JPH0269781A - コロナ帯電装置 - Google Patents
コロナ帯電装置Info
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- JPH0269781A JPH0269781A JP22199888A JP22199888A JPH0269781A JP H0269781 A JPH0269781 A JP H0269781A JP 22199888 A JP22199888 A JP 22199888A JP 22199888 A JP22199888 A JP 22199888A JP H0269781 A JPH0269781 A JP H0269781A
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- Japan
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- high voltage
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- corona
- corona discharge
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- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は被帯電部材を一様に帯電させるためのコロナ帯
電装置に関し、詳しくはコロナ放電線にＤＣ（直流）電
圧とＡＣ（交流）電圧の重畳電圧を印加してコロナ放電
を発生させるコロナ帯電装置、より具体的には静電写真
作像面を正又は負に帯電させるコロナ帯電装置に関する
。
電装置に関し、詳しくはコロナ放電線にＤＣ（直流）電
圧とＡＣ（交流）電圧の重畳電圧を印加してコロナ放電
を発生させるコロナ帯電装置、より具体的には静電写真
作像面を正又は負に帯電させるコロナ帯電装置に関する
。
「従来の技術」
コロナ放電線に高電圧を印加してコロナ放電を発生させ
、被帯電部材を一様に帯電させるための帯電装置は印加
電圧の種類から見て下記の４つの系のものに分類される
。
、被帯電部材を一様に帯電させるための帯電装置は印加
電圧の種類から見て下記の４つの系のものに分類される
。
■ ＤＣ高電圧を印加する系のもの
最も一般的なものでコロナ放電線に正極性（■）のＤＣ
高電圧を印加することにより■放電を生じ、負極性ｅの
高電圧を印加することによりＯ放電を生じる。
高電圧を印加することにより■放電を生じ、負極性ｅの
高電圧を印加することによりＯ放電を生じる。
■ ＡＣ電圧とＤＣ電圧の重畳電圧を印加する系のもの
ＡＣ電圧による■・０両極性のコロナ放電が主体で、そ
の両極性のコロナ放電荷重（電流量）の差分て被帯電部
材の■帯電又はθ帯電を行うもの。ＤＣ電圧は補助的な
もので、ＡＣ電圧による■と０両極性のコロナ放電電荷
量の差を加減したり、その差を一定に保つ役目をする。
の両極性のコロナ放電荷重（電流量）の差分て被帯電部
材の■帯電又はθ帯電を行うもの。ＤＣ電圧は補助的な
もので、ＡＣ電圧による■と０両極性のコロナ放電電荷
量の差を加減したり、その差を一定に保つ役目をする。
■ ＡＣ電圧とＤＣ高電圧の重畳電圧を印加する系のも
の ＤＣ高電圧によって決まる■もしくは○極性のコロナ放
電電荷のみにより被帯電部材を該電荷に応じた極性に帯
電するもの、ＡＣ電圧は補助的なものでＤＣ高電圧によ
る■もしくはｅ極性のコロナ電流量を時間的に変動させ
る役目をする。
の ＤＣ高電圧によって決まる■もしくは○極性のコロナ放
電電荷のみにより被帯電部材を該電荷に応じた極性に帯
電するもの、ＡＣ電圧は補助的なものでＤＣ高電圧によ
る■もしくはｅ極性のコロナ電流量を時間的に変動させ
る役目をする。
■ 印加電圧として、交流波形を片方へ歪ませたり、脈
流のみなどの特殊波形電圧を印加する系のもの また本出願人は特開昭６１−４０８２号公報において上
記■の系の改善に関する■の系の開示を行っている。
流のみなどの特殊波形電圧を印加する系のもの また本出願人は特開昭６１−４０８２号公報において上
記■の系の改善に関する■の系の開示を行っている。
該公開公報ζこ示す発明は高電圧をコロナ放電線に印加
してコロナ放電を発生させるコロナ放電装置において、
