JPH0272641A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents

半導体装置の樹脂封止装置

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JPH0272641A
JPH0272641A JP63224212A JP22421288A JPH0272641A JP H0272641 A JPH0272641 A JP H0272641A JP 63224212 A JP63224212 A JP 63224212A JP 22421288 A JP22421288 A JP 22421288A JP H0272641 A JPH0272641 A JP H0272641A
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JP
Japan
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hot plate
plate
resin sealing
semiconductor device
resin
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JP63224212A
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Toru Ueno
上野 透
Suekichi Tanaka
田中 末吉
Koji Tsutsumi
康次 堤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C45/1742—Mounting of moulds; Mould supports
    • B29C45/1744—Mould support platens

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、トランスファ成形プレスを用いて樹脂成形す
る半導体装置の樹脂封止装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種半導体装置の樹脂封止装置は第2図(上下
2つの型板のうち下側の型板を示す)に示すように構成
されている。これを同図に基づいて説明すると、同図に
おいて、符号1で示すものはベース2上に多数のサポー
トピン3を介して設けられヒータ4を内蔵する熱盤、5
はこの熱盤1上に保持されパーティング面5aに開口す
るキャビティ6を有するチェイスブロック、7はこのチ
ェイスブロック5の外側に配設されかつ前記熱盤lと前
記ベース2との間に介装され側方に開口する取付溝7a
を有するスペーサブロックである。このスペーサブロッ
ク7の内側には、前記キャビティ6内を進退するエジェ
クタービン(図示せず)を有するエジェクター機構8が
収納されている。なお、前記チェイスブロック5の上方
には上側の型板(図示せず)が配設されている。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、型締時にポット(図示せず)内の樹脂タブレット
(図示せず)をプランジャー(図示せず)によって加圧
し、予めチェイスブロック5に装着されたリードフレー
ム(図示せず)上の半導体素子(図示せず)を樹脂封止
することができる。
なお、樹脂封止時には、ヒータ4によってチェイスブロ
ック5を樹脂成形温度に加熱する必要がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、従来の半導体装置の樹脂封止装置においては
、熱盤1に熱伝導率の低い金属材料が使用されているた
め、樹脂成形時にチェイスブロック5が不均一に加熱さ
れて反り変形していた。すなわち、ヒータ4は熱盤1の
複数箇所に内蔵されるものであり、このため加熱時には
チェスブロック5の下端面全体が均一に加熱されないか
らである。この結果、両パーティング面5a (一方の
み図示)に間隙が形成されてしまい、チェスブロック5
上のリードフレーム(図示ぜす)に樹脂ばりが発生する
という問題があった。
そこで、熱盤1に高い例えば銅合金等の金属軟材料を使
用することが考えられるが、この場合サポートピン3が
軟らかい熱盤1に食い込んでこれを破損するという不都
合があった。また、例えば銅合金等の金属材料からなる
熱盤lは剛性が低いことから、前述同様反り変形して両
パーティング5a (図示せず)に間隙が形成され、リ
ードフレーム(図示せず)に樹脂ばりが発生するという
不都合もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、樹脂
成形時に熱盤の破損発生やリードフレームにおける樹脂
ばりの発生を防止することができる半導体装置の樹脂封
止装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置は、熱盤とサポ
ートピンとの間にパッキングプレートを介装し、このパ
ッキングプレート上の熱盤を熱伝導率が良好な材料によ
って形成したものである。
〔作 用〕
本発明においては、樹脂成形時にパッキングプレートに
よって熱盤の反り変形を阻止することができると共に、
熱盤がもつ高伝導性によってチェイスブロックの反り変
形を阻止することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置を示す
断面図で、同図において第2図と同一の部材については
同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図におい
て、符号11で示すものは前記チェイスブロック5の下
端面に対接する上端面をもつ熱盤で、前記ヒータ4を内
蔵し、全体が熱伝導率が高い例えば銅合金等の金属材料
によって形成されている。12は前記熱盤11の剛性よ
り高い剛性をもつ材料からなるパッキングプレートで、
前記熱盤1と前記サポートピン3との間に介装されてい
る。
このように構成された半導体装置の樹脂封止装置におい
ては、熱伝導率が高い熱盤11を使用したから、樹脂成
形(封止)時にチエイスプロ・ツク5を均一に加熱する
ことができる。
したがって、本発明においては、樹脂封止時にチェイス
ブロック5の反り変形を阻止することができるから、チ
ェイスブロック5の各パーティング面5a (一方のみ
図示)を互いに密着させることができる。
また、本発明においては、パッキングプレート12を熱
盤11とサポートピン3との間に介装したから、熱盤1
1に対するサポートピン3の食い込みや熱盤11の反り
変形を阻止することができる。
なお、本実施例においては、熱盤11を一つの部材によ
って形成してなるものを示したが、本発明はこれに限定
されず、熱盤11が分割形成してなるものでも実施例と
同様の効果を奏する。この場合には、チェイスブロック
5の下端面に対接する一方の熱盤(図示せず)に例えば
銅合金等の金属材料を使用する。そして、他方の熱盤(
図示せず)にヒータ4を内蔵し、このヒータ4を熱伝導
率が高い材料によって囲繞すれば、熱盤11からチェイ
スブロック5にヒータ熱を一層効果的に伝達することが
できる。
また、本実施例においては、チェイスブロック5が二個
であるものに適用する例を示したが、本発明はこれに限
定適用されるものでないことば勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、熱器とサポートピ
ンとの間にパッキングプレートを介装し、このパッキン
グプレート上の熱器を熱伝導率が良好な材料によって形
成したので、チェイスブロック全体を均一に加熱するこ
とができ、樹脂封止時にチェイスブロックの反り変形を
阻止することができる。また、パッキングプレートによ
って熱器の反り変形を阻止することができる。したがっ
て、樹脂封止時にチェイスブロックの各パーティングを
互いに密着させることができるから、リードフレームに
おける樹脂ばりの発生を防止することができる。また、
サポートピンと熱器との間に介装したパッキングプレー
トによって、熱器に対するサポートピンの食い込みを阻
止することができるから、熱器の破損発生を防止するこ
ともできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る半導体装置の樹脂封止装置を示す
断面図、第2図は従来の半導体装置の樹脂封止装置を示
す断面図である。 2・・・・ベース、3・・・・サポートピン、4・・・
・ヒータ、5・・・・チエイスプロ・ツク、11・・・
・熱器、12・・・・パッキングプレート。 代 理   人   大 岩 増 雄

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベース上にサポートピンを介して設けられヒータを内蔵
    する熱盤と、この熱盤上に保持されキャビティを有する
    チェイスブロックとを備えた半導体装置の樹脂封止装置
    において、前記熱盤と前記サポートピンとの間にパッキ
    ングプレートを介装し、このパッキングプレート上の前
    記熱盤を熱伝導率が良好な材料によって形成したことを
    特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
JP63224212A 1988-09-07 1988-09-07 半導体装置の樹脂封止装置 Expired - Lifetime JP2676231B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6192056U (ja) * 1984-11-22 1986-06-14
JPS61241109A (ja) * 1985-04-19 1986-10-27 Hitachi Ltd モ−ルド金型
JPS6226827A (ja) * 1985-07-27 1987-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置

Patent Citations (3)

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JPS6226827A (ja) * 1985-07-27 1987-02-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置

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