であつ
て、電極層の実質的に内部のみに平均粒子径が５
ミクロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末が分
散状態で存在していて、かつ、セラミツクス粉末
の重量の合計が電極層の重量に対して90−10％の
範囲にあることを特徴とする電極層を有する電子
部品を提供するものである。 本発明はまた、導電性金属材料で、平均粒子径
が５ミクロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末
からなる導電性塗料をセラミツクス製基板もしく
は未焼成のセラミツクス製基板に焼き付けること
を特徴とする電極層を有する電子部品の製造法を
提供するものである。 次に本発明を詳しく説明する。 本発明が提供する電極層を有する電子部品は、
セラミツクス製基板とその基板上に設けられた電
極層からなることを、その基本構成としている。 セラミツクス製基板は、たとえば、二酸化ケイ
素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、二酸
化チタン、酸化第二鉄、酸化カルシウム、チタン
酸バリウムなどのような酸化物系セラミツクスを
主成分とするか、あるいは、炭化タングステン、
炭化ケイ素、窒化チタンなどのような非酸化物系
セラミツクスを主成分として形成された基板であ
る。これらのセラミツクス基板の主なものは、既
に、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、バリス
タ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、プリ
ント配線用導電パターンなどの電子部品そして積
層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多層
ICパツケージなどの電子部品の基板として使用
されているか、あるいはその利用が試みられてい
る。 セラミツクス製基板に設けられる電極層は、そ
の実質的に内部のみに微粒子状のセラミツクス粉
末が分散状態で存在し、電極層の表面には、セラ
ミツクス粉末および／またはセラミツクス成分が
実質的に存在していないことを特徴とする電極層
である。ここで、電極層の表面には、セラミツク
ス粉末および／またはセラミツクス成分が実質的
に存在していないとは、電極層の表面に、その電
極層の電気的特性を明らかに変化させるなどの量
のセラミツクス粉末および／またはセラミツクス
成分が露出もしくは存在していないことを意味す
るものである。 そのような電極層は、セラミツクス粉末成分に
よる汚染が実質的にない導電性金属材料からなる
被覆層により被覆された微粒子状のセラミツクス
粉末、すなわち高純度金属被覆粉末、をセラミツ
クス基板に焼き付けることにより製造することが
できる。 このような高純度金属被覆粉末は、従来より知
られている化学メツキ法などの被覆方法により製
造することは非常に困難であり、一方、次に述べ
るようなゲル化状態を経由する被覆層形成用反応
を利用することにより容易に製造することができ
る。 ゲル化状態を経由する被覆層形成用反応を利用
する代表的な方法としては、次の方法を挙げるこ
とができる。 (A) 均一に分散した状態で存在する微粒子状のセ
ラミツクス粉末、 (B) 均一に分散した状態で存在する被覆層を形成
する導電性金属の塩、そして (C) 溶解状態で存在する被覆層を形成する導電性
金属のイオン、 を含む水系懸濁液にヒドラジンなどの還元剤をか
くはん下に加えることにより微粒子状のセラミツ
クス粉末の表面に導電性金属の被覆層を形成させ
たのち、それを回収、乾燥させる方法。 あるいは、同様にゲル化状態を経由する被覆層
形成用反応を利用する他の方法としては、次に方
法を挙げることができる。 導電性金属イオンと過飽和量の導電性金属キレ
ート化合物とを含む水系ゲル化液、それらの導電
性金属イオンと導電性金属キレート化合物の双方
を還元して導電性金属単体とするに充分な量の過
酸化水素、微粒子状のセラミツクス粉末を均一に
分散した状態で含む水系分散液、そしてアルカリ
化剤、を混合することにより水系ゲル化液のゲル
状態を解消させると同時に、微粒子状のセラミツ
クス粉末の表面に導電性金属単体を析出させて導
電性金属の被覆膜を形成したのち、それを回収、
乾燥させる方法。 また、同様にゲル化状態を経由する被覆層形成
用反応を利用する他の方法としては、次の方法を
も挙げることができる。 導電性金属化合物、非金属性のアンモニウム塩
（塩化アンモニウムなど）およびアンモニア水を
含むPH５−10のゲル状水性溶液に、微粒子状のセ
ラミツクス粉末が均一に分散されている分散液に
還元剤をかくはん下に加えることにより水系ゲル
化液のゲル状態を解消させると同時に、微粒子状
のセラミツクス粉末の表面に導電性金属単体を析
出させて導電性金属の被覆層を形成したのち、そ
れを回収、乾燥させる方法。 以上述べたような高純度金属被覆粉末の製造法
は、本発明に先立つて本発明者が発明した方法で
あり、これらの製造法のさらに詳細な点について
は、本発明者の出願である特願昭55−51516号、
同55−116482号、同56−133314号、同56−133315
号の特許出願明細書に開示されている。 本発明において導電性金属材料として用いる金
属の例としては、白金、金、銀、パラジウムなど
のような貴金属、あるいは、モリブデン、ニツケ
ル、コバルト、鉄、銅、亜鉛、錫、アンチモン、
タングステン、マンガン、チタン、バナジウム、
クロムなどのような空気中でほぼ安定に存在でき
る卑金属を挙げることができる。これらの金属は
単独でも、あるいは合金の状態でも使用すること
ができる。 本発明において用いる微粒子状のセラミツクス
粉末の例としては、二酸化ケイ素、酸化ジルコニ
ウム、酸化アルミニウム、、二酸化チタン、酸化
第二鉄、酸化カルシウム、チタン酸バリウムなど
のような酸化物系セラミツクス、あるいは、炭化
タングステン、炭化ケイ素、窒化チタンなどのよ
うな少なくとも二種以上の原子を含む非酸化物系
セラミツクスからなる平均粒径が５ミクロン以下
の粉末を挙げることができる。ただし、得られる
電極層の電気的特性そして機械的強度を特に優れ
たレベルにするためには、平均粒径が、特に１ミ
クロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末を用い
ることが好ましい場合もある。 そのような特に平均粒径の小さい粉末の均一か
つ高純度な被覆は、従来の化学メツキ法などの被
覆方法では、実際に不可能であつたが、前記のゲ
ル化状態を経由する被覆方法を利用することによ
り均一で高純度の被覆層を形成することが可能と
なる。 本発明の電子部品において電極層の内部に分散
状態で存在する微粒子状のセラミツクス粉末の重
量の合計は、電極層の重量に対して90−10％（好
ましくは、75−25％）の範囲にあることが必要で
ある。電極層の内部の微粒子状のセラミツクス粉
末の存在量が上記の範囲にある場合には、電気的
特性、機械的特性そして耐はんだ性などの電極層
として必要な各種の特性が特に高いレベルで安定
して現われる電極層が得られる。 電極層の内部の微粒子状のセラミツクス粉末の
存在量が上記の範囲にあるような電極層を製造す
る方法としては、前記の純度の高い導電性金属材
料からなる被覆層により被覆された微粒子状のセ
ラミツクス粉末、すなわち高純度金属被覆粉末の
核部分を形成しているセラミツクス粉末と、同じ
く被覆層を形成している高純度金属の重量比を
90：10−10：90、特に好ましくは75：25−25：
75、の範囲内となるように調整する方法がある。
この重量比の調整は、前記のゲル化状態を経由す
る被覆粉末の製造法の実施にあたつて、反応系に
存在させる各成分の重量比を調整することにより
容易に実現する。 以上のような方法により製造した高純度金属被
覆粉末を導電性塗料の形態でセラミツクス性基板
に焼き付けることにより電極層を有する電子部品
