JPH0267242A - 光学活性化合物及びその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な光学活性化合物、当該化合物を含有する
液晶組成物及び当該化合物あるいは当該化合物の少なく
とも１櫨を成分として含有する液晶組成物を使用して構
成されることを特徴とする光スイツチング素子に関する
。

〔従来の技術］ 液晶表示素子の表示方式として現在広く実用に供されて
いるものは、ねじれネマチック型（Ｔｌｉ）及び動的散
乱型（Ｄ８）である。これらはネマチック液晶を主成分
としたネマチツク液晶セルによる表示であるが、従来の
ネマチック液晶セルの短所の一つに応答速度が遅く、最
高数ミリ秒のオーダーの応答速度しか得られないという
事実があげられる。そしてこのことがネマチック液晶セ
ルの応用範囲を制約する一因となっている。これに対し
て最近ヌメタテツク液晶セルを用いればよシ高速な応答
が得られることが明らかになってきた。

光学活性なスメクチック液晶の中には強誘電性を示すも
のがあることが知られてお夛、その応用に関して大きな
関心が持たれている。強誘電性液晶は、１９７５年、Ｒ
，Ｅ、メイヤー（Ｒ，Ｂ。

Ｍｅｙｅｒ　）　ラ（ジェルナール・ド・フイジーク（
Ｊ、　Ｐｈ７Ｂ、　）、第３６巻、第Ｘ５６９頁（１９
７５）］によシ最初に合成されたが、それは、４−（４
−ｎ−！シルオキシベンジリデンアミノ）−２′−メチ
ルプテルシンナメー）　（ＤＯＢＡＭＢＯ）を代表列と
するシック塩基系の化合物であシ、これが光学活性の状
態、例えばカイラルスメクチツクＣ相にお−て強誘電性
を示すことを特徴とするものである。その後、Ｎ、Ａ、
クラーク（ｋｌ、ム。

Ｑｌａｒｋ　）ら〔アプライド・フィツクス・レターズ
（ムｐｐ１．　Ｐｈｙａ、　Ｌｅｔｔ、　’）　Ｍ　Ｓ
　６巻、１８９９頁（１９８０）コによシ、ＤＯＢＡＭ
ＢＯ（Ｄ　４膜−１！　ルにおいて、マイクロ秒オーダ
ーの高速応答性が発見され、これが契機となって強誘電
性液晶はその高速応答性やメモリ性を利用して、液晶テ
レビ等のデイスプレィ用のみならず、光プリンターヘッ
ド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエレ
クトロニクス関係素子の部品にも使用可能な材料として
注目を集めている。強誘電性液晶セルにおいては、誘電
率が高く、自発分極が大きい材料を用いるほどセルを高
速駆動できて有利であるため、自発分極の大きい材料の
開発が望まれている。

また実用上は、液晶化合物あるいは組成物自身が安定で
あシ、更には、室温を中心とする広い温度範囲で強誘電
性を示すことが必要でちる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、ＤＯＥＡＭＢＯなどのシッフ塩基型の化合物は
水や光等に対する安定性の点で難点があシ、また強誘電
性を示す温度範囲も室温よ９４０℃以上高温側にあるな
ど、実用に適するものではなかった。そこで、強誘電性
液晶材料として、物理的化学的に安定で、しかも大きい
自発分極を持つ材料系の実現が強く期待されている。

本発明の目的は化学的安定性、光安定性に優れ、自発分
極が大きく、かつカイラルスメクチック０相の温度範囲
の広い新規光学活性化合物を得ることにある。また本発
明はこのような光学活性化合物あるいは液晶組成物を用
いて高速応答性を有する表示素子等を提供しようとする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は光学活性化
合物に関する発明であって、下記−形式１： ％式％ 〔式中、２は水素、フッ素、塩素又は−〇Ｈ基、Ｗ％Ｘ
、Ｙは水素、フッ素又は塩素を示すが、２が水素の場合
にはＷ％Ｘ及びＹのうち少なくと４１１つはフッ素ある
いは塩素を示し、Ｌは−０００−基、−０ＣＯ−基、又
は直接結合、Ｑは一〇−基又は直接結合、ｍ及びｎは０
又は１であるが、ｍ＋ｎは０又は１であシ、Ｒｒｉ炭素
数４以上のアルキル基、アルキルオキシ基あるいはアル
キルオ中ジカルボニル基を示し、Ｃ，Ｐ、ＯＯＰ　（Ｏ
Ｆ、　）基あるいは基Ｒのうち、少なくとも一方は光学
活性基である］で表されることを特徴とする。

