JPH0286131A - 半導体集積装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積装置内の電源配線の配線配置に関
する。

〔従来の技術１ 半導体集積装置内の電源配線は、負荷の変動に対する電
源ノイズを防止する為に極力低インピーダンスとする事
が望ましい、この事に対処する従来の技術例を第３図の
ブロック図に示す、第３図において、１は電源端子ＶＤ
Ｄを示す、２は電源端子ＶＳＳ、１５は電源端子１から
負荷までの半導体集積装置内の電源配線を示す、１６は
電源端子２から負荷までの半導体集積装置内の電源配線
を示す、前述した電源ノイズを防止する電源配線の低イ
ンピーダンス化の為に、電源配線の断面積を大きくする
必要から電源端子から負荷までの電源配線１５と１６を
出来る丈幅広くしている。

従来技術の他の例を第４図のブロック図に示す、１は電
源端子ＶＤＤを示す、２は電源端子ＶＳＳを示す、１７
．１８．１９．２０は電源端子ＶＤＤ　１から各負荷へ
つながる１ｆ源配線を示し、それぞれ独立して電源端子
１から各負荷へ接続されている。２１．２２．２３．２
４は電源端子■ＳＳ２から各負荷へつながる電源配線を
示し、それぞれ独立して電源端子２から各負荷へ接続さ
れている。第４図の従来例では、電源ノイズを防止する
為に、各負荷への電源配線を独立させた事により、例え
ば負荷１に於ける負荷変動による電源ノイズが、他の負
荷２、負荷３、負荷４に影響な与＾ないようにしている
。

［発明が解決しようとする課題］ しかし前述の従来例の場合は、以下に示す問題点がある
。

前述の第３図の場合は、電源配線１５と１６を出来る丈
幅広くする必要があるが、高周波の負荷を駆動する場合
は、前記電源型！８１５と１６の幅は１１００ＬＬ程度
必要となり、この事は数ミリ・メートル角以下のサイズ
の半導体集積装置の場合には面積巾約３割を占めるに至
り、半導体集積装置のコストを高くしてしまう問題点が
有る。

前述の第４図の場合は、電源配線が負荷の数だけ必要と
なるので、電源配線数が増＾てしまい、この事は半導体
集積装置の面積を太きくシ、第３図の場合と同様にコス
トを高くしてしまう問題点がある。

本発明は上述の問題点を解決するものであり、その目的
とする所は、低コストで、電源ノイズに強い半導体集積
装置の電源配線配置を提供するものである。

〔課題を解決するための手段１ 上述した問題点を解決するため、本発明は配線層を二つ
以上有する半導体集積装置に於いて、第１の配線層の上
に、少なくとも他の配線層のうちのひとつの第２の配線
層の全体もしくは一部を重ねて配線し、前記第１の配線
層と前記第２の配線層とは同電位の電源である事を特徴
とする。

１作　用］ 本発明によれば、電源配線を第１の配線層と、少なくと
も他の配線層のうちのひとつの第２の配線層とを重ねて
配線するので、電源配線の断面積が大きくなり、従って
低インピーダンスである。

また、厚み方向に電源配線の断面積を大きくするので、
半導体集積装置の面積増加には影響しない。

［実　施　例］ 以下に本発明の詳細な説明する。第１図は本発明の一実
施例を示すブロック図であり、配線層を２つ有する半導
体集積装置の例である。ｌは電源端子ＶＤＤ、２は電源
端子ＶＳＳ、３は半導体集積装置内の電源配線で、電源
端子ＶＤＤＩから各負荷へ一層目の配線層を用いて接続
されている。４は電源配線１の上に平行して配線された
電源配線で、二層目の配線層を用いている。５は半導体
集積装置内の電源配線で、電源端子ＶＳＳ２から各負荷
へ一層目の配線層を用いて接続されている。６は電源配
線５の上に平行して配線された電源配線で、二層目の配
線層を用いている０通常−層目の配線層と二層目の配線
層は酸化シリコン（Ｓ　ｉ　Ｏ，）によって絶縁されて
いるが、電源配線３と電源配線４とが重なっている所は
、前記酸化シリコンを開口させ、電源配置３と電源型Ｉ
Ｉ４とは接合されている。１ｆ源配！８５と電源型ＩＪ
ｉｅとも、上記電源配線３と電源配線４の関係と同様に
接合されている。