を製造することができる。 導電性塗料の調製は、従来の導電性金属単体を
用いた導電性塗料の調製法に準じた方法により行
なうことができる。すなわち、高純度被覆粉末に
適当な添加剤、溶剤などを添加して導電性塗料の
形態に調製する。 セラミツクス製基板への電極の形成は、たとえ
ばスクリーン印刷などの方法でセラミツクス製基
板に導電性塗料を塗布したのち、焼成炉内で焼成
するなどの方法により実施することができる。焼
成方法、焼成条件などについては、被覆層を形成
している金属と同じ金属からなる導電性塗料を焼
成する場合の方法、条件に準じて決めることがで
きる。 本発明においては、セラミツクス製基板のセラ
ミツクス材料と、電極層の内部に存在する微粒子
状のセラミツクス粉末のセラミツクス材料とを同
一のものとすることが有利である。すなわち、導
電性塗料を基板に焼き付ける従来の方法では、導
電性塗料の金属と基板の材料との膨張係数が異つ
ているため、焼成にあたつては、あらかじめ、焼
成した基板に導電性塗料を塗布し、ついで焼成す
る方法をとるのが一般的であつた。しかし、本発
明においては、セラミツクス製基板のセラミツク
ス材料の主成分と、電極層の内部に存在する微粒
子状のセラミツクス粉末のセラミツクス材料とを
同一もしくは同種（たとえば、双方を酸化物セラ
ミツクスとするなど）のものに選択することがで
きるため、そのような材料の選択を行なつた場合
には、未焼成のセラミツクス製基板に直接的に導
電性塗料を塗布して、そのまま焼成を行なう操
作、すなわち同時焼成、が可能となる。 本発明は、前述のように、その基本構成はセラ
ミツクス製基板とその基板上に設けられた電極層
からなる電子部品であるが、それが電子部品とし
て機能するために必要な各種の態様があることは
当然であり、本発明は、それらの各種の態様も含
むものである。すなわち、セラミツクス製基板と
その基板上に設けられた電極層からなる電子部品
に引き出し線が備えられた形態の電子部品、それ
らの電子部品が積層された形態の電子部品、その
積層が渦巻き状の形態をとる電子部品など様々な
形態をとることができる。具体的な製品の例とし
ては、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、バリ
スタ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、プ
リント配線用導電パターンなどの電子部品そして
積層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多
層ICパツケージ、BLセラミツクコンデンサなど
を挙げることができる。 上記のような電子部品を本発明の電子部品から
形成することにより、電極用材料として用いる導
電性金属材料の電気的特性を低下させることなく
導電性金属材料の使用量の低減が可能となるのみ
でなく、その機械的特性および耐はんだ性などの
各種の特性も向上させることができる。 たとえば、電子部品の機械的強度に大きな影響
を与える構造的特性のなかでデラミネーシヨン
（層間剥離）と呼ばれる現象がある。このデラミ
ネーシヨンは、同時焼成法により電子部品を製造
した場合に、用いた導電性材料とセラミツクス製
基板との間の膨張収縮曲線の違い、あるいはそれ
らの焼結開始温度の違い、導電性材料、結合剤、
溶剤、セラミツクス製基板、などの間の反応によ
り発生する発火現象、電極材料の酸化、還元によ
る電極の体積変化など、が原因となつて電極層と
基板との間に薄い裂け目が発生する現象である。
このデラミネーシヨンが発生した場合には、電子
部品の特性、特に機械的強度が大きく低下するこ
とが知られている。本発明の電子部品では、この
デラミネーシヨンが殆ど発生せず、このため、本
発明の電子部品は特に高い機械的強度を示す。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １ () 銀被覆チタン酸バリウム粉末の製造 硝酸銀10ｇを50mlの水に溶解した水溶液と、
エチレンジアミンテトラ酢酸（EDTA）の二
ナトリウム塩15ｇを200mlの水に溶解した水溶
液とをかくはん下に混合するとゲル化液が得ら
れる。このゲル状態の粘度を低下させるために
更に50mlの水を加える。このゲル化液に過酸化
水素水溶液（30％水溶液）100mlを加える。 別にチタン酸バリウム粉末（平均粒径：
1.5μm）６ｇを水150mlに加えて均一に分散さ
せた分散液を調製し、この分散液をゲル化液
（過酸化水素が加えられているもの）に加え、
充分にかくはんする。得られたゲル化液を激し
くかくはんしながら、これに水酸化ナトリウム
水溶液（NaOH5ｇ／25ml水）100mlを加える
とゲル状態は解消し、チタン酸バリウム粉末の
表面上に銀が析出する。この系に更に150mlの
過酸化水素水溶液（30％水溶液）を加えて反応
を完結させる。 得られた銀被覆チタン酸バリウム粉末はろ
過、水洗そして乾燥を行なうことにより取り出
す。乾燥後は、薄い灰色を示し、収量は11.7ｇ
（理論収量12ｇ）で、粉末中のチタン酸バリウ
ム／銀重量比は50／50である。 () セラミツク・コンデンサ電極 上記の（）により得られた銀被覆チタン酸
バリウム粉末を含む次の組成を持つ混合物を調
製した。 銀被覆チタン酸バリウム粉末 10 ｇ ホウケイ酸鉛ガラスフリツト 0.2ｇ エチルセルロース 1.0ｇ エチルセロソルブ 2.5ｇ ブチルカルビトール 2.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料をスクリーン印刷にて、
焼結されたチタン酸バリウム質セラミツク・コ
ンデンサ（直径13.0mm、厚さ0.5mm）用素子
（基板）の両面に印刷し、800℃にて焼成を行な
つた。 この焼成物（銀被覆粉末電極）について電気
的特性、機械的特性、そして耐はんだ特性を測
定した結果を第１表に示す。 また比較のために、銀被覆粉末の代りに、銀
被覆粉末と同量の銀単体粉末を用い、同様に焼
成して製造した銀電極についても同様な測定を
行なつた。その結果もあわせて第１表に示す。
法に関するものである。さらに詳しくは、セラミ
ツクス製基板とその基板上に設けられた電極層か
らなる電子部品と、その製造法に関するものであ
る。 従来より、基板とその基板上に設けられた電極
層からなる単位構造を持つ電子部品として、各種
のものが知られている。そのような電子部品の例
としては、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、
バリスタ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、
そしてプリント配線用導電パターンなどを挙げる
ことができる。 これらの電子部品の電極層の導電性材料として
最も一般的に用いられているのは、銀、金、パラ
ジウム、白金などの貴金属あるいはそれらの合金
である。これらの貴金属は導電性が高く、電極用
の材料として優れたものであるが、非常に高価で
あるため、電子部品の製造コストの低減に対して
大きな障害となつている。 この理由から、電極用の材料として貴金属の代
わりに安価な卑金属を用いることからなる対策、
あるいは、微粒子状の卑金属を貴金属で被覆して
得た貴金属被覆粉末からなる導電性塗料（ペース
ト）を用いることにより貴金属の使用量を低減さ
せることからなる対策などが検討されている。 電極用の材料として貴金属の代わりに銅、ニツ
ケルなどの卑金属を用いる前者の対策は、たとえ
ば、セラミツクコンデンサ、IC基板などの製造
において実用化されている。しかしながら、これ
らの卑金属を用いる場合には、その基板への焼き
付け作業は、酸化防止のため窒素雰囲気中で実施
する必要があり、このため、その実施のために
は、雰囲気を制御した特殊な焼成炉が必要となる
との問題がある。 さらに、最近急速に普及しつつある積層コンデ
ンサ、また同様な方法により製造される積層バリ
スタ、積層コイル、多層ICパツケージなどの製
造にあたつては、それぞれコンデンサ用基板、バ
