JPH0261966U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0261966U JPH0261966U JP13970688U JP13970688U JPH0261966U JP H0261966 U JPH0261966 U JP H0261966U JP 13970688 U JP13970688 U JP 13970688U JP 13970688 U JP13970688 U JP 13970688U JP H0261966 U JPH0261966 U JP H0261966U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial growth
- reaction tube
- hydride
- source metal
- divided
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す構成図、第２
図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図はエピタキ
シヤル成長時の温度プロフアイルを示す図、第４
図は従来の反応管を示す構成図である。 １……基板ホルダ、２……基板、３……族管
、４……仕切り、５……ソースボート、６……ソ
ースメタル、７……族管、８……反応管。
図は第１図のＡ―Ａ線断面図、第３図はエピタキ
シヤル成長時の温度プロフアイルを示す図、第４
図は従来の反応管を示す構成図である。 １……基板ホルダ、２……基板、３……族管
、４……仕切り、５……ソースボート、６……ソ
ースメタル、７……族管、８……反応管。
Claims (1)
- ―族のハイドライドエピタキシヤル成長に
おいて利用される反応管において、ソースメタル
を載置する領域を複数に仕切り、それぞれの区画
された領域に個別のソースメタル輸送用反応ガス
導入部を有することを特徴とするハイドライドエ
ピタキシヤル成長用反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970688U JPH0261966U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13970688U JPH0261966U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0261966U true JPH0261966U (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=31403215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13970688U Pending JPH0261966U (ja) | 1988-10-26 | 1988-10-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0261966U (ja) |
-
1988
- 1988-10-26 JP JP13970688U patent/JPH0261966U/ja active Pending