JPH0267750A - 光半導体集積回路素子 - Google Patents
光半導体集積回路素子Info
- Publication number
- JPH0267750A JPH0267750A JP63219686A JP21968688A JPH0267750A JP H0267750 A JPH0267750 A JP H0267750A JP 63219686 A JP63219686 A JP 63219686A JP 21968688 A JP21968688 A JP 21968688A JP H0267750 A JPH0267750 A JP H0267750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- semiconductor element
- lead
- light
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、発光及び受光素子等の光電変換素子とその
制御回路とを半導体素子に集積した光半導体集積回路素
子に関する。
制御回路とを半導体素子に集積した光半導体集積回路素
子に関する。
第２図は従来の技術例を示す断面図である。セラミック
等のパッケージ２１に金シリコン共晶又は低融点ガラス
等の固着剤２２を使用して半導体素子１が固着され、リ
ードフレーム２３にアルミニウムのワイヤ２で接続され
ている。パッケージ２１の上部は接着剤２５によって接
着されたカバーガラス２６を持つふた２７で覆われて、
気密に封止されている。
等のパッケージ２１に金シリコン共晶又は低融点ガラス
等の固着剤２２を使用して半導体素子１が固着され、リ
ードフレーム２３にアルミニウムのワイヤ２で接続され
ている。パッケージ２１の上部は接着剤２５によって接
着されたカバーガラス２６を持つふた２７で覆われて、
気密に封止されている。
前記半導体素子１には図示しない光センサとこの光セン
サを制御する制御回路等が形成されている。照射する光
が光センサ以外の制御回路にも照射することのないよう
に、カバーガラス２６は光センサ領域に対応した位置に
設けられている。
サを制御する制御回路等が形成されている。照射する光
が光センサ以外の制御回路にも照射することのないよう
に、カバーガラス２６は光センサ領域に対応した位置に
設けられている。
前記の従来の技術では、パッケージ２１、ふた２７及び
カバーガラス２６の３部品を別々に金型で形成し、３部
品を２個所で接着する必要がある。
カバーガラス２６の３部品を別々に金型で形成し、３部
品を２個所で接着する必要がある。
また斜めに入射する光は光センサ部分以外に照射され、
更にパッケージ内で乱反射して迷光となり光センサの誤
動作を生じるという恐れがある。
更にパッケージ内で乱反射して迷光となり光センサの誤
動作を生じるという恐れがある。
この発明の目的は、パッケージの構造を簡単にし、あわ
せて迷光による誤動作を防止することにある。
せて迷光による誤動作を防止することにある。
この発明は、マウント部とリード部とからなるリードフ
レームの前記マウント部に固着した半導体素子と、この
半導体素子を前記リード部に接続するワイヤとを備える
ものにおいて、前記リードフレームと前記半導体素子と
を覆う不透光性樹脂でモールドしてなるパッケージと、
このパフケージの外に先端を突出させた前記リード部を
境として前記リード部に直角か又は内側に傾斜する前記
パッケージの側面と、前記半導体素子の光電変換素子部
分に対向する前記パッケージの上方に設けられる透光空
間と、前記リード部と直角か又は外側に傾斜する前記透
光空間の内壁とを備えるものである。
レームの前記マウント部に固着した半導体素子と、この
半導体素子を前記リード部に接続するワイヤとを備える
ものにおいて、前記リードフレームと前記半導体素子と
を覆う不透光性樹脂でモールドしてなるパッケージと、
このパフケージの外に先端を突出させた前記リード部を
境として前記リード部に直角か又は内側に傾斜する前記
パッケージの側面と、前記半導体素子の光電変換素子部
分に対向する前記パッケージの上方に設けられる透光空
間と、前記リード部と直角か又は外側に傾斜する前記透
光空間の内壁とを備えるものである。
不透光性樹脂からなるパンケージに形成された透光空間
は光電変換素子部分にのみ受発光を許すので迷光による
誤動作がない。パッケージの側面の形状と透光空間の内
壁の形状はリードフレームのリード部をモールドの上型
と下型の合せ面としてモールドするのに適した形状とな
る。そしてリード部の先端部分を型の合せ面に位置させ
てパッケージの外へ導き出せる。
は光電変換素子部分にのみ受発光を許すので迷光による
誤動作がない。パッケージの側面の形状と透光空間の内
壁の形状はリードフレームのリード部をモールドの上型