リスタ用基板などと電極用の材料とを高温下で同
時焼成する方法がとられるため、電極用材料が高
温条件でも安定であることが要求される。一般に
卑金属は、高温下では、特殊な雰囲気中に置かな
い限り、不安定であり、従つてこのような電極用
材料と基板との同期焼成工程をその製造工程に含
む電子部品を製造するための電極用材料（導電性
金属材料）としては、一般には従来どうり高価な
白金、パラジウム、銀、これらの合金などの貴金
属が用いられている。 さらに、貴金属の粉末を用いた時にも同様であ
るが、卑金属の粉末を導電性材料の形態でセラミ
ツクス製の基板に塗布して同時焼成を行なつた時
に、その金属とセラミツクスとの間の膨張収縮曲
線の違い、あるいはそれらの焼結開始温度の違い
などに起因する各種の構造的欠陥が発生して、生
成する電極の電気的特性、機械的強度を低下させ
ることも多いとの問題がある。 一方、前述のように微粒子状の卑金属を貴金属
で被覆して得た貴金属被覆粉末からなる導電性材
料を、貴金属の代わりに用いることにより貴金属
の使用量を低減させることからなる対策も検討さ
れ、公表されている。しかし、従来知られている
粉末の被覆方法である化学メツキ法などのような
方法では、形成される貴金属被覆層に、核部分と
なる卑金属の成分が一部分混入するとの問題があ
る。このため、そのような被覆粒子粉末を用いた
導電性塗料を基板の表面に焼成して製造した電極
層は、使用した貴金属の持つ導電性に比べて低下
した導電性を示すことになり、電子部品に用いる
電極としては実用上利用することができない。 本発明は、電極用材料として用いる導電性金属
材料の電気的特性を低下させることなく、導電性
金属材料の使用量の低減が可能な電極層を有する
電子部品を提供することを主な目的とする。 本発明はさらに、電極用材料として用いる導電
性金属材料の電気的特性を低下させることなく、
その機械的特性および耐はんだ性を向上させた電
極層を有する電子部品を提供することもまた、そ
の目的とするものである。 本発明はさらに、上記のような特性を持つた電
極層を有する電子部品の製造法を提供することも
また、その目的とするものである。 本発明の、その他の目的、および特徴について
は、本明細書の以下の記載より明らかにされる。 以上に述べたような本発明の目的は、次に述べ
る本発明により達成することができる。 本発明は第一に、セラミツクス製基板とその基
板上に設けられた電極層からなる電子部品であつ
て、電極層の実質的に内部のみに平均粒子径が５
ミクロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末が分
散状態で存在していて、かつ、セラミツクス粉末
の重量の合計が電極層の重量に対して90−10％の
範囲にあることを特徴とする電極層を有する電子
部品を提供するものである。 本発明はまた、導電性金属材料で、平均粒子径
が５ミクロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末
からなる導電性塗料をセラミツクス製基板もしく
は未焼成のセラミツクス製基板に焼き付けること
を特徴とする電極層を有する電子部品の製造法を
提供するものである。 次に本発明を詳しく説明する。 本発明が提供する電極層を有する電子部品は、
セラミツクス製基板とその基板上に設けられた電
極層からなることを、その基本構成としている。 セラミツクス製基板は、たとえば、二酸化ケイ
素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、二酸
化チタン、酸化第二鉄、酸化カルシウム、チタン
酸バリウムなどのような酸化物系セラミツクスを
主成分とするか、あるいは、炭化タングステン、
炭化ケイ素、窒化チタンなどのような非酸化物系
セラミツクスを主成分として形成された基板であ
る。これらのセラミツクス基板の主なものは、既
に、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、バリス
タ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、プリ
ント配線用導電パターンなどの電子部品そして積
層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多層
ICパツケージなどの電子部品の基板として使用
されているか、あるいはその利用が試みられてい
る。 セラミツクス製基板に設けられる電極層は、そ
の実質的に内部のみに微粒子状のセラミツクス粉
末が分散状態で存在し、電極層の表面には、セラ
ミツクス粉末および／またはセラミツクス成分が
実質的に存在していないことを特徴とする電極層
である。ここで、電極層の表面には、セラミツク
ス粉末および／またはセラミツクス成分が実質的
に存在していないとは、電極層の表面に、その電
極層の電気的特性を明らかに変化させるなどの量
のセラミツクス粉末および／またはセラミツクス
成分が露出もしくは存在していないことを意味す
るものである。 そのような電極層は、セラミツクス粉末成分に
よる汚染が実質的にない導電性金属材料からなる
被覆層により被覆された微粒子状のセラミツクス
粉末、すなわち高純度金属被覆粉末、をセラミツ
クス基板に焼き付けることにより製造することが
できる。 このような高純度金属被覆粉末は、従来より知
られている化学メツキ法などの被覆方法により製
造することは非常に困難であり、一方、次に述べ
るようなゲル化状態を経由する被覆層形成用反応
を利用することにより容易に製造することができ
る。 ゲル化状態を経由する被覆層形成用反応を利用
する代表的な方法としては、次の方法を挙げるこ
とができる。 (A) 均一に分散した状態で存在する微粒子状のセ
ラミツクス粉末、 (B) 均一に分散した状態で存在する被覆層を形成
する導電性金属の塩、そして (C) 溶解状態で存在する被覆層を形成する導電性
金属のイオン、 を含む水系懸濁液にヒドラジンなどの還元剤をか
くはん下に加えることにより微粒子状のセラミツ
クス粉末の表面に導電性金属の被覆層を形成させ
たのち、それを回収、乾燥させる方法。 あるいは、同様にゲル化状態を経由する被覆層
形成用反応を利用する他の方法としては、次に方
法を挙げることができる。 導電性金属イオンと過飽和量の導電性金属キレ
ート化合物とを含む水系ゲル化液、それらの導電
性金属イオンと導電性金属キレート化合物の双方
を還元して導電性金属単体とするに充分な量の過
酸化水素、微粒子状のセラミツクス粉末を均一に
分散した状態で含む水系分散液、そしてアルカリ
化剤、を混合することにより水系ゲル化液のゲル
状態を解消させると同時に、微粒子状のセラミツ
クス粉末の表面に導電性金属単体を析出させて導
電性金属の被覆膜を形成したのち、それを回収、
乾燥させる方法。 また、同様にゲル化状態を経由する被覆層形成
用反応を利用する他の方法としては、次の方法を
も挙げることができる。 導電性金属化合物、非金属性のアンモニウム塩
（塩化アンモニウムなど）およびアンモニア水を
含むPH５−10のゲル状水性溶液に、微粒子状のセ
ラミツクス粉末が均一に分散されている分散液に
還元剤をかくはん下に加えることにより水系ゲル
化液のゲル状態を解消させると同時に、微粒子状
のセラミツクス粉末の表面に導電性金属単体を析
出させて導電性金属の被覆層を形成したのち、そ
れを回収、乾燥させる方法。 以上述べたような高純度金属被覆粉末の製造法
は、本発明に先立つて本発明者が発明した方法で
あり、これらの製造法のさらに詳細な点について
は、本発明者の出願である特願昭55−51516号、
同55−116482号、同56−133314号、同56−133315
号の特許出願明細書に開示されている。 本発明において導電性金属材料として用いる金
属の例としては、白金、金、銀、パラジウムなど
のような貴金属、あるいは、モリブデン、ニツケ
ル、コバルト、鉄、銅、亜鉛、錫、アンチモン、
タングステン、マンガン、チタン、バナジウム、
