JPH0263052A - ポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法Info
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- JPH0263052A JPH0263052A JP21536688A JP21536688A JPH0263052A JP H0263052 A JPH0263052 A JP H0263052A JP 21536688 A JP21536688 A JP 21536688A JP 21536688 A JP21536688 A JP 21536688A JP H0263052 A JPH0263052 A JP H0263052A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポジ型感光性樹脂組成物に関し、さらに詳しく
は1.2−キノンジアジド化合物の溶解性に優れたポジ
型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパター
ンの製造法に関する。
は1.2−キノンジアジド化合物の溶解性に優れたポジ
型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパター
ンの製造法に関する。
ポジ型感光性樹脂組成物は、該組成物を基板上に塗布、
乾燥させた後、露光、現像して得られるレジストパター
ンが、現像によるレジストの膨if4がなく、1μm以
下の微細パターンを形成することができるため広く用い
られている。
乾燥させた後、露光、現像して得られるレジストパター
ンが、現像によるレジストの膨if4がなく、1μm以
下の微細パターンを形成することができるため広く用い
られている。
しかしながら、前記ポジ型感光性樹脂組成物には、例え
ば溶剤として酢酸−2−エトキシエチル、アルカリ水溶
液可溶性樹脂としてクレゾールなどのノボラック樹脂、
1.2−キノンジアジド化合物としてナフトキノンジア
ジド系感光剤などが用いられるが、該樹脂組成物を製造
した後、経口とともに製造時にはみられない微粒子が発
生する欠点がある。
ば溶剤として酢酸−2−エトキシエチル、アルカリ水溶
液可溶性樹脂としてクレゾールなどのノボラック樹脂、
1.2−キノンジアジド化合物としてナフトキノンジア
ジド系感光剤などが用いられるが、該樹脂組成物を製造
した後、経口とともに製造時にはみられない微粒子が発
生する欠点がある。
樹脂組成物中の微粒子の発生を抑える方法として、1,
2−キノンジアジド化合物の合成に用いられるポリヒド
ロキシ化合物の水酸基の一部をアシル化する方法(特開
昭62−178562号公報)、モノオキシモノカルボ
ン酸エステルを溶剤として用いる方法(特開昭62−1
23444号公報)、アミド系溶剤であるジメチルホル
ムアミドを用いる方法(特開昭62−280844号公
報)などが提案されているが、これらの方法においては
1,2−キノンジアジド化合物などの感光剤の溶解性が
考慮されていない。
2−キノンジアジド化合物の合成に用いられるポリヒド
ロキシ化合物の水酸基の一部をアシル化する方法(特開
昭62−178562号公報)、モノオキシモノカルボ
ン酸エステルを溶剤として用いる方法(特開昭62−1
23444号公報)、アミド系溶剤であるジメチルホル
ムアミドを用いる方法(特開昭62−280844号公
報)などが提案されているが、これらの方法においては
1,2−キノンジアジド化合物などの感光剤の溶解性が
考慮されていない。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除去し、1.2
−キノンジアジド化合物の溶解性に優れた溶剤を用いて
微粒子の発生のないポジ型感光性樹脂組成物およびこれ
を用いたレジストパターンの製造法を提供することにあ
る。
−キノンジアジド化合物の溶解性に優れた溶剤を用いて
微粒子の発生のないポジ型感光性樹脂組成物およびこれ
を用いたレジストパターンの製造法を提供することにあ
る。
本発明者らは、鋭意研究した結果、前記微粒子の発生は
、樹脂や感光剤の溶剤に対する溶解性不足に起因し、樹
脂や感光剤に対して良溶解性の溶剤を用いることによっ
て微粒子の経口増加を抑えることができることを見出し
、本発明に到達した。
、樹脂や感光剤の溶剤に対する溶解性不足に起因し、樹
脂や感光剤に対して良溶解性の溶剤を用いることによっ
て微粒子の経口増加を抑えることができることを見出し
、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、アルカリ水溶液可溶性樹脂と、1
.2−キノンジアジド化合物と、溶剤とを含むポジ型感
光性樹脂組成物において、全溶剤に対して2重量%以上
のN−メチルピロリドンを含有する溶剤を用いてなるポ
ジ型感光性樹脂組成物およびこの組成物を基板上に塗布
、乾燥後、露光、現像するレジストパターンの製造法に
関する。
.2−キノンジアジド化合物と、溶剤とを含むポジ型感
光性樹脂組成物において、全溶剤に対して2重量%以上
のN−メチルピロリドンを含有する溶剤を用いてなるポ
ジ型感光性樹脂組成物およびこの組成物を基板上に塗布
、乾燥後、露光、現像するレジストパターンの製造法に
関する。
本発明に用いられるアルカリ水溶液可溶性樹脂は、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、コリン等の5重■%以下のアルカリ水溶液
に可溶な樹脂である。これらの樹脂としては、例えばフ
ェノール、クレゾール、キシレノールなどのフェノール
類と、ホルムアルデヒドとを縮合させて得られるノボラ
ック樹脂、アセトンピロガロール樹脂、アクリル酸ポリ
マー、アクリル酸とスチレンなどの共重合体樹脂、マレ
イン酸などを用いたポリエステル樹脂などが用いられる
。
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、コリン等の5重■%以下のアルカリ水溶液
に可溶な樹脂である。これらの樹脂としては、例えばフ
ェノール、クレゾール、キシレノールなどのフェノール
類と、ホルムアルデヒドとを縮合させて得られるノボラ