と下型の合せ面としてモールドするのに適した形状とな
る。そしてリード部の先端部分を型の合せ面に位置させ
てパッケージの外へ導き出せる。
第１図は実施例のものをモールドする工程を示す断面図
である。
である。
マウント部３とリード部４とからなるリードフレーム５
の前記マウント部３には半導体素子１が固着材で固着さ
れ、この半導体素子１はワイヤ２でリード部４に接続さ
れている。リードフレーム５と半導体素子１とは不透光
性樹脂を使用してモールドされたパッケージ６で覆われ
ている。
の前記マウント部３には半導体素子１が固着材で固着さ
れ、この半導体素子１はワイヤ２でリード部４に接続さ
れている。リードフレーム５と半導体素子１とは不透光
性樹脂を使用してモールドされたパッケージ６で覆われ
ている。
パッケージ６の側面７（７ａ、７ｂ）はリード部４の上
方部分７ａと下方部分７ｂに分かれ、リード部４を境と
して側面７ａ、７ｂはいずれもリード部４の面に直角な
面より内側に傾斜している。
方部分７ａと下方部分７ｂに分かれ、リード部４を境と
して側面７ａ、７ｂはいずれもリード部４の面に直角な
面より内側に傾斜している。
また半導体素子１の上面の図示しない光電変換素子部分
に対向するパンケージ６の上方には前記不透光性樹脂の
ない透光空間８が形成され、その内壁９は前記リード部
４に直角になっている。
に対向するパンケージ６の上方には前記不透光性樹脂の
ない透光空間８が形成され、その内壁９は前記リード部
４に直角になっている。
不透光性樹脂をトランスファモールドする上型１０ａ下
型１０ｂは前述のパッケージの形状に、当然に一致させ
る。特に透光空間８に対応する上型１０ａの突部は半導
体素子１に当接する。リード部４に上型１０ａと下型１
０ｂの合せ面を位置させるのでモールドされたパッケー
ジ６の外にリード部４の先端が突き出て、図示しない外
部配線ができる。モールド後に上型１０ａと下型１０ｂ
を前記合せ面で分離する時に、前述の側面７ａ、７ｂ及
び内壁９は型に干渉しない。いわゆるアンダカソトのな
い形状である。
型１０ｂは前述のパッケージの形状に、当然に一致させ
る。特に透光空間８に対応する上型１０ａの突部は半導
体素子１に当接する。リード部４に上型１０ａと下型１
０ｂの合せ面を位置させるのでモールドされたパッケー
ジ６の外にリード部４の先端が突き出て、図示しない外
部配線ができる。モールド後に上型１０ａと下型１０ｂ
を前記合せ面で分離する時に、前述の側面７ａ、７ｂ及
び内壁９は型に干渉しない。いわゆるアンダカソトのな
い形状である。
したがって側面７ａ、７ｂは内側に傾斜していると説明
したがリード部に直角でもよいし、同様に内壁を直角で
なく外側に傾斜させてもよい。特に内壁９をこのような
条件で微少な階段状にして、内壁９における光の反射が
半導体素子に向かわないようにするとよい。光学レンズ
系の鏡胴の内壁によくみられる表面形状である。
したがリード部に直角でもよいし、同様に内壁を直角で
なく外側に傾斜させてもよい。特に内壁９をこのような
条件で微少な階段状にして、内壁９における光の反射が
半導体素子に向かわないようにするとよい。光学レンズ
系の鏡胴の内壁によくみられる表面形状である。
半導体素子１の透光空間８に接する面は外気に直接さら
されるが、半導体素子１のウェハプロセスで形成される
表面保護膜はこのような外気に対し充分なものとするこ
とができる。更に必要により透光空間８に透明樹脂を充
填してもよいし、モールドに際し半導体素子１の上面に
上型１０ａで押さえられる透明樹脂の板を当てがっても
よい。
されるが、半導体素子１のウェハプロセスで形成される
表面保護膜はこのような外気に対し充分なものとするこ
とができる。更に必要により透光空間８に透明樹脂を充
填してもよいし、モールドに際し半導体素子１の上面に
上型１０ａで押さえられる透明樹脂の板を当てがっても
よい。
この発明は、マウント部とリード部とからなるリードフ
レームの前記マウント部に固着した半導体素子と、この
半導体素子を前記リード部に接続するワイヤとを備える
ものにおいて、前記リードフレームと前記半導体素子と
を覆う不透光性樹脂でモールドしてなるパッケージと、
このパッケージの外に先端を突出させた前記リード部を
境として前記リード部に直角か又は内側に傾斜する前記
パッケージの側面と、前記半導体素子の光電変換素子部
分に対向する前記パンケージの上方に設けられる透光空
間と、前記リード部と直角か又は外側に傾斜する前記透
光空間の内壁とを備えるようにしたので、パッケージの
形状がモールドの型に適したアンダカノトのないものと
なり、１回のトランスファモールドで透光空間を持った
パンケージが形成され、あわせて迷光による誤動作を防
止できるという効果がある。
レームの前記マウント部に固着した半導体素子と、この