また、本発明の第２の発明は液晶組成物に関する発明で
あって、第１の発明の光学活性化合物の少なくとも１種
を成分として含有することを特徴とする。

そして、本発明の第３の発明は光スイッチング素子に関
する発明であって、第１の発明の光学活性化合物、ある
いはこの化合物の少なくとも１種を成分として含有する
液晶組成物を使用して構成されることを特徴とする。

前記−形式ｌの化合物は、中心骨格が安息香酸エステル
構造を有しておシ、更に分子の両末端に長鎖の置換基（
炭素数４〜１８が好ましい）が存在するのでそれ自身が
液晶性を示すものである。また、この化合物は不斉炭素
にカルボニル基を直接結合させているほか、フッ素及び
０１、基の双極子モーメントが分子長軸に対して横方向
に作用するので高い旋光性を有している。

また、複数のフッ素の存在によシ表面エネルギーの低下
が起こるため、強誘電性液晶に不可欠な薄いセル内にお
いて、ドメインの回転に対する抵抗が非フツ素系化合物
に比較して減少することが予想され、これらがあいまっ
て表示素子として使用する場合に高速応答性が期待でき
る。

〔化合物の製法〕

本発明における一形式ＩＯ光学活性化合物は、例えば次
のような合成経路に従って製造することができる。

（以上ｎ＝＝１の場合） （Ｖ） Ｃ局 （１，Ｌ＝−０００−） ＠り （工、１＝−０００〜、 Ｑ＝−０−） 上記製造過程を概説すると、始めに４−ブロモアニソー
ル化合物をブチルリチウムでリテクム化した後、パラジ
ウム触媒存在下にブロモベンゼン化合物と反応させてメ
トキシピフェニル化合物（ＩＩ）を製造し、パーフルオ
ロ−２−グロビルオキシプロピオン酸クロライトロ）と
反応させた後無水塩化アルミニウムによシ脱メチル化し
てフェノール化合物Ｕ）を製造する。以上ｒｌ　ｎ　−
１の場合であるが、ｎ＝００場合は、フェノール化合物
と酸クロライド回）とを直接フリーデルクラフッ反応に
よりアシル化して化合物（転）を製造することができる
。

また酸触媒存在下にジヒドロ中シ化合物■）とパーフル
オロ−２−プロビルオ中ジプロピオン酸（至）を反応さ
せてフェノール化合物（４）を製造する。

一方、塩基性物質の存在下にヒドロ中ジカルボン酸化合
物幡と酸クロライトロ）を反応させてカルボン酸化合物
（イ）を製造し、これを塩化チオニル等によ）酸クロラ
イド（１）とする。

最後に、酸クロライド（２）及びフェノール化合物（転
）又は（ロ）、酸クロライド■）及びフェノール化合物
（２）を塩基性物質の存在下に縮合させて一般式ＩＯ化
合物を製造することができる。

なお上記製造過程において、化合物（Ｖ）のりちＸ＝１
の対称ビフェノール化合物は例えば、文献１：東海林忠
生ほか、第１３回液晶討論会予稿集、１９８７年、第６
８頁に従って製造することができる。

ｉ良化合物（至）のうちｎ　＝　Ｏのものは列えば、文
献２：竹原貞夫ほか、第１１回液晶討論会予稿集、１９
８５年、第１７６頁に準じてフルオロアニソールから製
造することができ、ｎ＝１のようなビフェニルカルボン
酸系Ｏ化合物、例、ｔｔｆ５−クロロ−４−ヒドロ中シ
ー４′−ビ７工二ルカルボン酸は、４−メトキシ−４′
−ビフェニルカルボン酸ヲＮ、Ｍ−ジクロロ−ｐ−トル
エンスルホン酸アミドのような試薬を用いて塩素化、次
いで脱メチル化することによシ製造することができる。