ック樹脂、アセトンピロガロール樹脂、アクリル酸ポリ
マー、アクリル酸とスチレンなどの共重合体樹脂、マレ
イン酸などを用いたポリエステル樹脂などが用いられる
。
前記アルカリ水溶液可溶性樹脂は、その被膜に耐熱性を
保持させるため、JISK 2207の測定法に基づ
く軟化温度が135〜165°Cの範囲であることが好
ましい。軟化温度が低すぎると耐熱性が不充分であり、
また高すぎると現在の工業的設備では合成が難しい場合
がある。ノボラック樹脂の軟化温度の調整は、公知の方
法によって行うことができる。
保持させるため、JISK 2207の測定法に基づ
く軟化温度が135〜165°Cの範囲であることが好
ましい。軟化温度が低すぎると耐熱性が不充分であり、
また高すぎると現在の工業的設備では合成が難しい場合
がある。ノボラック樹脂の軟化温度の調整は、公知の方
法によって行うことができる。
ノボラ、り樹脂は、塩酸、蓚酸等の触媒の存在下で、フ
ェノール類とホルムアルデヒドとを60〜120°Cの
温度で数時間反応させた後、水分および未反応フェノー
ル類を減圧下で加熱して除去することによって合成する
ことができる。
ェノール類とホルムアルデヒドとを60〜120°Cの
温度で数時間反応させた後、水分および未反応フェノー
ル類を減圧下で加熱して除去することによって合成する
ことができる。
本発明に用いられる1、2−キノンジアジド化合物とし
ては、1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル等が挙げられる。
ては、1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、1.2−ナフトキノンジアジド−4−スルホ
ン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル等が挙げられる。
これらの化合物は、既に公知の化合物であり、モノまた
はポリヒドロキシ化合物と、1,2−ベンゾキノンジア
ジド−4−スルホニルクロライド、1.2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホニルクロライド、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5スルホニルクロライドなどとをジ
オキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチ
ルケトン、水、セロソルブ等の溶媒に溶かし、反応の促
進のために塩基性触媒を用いて脱塩酸反応を行って合成
することができる。前記塩基性触媒としては、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等の無機塩基、トリエチルアミン、トリエタノール
アミン、ジエチルアミン等の有機塩基が通常用いられる
。また合成温度には特に制限はないが、主生成物の安定
性、反応速度等の点からO〜40゛Cの範囲が好ましい
。さらに合成反応は黄色光下または赤色光下で行なうこ
とが好ましい。
はポリヒドロキシ化合物と、1,2−ベンゾキノンジア
ジド−4−スルホニルクロライド、1.2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホニルクロライド、1,2−ナフ
トキノンジアジド−5スルホニルクロライドなどとをジ
オキサン、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチ
ルケトン、水、セロソルブ等の溶媒に溶かし、反応の促
進のために塩基性触媒を用いて脱塩酸反応を行って合成
することができる。前記塩基性触媒としては、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム等の無機塩基、トリエチルアミン、トリエタノール
アミン、ジエチルアミン等の有機塩基が通常用いられる
。また合成温度には特に制限はないが、主生成物の安定
性、反応速度等の点からO〜40゛Cの範囲が好ましい
。さらに合成反応は黄色光下または赤色光下で行なうこ
とが好ましい。
前記モノまたはポリヒドロキシ化合物としては、トリヒ
ドロキシフェニルメチルケI・ンなどのトリヒドロキシ
フェニルアルキルケトン、トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル
、没食子酸プロピルなどの没食子酸エステルなどが挙げ
られる。モノまたはポリヒドロキシ化合物と上記1.2
−キノンジアジド−4−スルホニルクロライド等との反
応割合は、モノまたはポリヒドロキシ化合物1モルに対
し、1モルからポリヒドロキシ化合物の水酸基数のモル
数と同じモル数だけの1.2−キノンジアジド化合物が
通常用いられる。
ドロキシフェニルメチルケI・ンなどのトリヒドロキシ
フェニルアルキルケトン、トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル
、没食子酸プロピルなどの没食子酸エステルなどが挙げ
られる。モノまたはポリヒドロキシ化合物と上記1.2
−キノンジアジド−4−スルホニルクロライド等との反
応割合は、モノまたはポリヒドロキシ化合物1モルに対
し、1モルからポリヒドロキシ化合物の水酸基数のモル
数と同じモル数だけの1.2−キノンジアジド化合物が
通常用いられる。
本発明に用いられる溶剤には、N−メチルピロリドンが
全溶剤に対して2重量%以上、好ましくは2〜50重量
%、より好ましくは3〜30重量%用いられる。N−メ
チルピロリドンの使用割合が2重量%未満では1.2−
キノンジアジド化合物を溶解する効果が小さい。
全溶剤に対して2重量%以上、好ましくは2〜50重量
%、より好ましくは3〜30重量%用いられる。N−メ
チルピロリドンの使用割合が2重量%未満では1.2−
キノンジアジド化合物を溶解する効果が小さい。
本発明に用いられるN−メチルピロリドン以外の溶剤と
しては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤
、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテ−1−、エチルセロソル