該高電圧がＤＣ高電圧にＡＣ１ＦＣ圧を重畳したもので
あり、かつコロナ放電電流の極性がＤＣ高電圧と同極の
成分のみになるようにＤＣ電圧値およびＡＣ電圧値を設
定したことを特徴とするコロナ放電装置であり、放電線
の状態（表面性、汚れ具合、線径等）によるコロナ放′
１線長手に沿う放電分布に実質的にムラのない安定した
コロナ放電を得ることを主な目的としたものである。
してコロナ放電を発生させるコロナ放電装置において、
該高電圧がＤＣ高電圧にＡＣ１ＦＣ圧を重畳したもので
あり、かつコロナ放電電流の極性がＤＣ高電圧と同極の
成分のみになるようにＤＣ電圧値およびＡＣ電圧値を設
定したことを特徴とするコロナ放電装置であり、放電線
の状態（表面性、汚れ具合、線径等）によるコロナ放′
１線長手に沿う放電分布に実質的にムラのない安定した
コロナ放電を得ることを主な目的としたものである。
「発明が解決しようとしている課題」
一般に静電写真に用いられる感光体のように製造過程で
大面積成膜を行う場合に、特に真空成膜法では膜の異常
成長、ピンホールの発生が不可避である。被帯電部材に
上記異常成長、ピンホールが存在すると、その部分は低
抵抗な微小領域となり例えば静電写真画像形成過程では
該部分が画像欠陥となる現象がある。
大面積成膜を行う場合に、特に真空成膜法では膜の異常
成長、ピンホールの発生が不可避である。被帯電部材に
上記異常成長、ピンホールが存在すると、その部分は低
抵抗な微小領域となり例えば静電写真画像形成過程では
該部分が画像欠陥となる現象がある。
このように被帯電部材上に電荷保持能力のない低抵抗な
微小領域が存在した場合、該被帯電部材に対するコロナ
放電による帯電部材表面に付与する電荷を２００ｎｃ／
ｃｍ２以上必要とするような条件の下では、従来の方法
では放電線の状態を極力均一にし放電ムラを抑制しても
上記低抵抗領域周囲が通常の被帯電部材上に対して過剰
に帯電される現象が生じた。上記現象が生ずる機（４°
４は明らかではないが、以下のような理由によると考え
られる。被帯電部材に低抵抗微小領域が存在するとその
領域と周囲の正常部分との帯電能力の差により電位差が
生じ、近傍の電界が強化される。これによりコロナ帯電
装置の該領域に対向する部分の放電が強化されることに
より、被帯電部材への充電電流が増加し上記領域周囲が
過剰に帯電される。さらに被帯電部材表面に付与する電
荷を２００ｎｃ／ｃｍ２以上必要とし、すなわち被帯電
部材に対する充電電流をより多く必要とし、その結果と
して被帯電部材上での電界強度がより強く、また、コロ
ナ生成物による影響がより増大する場合に、成膜過程に
おいて発生する異常成長、ピンホール等が上記過剰帯電
現象を顕著に生ずるような微小低抵抗領域となる。
微小領域が存在した場合、該被帯電部材に対するコロナ
放電による帯電部材表面に付与する電荷を２００ｎｃ／
ｃｍ２以上必要とするような条件の下では、従来の方法
では放電線の状態を極力均一にし放電ムラを抑制しても
上記低抵抗領域周囲が通常の被帯電部材上に対して過剰
に帯電される現象が生じた。上記現象が生ずる機（４°
４は明らかではないが、以下のような理由によると考え
られる。被帯電部材に低抵抗微小領域が存在するとその
領域と周囲の正常部分との帯電能力の差により電位差が
生じ、近傍の電界が強化される。これによりコロナ帯電
装置の該領域に対向する部分の放電が強化されることに
より、被帯電部材への充電電流が増加し上記領域周囲が
過剰に帯電される。さらに被帯電部材表面に付与する電
荷を２００ｎｃ／ｃｍ２以上必要とし、すなわち被帯電
部材に対する充電電流をより多く必要とし、その結果と
して被帯電部材上での電界強度がより強く、また、コロ
ナ生成物による影響がより増大する場合に、成膜過程に
おいて発生する異常成長、ピンホール等が上記過剰帯電
現象を顕著に生ずるような微小低抵抗領域となる。
このような過剰帯電現象を防止することを目的としてさ
らに充分に強いコロナ放電を行い、これによる総数電電
流の一部分を被帯電部材に対する充電電流として用いる
ことによって上記の過剰帯電現象を抑制し帯電を均一化
する場合、総放電電流量を増大させる必要があり、その
ために使用電源は高出力高容量の大型のものとなる問題
があった。更に放電電流密度の増大に伴いシールド電極
部材等との異常放電（火花放電等）を引き起こすといっ
た問題もあった。又、総放電電流量の増大に伴いオゾン