またラセミ体のパーフルオロ−２−プロビルオキシグロ
ピオン酸クロライドを用いる場合には、−形式（至）又
は（２）の化合物の基Ｒ中のアルキル基が光学活性であ
る化合物を使用して一般式Ｉの化合物を製造することが
できる。

〔実Ｓ列〕

以下、本発明を実施列によシ更に具体的に説明するが、
本発明の適用範囲はこれらの実施例によって限定される
ものではない。

実施例１ （但し、Ｃ傘は不斉炭素を狭す） （ａ）　　乾ｍ窒索気流中でｍ−フルオロブロモベンゼ
ン４．４２を乾燥テトラしドロ７ラン８〇−に溶解し、
１０℃以下でジクロロビス（トリフェニルホスフィン）
ハラジウム（２１ｉ）１１０２を加えて５０分かくはん
した後、こレニ２−フルオロー４−プロモアニンールＳ
１を一乾床テトラヒドロフラン１５０−の溶液にＩ　５
ｉｎ−ブチルリチウム／へ争すン溶液１８ｍｔｔ−加え
て調製したリチウム化合″４１Ｉ溶液を１０℃以下で滴
下した。徐々に室温に戻して２５時間かくはんした。１
５Ｍ塩酸１０〇−を加え、トルエン抽出し、水で洗浄し
、トルエン溶液をシリカゲルのカラムを通した後溶媒を
留去し、残留物１８９を得た。

（１））　　上記生成物を二硫化炭素５ｏ―に溶解し、
かくはんしながら、すシつぶした無水塩化アルミニウム
五７ｔを加え、更に光学活性−パーフルオロー２−プロ
ピルオキシプロピオン酸クロライトロ）ｔｏｔ７二硫化
炭素５０ｓｊの溶液を７℃以下で滴下し、その後７時間
加熱還流し、冷却後希塩酸中に注ぎ、水、含炭酸水素ナ
トリウム水溶液、水の順で洗浄し、溶媒を留去し、残留
物のトルエン溶液をシリカゲルのカラムを通し、溶媒を
留去して４３′−ジフルオロ−４−メトキシ−４′−（
パーフルオロ−１−プロピルオキシエチルカルボニル）
ビフェニルを製造した。これを無水塩化アルミニウム４
１２と混合して２時間放置後シクロへΦサン５０ｍｇを
加えて６５±５℃に５時間保持し、冷却後トルエン及び
希塩酸を加えた後水洗し、溶媒を留去して残留物をトル
エンに溶解し、水洗して無水硫酸マグネシウムで乾燥し
、シリカゲルのカラムを通した後溶媒を留去し、エタノ
ール−トルエンで再結晶して４５′−ジフルオロ−４−
とドロヤシ−４′−（バーフルオロ−１−プロピルオキ
シエテルカルボニル）ビフェニル（ｙ、Ｙ＝ｚ＝ｓ−Ｆ
、ｎ＝１゜ただしＹ、Ｈの置換位置は表１、注の定義に
従う）を製造した。

（ｃ）４−デシルオキシ安息香！！２１８ｔを塩化チオ
ニル１０−と３時間加熱反厄させた後、塩化チオニルを
留去して得られる生成物のトルエン溶液を上記化合物Ｑ
ｖ）　ｔ　ｏ　８　ｔのピリジン３０−の溶液に徐々に
加えて６５±５℃で５時間反応させ、−夜放置後水に注
いでトルエンで抽出し、トルエン溶液を含炭酸水素ナト
リウム水溶液、次いで水で洗浄して無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、へ中サンートルエンを溶媒とするシリカゲ
ルのカラムクロマトグラフィで処理し、ヘプタ／で再結
晶して化合物■：４３′−ジフルオロ−４−（４−デシ
ルオΦシベンゾイルオ中シ）　−４’−（パーフルオロ
−１−プロピルオキシエテルカルボニル）ビフェニルを
製造した。

