JPH02678A - ポリアミド酸ワニス - Google Patents
ポリアミド酸ワニスInfo
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- JPH02678A JPH02678A JP32990588A JP32990588A JPH02678A JP H02678 A JPH02678 A JP H02678A JP 32990588 A JP32990588 A JP 32990588A JP 32990588 A JP32990588 A JP 32990588A JP H02678 A JPH02678 A JP H02678A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は極めて耐熱性及び強度のすぐれたポリイミド成
形物を製造することができるポリアミド酸ワニスに関す
る。
形物を製造することができるポリアミド酸ワニスに関す
る。
従来、ポリイミド成形物に用いるポリイミドとしては4
,4′−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸
二無水物とからなる縮合物が知られている。これは、該
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の危機溶剤溶液
(ポリアミド酸ワニス)を成形し、イミド化することに
よって製造されている。
,4′−ジアミノジフェニルエーテルとピロメリット酸
二無水物とからなる縮合物が知られている。これは、該
ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の危機溶剤溶液
(ポリアミド酸ワニス)を成形し、イミド化することに
よって製造されている。
眞記のポリイミドは耐熱性の一つの目安となるガラス転
移温度が400℃以下と低く、また引張強度もたかだか
17 kg/ no2前後と低いものである。そのため
400℃以上で使用する場合や強度の必要な場合には使
用できないという欠点がある。
移温度が400℃以下と低く、また引張強度もたかだか
17 kg/ no2前後と低いものである。そのため
400℃以上で使用する場合や強度の必要な場合には使
用できないという欠点がある。
本発明は耐熱性及び強度にすぐれたポリイミド成形物を
製造するための中間体であるポリイミド酸ワニスを提供
することを目的とする。
製造するための中間体であるポリイミド酸ワニスを提供
することを目的とする。
本発明は4,4′−ジアミノジフェニルエーテル10〜
90モル%とp−フェニレンジアミン90〜10モル%
からなるジアミン成分とピロメリット酸二無水物とを反
応させて得られるポリアミド酸を非プロトン性極性溶媒
に溶解させてなるポリアミド酸ワニスに関する。
90モル%とp−フェニレンジアミン90〜10モル%
からなるジアミン成分とピロメリット酸二無水物とを反
応させて得られるポリアミド酸を非プロトン性極性溶媒
に溶解させてなるポリアミド酸ワニスに関する。
本発明に係るポリアミド酸ワニスは、前記ジアミン成分
とピロメリット酸二無水物とを非プロトン性極性溶媒中
、好ましくは一り0℃〜100 ’Cで反応させて製造
することができる。このポリアミド酸ワニスから最終的
にポリイミド成形物を得ることができる。
とピロメリット酸二無水物とを非プロトン性極性溶媒中
、好ましくは一り0℃〜100 ’Cで反応させて製造
することができる。このポリアミド酸ワニスから最終的
にポリイミド成形物を得ることができる。
本発明において4,4′−ジアミノジフェニルエーテル
とp−フェニレンジアミンのモル比は、前者/後者で9
0/10−10/90とする。p−フェニレンジアミン
のモル分率が0.1 より少ないとポリイミドのガラ
ス転移温度および強度が低く、 0.9 より多いと
ポリイミド成形物がもろく好ましくない。
とp−フェニレンジアミンのモル比は、前者/後者で9
0/10−10/90とする。p−フェニレンジアミン
のモル分率が0.1 より少ないとポリイミドのガラ
ス転移温度および強度が低く、 0.9 より多いと
ポリイミド成形物がもろく好ましくない。
また、4,4′−ジアミノジフェニルエーテルとp−フ
ェニレンジアミンのモル比は成形物の吸湿率の点からは
、前者/後者で、90/10〜50150とするのが好
ましく、さらに90/10〜70/30とするのが特に
好ましい。
ェニレンジアミンのモル比は成形物の吸湿率の点からは
、前者/後者で、90/10〜50150とするのが好
ましく、さらに90/10〜70/30とするのが特に
好ましい。
本発明において用いる非プロトン性極性溶媒としてはN
−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトア
ミド、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチ
ルポル11アミ1へ、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、メチルスルホラン。
−メチル−2−ピロリドン、N、N−ジメチルアセトア
ミド、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジエチ
ルポル11アミ1へ、ジメチルスルホキシド、スルホラ
ン、メチルスルホラン。
テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチ
ルラクトン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは
2種以上を混合して用いてもよいし、さらにこれらにキ
シレン、トルエン、ベンゼン。
ルラクトン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは
2種以上を混合して用いてもよいし、さらにこれらにキ
シレン、トルエン、ベンゼン。
フェノール、アセトン、メチルエチルケトン、ジアセ1
−ンアルコール、セロソルブ、メチルイソブチルケトン
、クレゾール、ジオキサン、シクロヘキサノン等の溶媒
をポリアミド酸が析出しない範囲で添加して使用しても
よい。
−ンアルコール、セロソルブ、メチルイソブチルケトン
、クレゾール、ジオキサン、シクロヘキサノン等の溶媒
をポリアミド酸が析出しない範囲で添加して使用しても
よい。
ジアミン成分とピロメリット酸二無水物とのモル比はほ
ぼ等量で用いるのが好ましいが、いずれか一方の成分の
過剰量が他方の成分に対して10モル%以内、好ましく
は5モル%以内であればよい。
ぼ等量で用いるのが好ましいが、いずれか一方の成分の
過剰量が他方の成分に対して10モル%以内、好ましく
は5モル%以内であればよい。
ポリアミド酸ワニスの樹脂分は5〜25重量%が好まし
く15〜20%が特に望ましい。
く15〜20%が特に望ましい。
反応温度は一10°C〜100℃が好ましく、特に望ま
しくは0〜50℃である。反応温度が一10℃より低い
とどロメリット酸二無水物の溶解性が悪く、また温度が
低すぎるために反応の完結までに長時間を要する。また
1 00 ’Cより高いとイミド化が進みすぎ樹脂が析
出するために好ましくない。
しくは0〜50℃である。反応温度が一10℃より低い
とどロメリット酸二無水物の溶解性が悪く、また温度が
低すぎるために反応の完結までに長時間を要する。また
1 00 ’Cより高いとイミド化が進みすぎ樹脂が析
出するために好ましくない。
上記方法によって得られるポリアミド着ワニスは、流延
によってフィルム化したり、導体をワニス中に浸漬した
り、あるいは基板上に塗布したりして成形した後、10
0℃以上に加熱するかあるいは脱水剤、例えば無水酢酸
−ピリジンで処理することによってイミド化し、耐熱性
強度及び絶縁性に優れたポリイミド成形物とすることが
できる。
によってフィルム化したり、導体をワニス中に浸漬した
り、あるいは基板上に塗布したりして成形した後、10
0℃以上に加熱するかあるいは脱水剤、例えば無水酢酸
−ピリジンで処理することによってイミド化し、耐熱性
強度及び絶縁性に優れたポリイミド成形物とすることが
できる。
以下本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明するが、
本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない
。
本発明の範囲は以下の実施例に限定されるものではない
。
実施例1
温度計、撹拌機および塩化カルシウム管をつけた300
mQ4つロフラスコに4.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル(以下DDEと略す) 17.0g、P−フェニ
レンジアミン(以下1) P Dと略す)1.62 g
とN、N−ジメチルアセトアミド229.1gを入れ攪
拌し溶解する。この溶液を10°C前後に保ちながらピ
ロメリット酸二無水物(以下PMOAと略す)21.8
g を徐々に添加した後3時間攪拌して還元粘度2,
34dQ/g(溶媒ジメチルアセ1−アミド、濃度0.
1g/dQ、温度25.0°C)のポリアミド酸ワニス
を得た。
mQ4つロフラスコに4.4′−ジアミノジフェニルエ
ーテル(以下DDEと略す) 17.0g、P−フェニ
レンジアミン(以下1) P Dと略す)1.62 g
とN、N−ジメチルアセトアミド229.1gを入れ攪
拌し溶解する。この溶液を10°C前後に保ちながらピ
ロメリット酸二無水物(以下PMOAと略す)21.8
g を徐々に添加した後3時間攪拌して還元粘度2,
34dQ/g(溶媒ジメチルアセ1−アミド、濃度0.