半導体素子を前記リード部に接続するワイヤとを備える
ものにおいて、前記リードフレームと前記半導体素子と
を覆う不透光性樹脂でモールドしてなるパッケージと、
このパッケージの外に先端を突出させた前記リード部を
境として前記リード部に直角か又は内側に傾斜する前記
パッケージの側面と、前記半導体素子の光電変換素子部
分に対向する前記パンケージの上方に設けられる透光空
間と、前記リード部と直角か又は外側に傾斜する前記透
光空間の内壁とを備えるようにしたので、パッケージの
形状がモールドの型に適したアンダカノトのないものと
なり、１回のトランスファモールドで透光空間を持った
パンケージが形成され、あわせて迷光による誤動作を防
止できるという効果がある。
第１図は実施例を示す断面図、第２図は従来例を示す断
面図である。 １・・・半導体素子、６．２１・・・パッケージ、２６
第１図 第２図
面図である。 １・・・半導体素子、６．２１・・・パッケージ、２６
第１図 第２図
Claims (1)
- １）マウント部とリード部とからなるリードフレームの
前記マウント部に固着した半導体素子と、この半導体素
子を前記リード部に接続するワイヤとを備えるものにお
いて、前記リードフレームと前記半導体素子とを覆う不
透光性樹脂でモールドしてなるパッケージと、このパッ
ケージの外に先端を突出させた前記リード部を境として
前記リード部に直角か又は内側に傾斜する前記パッケー
ジの側面と、前記半導体素子の光電変換素子部分に対向
する前記パッケージの上方に設けられる透光空間と、前
記リード部と直角か又は外側に傾斜する前記透光空間の
内壁とを備えることを特徴とする光半導体集積回路素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219686A JPH0267750A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光半導体集積回路素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63219686A JPH0267750A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光半導体集積回路素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267750A true JPH0267750A (ja) | 1990-03-07 |
Family
ID=16739380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219686A Pending JPH0267750A (ja) | 1988-09-02 | 1988-09-02 | 光半導体集積回路素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0267750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1003315C2 (nl) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling. |
-
1988
- 1988-09-02 JP JP63219686A patent/JPH0267750A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1003315C2 (nl) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | Europ Semiconductor Assembly E | Werkwijze voor het inkapselen van een geïntegreerde halfgeleiderschake- ling. |
| EP0813236A1 (en) * | 1996-06-11 | 1997-12-17 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating an integrated semi-conductor circuit |
| US5897338A (en) * | 1996-06-11 | 1999-04-27 | European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. | Method for encapsulating an integrated semi-conductor circuit |
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