（（Ｌ）　　この化合物を透明電極の間隙が約５μｍの
ガラスセルに封入し、±５７．ｌ１１ｍ　の電界を印加
しながら偏光顕微鏡で観察すると、６１〜７９℃の範囲
で電界の反転に伴いドメインも反転するのが認められた
。その他の相転移温度は他の例と共に後記表１に示しで
ある。

なおＣｒｙは結晶状態、ＳＣ＊は強誘電性のカイラルス
メクチックＣ相で、上記の電界に対して少なくとも一部
が応答する相である。８Ａはスメタテツクム相、Ｃｈは
コレステリック相、Ｉは等方性液相を示している。また
・はその相が存在することを示している。なお−はその
相が存在しないか、又は存在が明確でないことを表して
いる。

この化合物を電極間隙１２０μｍのセルに封入し、ム、
宮里、Ｈ，タクゾエらが報告している三角波法〔ジャパ
ニーズ・ジャーナル・オプ・アプライド・フイジクス（
Ｊｐｎ、Ｊ、ムｐｐＬＰｈｙｓ、　）、　１９８５年、
第２２巻、ＩＩＥＩＪ１６６１員〕で自発分極を測定し
たところ、その値は１８８　ｎｏ／ａｍ”　　であった
。

実施列２ ν に代えて４−オクチルオキシ安息香酸を用いる以外は実
施例１（ｃ）と同様にして化合物■：３−フルオロ−４
−（バーフルオロ−１−プロピル、ｔ＋ジエチルカルボ
ニル）　−４’−（４−オクテルオ中シペンゾイルオギ
シ）ピフェニルヲ製造した。この化合物の相転移温度は
表１に示す通シである。

また実施列１と同様にして測定し九自発分極の値は１５
０　ｎ０７ｃｍ”　であつ友。

実施例３ ？ ２−７６　オＥ！　−４−ブロモアニソールに代、ｔて
４−ブロモアニソールを用いる以外は実施例１（ａ）と
同様にして５−フルオロ−４＋　（ｐ＜　−フルオロ−
１−プロピルオキシエテルカルボニル）−４′−ヒドロ
キシビフェニル（ＪＶ、ｎ＝１、！；■、ｚＷ！５−Ｆ
）を製造し九。

この化合物、及び４−デシルオキシ安息香酸ｍ−フルオ
ロブロモベンゼンに代工てブロモベンゼン、２−フルオ
ロ−４−ブロモアニソールに代えて３−フルオロ−４−
ブロモアニソールを用いる以外は実施列１と同様にして
化合物■：２−フルオロ−ａ−（ａ−７’シルオキシベ
ンゾイルオキシ）　−４’　−（バーフルオロ−１−プ
ロビルオ中ジエチルカルボニル）とフェニルを製造した
。

この化合物の相転移温度は表１に示す通シである。なお
、（）はその相がモノトロピックであることを示してい
る。

また実施列１と同様にして測定した自発分極の値は８５
　ｎｏ／菌３であった。

実施例４ 文献１によ）製造した４３′−ジフルオロ−４゜４′−
ジヒドロキシビフェニル（Ｖ％ｎ　＝　１、Ｘ＝Ｚ＝３
−Ｆ）五８を及びｐ−）ルエンスルホン酸α６ｔをトル
エン２０〇−中で加熱し、光学活性パーフルオロ−２−
プロピルオキシプロピオンｅＩＲ（９）５５２のトルエ
ン１５０ｄ溶液を徐々に滴下し、生成する水を水分離器
で系外に除去しながら１０時間反応させ、冷却後水を加
えてトルエン抽出し、希水酸化ナトリウム水溶液で５回
抽出し、この水溶液を塩酸で酸性にしてエーテル抽出し
、水で洗浄して無水硫酸マグネシウムで乾燥し、エーテ
ルを留去してエタノールで再結晶し、４３′−ジフルオ
ロ−４−ヒドロ中シー４’　−（バーフルオロ−１−プ
ロピルオキシエチルカルボニルオキシ）ビフェニル（４
）ヲ得た。この化合物及び４−オクチルオキシ安息香酸
を用いて実施列１（Ｃ）と同様にして化合物■：４３′
−ジフルオロ−４−（パーフルオロ−１−プロピルオキ
シエチルカルボニルオキシ）−４′−（４−オクチルオ
キシベンゾイルオキシ）ビフェニルを製造した。この化
合物の相転移温度は表１に示す通υである。

