JPH0282645A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置を、実装するリードフレームのタ
イパッドの構造に関する。

［発明の概要］ 半導体装置を実装するリードフレームのグイパッド裏面
にＳｉ又は、Ｓｉ化合物からなる膜を形成することによ
り、グイパッド裏面とエポキシ樹脂の密着性が向上し、
樹脂の吸湿によるクラックを防ぐことができる。

【従来の技術１ 従来のリードフレームを用いて、実装を行った時の断面
構造は第３図に記す如（、リードフレームの裏面が直接
エポキシ樹脂に接していた。この様な構造の場合、エポ
キシ樹脂とリードフレームの間の密着性が悪く、リード
フレームのタイパッドと、エポキシ樹脂との間に、吸湿
した水分が溜まる。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では、エポキシ樹脂が吸湿した
状態で、リフロー炉に入れると、リードフレームのタイ
パッドとエポキシ樹脂の間に溜まっていた水分が気化膨
張し、エポキシ樹脂にクラックが入り、半導体装置の信
頼性の低下を招く問題点があった６本発明は、この様な
問題点を解決するもので、その目的とするところは、タ
イパッドと樹脂との間に水分が溜まらずかつ、リードフ
レームと樹脂の密着性を上げることで、樹脂にクラック
が入らないリードフレームの構造を提供することにある
。

［課題を解決するための手段１ 半導体装置を実装するリードフレームのグイパッドにお
いて、グイパッドの裏面に、Ｓｉ又は。

Ｓｉ化合物からなる膜を形成することにより、エポキシ
樹脂中に含まれるＳｉフィラーとの密着性が、向上する
という特徴を活かした構造を有することを特徴とするリ
ードフレーム。

〔実　施　例］ 以下、本発明について、実施例に基づき、詳細に説明す
る。

第３図は、従来技術を用い実装した時の断面構造図であ
る。第１図は、本発明を用い実装した時の断面構造図で
ある。第１図の場合、リードフレーム３とエポキシ樹脂
２が直接、接するのではなくＳｉ化合物であるＳｉ酸化
膜４を介して、リードフレームのグイパッドとエポキシ
樹脂が接することで、エポキシ樹脂中に含まれるＳｉフ
ィラーとリードフレーム裏のＳｉ膜が、Ｖ：：着し、グ
イパッドとエポキシ樹脂の密着性が向上する。又、Ｓｉ
酸化膜の他に、多結晶Ｓｉ及び、Ｓｉチップ等、Ｓｉを
含有した膜を形成することでも全く同様の効果が得られ
る。

又、それらの膜形成方法は、スパッタ法、スピン塗布法
、ＣＶＤ法、ダイアタッチ法等と、リードフレーム材質
、形成する膜によって変更する。

又よりいっそうの密着性を上げる為に、グイバンドの裏
面のみならず、樹脂より外に出るリードを除くリード全
面に同様の膜形成をすることで、リード沿いにも水分が
溜まらない実施例の断面構造図を第２図に記す。

［発明の効果］ 本発明の効果は、リードフレームのダイパ・ンドの裏面
に、Ｓｉ又は、Ｓｉ化合物膜層を形成することにより、
Ｓｉ膜と、樹脂中に含まれるＳｉフィラーが密着し、グ
イパッド裏面とエポキシ樹脂４脂の密着性が向上する為
、エポキシ樹脂が吸湿しても、グイパッド下に水分が溜
まらないので、モールド樹脂のクラックをなくすことが
できた。又、これにより半導体装置の信頼性が向上した
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を用いて半導体装置を実装した時の断
面構造図である。 第２図は、本発明を用いた実施例の断面構造図である。 第３図は、従来技術を用いて半導体装置を実装した時の
断面構造図である。 始り図 １・・・半導体装置 ２・・・エポキシ樹脂 ３・・　・リードフレーム ４・・・Ｓｉ並ひに８１化合物 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）垢三区

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置を実装するリードフレームのタイパッドにお
   いて、タイパッドの裏面に、Ｓｉ又は、Ｓｉ化合物から
   なる膜を形成する構造を有する事を特徴とするリードフ
   レーム。