ブアセテート等のセロソルブ系溶剤、酢酸−2−エトキ
シエチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等
のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これらの溶
剤は単独でまたは2種以上混合して用いられる。
しては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤
、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテ−1−、エチルセロソル
ブアセテート等のセロソルブ系溶剤、酢酸−2−エトキ
シエチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等
のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、プロパツ
ール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これらの溶
剤は単独でまたは2種以上混合して用いられる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、シリコン、アルミ
ニ、ラム、石英、ガラスなどの基板上にロールコータ、
スピンナーなどを用いて通常の方法によって塗布、乾燥
されて被膜とされる。該被膜は、所望のフォトマスクを
介して水銀灯照射等の公知の手段によって露光され、露
光部分の感光剤が光化学的に分解してアルカリ水溶液に
可溶となり、アルカリ水溶液で現像され、レジストパタ
ーンとされる。該アルカリ水溶液としては、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、コリン等の5重量%以下の水溶液が用いら
れる。
ニ、ラム、石英、ガラスなどの基板上にロールコータ、
スピンナーなどを用いて通常の方法によって塗布、乾燥
されて被膜とされる。該被膜は、所望のフォトマスクを
介して水銀灯照射等の公知の手段によって露光され、露
光部分の感光剤が光化学的に分解してアルカリ水溶液に
可溶となり、アルカリ水溶液で現像され、レジストパタ
ーンとされる。該アルカリ水溶液としては、例えば水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルア
ンモニウム、コリン等の5重量%以下の水溶液が用いら
れる。
本発明になる感光性樹脂組成物は、目的に応じて副次的
な成分、例えば貯蔵安定性を向上させるために熱重合防
止剤、基板との密着性を向上させるために密着性向上剤
等を含有していてもよい。
な成分、例えば貯蔵安定性を向上させるために熱重合防
止剤、基板との密着性を向上させるために密着性向上剤
等を含有していてもよい。
[実施例〕
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例1
2.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン1モルと、
1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5−スルホ
ニルクロライド2.8モルとを反応させた感光剤(以下
、感光剤Aとする)4gを、酢酸−2−エトキシエチル
90gとN−メチルピロリドンLogからなる溶剤に溶
解した。感光剤Aは20°C下で30分以内に溶解した
。またその後にタレゾールノボラック樹脂(群栄化学工
業社製、PSF2803)を20g加えても相溶した。
1,2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5−スルホ
ニルクロライド2.8モルとを反応させた感光剤(以下
、感光剤Aとする)4gを、酢酸−2−エトキシエチル
90gとN−メチルピロリドンLogからなる溶剤に溶
解した。感光剤Aは20°C下で30分以内に溶解した
。またその後にタレゾールノボラック樹脂(群栄化学工
業社製、PSF2803)を20g加えても相溶した。
実施例2
2.3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン1
モルと、1.2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5
−スルホニルクロライド3.2モルとを反応させた感光
剤(以下、感光剤Bとする)5gを、酢酸−2−エトキ
シエチル80gとN−メチルピロリドン20gからなる
溶剤に溶解した。
モルと、1.2−ナフトキノン−(2)−ジアジド−5
−スルホニルクロライド3.2モルとを反応させた感光
剤(以下、感光剤Bとする)5gを、酢酸−2−エトキ
シエチル80gとN−メチルピロリドン20gからなる
溶剤に溶解した。
感光剤は20°C下で20分以内に溶解した。またその
後に実施例1で用いたクレゾールノボラック樹脂20g
を加えても相溶した。
後に実施例1で用いたクレゾールノボラック樹脂20g
を加えても相溶した。
実施例3
メタクレゾールとパラクレゾールとの重量比(メタクレ
ゾール/パラクレゾール)を55/45として得られ、
軟化温度が150°Cのクレゾールノボラック樹脂20
gおよび実施例2で得た感光剤85gを、酢酸−2−エ
トキシエチル90gとN−メチルピロリドン10gから
なる溶剤に溶解して得られたポジ型感光性樹脂組成物を
0.2μmのテフロンフィルタで濾過した。得られたポ
ジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェーハ上に300、
Orpmで30秒間回転塗布し、90″Cで20分間対
流式乾燥機内で乾燥し、厚さ1μmの感光膜を得た。次
いで感光膜を露光装置LD−5010i(日立製作所社
製)を用いてフォトマスクを介して600ミリ秒間露光
し、2.38重量%のテトラメチルアンモニウム水溶液
で23℃で60秒間現像した後、脱イオン水で60秒間
リンスした。
ゾール/パラクレゾール)を55/45として得られ、
軟化温度が150°Cのクレゾールノボラック樹脂20