また実施列１と同様にして測定した自発分極の値は１２
７　ｎｏ／　ｃｗｒ”であった。

実施例５ ４−デシルオヤシ安息香酸に代えて４−オクチル安息香
酸を用いる以外は実施列１と同様にして化合物■：４３
′−ジフルオロ−４−（４−オクチルペンゾイルオ中シ
）　−４’−（パーフルオロ−１−プロピルオキシエテ
ルカルボニル）ビフェニルを製造した。この化合物の相
転移温度は表１に示す通シである。

実施例６ ！ ２−フルオロ−４−ヒドロ中シ安息香酸及び酸クロライ
ド（至）を用いて実施例１　（ｂ）と同様にして２−フ
ルオロ−４−（ｐ＜−フルオロ−１−プロピルオキシエ
チルカルボニルオキシ）安息香＃Ｒ（Ｋ、ｎ　＝　０１
Ｚ＝２−ＩＦ　）を製造し、この化合物及び４−オクチ
ルオキシ−４１−ヒドロキシビフェニルを用ｉて実施ｆ
ｌ’ｌＪ　１　（０）と同様にして化合物■：２−フル
オｏ−４−（パーフルオロ−１−プロピルオキシエチル
カルボニルオキシ）安息香酸−４１−オクチルオキシ−
４′−ビフェニルエステルを製造した。この化合物の相
転移温度ｒｌｔ表１に示す通シである。

実施列７ ア ｍ−フルオロフェノール及び酸クロライド＠）を用いて
実施ｎ　１（ｂ）と同様にしてアシル化、次いで脱メチ
ル化反応を行い、５−フルオロ−４−（パーフルオロ−
１−プロピルオキシエチルカルボニル）フェノール（Ｎ
％ｚ＝ｓ−ＩＰ％　ｎコＯ）を製造した。この化合物及
び４−へキシルオキシ安息香酸を用いて実施ＮＪ　１　
（Ｃ）と同様にして化合物の＝４−へ中シルオキシ安息
香酸−３′−フルオロ−４′−（パーフルオロ−１−プ
ロピルオキシエチルカルボニル）フェニルエステルを製
造した。この化合物の相転移温度は表１に示す通シであ
る。

実施列８ レゾルシン及び酸クロライド億）を用いて実施例１（ｂ
）と同様にしてフェノール化合物（ｊ／、ｎ＝０、Ｚ＝
３−ＯＲ）を製造した。この化合物及び４−オクチルオ
キシ−４′−ビフェニルカルボン酸を用いて実施列１（
Ｃ）と同様にして化合物■：４−オクチルオキシ−４′
−ビフェニルカルボン酸−３１−ヒドロ中シー４１−（
パーフルオロ−１−フロビルオキシエチルカルボニル）
フェニルエステルを製造した。この化合物の相転移温度
は表１に示す通シである。

実施列９ ４−デシルオキシ安息香酸に代えて４−（１−メチルへ
ブチルオキシ）安息香酸、光学活性−パーフルオロー２
−プロビルオキシグロピオン酸に代えてそのラセミ体を
用いる以外は実施列１と同様にして化合物■：４３′−
ジフルオロ−４−（４−（１−ブチルへブチルオキシ）
ヘンジイルオキシ］　−４’−（パーフルオロ−１−プ
ロピルオキシエチルカルボニル）ビフェニルを製造した
。この化合物の相転移温度は表１に示す通）である。

実施例１０ ＯＯ ４−メトキシ−４′−ビフェニルカルボン酸瓜８ｔを酢
酸５０−に溶解し、これにｊ、刃−ジクロロ−ｐ−トル
エンスルホン酸アミド五９ｔの酢酸５〇−及び塩酸α２
−の溶液を徐々に滴下し、８時間加熱還流して冷却後酢
−を大部分留去し、析出する結晶を一過して、３−クロ
ロ−４−メト中シー４１−ビフェニルカルボン酸ａ２Ｆ
を得た。この化合物から実施Ｎ　１　（１））と同様に
脱メチル化を行い、カルボン酸（Ｖｌ、ＹＷ１％　ｚ−
ｙｓ−ｏｔｓ　　ｎｘｌ）を得た。

