JPH0287538A - テープキャリアモジュール - Google Patents
テープキャリアモジュールInfo
- Publication number
- JPH0287538A JPH0287538A JP63238708A JP23870888A JPH0287538A JP H0287538 A JPH0287538 A JP H0287538A JP 63238708 A JP63238708 A JP 63238708A JP 23870888 A JP23870888 A JP 23870888A JP H0287538 A JPH0287538 A JP H0287538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- film
- bonding
- inner lead
- outer lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテープキャリアモジュール及びテープキャリア
モジュールの製造方法係り、特にアウタリード部への金
属膜形成に好適なものである。
モジュールの製造方法係り、特にアウタリード部への金
属膜形成に好適なものである。
従来のテープキャリアモジュールは、特開昭５７１４９
７５９号公報に記載のように、半導体チップをボンディ
ングする前にインナリード部及びアウタリート部に５ｎ
−Ｐｂ系はんだめっき処理を施こしている。
７５９号公報に記載のように、半導体チップをボンディ
ングする前にインナリード部及びアウタリート部に５ｎ
−Ｐｂ系はんだめっき処理を施こしている。
ところが上記従来技術ではインナリードボンディング部
とアウタリードボンディング部のはんだ層厚さが同じに
なっており、インナリードボンディングに最適なはんだ
層厚さにすると、アウタボンディング部のはんだ量が不
足してしまい良好な接続が出来ない。また逆にアウタリ
ードボンディング部に最適なはんだ層厚さでは、インナ
リードボンディング部のはんだ量が過多になって、はん
だブリッジ及びはんだ流れ出しによる回路ショート等の
不良が発生するという欠点がある。
とアウタリードボンディング部のはんだ層厚さが同じに
なっており、インナリードボンディングに最適なはんだ
層厚さにすると、アウタボンディング部のはんだ量が不
足してしまい良好な接続が出来ない。また逆にアウタリ
ードボンディング部に最適なはんだ層厚さでは、インナ
リードボンディング部のはんだ量が過多になって、はん
だブリッジ及びはんだ流れ出しによる回路ショート等の
不良が発生するという欠点がある。
本発明の目的は、上記のインナリードボンディング部と
アウタリードボンディング部のめっき皮膜形成法を改良
することによって上記従来技術の問題点を無くすること
にある。
アウタリードボンディング部のめっき皮膜形成法を改良
することによって上記従来技術の問題点を無くすること
にある。
すなわち本発明では、インナリードボンディングに最適
な皮膜処理を行なった状態で半導体チップのボンディン
グを行ない、この後でアウタリードに最適な皮膜処理を
行なうようにしたものである。
な皮膜処理を行なった状態で半導体チップのボンディン
グを行ない、この後でアウタリードに最適な皮膜処理を
行なうようにしたものである。
この方法によれば、インナリードボンディング前のテー
プキャリアはインナリードボンディングに最も適した金
属及び皮膜厚さを選定でき、その後のアウタリードボン
ディングに対しては、インナリードボンディング部への
ボンディング性を気にせずアウタリードボンディングに
最適な金属及び皮膜厚さを選定出来る。
プキャリアはインナリードボンディングに最も適した金
属及び皮膜厚さを選定でき、その後のアウタリードボン
ディングに対しては、インナリードボンディング部への
ボンディング性を気にせずアウタリードボンディングに
最適な金属及び皮膜厚さを選定出来る。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図は本発明になるテープキャリアモジュールの主要
製造工程を示す断面図である。（ａ）〜（ｄ）において
、絶縁テープ１上には銅箔が貼り付けられパターニング
されて銅箔パターン２が形成される。絶縁テープ１の一
部を取り除いた個所にインナリード３及びアラタリー１
〜４を形成する。
製造工程を示す断面図である。（ａ）〜（ｄ）において
、絶縁テープ１上には銅箔が貼り付けられパターニング
されて銅箔パターン２が形成される。絶縁テープ１の一
部を取り除いた個所にインナリード３及びアラタリー１
〜４を形成する。
銅箔パターン２上にはＳｎ膜５が形成されており、イン
ナリード３にはバンプ６を有する半導体チップ７が形成
されている。Ｓｎｎ膜上上びインナリード部のバンプ６
上にははんだ皮膜８が形成される。
ナリード３にはバンプ６を有する半導体チップ７が形成
されている。Ｓｎｎ膜上上びインナリード部のバンプ６
上にははんだ皮膜８が形成される。
以上の構成においてテープキャリアモジュールの構成及
び製造方法を説明する。第１図（ａ）において、ポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁テープ１の一部を取り除いた一面
に銅箔２を貼り付ける。次いで、銅箔２上に必要パター
ンの焼付、現象処理を用いたホト処理工程を通し不要銅
箔を二ノチング処理にて除去し必要銅箔パターン２を得
る。次にパターニングされたテープを無電解Ｓｎめっき
処理工程を通して、（ｂ）に示す如く、銅箔パターン上
にＳｎめっき皮膜５を形成する。このＳｎ皮膜５は（Ｃ
）図においてチップ７上のＡｕめっきで形成されたバン
プ６とＡ ｕ −Ｓ ｎ接合を行なうに最も適した厚さ
付着させる。Ｓｎ皮膜５を形成したインナリード３とＡ