クロムなどのような空気中でほぼ安定に存在でき
る卑金属を挙げることができる。これらの金属は
単独でも、あるいは合金の状態でも使用すること
ができる。 本発明において用いる微粒子状のセラミツクス
粉末の例としては、二酸化ケイ素、酸化ジルコニ
ウム、酸化アルミニウム、、二酸化チタン、酸化
第二鉄、酸化カルシウム、チタン酸バリウムなど
のような酸化物系セラミツクス、あるいは、炭化
タングステン、炭化ケイ素、窒化チタンなどのよ
うな少なくとも二種以上の原子を含む非酸化物系
セラミツクスからなる平均粒径が５ミクロン以下
の粉末を挙げることができる。ただし、得られる
電極層の電気的特性そして機械的強度を特に優れ
たレベルにするためには、平均粒径が、特に１ミ
クロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末を用い
ることが好ましい場合もある。 そのような特に平均粒径の小さい粉末の均一か
つ高純度な被覆は、従来の化学メツキ法などの被
覆方法では、実際に不可能であつたが、前記のゲ
ル化状態を経由する被覆方法を利用することによ
り均一で高純度の被覆層を形成することが可能と
なる。 本発明の電子部品において電極層の内部に分散
状態で存在する微粒子状のセラミツクス粉末の重
量の合計は、電極層の重量に対して90−10％（好
ましくは、75−25％）の範囲にあることが必要で
ある。電極層の内部の微粒子状のセラミツクス粉
末の存在量が上記の範囲にある場合には、電気的
特性、機械的特性そして耐はんだ性などの電極層
として必要な各種の特性が特に高いレベルで安定
して現われる電極層が得られる。 電極層の内部の微粒子状のセラミツクス粉末の
存在量が上記の範囲にあるような電極層を製造す
る方法としては、前記の純度の高い導電性金属材
料からなる被覆層により被覆された微粒子状のセ
ラミツクス粉末、すなわち高純度金属被覆粉末の
核部分を形成しているセラミツクス粉末と、同じ
く被覆層を形成している高純度金属の重量比を
90：10−10：90、特に好ましくは75：25−25：
75、の範囲内となるように調整する方法がある。
この重量比の調整は、前記のゲル化状態を経由す
る被覆粉末の製造法の実施にあたつて、反応系に
存在させる各成分の重量比を調整することにより
容易に実現する。 以上のような方法により製造した高純度金属被
覆粉末を導電性塗料の形態でセラミツクス性基板
に焼き付けることにより電極層を有する電子部品
を製造することができる。 導電性塗料の調製は、従来の導電性金属単体を
用いた導電性塗料の調製法に準じた方法により行
なうことができる。すなわち、高純度被覆粉末に
適当な添加剤、溶剤などを添加して導電性塗料の
形態に調製する。 セラミツクス製基板への電極の形成は、たとえ
ばスクリーン印刷などの方法でセラミツクス製基
板に導電性塗料を塗布したのち、焼成炉内で焼成
するなどの方法により実施することができる。焼
成方法、焼成条件などについては、被覆層を形成
している金属と同じ金属からなる導電性塗料を焼
成する場合の方法、条件に準じて決めることがで
きる。 本発明においては、セラミツクス製基板のセラ
ミツクス材料と、電極層の内部に存在する微粒子
状のセラミツクス粉末のセラミツクス材料とを同
一のものとすることが有利である。すなわち、導
電性塗料を基板に焼き付ける従来の方法では、導
電性塗料の金属と基板の材料との膨張係数が異つ
ているため、焼成にあたつては、あらかじめ、焼
成した基板に導電性塗料を塗布し、ついで焼成す
る方法をとるのが一般的であつた。しかし、本発
明においては、セラミツクス製基板のセラミツク
ス材料の主成分と、電極層の内部に存在する微粒
子状のセラミツクス粉末のセラミツクス材料とを
同一もしくは同種（たとえば、双方を酸化物セラ
ミツクスとするなど）のものに選択することがで
きるため、そのような材料の選択を行なつた場合
には、未焼成のセラミツクス製基板に直接的に導
電性塗料を塗布して、そのまま焼成を行なう操
作、すなわち同時焼成、が可能となる。 本発明は、前述のように、その基本構成はセラ
ミツクス製基板とその基板上に設けられた電極層
からなる電子部品であるが、それが電子部品とし
て機能するために必要な各種の態様があることは
当然であり、本発明は、それらの各種の態様も含
むものである。すなわち、セラミツクス製基板と
その基板上に設けられた電極層からなる電子部品
に引き出し線が備えられた形態の電子部品、それ
らの電子部品が積層された形態の電子部品、その
積層が渦巻き状の形態をとる電子部品など様々な
形態をとることができる。具体的な製品の例とし
ては、セラミツクコンデンサ、サーミスタ、バリ
スタ、各種の抵抗器、CR複合部品、IC基板、プ
リント配線用導電パターンなどの電子部品そして
積層コンデンサ、積層バリスタ、積層コイル、多
層ICパツケージ、BLセラミツクコンデンサなど
を挙げることができる。 上記のような電子部品を本発明の電子部品から
形成することにより、電極用材料として用いる導
電性金属材料の電気的特性を低下させることなく
導電性金属材料の使用量の低減が可能となるのみ
でなく、その機械的特性および耐はんだ性などの
各種の特性も向上させることができる。 たとえば、電子部品の機械的強度に大きな影響
を与える構造的特性のなかでデラミネーシヨン
（層間剥離）と呼ばれる現象がある。このデラミ
ネーシヨンは、同時焼成法により電子部品を製造
した場合に、用いた導電性材料とセラミツクス製
基板との間の膨張収縮曲線の違い、あるいはそれ
らの焼結開始温度の違い、導電性材料、結合剤、
溶剤、セラミツクス製基板、などの間の反応によ
り発生する発火現象、電極材料の酸化、還元によ
る電極の体積変化など、が原因となつて電極層と
基板との間に薄い裂け目が発生する現象である。
このデラミネーシヨンが発生した場合には、電子
部品の特性、特に機械的強度が大きく低下するこ
とが知られている。本発明の電子部品では、この
デラミネーシヨンが殆ど発生せず、このため、本
発明の電子部品は特に高い機械的強度を示す。 次に本発明の実施例を記載する。 実施例 １ () 銀被覆チタン酸バリウム粉末の製造 硝酸銀10ｇを50mlの水に溶解した水溶液と、
エチレンジアミンテトラ酢酸（EDTA）の二
ナトリウム塩15ｇを200mlの水に溶解した水溶
液とをかくはん下に混合するとゲル化液が得ら
れる。このゲル状態の粘度を低下させるために
更に50mlの水を加える。このゲル化液に過酸化
水素水溶液（30％水溶液）100mlを加える。 別にチタン酸バリウム粉末（平均粒径：
1.5μm）６ｇを水150mlに加えて均一に分散さ
せた分散液を調製し、この分散液をゲル化液
（過酸化水素が加えられているもの）に加え、
充分にかくはんする。得られたゲル化液を激し
くかくはんしながら、これに水酸化ナトリウム
水溶液（NaOH5ｇ／25ml水）100mlを加える
とゲル状態は解消し、チタン酸バリウム粉末の
表面上に銀が析出する。この系に更に150mlの
過酸化水素水溶液（30％水溶液）を加えて反応
を完結させる。 得られた銀被覆チタン酸バリウム粉末はろ
過、水洗そして乾燥を行なうことにより取り出
す。乾燥後は、薄い灰色を示し、収量は11.7ｇ
（理論収量12ｇ）で、粉末中のチタン酸バリウ
ム／銀重量比は50／50である。 () セラミツク・コンデンサ電極 上記の（）により得られた銀被覆チタン酸
バリウム粉末を含む次の組成を持つ混合物を調
製した。 銀被覆チタン酸バリウム粉末 10 ｇ ホウケイ酸鉛ガラスフリツト 0.2ｇ エチルセルロース 1.0ｇ エチルセロソルブ 2.5ｇ ブチルカルビトール 2.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料をスクリーン印刷にて、
焼結されたチタン酸バリウム質セラミツク・コ
ンデンサ（直径13.0mm、厚さ0.5mm）用素子
（基板）の両面に印刷し、800℃にて焼成を行な
つた。 この焼成物（銀被覆粉末電極）について電気
的特性、機械的特性、そして耐はんだ特性を測