この化合物及び酸クロライド幅）を用いて実施列１（Ｃ
）と同様にして酸化合物園、次−で酸クロライド（１）
を製造し友。この酸クロライド及びｐ−デシルフェノー
ルを用ｉて実施Ｎ　１　（０）と同様にして化合物［株
］：３−クロロ−４−（パーフルオロ−１−プロピルオ
キシエチルカルボエルオキシ）−４′−ビフェニルカル
ボン酸−４′−デシルフェニルエステルを製造した。こ
の化合物の相転移温度は表１に示す通シである。

実施列１１ 実施的１０で得られる酸クロライド（イ）及びドデシル
アルコールを用いて、実施例１（Ｃ）と同様にして化合
物■：５−クロロ−４−（パーフルオロ−１−プロピル
オキシエチルカルボエルオキシ）−４２−ビフェニルカ
ルボン酸ドデシルエステルを製造し九。この化合物の相
転移温度は表１に示す通シである。

実施列１２ ４３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビフェニ
ルＳＡ？及びｎ−オクチルブロマイド歳７ｆをＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド１８０ｄに溶解し、無水炭酸カリ
ウム五５ｔを加えて９５±５℃で８時間かくはんし、水
を加えて生成する固体をエタノールから再結晶して４３
′−ジフルオロ−４−ヒドロキシ−４′−オクチルオキ
シピ７　ｘ　＝　／Ｉ／　（Ｘ１％　Ｒ＝　０ａＨｔｙ
Ｏ１Ｗ＝Ｘ＝３−Ｆ。

！１１＝１）全３１１造した。５−フルオロ−４−ヒド
ロキシ安息香酸と酸クロライド佃）を用いて実施例１（
Ｃ）と同様４Ｃして化合物（■、Ｚ−３−ＩＦ。

ｎ＝０）を製造した。この化合物及び上記化合物（２）
を用いて実施例１（ｃ）と同様にして化合物＠：３−フ
ルオロ−４−（パーフルオロ−１−プロピルオキシエチ
ルカルボニルオキシ）安息香酸＋＋　ｓ、Ｉ　ｓ＃−ジ
フルオロ−４１−オクチルオ中シー４′−ピフェニルエ
ステルを製造した。この化合物の相転移温度は表１に示
す通シである。

また実施例１と同様にして測定した自発分極の値は１２
８　ｎｏ／ａｍ”であった。

実施列１５ 実ｍ列１２で得られた化合物（至）、及び４−ヒドロキ
シ安息香酸と酸クロライド龜）から製造した化合物（Ｄ
Ｃ％Ｚ＝１１％ｎ＝０）を用いて実施例１（Ｃ）と同様
にして化合物■：４−（パーフルオロ−１−プロピルオ
キシエテルカルボニルオキシ）安息香酸−へ′５′−ジ
フルオロー４′−オクチルオキシ−４′−ピフェニルエ
ステルを製造シた。この化合物の相転移温度は表１に示
す通シである。

実施ｆ１１１４ クロロヒドロ中ツノ及び光学活性−２−オクチルブロマ
イドを用いて実施例１２と同様にしてフェノール化合物
（ＸＩ　％Ｘ　；５−０４　％ｍ　＝Ｏ）を製造した。

また、ラセミ体の酸（６）及び４−ヒドロキシ−４′−
ビフェニルカルボン酸を用いて実施例１（Ｃ）と同様に
してカルボン酸化合物（■、Ｙ＝Ｚ＝Ｉｌｉ、ｎ＝１）
、次いで酸クロライド■）を製造し九。化合物（１）及
び幅を用いて実施９１１（０）と同様にして化合物０：
４−（パーフルオロ−１−プロピルオキシエテルカルボ
ニルオキシ）−４２−ビフェニルカルボンｅ！Ｒ−２＃
−クロロ−４′−（１−メ？ルヘフチルオキシ）フェニ
ルエステルを製造した。この化合物の相転移温度は表１
に示す通シである。