（０５）、窒素酸化物（ＮＯｘ）等のコロナ生成物の発
生量も増大するという問題があった。また上記問題を解
決することを目的として、すなわち総放電電流量を一定
にして放電を強化するために、ＤＣ高電圧にＡＣ電圧の
重畳電圧を用いた放電を行う場合については、被放電部
材表面に付与する電荷量を２ｏｏｎｃ／ｃｍ２以上必要
とする場合、前述のように必然的に放電空間での電界強
度が強化されることによって、例えばＡＣ電圧としてサ
イン波もしくはデユーティの少ない（より具体的には２
５％以下の）矩形波を用いると被帯電部材、シールド電
極部材等との異常放電（火花放電等）を引き起こすとい
った問題が生じた。
らに充分に強いコロナ放電を行い、これによる総数電電
流の一部分を被帯電部材に対する充電電流として用いる
ことによって上記の過剰帯電現象を抑制し帯電を均一化
する場合、総放電電流量を増大させる必要があり、その
ために使用電源は高出力高容量の大型のものとなる問題
があった。更に放電電流密度の増大に伴いシールド電極
部材等との異常放電（火花放電等）を引き起こすといっ
た問題もあった。又、総放電電流量の増大に伴いオゾン
（０５）、窒素酸化物（ＮＯｘ）等のコロナ生成物の発
生量も増大するという問題があった。また上記問題を解
決することを目的として、すなわち総放電電流量を一定
にして放電を強化するために、ＤＣ高電圧にＡＣ電圧の
重畳電圧を用いた放電を行う場合については、被放電部
材表面に付与する電荷量を２ｏｏｎｃ／ｃｍ２以上必要
とする場合、前述のように必然的に放電空間での電界強
度が強化されることによって、例えばＡＣ電圧としてサ
イン波もしくはデユーティの少ない（より具体的には２
５％以下の）矩形波を用いると被帯電部材、シールド電
極部材等との異常放電（火花放電等）を引き起こすとい
った問題が生じた。
「課題を解決するための手段」
本発明は高電圧をコロナ放電線に印加してコロナ放電を
発生させるコロナ帯電装置において、被帯電部材を所望
の電位に帯電させるために該帯電部材表面に付与する電
荷を２００ ｔｌｃ々２ｌ上々要とする場合に、該高電
圧が直流高電圧に交流電圧を重畳したものであり、かつ
、コロナ放電電流の極性が直流高電圧と同極の成分のみ
になるように直流電圧値および交流電圧値を設定し、前
記交流電圧の波形が矩形波であり、矩形波１周期あたり
の矩形波と重畳する直流電圧と同極性分の比率が２５％
〜８０チであることを特徴とするコロナ帯電装置である
。
発生させるコロナ帯電装置において、被帯電部材を所望
の電位に帯電させるために該帯電部材表面に付与する電
荷を２００ ｔｌｃ々２ｌ上々要とする場合に、該高電
圧が直流高電圧に交流電圧を重畳したものであり、かつ
、コロナ放電電流の極性が直流高電圧と同極の成分のみ
になるように直流電圧値および交流電圧値を設定し、前
記交流電圧の波形が矩形波であり、矩形波１周期あたり
の矩形波と重畳する直流電圧と同極性分の比率が２５％
〜８０チであることを特徴とするコロナ帯電装置である
。
「実施例」
〔実施例１〕
第１図において、電子写真複写機のドラム型感光体１（
被帯電部材）は矢印方向に所定の周速度で回転駆動され
る。該感光体１は例えばアモルファス・シリコンで、感
光体上に電荷保持能力のない微小低抵抗領域が存在する
。
被帯電部材）は矢印方向に所定の周速度で回転駆動され
る。該感光体１は例えばアモルファス・シリコンで、感
光体上に電荷保持能力のない微小低抵抗領域が存在する
。
感光体１の面に画像形成するために均一帯電処理するコ
ロナ放電器２が設けである。静電写真を作像するにあた
って、感光体１を所望の電位に帯電させるために必要な
該感光体１に対する電荷付与量は約２５０ｎｃ／ｃｍ２
である。感光体１の周囲及び周辺部にはその他、画像露
光装置、現像装置、転写装置、感光体クリーニング装置
等の所要のプロセス実行機器が配設されて電子写真複写
機としての全体機構が構成されるが、図には省略する。
ロナ放電器２が設けである。静電写真を作像するにあた
って、感光体１を所望の電位に帯電させるために必要な
該感光体１に対する電荷付与量は約２５０ｎｃ／ｃｍ２
である。感光体１の周囲及び周辺部にはその他、画像露
光装置、現像装置、転写装置、感光体クリーニング装置
等の所要のプロセス実行機器が配設されて電子写真複写
機としての全体機構が構成されるが、図には省略する。