定した結果を第１表に示す。 また比較のために、銀被覆粉末の代りに、銀
被覆粉末と同量の銀単体粉末を用い、同様に焼
成して製造した銀電極についても同様な測定を
行なつた。その結果もあわせて第１表に示す。
【表】
上記の測定は、次のようにして行なつた。
静電容量および誘電正接（tanδ）は、25℃
で、YHPデジタルLCRメーター・モデル
4274Aを使用し、測定電圧1.0Vrms、測定周波
数1.0KHzの条件にて測定した。 リード線引張強度は、電極を焼き付けたの
ち、これを、あらかじめ熔融したはんだ（千住
金属(株)製Ｓ−356、Ag3.5％含有）中に浸漬し
て、直径0.5mmのはんだメツキ軟銅線（共和電
線(株)製MLT−122）を付け、インテスコ製万能
材料試験機にて測定した。 はんだ喰われ、およびはんだ付け性は、温度
を230℃に制御したはんだ（千住金属(株)製Ｓ−
356、Ag3.5％含有）中に浸漬した後、倍率20
倍の実体顕微鏡を用いて観察し、判断した。 実施例 ２ () 銀被覆酸化第二鉄粉末の製造 チタン酸バリウム粉末の代りに酸化第二鉄
（平均粒径：1.5μm）６ｇを用いたほかは、実
施例１と同一の方法により、銀被覆酸化第二鉄
粉末を製造した。収量は11.6ｇ（理論収量12
ｇ）で、粉末中の酸化第二鉄／銀重量比は50／
50である。 () バリスタ電極 上記の（）により得られた銀被覆酸化第二
鉄粉末を含む次の組成の混合物を調製した。 銀被覆酸化第二鉄粉末 10 ｇ ホウケイ酸鉛ガラスフリツト 0.2ｇ エチルセルロース 1.0ｇ エチルセロソルブ 2.5ｇ ブチルカルビトール 2.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料をスクリーン印刷にて、
焼結されたバリスタ素子（Fe2O385モル％・
La2O35モル％・CaO10モル％、直径13.0mm、
厚さ0.5mm）（基板）の両面に印刷し、800℃に
て焼成を行なつた。 この焼成物（銀被覆粉末電極）について電気
的特性、機械的特性そして耐はんだ特性を測定
した結果を第２表に示す。 また比較のために、銀被覆粉末の代りに、銀
被覆粉末と同量の銀単体粉末を用い、同様に焼
成して製造した銀電極についても同様な測定を
行なつた。その結果もあわせて第２表に示す。
で、YHPデジタルLCRメーター・モデル
4274Aを使用し、測定電圧1.0Vrms、測定周波
数1.0KHzの条件にて測定した。 リード線引張強度は、電極を焼き付けたの
ち、これを、あらかじめ熔融したはんだ（千住
金属(株)製Ｓ−356、Ag3.5％含有）中に浸漬し
て、直径0.5mmのはんだメツキ軟銅線（共和電
線(株)製MLT−122）を付け、インテスコ製万能
材料試験機にて測定した。 はんだ喰われ、およびはんだ付け性は、温度
を230℃に制御したはんだ（千住金属(株)製Ｓ−
356、Ag3.5％含有）中に浸漬した後、倍率20
倍の実体顕微鏡を用いて観察し、判断した。 実施例 ２ () 銀被覆酸化第二鉄粉末の製造 チタン酸バリウム粉末の代りに酸化第二鉄
（平均粒径：1.5μm）６ｇを用いたほかは、実
施例１と同一の方法により、銀被覆酸化第二鉄
粉末を製造した。収量は11.6ｇ（理論収量12
ｇ）で、粉末中の酸化第二鉄／銀重量比は50／
50である。 () バリスタ電極 上記の（）により得られた銀被覆酸化第二
鉄粉末を含む次の組成の混合物を調製した。 銀被覆酸化第二鉄粉末 10 ｇ ホウケイ酸鉛ガラスフリツト 0.2ｇ エチルセルロース 1.0ｇ エチルセロソルブ 2.5ｇ ブチルカルビトール 2.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料をスクリーン印刷にて、
焼結されたバリスタ素子（Fe2O385モル％・
La2O35モル％・CaO10モル％、直径13.0mm、
厚さ0.5mm）（基板）の両面に印刷し、800℃に
て焼成を行なつた。 この焼成物（銀被覆粉末電極）について電気
的特性、機械的特性そして耐はんだ特性を測定
した結果を第２表に示す。 また比較のために、銀被覆粉末の代りに、銀
被覆粉末と同量の銀単体粉末を用い、同様に焼
成して製造した銀電極についても同様な測定を
行なつた。その結果もあわせて第２表に示す。
【表】
電圧非直線係数α、および10mA通電時端子
間電圧E10は、25℃で、それぞれ、メカトロニ
クス社製モデル592C、および岩崎通信機(株)製
VOAC757を用いて測定した。 リード線引張強度、はんだ喰われ、およびは
んだ付け性は、実施例１と同様の方法により測
定、判断した。 実施例 ３ () パラジウム被覆チタン酸バリウム粉末の製
造 パラジウム溶液（パラジウム金属50ｇを王水
700mlに溶解したもの）700mlに塩化アンモニウ
ム120ｇ（パラジウムに対して1.2当量倍）を加
えてだいだい色ゲル状溶液を得た。この溶液に
アンモニア水（25％水溶液）450mlを加えるこ
とにより溶液はピンク色ゲル状溶液となり、溶
液のPHは約７となつた。 この溶液に、チタン酸バリウム粉末（平均粒
径：1.5μm）50ｇを加え、充分かくはんしなが
ら、水素化ホウ素ナトリウム水溶液（0.75重量
％）を1000ml加えたところ、ゲル状態は解消
し、黒色の粉末が生成した。液相をデカンテー
シヨンにより除去し、同じくデカンテーシヨン
操作により水および湯を用いて各10回の洗浄を
行なつたのち、65℃で乾燥することによりパラ
ジウム被覆チタン酸バリウム粉末を製造した。
収量は99ｇ（理論収量100ｇ）で、粉末中のチ
タン酸バリウム／パラジウム重量比は50／50で
ある。 () 積層コンデンサ内部電極 上記の（）により得られたパラジウム被覆
チタン酸バリウム粉末を含む次の組成を持つ混
合物を調製した。 パラジウム（Pd）被覆 チタン酸バリウム粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料およびチタン酸バリウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により積
層コンデンサ（35層、電極間隔16μm（焼成後））
を製造した。 この積層コンデンサについて電気的特性そし
て構造的特性を測定した結果を第３表に示す。 また比較のために、パラジウム（Pd）被覆
粉末の代りに、Pd被覆粉末と同量のパラジウ
ム（Pd）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したPd電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第３表に示す。
間電圧E10は、25℃で、それぞれ、メカトロニ
クス社製モデル592C、および岩崎通信機(株)製
VOAC757を用いて測定した。 リード線引張強度、はんだ喰われ、およびは
んだ付け性は、実施例１と同様の方法により測
定、判断した。 実施例 ３ () パラジウム被覆チタン酸バリウム粉末の製
造 パラジウム溶液（パラジウム金属50ｇを王水
700mlに溶解したもの）700mlに塩化アンモニウ
ム120ｇ（パラジウムに対して1.2当量倍）を加
えてだいだい色ゲル状溶液を得た。この溶液に
アンモニア水（25％水溶液）450mlを加えるこ
とにより溶液はピンク色ゲル状溶液となり、溶
液のPHは約７となつた。 この溶液に、チタン酸バリウム粉末（平均粒
径：1.5μm）50ｇを加え、充分かくはんしなが
ら、水素化ホウ素ナトリウム水溶液（0.75重量
％）を1000ml加えたところ、ゲル状態は解消
し、黒色の粉末が生成した。液相をデカンテー
シヨンにより除去し、同じくデカンテーシヨン
操作により水および湯を用いて各10回の洗浄を
行なつたのち、65℃で乾燥することによりパラ
ジウム被覆チタン酸バリウム粉末を製造した。
収量は99ｇ（理論収量100ｇ）で、粉末中のチ
タン酸バリウム／パラジウム重量比は50／50で
ある。 () 積層コンデンサ内部電極 上記の（）により得られたパラジウム被覆
チタン酸バリウム粉末を含む次の組成を持つ混
