JPH03104131A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03104131A JPH03104131A JP1241159A JP24115989A JPH03104131A JP H03104131 A JPH03104131 A JP H03104131A JP 1241159 A JP1241159 A JP 1241159A JP 24115989 A JP24115989 A JP 24115989A JP H03104131 A JPH03104131 A JP H03104131A
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- Japan
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- wires
- fine metal
- wire
- semiconductor device
- short
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
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- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体装置のワイヤボンディング技術に関す
る。
る。
[従来の技術]
ICチップをプラスチックパッケージに組立て[発明が
解決しようとする課ME 最近工aパッケージの多ピン化が進み、2ooピン以上
のものが増えているが、この場合問題になるのは、リー
ド電極3のピッチがQ.2rrrIR程度以下には加工
が困難であることから、リード電極3ヲハッド電極4に
十分近づけられない事である。
解決しようとする課ME 最近工aパッケージの多ピン化が進み、2ooピン以上
のものが増えているが、この場合問題になるのは、リー
ド電極3のピッチがQ.2rrrIR程度以下には加工
が困難であることから、リード電極3ヲハッド電極4に
十分近づけられない事である。
この結果金属細線5の長さが従来2.5〜5. 0 m
mだったのが、3鴫を越えるようになり、更に5rra
n以上のものも現われつつあり、たるみが生じて第2図
の様にタプ2と接触したり、後工程の樹脂或形時に金属
細線同士が接触して、電気的にショートしてしまう問題
点を有する。
mだったのが、3鴫を越えるようになり、更に5rra
n以上のものも現われつつあり、たるみが生じて第2図
の様にタプ2と接触したり、後工程の樹脂或形時に金属
細線同士が接触して、電気的にショートしてしまう問題
点を有する。
本発明は上記課題を解決すべくなされたものでその目的
とするところはかかる金属細線のタブショートや金属細
線同士のショートを防止した半導体装置を提供するとこ
ろにある。
とするところはかかる金属細線のタブショートや金属細
線同士のショートを防止した半導体装置を提供するとこ
ろにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体装置は、パッド電極とリード電極の間に
絶縁材による金属細線固定部が形成され、金属細線が金
属細線固定部分に固定されている事を特徴とする。
絶縁材による金属細線固定部が形成され、金属細線が金
属細線固定部分に固定されている事を特徴とする。
着剤のついた絶縁材7を金属細線の上に載せ金属細線を
固定する。
固定する。
第2図は本発明の多の実施例の模式図である。
ここでは、ワイヤ固定部がタブとリード電極の中間に設
けられている。絶縁材6および7は、絶縁材固定部B上
に搭載される。紅お絶縁材固定部Bは、図示しないが、
タブ吊りリードに繋っている[実施例コ 第1図は本発明の実施例の模式図である。なお前述の従
来例と同一または相当部分には同じ符号を付してある。
けられている。絶縁材6および7は、絶縁材固定部B上
に搭載される。紅お絶縁材固定部Bは、図示しないが、
タブ吊りリードに繋っている[実施例コ 第1図は本発明の実施例の模式図である。なお前述の従
来例と同一または相当部分には同じ符号を付してある。
本発明の構造を得るためにはタブ20表面にはワイヤボ
ンデイング前に絶縁材6を予じめ貼付しておき、ワイヤ
ポンデイングにより金属細線5をパッド電極4とリード
電極Sとに接続する。この時、ワイヤが3; 5 rr
anと長いとワイヤは絶縁材6上にたるんで接触する。
ンデイング前に絶縁材6を予じめ貼付しておき、ワイヤ
ポンデイングにより金属細線5をパッド電極4とリード
電極Sとに接続する。この時、ワイヤが3; 5 rr
anと長いとワイヤは絶縁材6上にたるんで接触する。
本発明では、むしろこのたるみと接触の程度を多少、大
きくする方が効果的でもある。ワイヤボンデイング後は
、絶縁性接[発明の効果] 以上述べた様に本発明によれば、バッ.ド電極とリード
電極の間に絶縁材による金属細線固定部分が形成され、
金属細線が金属ilB線固定部分に固定された事により
、金属細線のタブショートや金属細線同士のショートの
問題が解決でき、200ビンを越える半導体装置の組立
を容易ならしめるという効果を有する。
きくする方が効果的でもある。ワイヤボンデイング後は
、絶縁性接[発明の効果] 以上述べた様に本発明によれば、バッ.ド電極とリード
電極の間に絶縁材による金属細線固定部分が形成され、
金属細線が金属ilB線固定部分に固定された事により
、金属細線のタブショートや金属細線同士のショートの
問題が解決でき、200ビンを越える半導体装置の組立
を容易ならしめるという効果を有する。
第1図は本発明の半導体装置の一実施例を示す模式図。
第2図は本発明の半導体装置の他の実施例を示す模式図
。第3図は、従来の半導体装置の模式図である。 1・・・・・・・・・工0チクプ 2・・・・・・・・・タ ブ 3・・・・・・・・・リード電極 4・・・・・・・・・パッド電極 5・・・・・・・・・金属細線 6・・・・・・・・・絶縁材 7・・・・・・・・・絶縁材 8・・・・・・・・・絶縁材固定部 以上
。第3図は、従来の半導体装置の模式図である。 1・・・・・・・・・工0チクプ 2・・・・・・・・・タ ブ 3・・・・・・・・・リード電極 4・・・・・・・・・パッド電極 5・・・・・・・・・金属細線 6・・・・・・・・・絶縁材 7・・・・・・・・・絶縁材 8・・・・・・・・・絶縁材固定部 以上
Claims (1)
- ICチップのパッド電極とリード電極とを金属細線を用
いて接続することにより組立てが行われる半導体装置に
おいて、前記パッド電極と前記リード電極の間には絶縁
材による金属細線固定部が形成され、金属細線が金属細
線固定部に固定されている事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241159A JPH03104131A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241159A JPH03104131A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03104131A true JPH03104131A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17070139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1241159A Pending JPH03104131A (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03104131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017099A3 (en) * | 1998-12-31 | 2002-10-23 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor devices |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1241159A patent/JPH03104131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1017099A3 (en) * | 1998-12-31 | 2002-10-23 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor devices |
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