コロナ放電器２はコロナ放電線３とシールド板４を備え
る。コロナ放電線３と接地間には直列に矩形波ＡＣ高圧
電源５とＤＣ高圧電源６が接続される。この直列の両電
源５，６によりコロナ放電線３に対してＤＣ高電圧ＶＤ
Ｃに矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰを重畳した電圧ＶＤＣ＋ＶＰ
Ｐが印加される。シールド板４は接地しである。
る。コロナ放電線３と接地間には直列に矩形波ＡＣ高圧
電源５とＤＣ高圧電源６が接続される。この直列の両電
源５，６によりコロナ放電線３に対してＤＣ高電圧ＶＤ
Ｃに矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰを重畳した電圧ＶＤＣ＋ＶＰ
Ｐが印加される。シールド板４は接地しである。
本例に於て、矩形波ＡＣ高圧電源５の出力ｖｐｐは周波
数的５ｏａＨｚ、電圧的８．５ ＫＶｐｐ （ｐｅａｋ
ｌｏ ｐｅａｋ）、ＤＣ高圧電源６の出力電圧ｖＤｃは
約４．３５ ＫＶである。また矩形波−周期あたりの正
電圧出力（デユーティ）は全体の５０％とする。
数的５ｏａＨｚ、電圧的８．５ ＫＶｐｐ （ｐｅａｋ
ｌｏ ｐｅａｋ）、ＤＣ高圧電源６の出力電圧ｖＤｃは
約４．３５ ＫＶである。また矩形波−周期あたりの正
電圧出力（デユーティ）は全体の５０％とする。
この電圧条件に於てコロナ放電器２から感光体１へ■コ
ロナ放電電源Ｉ２が流れ、感光体１面は■帯電を受ける
。前述のとうり感光体１の面を所望の帯電電位にするた
めの充電電流によって該感光体１に対して充電される電
荷量は２５０ｎｃ々２であり、ＤＣ高電圧ＶＯＣとこれ
に重畳した矩形波ＡＣ電圧ｖｐｐによりこの値が得られ
る。
ロナ放電電源Ｉ２が流れ、感光体１面は■帯電を受ける
。前述のとうり感光体１の面を所望の帯電電位にするた
めの充電電流によって該感光体１に対して充電される電
荷量は２５０ｎｃ々２であり、ＤＣ高電圧ＶＯＣとこれ
に重畳した矩形波ＡＣ電圧ｖｐｐによりこの値が得られ
る。
下表はコロナ放電電流Ｉ２を一定に保つようにして、上
記のＤＣ高電圧■Ｄｃに１周期あたりの正電圧出力の占
める割合を種々変化させた矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰを重畳
させた各場合における、実際に画像を出力した場合の感
光体１に存在する低抵抗領域周囲の、均一に帯電された
領域に対する画像濃度差、画像上でのムラの度合いを測
定した結果を示すものである。
記のＤＣ高電圧■Ｄｃに１周期あたりの正電圧出力の占
める割合を種々変化させた矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰを重畳
させた各場合における、実際に画像を出力した場合の感
光体１に存在する低抵抗領域周囲の、均一に帯電された
領域に対する画像濃度差、画像上でのムラの度合いを測
定した結果を示すものである。
Ｘ：実用レベル以下
Δ：はぼ実用レベル
○：実用レベル以上
表から明らかなようにＤＣ高電圧ＶＤＣに矩形波ＡＣ電
圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧ｖＰを約７．４ＫＶ以上
にすることで画像上にムラがほぼ表われなくなる。ピー
ク電圧ｖＰを必要以上に高めるのはスパーク放電防止上
さけねばならず、本例では矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰのデユ
ーティ５０％、ピーク電圧８，５ＫＶとした。
圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧ｖＰを約７．４ＫＶ以上
にすることで画像上にムラがほぼ表われなくなる。ピー
ク電圧ｖＰを必要以上に高めるのはスパーク放電防止上
さけねばならず、本例では矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰのデユ
ーティ５０％、ピーク電圧８，５ＫＶとした。
〔実施例２〕
第２図は他の実施例であり、本例は総コロナ電流量工１
を減少させる目的でコロナ放電器２のシールド板４にＤ
Ｃ高圧電源６と同極のバイアス電圧ＶＢをバイアス電源
７から印加して使用するようにしたもので他の構成は第
１図の実施例のものと同様である。バイアス電圧ＶＢは