合物を調製した。 パラジウム（Pd）被覆 チタン酸バリウム粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料およびチタン酸バリウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により積
層コンデンサ（35層、電極間隔16μm（焼成後））
を製造した。 この積層コンデンサについて電気的特性そし
て構造的特性を測定した結果を第３表に示す。 また比較のために、パラジウム（Pd）被覆
粉末の代りに、Pd被覆粉末と同量のパラジウ
ム（Pd）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したPd電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第３表に示す。
【表】
【表】
静電容量(c)および誘電正接（tanδ）は、実施
例１と同様の方法にて測定した。 絶縁抵抗（IR）は、YHP絶縁抵抗計モデル
4329Aを用いて25Vで１分後の値を測定し、破
壊電圧（VB）は日新電気(株)製モデルNS−3150
を用いて測定した。 温度特性（ΔC／Ｃ）は、−25℃から85℃まで
測定し、その間の容量変化率の最大値と最小値
（基準温度25℃）にて記載し、最大値を示す温
度をTcにて記載した。 構造特性中のデラミネーシヨンは、素子を研
磨し、20倍の実体顕微鏡を用いて、そして、割
れ、欠けは、外観を、同じく20倍の実体顕微鏡
を用いて観察し、判断した。 実施例 ４ () モリブデン被覆酸化アルミニウム粉末の製
造 パラジウム溶液の代わりにモリブデン溶液
（モリブデン金属50ｇを王水２に溶解したも
の）２を用い、チタン酸バリウム粉末の代り
に酸化アルミニウム（平均粒径：1.5μm）６ｇ
を用いたほかは、実施例３と同一の方法によ
り、モリブデン被覆酸化アルミニウム粉末を製
造した。収量は98ｇ（理論収量100ｇ）で、粉
末中の酸化アルミニウム／モリブデン重量比は
50／50である。 () 基板内多層配線基板 上記の（）により得られたモリブデン被覆
酸化アルミニウム粉末を含む次の組成を持つ混
合物を調製した。 モリブデン（Mo）被覆 酸化アルミニウム粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性金属塗料を得
る。 得られた導電性塗料および酸化アルミニウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により多
層配線基板（30層、誘電体層厚み16μm（焼成
後））を製造した。 この多層配線基板について電気的特性、構造
的特性を測定した結果を第４表に示す。 また比較のために、モリブデン（Mo）被覆
粉末の代りに、Mo被覆粉末と同量のモリブデ
ン（Mo）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したMo電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第４表に示す。
例１と同様の方法にて測定した。 絶縁抵抗（IR）は、YHP絶縁抵抗計モデル
4329Aを用いて25Vで１分後の値を測定し、破
壊電圧（VB）は日新電気(株)製モデルNS−3150
を用いて測定した。 温度特性（ΔC／Ｃ）は、−25℃から85℃まで
測定し、その間の容量変化率の最大値と最小値
（基準温度25℃）にて記載し、最大値を示す温
度をTcにて記載した。 構造特性中のデラミネーシヨンは、素子を研
磨し、20倍の実体顕微鏡を用いて、そして、割
れ、欠けは、外観を、同じく20倍の実体顕微鏡
を用いて観察し、判断した。 実施例 ４ () モリブデン被覆酸化アルミニウム粉末の製
造 パラジウム溶液の代わりにモリブデン溶液
（モリブデン金属50ｇを王水２に溶解したも
の）２を用い、チタン酸バリウム粉末の代り
に酸化アルミニウム（平均粒径：1.5μm）６ｇ
を用いたほかは、実施例３と同一の方法によ
り、モリブデン被覆酸化アルミニウム粉末を製
造した。収量は98ｇ（理論収量100ｇ）で、粉
末中の酸化アルミニウム／モリブデン重量比は
50／50である。 () 基板内多層配線基板 上記の（）により得られたモリブデン被覆
酸化アルミニウム粉末を含む次の組成を持つ混
合物を調製した。 モリブデン（Mo）被覆 酸化アルミニウム粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性金属塗料を得
る。 得られた導電性塗料および酸化アルミニウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により多
層配線基板（30層、誘電体層厚み16μm（焼成
後））を製造した。 この多層配線基板について電気的特性、構造
的特性を測定した結果を第４表に示す。 また比較のために、モリブデン（Mo）被覆
粉末の代りに、Mo被覆粉末と同量のモリブデ
ン（Mo）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したMo電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第４表に示す。
【表】
静電容量(c)および配線抵抗（Rsq）は、25℃
で、YHPデジタルLCRメーター・モデル
4274Aを使用して、それぞれ、測定電圧と測定
周波数、1.0Vrms、100KHzおよび、1.0Vrms、
100Hzの条件にて測定した。デラミネーシヨン
は、実施例３と同様な方法により観察し、判断
した。 実施例 ５ () パラジウム被覆酸化チタン粉末（0.3μ）の
製造 パラジウム溶液（パラジウム金属50ｇを王水
700mlに溶解したもの）700mlに塩化アンモニウ
ム120ｇ（パラジウムに対して1.2当量倍）を加
えてだいだい色ゲル状溶液を得た。この溶液に
アンモニア水（25％水溶液）450mlを加えるこ
とにより溶液はピンク色ゲル状溶液となり、溶
液のPHは約７となつた。 この溶液に、酸化チタン粉末（平均粒径：
0.3μ）50ｇを加え、充分かくはんしながら、水
素化ホウ素ナトリウム水溶液（0.75重量％）を
1000ml加えたところ、ゲル状態は解消し、黒色
の粉末が生成した。液相をデカンテーシヨンに
より除去し、同じくデカンテーシヨン操作によ
り水および湯を用いて各10回の洗浄を行なつた
のち、85℃で乾燥することによりパラジウム被
覆酸化チタン粉末を製造した。収量は99ｇ（理
論収量100ｇ）で、粉末中の酸化チタン／パラ
ジウム重量比は50／50である。 () 積層コンデンサ内部電極 上記の（）により得られたパラジウム被覆
酸化チタン粉末を含む次の組成を持つ混合物を
調製した。 パラジウム（Pd）被覆 酸化チタン粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料およびチタン酸バリウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により積
層コンデンサ［35層、電極間隔16μm（焼成後）］
を製造した。 この積層コンデンサについて電気的特性そし
て構造的特性を測定した結果を第５表に示す。 また比較のために、パラジウム（Pd）被覆
粉末の代りに、Pd被覆粉末と同量のパラジウ
ム（Pd）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したPd電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第５表に示す。
で、YHPデジタルLCRメーター・モデル
4274Aを使用して、それぞれ、測定電圧と測定
周波数、1.0Vrms、100KHzおよび、1.0Vrms、
100Hzの条件にて測定した。デラミネーシヨン
は、実施例３と同様な方法により観察し、判断
した。 実施例 ５ () パラジウム被覆酸化チタン粉末（0.3μ）の