実施例１５ ４−とドロ中シビフェニル及び酸クロライド（２）を用
いて実施列Ｉ　Ｃｂ）と同様にして製造したビフェニル
化合物（■、Ｘ＝Ｚ＝Ｂ％　ｚｌｚｌ）及び文献２に従
って製造し九３−フルオロー４−デシルオキシ安息香酸
を用いて実施例１（Ｃ）と同様にして化合物■：５−フ
ルオロー４−デシルオキシネ命中安息香＃　−４’−（
パーフルオロ−１−プロピルオキシエチルカルボニル）
　−ａｔ　＋＋ビフェニルエステルを製造した。この化
合物の相転移温度は表１に示す通りである。

実施列１６ 実施列７で製造したフェノール化合物（転）及び２−ク
ロロ−４−オクチルオキシ安息香酸を用いて実施列１（
ｃ）と同様にして化合物の：２−クロロー４−オクチル
オキシ安Ｊｉ香＃−ｓ’−フルオロ−４’　−（／＜−
フルオロ−１−プロピルオキシエチルカルボニル）２エ
ニルエステルヲ製造し九。この化合物の相転移温度は表
１に示す通）である。

実ｍ列１７ ４−メトキシ−４′−ビフェニルカルボン酸に代工て４
−オクチルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸を用い
て実ｍ１ｌＱ１０と同様にして、３−クロロ−４−オク
チルオキシ−４′−ビフェニルカルボン酸を製造し九。

この化合物及び実施ガ８で得られるフェノール化合物収
）を用いて実施例１（Ｃ）と同様にして化合物Ｏ：３−
クロロー４−オクチルオキシ−４′−ビフェニルカルボ
ン＠　−３＃−ヒドロキシ−４＃−（パーフルオロ−１
−プロピルオキシエチルカルボニル）フェニルエステル
を製造した。この化合物の相転移温度は表１に示す通シ
である。

化合物翫 ｃ、、ｎ□Ｏ ａ、勇マ０ ”１＠”１１０ ０、Ｈ，嘗Ｏ ０ｓ町管 ｃ、　１１．、　。

Ｃ６鳥、Ｏ Ｏ，Ｈ，，０ ＭＥ−Ｏ Ｃ亀・Ｈｔｔ ａ、ｌＩＩ□−０ａＯ Ｏ，Ｈ，、Ｏ Ｃ魯１１．．０ １　ＭＩｉ−Ｏ Ｃ１・１１．．０ Ｃ１ａ、、Ｏ Ｏ８馬マ０ 表 ＣＯＯ ＣＯＯ Ｃ０ ＣＯＯ ０Ｃ０ ＣＯ −Ｐ −Ｆ ■ ２−？ −ＩＰ ！−０１１ −Ｆ −ａｔ −ａｔ −Ｆ ｒｙ ８０本 ８ム Ｃ１ ・５６ ・７２ ・７６ 拳６５ ・８２ ・２４ ・６５ ψ６９ ・８５ 幸３１ ・６７ ・６９ ・６４ ・７０ ＠３２ 春７１ ・７９ （・６３） ・９９ ・８３ ・９１ （・６５） （・７６） ・３７ ・７９ ・８８ （・６７） （・２８） ・７８ ・１１８ ・　９８ 瞳１１９ ・１２１ ・１０９ ・１２０ ・　４７ ・１０５ ・　５７ ・　９８ ・１０８ ・１１５ ｈ ・１１２ ・１３０ ・１２７ ・１１６ 中１０８ ・１２０ 注） Ｌ％ｑの欄におけるーは直接結合を表す。

ＩＭＨは光学活性−１−メチルへブチル基を表す。

Ｗ−２の置換位置を示す数字は下式の定義による。

、）００，Ｆ。

実施列１８ く液晶組成物〉 実ｍ列５における化合物■の５０重虚部に対して、ノン
カイラルのスメクチック液晶である下記構造式の４−（
２−メチルブチル）−４′−ビフェニルカルボン酸−４
＃−オクチルオキシフェニルエステル２５重量部、及び
４−オクチルオキシ−４−ビフェニルカルボン酸−４’
−ペンチルオキシフェニルエステル４５重量部を混合し
て液晶組成物を調製した。

