JPH028136U - - Google Patents

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JPH028136U
JPH028136U JP8519688U JP8519688U JPH028136U JP H028136 U JPH028136 U JP H028136U JP 8519688 U JP8519688 U JP 8519688U JP 8519688 U JP8519688 U JP 8519688U JP H028136 U JPH028136 U JP H028136U
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JP8519688U
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は請求項第1項記載の考案の一実施例を
示す断面図、第2図は請求項第1項記載の考案の
実施例におけるn埋込層とp埋込層の領域関係の
一例を示す説明図、第3図は請求項第2項記載の
考案の一実施例を示す断面図、第4図は従来の半
導体装置におけるアンダーパスの構造の例を示す
断面図である。 1……p型基板、2……n埋込層、3……pア
イソレーシヨン拡散層、4……p埋込層、5……
nエピタキシヤル層、6……pアイソレーシヨン
拡散層、7……nコレクタウオール層、8……p
拡散層、9……n拡散層、10……抵抗、11…
…酸化絶縁層、12……配線金属。なお各図中同
一符号は同一または相当する部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) n埋込層の上にp埋込層を設け、n埋込層
    に達するコレクタウオール層と上記p埋込層に達
    するpアイソレーシヨン拡散層を設け、p基板層
    と上記p埋込層及びpアイソレーシヨン拡散層に
    囲われた上記n埋込層と上記コレクタウオール層
    を電気電導域とするアンダーパスを備えた半導体
    装置。 (2) n埋込層の上にp埋込層を設け、該p埋込
    層に達するpテイソレーシヨン拡散層を設け、n
    埋込層とnエピタキシヤル層に囲われた上記p埋
    込層と上記pアイソレーシヨン拡散層を電気電導
    域とするアンダーパスを備えた半導体装置。
JP8519688U 1988-06-29 1988-06-29 Pending JPH028136U (ja)

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JPH028136U true JPH028136U (ja) 1990-01-19

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