製造 パラジウム溶液（パラジウム金属50ｇを王水
700mlに溶解したもの）700mlに塩化アンモニウ
ム120ｇ（パラジウムに対して1.2当量倍）を加
えてだいだい色ゲル状溶液を得た。この溶液に
アンモニア水（25％水溶液）450mlを加えるこ
とにより溶液はピンク色ゲル状溶液となり、溶
液のPHは約７となつた。 この溶液に、酸化チタン粉末（平均粒径：
0.3μ）50ｇを加え、充分かくはんしながら、水
素化ホウ素ナトリウム水溶液（0.75重量％）を
1000ml加えたところ、ゲル状態は解消し、黒色
の粉末が生成した。液相をデカンテーシヨンに
より除去し、同じくデカンテーシヨン操作によ
り水および湯を用いて各10回の洗浄を行なつた
のち、85℃で乾燥することによりパラジウム被
覆酸化チタン粉末を製造した。収量は99ｇ（理
論収量100ｇ）で、粉末中の酸化チタン／パラ
ジウム重量比は50／50である。 () 積層コンデンサ内部電極 上記の（）により得られたパラジウム被覆
酸化チタン粉末を含む次の組成を持つ混合物を
調製した。 パラジウム（Pd）被覆 酸化チタン粉末 45 ｇ エチルセルロース 3.8ｇ ジブチルフタレート 3.8ｇ ブチルカルビトール 42.5ｇ この混合物を更に三本ロール型混練装置を用
いて良く混練し、電極用の導電性塗料を得る。 得られた導電性塗料およびチタン酸バリウム
系素子（基板）を用いて、同時焼成法により積
層コンデンサ［35層、電極間隔16μm（焼成後）］
を製造した。 この積層コンデンサについて電気的特性そし
て構造的特性を測定した結果を第５表に示す。 また比較のために、パラジウム（Pd）被覆
粉末の代りに、Pd被覆粉末と同量のパラジウ
ム（Pd）単体粉末を用い、同様に焼成して製
造したPd電極についても同様な測定を行なつ
た。その結果もあわせて第５表に示す。
【表】
【表】
構造的特性
デラミネーシヨ 50個中０ 50個中50個
ン
割れ、欠け 50個中０ 50個中２個
デラミネーシヨ 50個中０ 50個中50個
ン
割れ、欠け 50個中０ 50個中２個
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツクス製基板とその基板上に設けられ
た電極層からなる電子部品であつて、電極層の実
質的に内部のみに平均粒子径が５ミクロン以下の
微粒子状のセラミツクス粉末が分散状態で存在し
ていて、かつ、セラミツクス粉末の重量の合計が
電極層の重量に対して90−10％の範囲にあること
を特徴とする電極層を有する電子部品。 ２ セラミツクス粉末が、金属酸化物の粉末であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電極層を有する電子部品。 ３ セラミツクス製基板が、セラミツクス粉末を
形成する金属酸化物と同一の金属酸化物を主成分
とする材料から形成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の電極層を有する電子
部品。 ４ 電極層の導電性金属材料が貴金属であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電極層
を有する電子部品。 ５ セラミツクス粉末の重量の合計が電極層の重
量に対して75−25％の範囲にあることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電極層を有する電
子部品。 ６ セラミツクス粉末の平均粒子径が、１ミクロ
ン以下であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の電極層を有する電子部品。 ７ 導電性金属材料で被覆された、平均粒子径が
５ミクロン以下の微粒子状のセラミツクス粉末か
らなる導電性塗料をセラミツクス製基板もしくは
未焼成のセラミツクス製基板に焼き付けることを
特徴とする電極層を有する電子部品の製造法。 ８ 未焼成のセラミツクス製基板に、導電性金属
材料で被覆された、平均粒子径が５ミクロン以下
の微粒子状のセラミツクス粉末からなる導電性塗
料を塗布したのち、両者を同時焼成することを特
徴とする特許請求の範囲第７項記載の電極層を有
する電子部品の製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166335A JPS5868918A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 電極層を有する電子部品とその製造法 |
| US06/883,290 US4714645A (en) | 1981-10-20 | 1986-07-07 | Electronic parts and process for the manufacture of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166335A JPS5868918A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 電極層を有する電子部品とその製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3199956A Division JP2799916B2 (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 導電性金属被覆セラミックス粉末 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868918A JPS5868918A (ja) | 1983-04-25 |
| JPH026206B2 true JPH026206B2 (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=15829451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166335A Granted JPS5868918A (ja) | 1981-10-20 | 1981-10-20 | 電極層を有する電子部品とその製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4714645A (ja) |
| JP (1) | JPS5868918A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122685A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-31 | 富士通株式会社 | 銅ペースト |
| JP2557618B2 (ja) * | 1984-10-30 | 1996-11-27 | 新技術開発事業団 | 高周波用素子 |
| JP2633879B2 (ja) * | 1987-12-18 | 1997-07-23 | 株式会社日立製作所 | 非酸化物系セラミックス用導体ペースト組成物 |
| US4859364A (en) * | 1988-05-25 | 1989-08-22 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition |
| JPH0423309A (ja) * | 1990-05-14 | 1992-01-27 | Hitachi Aic Inc | 積層セラミックコンデンサ |
| US6207288B1 (en) * | 1991-02-05 | 2001-03-27 | Cts Corporation | Copper ink for aluminum nitride |
| JPH0520114U (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | 東洋運搬機株式会社 | 産業用車両のハンドルホイール |