この液晶組成物は１２〜６０℃の範囲でｓＣｅ相を示し
、その温度範囲が単独の化合物に比較して著しく拡大さ
れていた。

実ｍ列１？ く液晶組成物〉 実施列１及び７における化合物■及び■それぞれ１０重
量部に対して、ノンカイラルのスメクチック液晶である
前記の４−（２−メチルブチル）−４′−ビフェニルカ
ルボンｆｉ−４’−オクチルオキシフェニルエステル７
０ｇ量部、及ヒ下記構造式の４−オクチルオキシ安息香
酸−４′−（２−メチルブチルオ中シ）フェニルエステ
ル１０１量部を混合して液晶組成物を調製した。

この液晶組成物は８〜５２℃の範囲でＳａＷ相を示し、
その温度範囲がそれぞれ単独の化合物に比較して著しく
拡大されていた。

実施９１２０ く液晶組成物〉 実施例６．１２及び１４で製造し良化合物■、＠及び［
株］のそれぞれ１０．１０及び１４重量部に対して、実
施例１８におけるノンカイラルのスメクチック液晶をそ
れぞれ４０及び２５重量部混合して液晶組成物を調製し
た。この液晶組成物は５〜６２℃の範囲でｓＣｅ相を示
し、その温度範囲がそれぞれの化合物単独の場合に比較
して著しく拡大されていた。

以上３つの実施例で示したように、構造の異なる液晶化
合物を混合することによシ、単独で用−るよシも広い温
度範囲、しかも室温の上下でカイラルスメクチックＣ液
晶となる液晶組成物を得ることができる。

実施列２１ く光スイツチング素子〉 ポリイミド膜にラビング配向処理を施して、アルミナ粉
末によシ透明電極の間隙を約３μｍに保持したガラスセ
ルに、実施例２で製造した得られる化合物■を加熱して
等方性液体とした後光てんした。このセルを徐冷して５
８℃に保持し、±２０７，１０１！ｇｏ方形波を印加し
たときの透過光強度の変化を光電子増倍管で測定した結
果、光強度００〜９０優変化による応答時間は１７０μ
ｓｅｃ　であシ、高速な応答性を示した。

実施９１２２ く光スイツチング素子〉 実施列１８から２０で調製した液晶組成物を用いて、実
施例２１と同様にしてセルを作製した。測定温度を３５
℃とする以外は実施列２１と同一条件で求めた応答時間
はそれぞれ１２０．８５及び５５μｓｅｃであ）、高速
な応答性を示した。

〔発明の効果］ 以上説明しえように本発明によれば、−形式ｌで表され
る光学活性化合物、あるいはこの光学活性化合物の少な
くとも１８１を成分として含有する液晶組成物を用いる
ことによ〕、自発分極が大きいために表示素子として用
いる場合に高速応答が可能であるのみならず、広い温度
範囲でカイラルスメクチック相を示す材料系及び光スイ
ツチング素子を提供することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、Ｚは水素、フッ素、塩素又は−ＯＨ基、Ｗ、Ｘ
   、Ｙは水素、フッ素又は塩素を示すが、Ｚが水素の場合
   にはＷ、Ｘ及びＹのうち少なくとも１つはフッ素あるい
   は塩素を示し、Ｌは−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、又は
   直接結合、Ｑは−Ｏ−基又は直接結合、ｍ及びｎは０又
   は１であるが、ｍ＋ｎは０又は１であり、Ｒは炭素数４
   以上のアルキル基、アルキルオキシ基あるいはアルキル
   オキシカルボニル基を示し、Ｃ＿８Ｆ＿７ＯＣＦ（ＣＦ
   ＿３）基あるいは基Ｒのうち、少なくとも一方は光学活
   性基である〕で表されることを特徴とする光学活性化合
   物。 ２、請求項１記載の光学活性化合物の少なくとも１種を
   成分として含有することを特徴とする液晶組成物。 ３、請求項１記載の光学活性化合物、あるいはこの化合
   物の少なくとも１種を成分として含有する液晶組成物を
   使用して構成されることを特徴とする光スイッチング素
   子。