ｕバンプ６を有するチップ７は、位置合わせ整合された
後、インナリードボンダ（図示なし）によって圧力と温
度を付加し、Ａｕ−Ｓｎ接合を行なう （（Ｃ）図）。
び製造方法を説明する。第１図（ａ）において、ポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁テープ１の一部を取り除いた一面
に銅箔２を貼り付ける。次いで、銅箔２上に必要パター
ンの焼付、現象処理を用いたホト処理工程を通し不要銅
箔を二ノチング処理にて除去し必要銅箔パターン２を得
る。次にパターニングされたテープを無電解Ｓｎめっき
処理工程を通して、（ｂ）に示す如く、銅箔パターン上
にＳｎめっき皮膜５を形成する。このＳｎ皮膜５は（Ｃ
）図においてチップ７上のＡｕめっきで形成されたバン
プ６とＡ ｕ −Ｓ ｎ接合を行なうに最も適した厚さ
付着させる。Ｓｎ皮膜５を形成したインナリード３とＡ
ｕバンプ６を有するチップ７は、位置合わせ整合された
後、インナリードボンダ（図示なし）によって圧力と温
度を付加し、Ａｕ−Ｓｎ接合を行なう （（Ｃ）図）。
次いでチップボンディングされたテープを電解５ｎ−ｐ
ｂめっき処理工程を通すことにより、（ｄ）図に示す如
く金属露出部にアウタリードに適した厚さのＳ ｎ −
Ｐ ｂはんだめっき皮膜８を形成する。
ｂめっき処理工程を通すことにより、（ｄ）図に示す如
く金属露出部にアウタリードに適した厚さのＳ ｎ −
Ｐ ｂはんだめっき皮膜８を形成する。
以上述へた如く本発明によれば、インナリード部とアウ
タリード部それぞれに適した組成及び厚さの皮膜を形成
することが出来、インナリードボンディング及びアウタ
リードボンディングのボンディング歩留りを大巾に向上
させることが可能である。
タリード部それぞれに適した組成及び厚さの皮膜を形成
することが出来、インナリードボンディング及びアウタ
リードボンディングのボンディング歩留りを大巾に向上
させることが可能である。
なお、本実施例ではインナリードボンディング前の第１
層皮膜にＳｎ皮膜を用いたが、Ａｕ皮膜及びＳｎ Ｐ
ｂ皮膜を用いることも出来る。また、インナリートボン
ディング後の第２層皮膜にＳｎ−Ｐ ｂ系はんだを用い
たが、Ｓｎ皮膜、Ｓｎ −Ｐｂ皮膜、Ａｕ皮膜、Ａｕ−
Ｎｉ皮膜も同様に用いることができる。
層皮膜にＳｎ皮膜を用いたが、Ａｕ皮膜及びＳｎ Ｐ
ｂ皮膜を用いることも出来る。また、インナリートボン
ディング後の第２層皮膜にＳｎ−Ｐ ｂ系はんだを用い
たが、Ｓｎ皮膜、Ｓｎ −Ｐｂ皮膜、Ａｕ皮膜、Ａｕ−
Ｎｉ皮膜も同様に用いることができる。
第１図は本発明の一実施例のテープキャリアモジュール
の構成及び製造方法を示す断面図である。 １・・・絶縁テープ、２・・銅箔パターン、３・・イン
ナリート、４・・アウタリード、５・・Ｓｎ皮膜、７・
・・半導体チップ、８・・・はんだ皮膜。
の構成及び製造方法を示す断面図である。 １・・・絶縁テープ、２・・銅箔パターン、３・・イン
ナリート、４・・アウタリード、５・・Ｓｎ皮膜、７・
・・半導体チップ、８・・・はんだ皮膜。
Claims (1)
- １、絶縁フィルム上に銅又は銅合金で形成されたパター
ンを有するテープキャリアに半導体素子をインナリード
ボンディングし、アウタリードボンディングをはんだ接
続で行なうテープキャリアモジュールにおいて、パター
ニングされたインナリード及びアウタリードに第１の金
属膜を形成し、次いで半導体チップを前記インナリード
にボンディングした後、露出したアウタリード部に第２
の金属膜を形成したことを特徴とするテープキャリアモ
ジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238708A JPH0287538A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | テープキャリアモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63238708A JPH0287538A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | テープキャリアモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287538A true JPH0287538A (ja) | 1990-03-28 |
Family
ID=17034097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63238708A Pending JPH0287538A (ja) | 1988-09-26 | 1988-09-26 | テープキャリアモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437149A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-26 JP JP63238708A patent/JPH0287538A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0437149A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US5654584A (en) * | 1990-06-01 | 1997-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having tape automated bonding leads |
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