| JPH0562380U (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | 豊田合成株式会社 | ステアリングホイールのホーンスイッチ |
| US5345212A (en) * | 1993-07-07 | 1994-09-06 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Power surge resistor with palladium and silver composition |
| JPH07207185A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-08 | Kawazumi Gijutsu Kenkyusho:Kk | 被覆パラジウム微粉末および導電性ペースト |
| JP7465771B2 (ja) * | 2020-09-15 | 2024-04-11 | 日本碍子株式会社 | 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2788460A (en) * | 1951-05-23 | 1957-04-09 | Itt | Electrodes for electron discharge devices and methods of making same |
| US2833676A (en) * | 1954-08-17 | 1958-05-06 | Erie Resistor Corp | Metal coated dielectrics and method for producing same |
| US2993815A (en) * | 1959-05-25 | 1961-07-25 | Bell Telephone Labor Inc | Metallizing refractory substrates |
| US3343985A (en) * | 1963-02-12 | 1967-09-26 | Beckman Instruments Inc | Cermet electrical resistance material and method of using the same |
| US3237066A (en) * | 1963-02-25 | 1966-02-22 | Sprague Electric Co | Capacitor with electrodes of metal coated particles |
| US3873351A (en) * | 1970-12-29 | 1975-03-25 | Seikisui Chemical Co Ltd | Process for the preparation of non-combustible shaped articles |
| US3708728A (en) * | 1971-06-10 | 1973-01-02 | Int Standard Electric Corp | Electrolytic capacitor electrode comprising semiconductor core with film-forming metal coating |
| BE787964A (fr) * | 1971-08-24 | 1973-02-26 | Montedison Spa | Procede de preparation de membranes ou barrieres composites poreuses pour installations de diffusion gazeuse |
| JPS5212452A (en) * | 1975-07-18 | 1977-01-31 | Taiyo Yuden Kk | Ceramic capacitor |
| DE2544971C2 (de) * | 1975-10-08 | 1983-11-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Mehrmetall-Druckplatte |
| JPS5323495A (en) * | 1976-08-17 | 1978-03-03 | Narasaki Shipbuilding Co Ltd | Combined roll onnoff and lift onnoff cargo boat |
| US4053864A (en) * | 1976-12-20 | 1977-10-11 | Sprague Electric Company | Thermistor with leads and method of making |
| US4187328A (en) * | 1976-12-30 | 1980-02-05 | Saft-Societe Des Accumulateurs Fixes Et De Traction | Method of preparing positive active material for electric primary cells |
| JPS55431A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-05 | Doryokuro Kakunenryo | Method and device for detecting failed fuel assembly |
| JPS5554502A (en) * | 1978-10-16 | 1980-04-21 | Nippon Mining Co Ltd | Production of noble metal plated composite powder |
| JPS5583216A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nippon Electric Co | Internal polarity paste for laminated ceramic capacitor |
| US4251275A (en) * | 1979-06-18 | 1981-02-17 | Graham Magnetics Incorporated | Low-viscosity, high-silver, paint |
| JPS60912B2 (ja) * | 1980-06-04 | 1985-01-10 | 住友金属工業株式会社 | スポツト溶接可能な接着クラツド金属板 |
| US4496475A (en) * | 1980-09-15 | 1985-01-29 | Potters Industries, Inc. | Conductive paste, electroconductive body and fabrication of same |
| US4419279A (en) * | 1980-09-15 | 1983-12-06 | Potters Industries, Inc. | Conductive paste, electroconductive body and fabrication of same |
| US4485153A (en) * | 1982-12-15 | 1984-11-27 | Uop Inc. | Conductive pigment-coated surfaces |
-
1981
- 1981-10-20 JP JP56166335A patent/JPS5868918A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-07 US US06/883,290 patent/US4714645A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4714645A (en) | 1987-12-22 |
| JPS5868918A (ja) | 1983-04-25 |
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