線形、非線形素子により印加してもよい。
を減少させる目的でコロナ放電器２のシールド板４にＤ
Ｃ高圧電源６と同極のバイアス電圧ＶＢをバイアス電源
７から印加して使用するようにしたもので他の構成は第
１図の実施例のものと同様である。バイアス電圧ＶＢは
線形、非線形素子により印加してもよい。
コロナ放電ａ３に対する印加電圧はＶ。Ｃ（４，３５Ｋ
Ｖ） ＋Ｖｐｐ（８，７ＫＶ、約５ｏｏＨｚ矩形波）
トＬ、バイアス電圧ＶＢを１Ｋｖにすると、総電流量１
１は６３９μＡまで減少させしかもコロナ放電電流Ｉ２
による感光体１に対する電荷付与量は前記例と同じ２５
０ｎｃ／ａｎ２にして前記例と同等の感光体電位が得ら
れる。また矩形波ＡＣ電圧ｖＰｉ” １周期あたりの正
電圧出力の割合は２５ｑ６とした。
Ｖ） ＋Ｖｐｐ（８，７ＫＶ、約５ｏｏＨｚ矩形波）
トＬ、バイアス電圧ＶＢを１Ｋｖにすると、総電流量１
１は６３９μＡまで減少させしかもコロナ放電電流Ｉ２
による感光体１に対する電荷付与量は前記例と同じ２５
０ｎｃ／ａｎ２にして前記例と同等の感光体電位が得ら
れる。また矩形波ＡＣ電圧ｖＰｉ” １周期あたりの正
電圧出力の割合は２５ｑ６とした。
下表はコロナ放電電流工２を一定に保つようにして、上
記のＤＣ高電圧ＶＤＣに１周期あたりの正電圧出力の占
める割合を変化させた矩形波ＡＣ電圧”ＰＰを重畳させ
た各場合における実際に画像を出力した場合の感光体１
上に存在する低抵抗領域周囲の、均一に帯電された領域
に対する画像濃度差、画像上でのムラの度合いを測定し
た結果を示すものである。
記のＤＣ高電圧ＶＤＣに１周期あたりの正電圧出力の占
める割合を変化させた矩形波ＡＣ電圧”ＰＰを重畳させ
た各場合における実際に画像を出力した場合の感光体１
上に存在する低抵抗領域周囲の、均一に帯電された領域
に対する画像濃度差、画像上でのムラの度合いを測定し
た結果を示すものである。
×：実用レベル以下
Δ：はぼ実用レベル
Ｏ：実用レベル以上
表から明らかなようにＤＣ高電圧Ｖｎｃ ｉこ矩形波Ａ
Ｃ電圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧ｖＰを約７．１Ｋｖ
以上にすることで画像上にムラが表われなくなる。
Ｃ電圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧ｖＰを約７．１Ｋｖ
以上にすることで画像上にムラが表われなくなる。
〔実施例３〕
本例では第３図に示すように感光体表面の電位を制御す
ることを目的としてコロナ放電器２にグリッド電極８を
設は該電極にＤＣ高圧電源６と同極のバイアス電圧ｖＧ
をバイアス電源７から印加して使用するようにしたもの
で他の構成は第１図の実施例１のものと同様である。バ
イアス電圧ｖＧは線形、非線形素子により印加してもよ
い。シールド板４は接地しである。
ることを目的としてコロナ放電器２にグリッド電極８を
設は該電極にＤＣ高圧電源６と同極のバイアス電圧ｖＧ
をバイアス電源７から印加して使用するようにしたもの
で他の構成は第１図の実施例１のものと同様である。バ
イアス電圧ｖＧは線形、非線形素子により印加してもよ
い。シールド板４は接地しである。
コロナ放電線３に対する印加電圧はＶＤＣ（４，４ＫＶ
） ＋Ｖ、、（８，８ＫＶ、 約５０ ｏＨｚ矩形波）
トＬ、バイアス電圧ｖＧを所望の感光体１の表面電位
（本例においては約４５０Ｖ）とほぼ同等の電圧にする
ことで上記表面電位を得ることができる。また矩形波Ａ
Ｃ電圧ｖｐｐの正電圧出力のデユーティは５０チとした
。
） ＋Ｖ、、（８，８ＫＶ、 約５０ ｏＨｚ矩形波）
トＬ、バイアス電圧ｖＧを所望の感光体１の表面電位
（本例においては約４５０Ｖ）とほぼ同等の電圧にする
ことで上記表面電位を得ることができる。また矩形波Ａ
Ｃ電圧ｖｐｐの正電圧出力のデユーティは５０チとした
。
下表はコロナ放電電流を一定に保つようにして、上記の
ＤＣ高電圧ＶＤＣにデユーティを変化させた矩形波ＡＣ
電圧ｖｐｐを重畳させた各場合における実際に画像を出
力した場合の感光体上に存在する低抵抗領域周囲の均一
に帯電された領域に対する画像濃度差、画像上でのムラ
の度合いを測定した結果を示すものである。
ＤＣ高電圧ＶＤＣにデユーティを変化させた矩形波ＡＣ
電圧ｖｐｐを重畳させた各場合における実際に画像を出
力した場合の感光体上に存在する低抵抗領域周囲の均一