負荷１、負荷２、負荷３、負荷４は半導体集積装置内の
機能別区分を表わしている０例えば時計用半導体集積装
置であれば、負荷１は発振回路部、負荷２は分周回路部
、負荷３は出力回路部、負荷４は制御回路部といった区
分を表わしている。

第１図では、二層目の配線層は一層目配線層の大きさに
納まる形で幅が狭く書かれているが、二層目の配線層が
一層目の配線層よりも幅が広い場合でも、無論同じ効果
が得られる。

本発明の他の実施例を第２図のブロック図に示す、第２
図も配線層を２つ有する半導体集積装置の例である。ｌ
は電源端子ＶＤＤ、２は電源端子ＶＳＳ、７は電源端子
ＶＤＤＩから負荷ｌまで一層目の配線層で接続した電源
配線。８は電源端子ＶＤＤ　ｌから負荷２まで二層目の
配線層で接続した電源配線。９は電源端子ＶＤＤｌから
負荷３まで一層目の配線層で接続した電源配線、１０は
電源端子ＶＤＤ　ｌから負荷４まで二層目の配線層で接
続した電源配線、１１．１２．１３．１４は電源端子Ｖ
ＳＳ２から各負荷へ接続する電源配線で、１１は一層目
の配線層で負荷ｌへ、１２は二層目の配線層で負荷２へ
、１３は一層目の配線層で負荷３へ、１４は二層目の配
線層で負荷４へ、それぞれ独立して接続されている。電
源配線７と８、電源配線９と１０、電源配線１１と１２
、電源配線１３と１４は、各々可能な限り、上下方向に
重なり平行に配線されている。

［発明の効果］ 以上述べたように発明によれば、第一の配線層の上に他
の配線層を重ねて電源配線を行うので、電源配線の線幅
を、−層だけの配線層を用いた電源配線に比べて、幅広
くする必要がなく、半導体集積装置のサイズが小さくで
き、低コストで製造できる。

また、電源配線が、上下２つの配線層で行うので、電源
配線の低インピーダンス化が可能となり、ノイズに強く
、高周波用に適した電源配線として使用できる。

また、半導体集積装置内の電源配線は一般に、アルミ材
を用いて行うが、半導体集積装置内に有って、一番熱伝
導率の良いのは前述のアルミ材である。従って、電源配
線（アルミ）を上下２つの配線層で行う事により、半導
体集積装置内で発生する熱を外部へ発散し易（なり、半
導体集積装置の安定動作にも寄与する。

また、半導体集積装置はアルミ材が湿気によって腐食す
るという欠点があるが、電源配！（アルミ）を上下２つ
の配線層で行う事により、上側の配線層は下側の配線層
を湿気から保護する形となり、信頼性の向上にも寄与す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すブロック図。 第２図は本発明の他の実施例を示すブロック図。 第３図は従来技術の一実施例を示すブロック図。 第４図は従来技術の他の実施例を示すブロック図。 １・・・・・電源端子ＶＤＤ ２・・・・・電源端子ＶＳＳ ３、５　・　・　・ ４、６　・　・　・ ７、９、１１ ８、１０、１ １５、　ｌ　６． ２１、２２、 一層目の配線層の電源配線 二層目の配線層の電源配線 、１３ 一層目の配線層の電源配線 ２．１４ 二層目の配線層の電源配線 １７．１８．１９．２０ 電源配線 ２３．２４ 電源配線 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　上　柳　雅　誉（他１名）第１図 第 図 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 配線層を二つ以上有する半導体集積装置に於て、第１の
   配線層の上に、少なくとも他の配線層のうちのひとつの
   第２の配線層の全体もしくは一部を重ねて配線し、前記
   第１の配線層と前記第２の配線層とは同電位の電源配線
   である事を特徴とする半導体集積装置。