1g/dQ、温度25.0°C)のポリアミド酸ワニス
を得た。
このワニスをガラス板上に流延した後90°Cで30分
間乾燥してポリアミド酸からなる丈夫なフィルムを得た
。フィルムをガラス板上より剥離し金枠に固定し200
°CIO分更に425℃で10分加熱してポリイミドフ
ィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの引張り強
さおよび伸び率をJll定したところそれぞれ20 、
2 kg/ n1112.72%であった。ガラス転移
温度は407℃であり、400 ’Cで30分間加熱し
た後の収縮率は0.3%で、I!A湿率(25℃、75
%RHにおける飽和吸湿率)は3.0%であった。また
耐屈曲性は15000回以上であった。
間乾燥してポリアミド酸からなる丈夫なフィルムを得た
。フィルムをガラス板上より剥離し金枠に固定し200
°CIO分更に425℃で10分加熱してポリイミドフ
ィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの引張り強
さおよび伸び率をJll定したところそれぞれ20 、
2 kg/ n1112.72%であった。ガラス転移
温度は407℃であり、400 ’Cで30分間加熱し
た後の収縮率は0.3%で、I!A湿率(25℃、75
%RHにおける飽和吸湿率)は3.0%であった。また
耐屈曲性は15000回以上であった。
比較例1
DDE20.0g とPMDA21.8g 、ジメチ
ルアセトアミド236.9 g を用いる以外は実施
例1と同様にして還元粘度2.08dQ/ど のポリア
ミド酸ワニスを得た。実施例1と同様にして得たポリイ
ミドフィルムの引張強さは16.8kg/no2、伸び
率は74%であった。ガラス転移温度は390 ’Cで
あり、400℃で30分間加熱した後の収縮率は0.6
%で吸湿率は3.0%であった。また耐屈曲性は100
00回以上であった。
ルアセトアミド236.9 g を用いる以外は実施
例1と同様にして還元粘度2.08dQ/ど のポリア
ミド酸ワニスを得た。実施例1と同様にして得たポリイ
ミドフィルムの引張強さは16.8kg/no2、伸び
率は74%であった。ガラス転移温度は390 ’Cで
あり、400℃で30分間加熱した後の収縮率は0.6
%で吸湿率は3.0%であった。また耐屈曲性は100
00回以上であった。
実施例2
DDE 14.0 g とPPD3.24g 、ジメ
チルボルムアミド156.2g、PMDA21.8gを
用いる以外は実施例1と同様にして還元粘度2.43c
lQ/g のポリアミド酸ワニスを得た。
チルボルムアミド156.2g、PMDA21.8gを
用いる以外は実施例1と同様にして還元粘度2.43c
lQ/g のポリアミド酸ワニスを得た。
この後実施例1に示すのと同様にしてポリイミドフィル
ムを得た。このフィルムの引張強さは22 、4 kg
/ rra2、伸び率は58%であった。ガラス転移温
度は420°Cであり、400℃で30分間加熱した後
の収縮率は0.15%で吸湿率は3.2%であった。耐
屈曲性は1.5000回以上であった。
ムを得た。このフィルムの引張強さは22 、4 kg
/ rra2、伸び率は58%であった。ガラス転移温
度は420°Cであり、400℃で30分間加熱した後
の収縮率は0.15%で吸湿率は3.2%であった。耐
屈曲性は1.5000回以上であった。
実施例3
DDEIO,0%、PPD5.4.g、N−メチル2−
ピロリドン211 g、PMDA21.8gを用い、反
応温度を30℃とした以外は実施例1と同様にして還元
粘度2.33dQ/g のポリアミド酸ワニスを得た
。
ピロリドン211 g、PMDA21.8gを用い、反
応温度を30℃とした以外は実施例1と同様にして還元
粘度2.33dQ/g のポリアミド酸ワニスを得た
。
この後、実施例1と同様にしてポリイミドフィルムを得
た。このフィルムの引張強さは25.5kg/1111
2、伸び率は42%で、吸湿率は3.5%であった。ガ
ラス転移温度は440℃であり、400℃で30分間加
熱した後の収縮率は0.1%であった。また耐屈曲性は
15000回以上であった。
た。このフィルムの引張強さは25.5kg/1111
2、伸び率は42%で、吸湿率は3.5%であった。ガ
ラス転移温度は440℃であり、400℃で30分間加
熱した後の収縮率は0.1%であった。また耐屈曲性は
15000回以上であった。
実施例4
DDE5.0g 、PPD8.1g 、ジメチルア
セ1ヘアミド198g、PMDA21.8gを用い、反
応温度を40’Cとした以外は実施例1と同様にして還
元粘度1.98dQ/g のポリアミド酸ワニスを得
た。
セ1ヘアミド198g、PMDA21.8gを用い、反
応温度を40’Cとした以外は実施例1と同様にして還
元粘度1.98dQ/g のポリアミド酸ワニスを得