に帯電された領域に対する画像濃度差、画像上でのムラ
の度合いを測定した結果を示すものである。
×：実用レベル以上
Δ：はぼ実用レベル
○：実用レベル以上
表から明らかなようにＤＣ高電圧ＶＤＣに矩形波ＡＣ電
圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧を約ｙ、ｙＫＶ以上にす
ることで画像上にムラがほぼ表われなくなる。またピー
ク電圧を必要以上に高めるのはスパーク放電防止上さけ
なければならず、本例では矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰのデユ
ーティ５０％、ピーク電圧８，８ＫＶとした。
圧ＶＰＰを重畳し、ピーク電圧を約ｙ、ｙＫＶ以上にす
ることで画像上にムラがほぼ表われなくなる。またピー
ク電圧を必要以上に高めるのはスパーク放電防止上さけ
なければならず、本例では矩形波ＡＣ電圧ＶＰＰのデユ
ーティ５０％、ピーク電圧８，８ＫＶとした。
ところで、この直流高電圧と交流電圧の重畳電圧による
感光体に存在する微小低抵抗領域周囲に対する過剰帯電
を抑制する効果は次のような現象によるものと考えられ
る。すなわち、上記重畳電圧を用いることにより実効的
には直流高電圧と同等の感光体方向電流となるが、瞬時
的にはより強い放電を行っている。つまり単位時間あた
りの総数１！電流、感光体に対する充電電流がより大き
く、これを用いて感光体に対して帯電を行っていること
になる。放電を強化し、総数電電流を増加した場合、感
光体上の微小低抵抗領域近傍の電界が強まることによる
対向部分の放電への影響が相対的に少なくなる。これに
よって該領域周囲の過剰帯電を抑制し、より均一な帯電
が可能であると考えられる。
感光体に存在する微小低抵抗領域周囲に対する過剰帯電
を抑制する効果は次のような現象によるものと考えられ
る。すなわち、上記重畳電圧を用いることにより実効的
には直流高電圧と同等の感光体方向電流となるが、瞬時
的にはより強い放電を行っている。つまり単位時間あた
りの総数１！電流、感光体に対する充電電流がより大き
く、これを用いて感光体に対して帯電を行っていること
になる。放電を強化し、総数電電流を増加した場合、感
光体上の微小低抵抗領域近傍の電界が強まることによる
対向部分の放電への影響が相対的に少なくなる。これに
よって該領域周囲の過剰帯電を抑制し、より均一な帯電
が可能であると考えられる。
本発明は特に■放電に基づいて述べたが、これに限定さ
れるものではない。またシールド板４への印加バイアス
電圧ＶＢは直流、交流に限定されるものではない。
れるものではない。またシールド板４への印加バイアス
電圧ＶＢは直流、交流に限定されるものではない。
以上説明した様に、例えば■コロナ放電において微小低
抵抗領域の存在する感光体を所望の電位に帯電させる場
合に、直流高電圧のみでコロナ放電させるよりも、直流
高電圧に交流電圧を重畳させ、より強い放電を行い実効
的には直流高電圧のみの場合と同等の■コロナ電流を発
生させることにより又交流電圧としてデユーティ２５％
〜８０％の矩形波を用いることにより、感光体に付与す
る電荷量を２００ｎｃ／ａｎ’以上必要とするような場
合に、感光体もしくはシールド電極等と異常放電を起こ
さず従って、それによる帯電ムラによって画像劣化させ
ることなく安定な放電を維持しつつ上記低抵抗領域周囲
が過剰に帯電され、他の均一に帯電された領域に対して
画像濃度が高くなり画像品質を劣化させる現象を抑制し
、実用上複写画像上の濃度差によるムラが表われないよ
うにする効果が得られた。
抵抗領域の存在する感光体を所望の電位に帯電させる場
合に、直流高電圧のみでコロナ放電させるよりも、直流
高電圧に交流電圧を重畳させ、より強い放電を行い実効
的には直流高電圧のみの場合と同等の■コロナ電流を発
生させることにより又交流電圧としてデユーティ２５％
〜８０％の矩形波を用いることにより、感光体に付与す
る電荷量を２００ｎｃ／ａｎ’以上必要とするような場
合に、感光体もしくはシールド電極等と異常放電を起こ
さず従って、それによる帯電ムラによって画像劣化させ
ることなく安定な放電を維持しつつ上記低抵抗領域周囲
が過剰に帯電され、他の均一に帯電された領域に対して
画像濃度が高くなり画像品質を劣化させる現象を抑制し
、実用上複写画像上の濃度差によるムラが表われないよ
