JPH0290652A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0290652A JPH0290652A JP24503488A JP24503488A JPH0290652A JP H0290652 A JPH0290652 A JP H0290652A JP 24503488 A JP24503488 A JP 24503488A JP 24503488 A JP24503488 A JP 24503488A JP H0290652 A JPH0290652 A JP H0290652A
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- Japan
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
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- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関する。
近年、デバイスの金属配線における種々の問題が起って
いる。
いる。
第２図（ａ＞、（ｂ）は従来の半導体装置を説明するた
めの半導体チップの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である
。第２図に示すように、Ｐ“型拡散領域３とＮ“型拡散
領域４とを接続する場合、各々の拡散領域にコンタクト
９を設け、金属配線８で接続を行なっていた。
めの半導体チップの平面図及びＢ−Ｂ’線断面図である
。第２図に示すように、Ｐ“型拡散領域３とＮ“型拡散
領域４とを接続する場合、各々の拡散領域にコンタクト
９を設け、金属配線８で接続を行なっていた。
上述した従来の半導体装置では、Ｐ＋型拡散領域３とＮ
＋型拡散領域４間をコンタクト９を介して金属配線８に
より接続しているため、金属配線８端には、各々、Ｐ型
とＮ型の異なる導電型の半導体が接続されることになる
。そのため、金属配線間に電位差が発生してしまう。半
導体を樹脂等でパッケージングしているデバイスでは、
吸湿すると、金属配線端間の電位差により、電気分解が
発生し、金属配線の腐食を促進させるという欠点があっ
た。
＋型拡散領域４間をコンタクト９を介して金属配線８に
より接続しているため、金属配線８端には、各々、Ｐ型
とＮ型の異なる導電型の半導体が接続されることになる
。そのため、金属配線間に電位差が発生してしまう。半
導体を樹脂等でパッケージングしているデバイスでは、
吸湿すると、金属配線端間の電位差により、電気分解が
発生し、金属配線の腐食を促進させるという欠点があっ
た。
本発明の目的は、金属配線間の電位差をなくし、配線の
耐湿性向上が可能な半導体装置を提供することにある。
耐湿性向上が可能な半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、一導電型半導体基板上の一部に
設けられた逆導電型ウェル領域と、前記逆導電型ウェル
領域上に設けられた少なくとも２つの第１の逆導電型拡
散領域と、前記一導電型半導体基板上に設けられた少な
くとも２つの第１の一導電型拡散領域と、少なくとも１
つの前記第１の一導電型拡散領域上に設けられた第２の
逆導電型拡散領域と、少なくとも１つの前記第１の逆導
電型拡散領域上に設けられた第２の一導電型拡散領域と
を含んで構成される。
設けられた逆導電型ウェル領域と、前記逆導電型ウェル
領域上に設けられた少なくとも２つの第１の逆導電型拡
散領域と、前記一導電型半導体基板上に設けられた少な
くとも２つの第１の一導電型拡散領域と、少なくとも１
つの前記第１の一導電型拡散領域上に設けられた第２の
逆導電型拡散領域と、少なくとも１つの前記第１の逆導
電型拡散領域上に設けられた第２の一導電型拡散領域と
を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図である
。第１図に示すように、Ｎ型基板１上にＰ型ウェル領域
２を形成する。次に、Ｎ型基板１上にＮ＋型拡散領域４
を２ケ所形成し、その１つのＮ＋型拡散領域４上にＰ＋
型拡散領域５を浅く形成する。又、Ｐ型ウェル領域２上
には、Ｐ＋型拡散領域２を２ケ所形成し、その１つのＰ
＋型拡散領域３上にＮ１型拡散領域６を浅く形成する。
めの半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図である
。第１図に示すように、Ｎ型基板１上にＰ型ウェル領域
２を形成する。次に、Ｎ型基板１上にＮ＋型拡散領域４
を２ケ所形成し、その１つのＮ＋型拡散領域４上にＰ＋
型拡散領域５を浅く形成する。又、Ｐ型ウェル領域２上
には、Ｐ＋型拡散領域２を２ケ所形成し、その１つのＰ
＋型拡散領域３上にＮ１型拡散領域６を浅く形成する。
次に、基板全面に、絶縁膜７を形成した後、コンタクト
９を形成し、アルミニウムの金属配線８を配線して、半
導体装置を形成する。
９を形成し、アルミニウムの金属配線８を配線して、半
導体装置を形成する。
本発明により、金属配線８両端は、それぞれ２ケ所のコ
ンタクト９により、Ｎ型及びＰ型拡散領域と接続される
ため、配線間の電位は同電位となる。
ンタクト９により、Ｎ型及びＰ型拡散領域と接続される
ため、配線間の電位は同電位となる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上のＮ型及び
Ｐ型拡散領域上にそれぞれ浅いＰ型とＮ型の拡散領域を
形成し、拡散領域上に複数のコンタクトを形成すること
により、金属配線両端には、Ｎ型及びＰ型拡散領域がそ
れぞれ接続されるため、配線間の電位は同電位となる。
Ｐ型拡散領域上にそれぞれ浅いＰ型とＮ型の拡散領域を
形成し、拡散領域上に複数のコンタクトを形成すること
により、金属配線両端には、Ｎ型及びＰ型拡散領域がそ
れぞれ接続されるため、配線間の電位は同電位となる。
よって、電位差による電気分解が発生することがないた
め、配線の耐湿性向上が可能になる効果がある。
め、配線の耐湿性向上が可能になる効果がある。
第１図＜ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２
図（ａ＞、（ｂ）は従来の半導体装置を説明するための
半導体チップの平面図及び゛Ｂ−Ｂ’線断面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型ウェル領域、３・・・
Ｐ＋拡散領域、４・・・Ｎ＋拡散領域、５・・・Ｐ＋拡
散領域、６・・・Ｎ＋拡散領域、７・・・絶縁膜、８・
・・金属配線、９・・・コンタクト。
めの半導体チップの平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２
図（ａ＞、（ｂ）は従来の半導体装置を説明するための
半導体チップの平面図及び゛Ｂ−Ｂ’線断面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型ウェル領域、３・・・
Ｐ＋拡散領域、４・・・Ｎ＋拡散領域、５・・・Ｐ＋拡
散領域、６・・・Ｎ＋拡散領域、７・・・絶縁膜、８・
・・金属配線、９・・・コンタクト。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上の一部に設けられた逆導電型ウェ
ル領域と、前記逆導電型ウェル領域上に設けられた少な
くとも２つの第１の逆導電型拡散領域と、前記一導電型
半導体基板上に設けられた少なくとも２つの第１の一導
電型拡散領域と、少なくとも１つの前記第１の一導電型
拡散領域上に設けられた第２の逆導電型拡散領域と、少
なくとも１つの前記第１の逆導電型拡散領域上に設けら
れた第２の一導電型拡散領域とを含むことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503488A JPH0760850B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503488A JPH0760850B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290652A true JPH0290652A (ja) | 1990-03-30 |
| JPH0760850B2 JPH0760850B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=17127599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24503488A Expired - Lifetime JPH0760850B2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760850B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24503488A patent/JPH0760850B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760850B2 (ja) | 1995-06-28 |
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