gおよび実施例2で得た感光剤85gを、酢酸−2−エ
トキシエチル90gとN−メチルピロリドン10gから
なる溶剤に溶解して得られたポジ型感光性樹脂組成物を
0.2μmのテフロンフィルタで濾過した。得られたポ
ジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェーハ上に300、
Orpmで30秒間回転塗布し、90″Cで20分間対
流式乾燥機内で乾燥し、厚さ1μmの感光膜を得た。次
いで感光膜を露光装置LD−5010i(日立製作所社
製)を用いてフォトマスクを介して600ミリ秒間露光
し、2.38重量%のテトラメチルアンモニウム水溶液
で23℃で60秒間現像した後、脱イオン水で60秒間
リンスした。
レジストパターンとして0.7μmの線幅のパターンが
得られた。
得られた。
次にこの感光性樹脂組成物を40°Cに30日間保存し
たところ、目視では微粒子の発生は認められなかった。
たところ、目視では微粒子の発生は認められなかった。
比較例1
実施例2で用いた感光剤B5gを酢酸−2−エトキシエ
チル100gの溶剤に溶解したが、20°C下では1日
経過後もわずかの不溶物があった。
チル100gの溶剤に溶解したが、20°C下では1日
経過後もわずかの不溶物があった。
比較例2
比較例1で得た溶液に実施例3で用いた樹脂を20g溶
解し、得られたポジ型感光性樹脂組成物を0.2μmの
テフロンフィルタで濾過した。
解し、得られたポジ型感光性樹脂組成物を0.2μmの
テフロンフィルタで濾過した。
得られたポジ型感光性樹脂組成物を40″Cに30日間
保存したところ、濾過直後には認められなかった微粒子
が目視で認められた。
保存したところ、濾過直後には認められなかった微粒子
が目視で認められた。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、1.2キノンジア
ジド化合物の溶剤に対する溶解性が優れるため、微粒子
の経口増加がなく、写真工業、印刷工業、電子工業等の
分野に広く使用することができる。
ジド化合物の溶剤に対する溶解性が優れるため、微粒子
の経口増加がなく、写真工業、印刷工業、電子工業等の
分野に広く使用することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アルカリ水溶液可溶性樹脂と、1,2−キノンジア
ジド化合物と、溶剤とを含むポジ型感光性樹脂組成物に
おいて、全溶剤に対して2重量%以上のN−メチルピロ
リドンを含有する溶剤を用いてなるポジ型感光性樹脂組
成物。 2、請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に
塗布、乾燥後、露光、現像するレジストパターンの製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21536688A JPH0263052A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | ポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21536688A JPH0263052A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | ポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263052A true JPH0263052A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16671103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21536688A Pending JPH0263052A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | ポジ型感光性樹脂組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263052A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0625568A1 (en) * | 1993-05-18 | 1994-11-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Cleaning solution for apparatuses contacted with quinone diazide photosensitizers and cleaning method using the same |
| KR100225207B1 (ko) * | 1991-01-24 | 1999-10-15 | 마쯔모또 에이찌 | i선용 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴형성방법 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP21536688A patent/JPH0263052A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100225207B1 (ko) * | 1991-01-24 | 1999-10-15 | 마쯔모또 에이찌 | i선용 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴형성방법 |
| EP0625568A1 (en) * | 1993-05-18 | 1994-11-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Cleaning solution for apparatuses contacted with quinone diazide photosensitizers and cleaning method using the same |
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