た。
この後、最終処理温度を450 ’Cとする以外は実施
例1に示すのと同様にしてポリイミドフィルl−を得た
。このフィルムの引張強さは28.5kg/nn、伸び
率は35%であった。ガラス転移温度は460°Cであ
り、400℃で30分間加熱した後の収縮率は0.1%
で、吸湿率は4 、3 % であった。また耐屈曲性は
15000回以上であった。
例1に示すのと同様にしてポリイミドフィルl−を得た
。このフィルムの引張強さは28.5kg/nn、伸び
率は35%であった。ガラス転移温度は460°Cであ
り、400℃で30分間加熱した後の収縮率は0.1%
で、吸湿率は4 、3 % であった。また耐屈曲性は
15000回以上であった。
比較例2
DDEl、0g 、PPDlo、3g 、ジメチル
アセトアミド242.4g、PMDA21.8gを用い
る以外は実施例1と同様にして還元粘度1.63d Q
/g のポリアミド酸ワニスを得た。
アセトアミド242.4g、PMDA21.8gを用い
る以外は実施例1と同様にして還元粘度1.63d Q
/g のポリアミド酸ワニスを得た。
この後、実施例4に示すのと同様にしてポリイミドフィ
ル11を得た。このフィル11の引張強さは32 、3
kg/ nwn2伸び率は8%であった。ガラス転移
温度は470℃であり、4oO′cで30分間加熱した
後の収縮率は0.1%で、吸湿s8は・1.9%であっ
たが耐屈曲性は2800回であった。
ル11を得た。このフィル11の引張強さは32 、3
kg/ nwn2伸び率は8%であった。ガラス転移
温度は470℃であり、4oO′cで30分間加熱した
後の収縮率は0.1%で、吸湿s8は・1.9%であっ
たが耐屈曲性は2800回であった。
本発明に係るポリアミド酸ワニスがら耐熱性、強度の優
れたポリイミド成形物を得ることができる。
れたポリイミド成形物を得ることができる。
ゝ・こり
Claims (1)
- 1、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル10〜90
モル%とp−フェニレンジアミン90〜10モル%から
なるジアミン成分とピロメリット酸二無水物とを反応さ
せて得られるポリアミド酸を非プロトン性極性溶媒に溶
解させてなるポリアミド酸ワニス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32990588A JPH02678A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | ポリアミド酸ワニス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32990588A JPH02678A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | ポリアミド酸ワニス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6716584A Division JPS60210629A (ja) | 1984-04-04 | 1984-04-04 | ポリイミド成形物の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02678A true JPH02678A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=18226572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32990588A Pending JPH02678A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | ポリアミド酸ワニス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02678A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403185C (zh) * | 2004-07-02 | 2008-07-16 | 三星电子株式会社 | 湿式电子照相成像装置及其装配方法 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32990588A patent/JPH02678A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403185C (zh) * | 2004-07-02 | 2008-07-16 | 三星电子株式会社 | 湿式电子照相成像装置及其装配方法 |
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