うにする効果が得られた。
第１図は実施例１のコロナ放電装置の概略図、第２図は
実施例２のコロナ放電装置の概略図、第３図は実施例３
のコロナ放電装置の概略図である。 １拳・感光体 ２・・コロナ放電装置 ３・・コロナ放
電ａ ４・・シールド板 ５・・矩形波ＡＣ高圧電源
６・、ＤＣ高圧電源 ７・・バイアス電源 ８・・グリ
ッド電極。 第１図
実施例２のコロナ放電装置の概略図、第３図は実施例３
のコロナ放電装置の概略図である。 １拳・感光体 ２・・コロナ放電装置 ３・・コロナ放
電ａ ４・・シールド板 ５・・矩形波ＡＣ高圧電源
６・、ＤＣ高圧電源 ７・・バイアス電源 ８・・グリ
ッド電極。 第１図
Claims (1)
- １、高電圧をコロナ放電線に印加してコロナ放電を発生
させるコロナ帯電装置において、被帯電部材を所望の電
位に帯電させるために該帯電部材表面に付与する電荷を
２００ｎｃ／ｃｍ＾２以上必要とする場合に、該高電圧
が直流高電圧に交流電圧を重畳したものであり、かつ、
コロナ放電電流の極性が直流高電圧と同極の成分のみに
なるように直流電圧値および交流電圧値を設定し、前記
交流電圧の波形が矩形波であり、矩形波１周期あたりの
矩形波と重畳する直流電圧と同極性分の比率が２５％〜
８０％であることを特徴とするコロナ帯電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22199888A JPH0269781A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | コロナ帯電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22199888A JPH0269781A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | コロナ帯電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269781A true JPH0269781A (ja) | 1990-03-08 |
Family
ID=16775490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22199888A Pending JPH0269781A (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | コロナ帯電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0269781A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230653A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Japan Vilene Co Ltd | コロナ放電装置 |
| US5508788A (en) * | 1993-09-22 | 1996-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus having contact charger wtih superposed AC/DC bias |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22199888A patent/JPH0269781A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06230653A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Japan Vilene Co Ltd | コロナ放電装置 |
| US5508788A (en) * | 1993-09-22 | 1996-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image forming apparatus having contact charger wtih superposed AC/DC bias |
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