JPH03105935A - 半導体装置用セラミックパッケージ - Google Patents
半導体装置用セラミックパッケージInfo
- Publication number
- JPH03105935A JPH03105935A JP1244236A JP24423689A JPH03105935A JP H03105935 A JPH03105935 A JP H03105935A JP 1244236 A JP1244236 A JP 1244236A JP 24423689 A JP24423689 A JP 24423689A JP H03105935 A JPH03105935 A JP H03105935A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- element mounting
- semiconductor device
- recess
- ceramic package
- internal lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用セラミックパッケージに関する。
従来の半導体装置用セラミックパッケージは、第3図(
a).(b)に示すように、セラミック容器1の中央に
設けた凹部の底面に設けた素子搭載部4と、素子搭載部
4の周辺の凹部上段水平面に設けた内部リード3と内部
リード3の周囲のセラミック容器の上面に設けたウエル
ドリング2により構或されている。
a).(b)に示すように、セラミック容器1の中央に
設けた凹部の底面に設けた素子搭載部4と、素子搭載部
4の周辺の凹部上段水平面に設けた内部リード3と内部
リード3の周囲のセラミック容器の上面に設けたウエル
ドリング2により構或されている。
上述した従来の半導体装置用セラミックパッゲージは、
それぞれの機種に適合させて設けた素子搭載部の寸法及
び内部リードのパターンで構或されているため、寸法の
小さい半導体チップを搭載した場合にはボンディング線
の長さが長くなりボンディング線のループ形状が悪くな
って隣接ボンディング線間相互の短絡や、ボンディング
線の垂れ下りによる半導体チップの端部との短絡等を生
ずるという問題点がある。
それぞれの機種に適合させて設けた素子搭載部の寸法及
び内部リードのパターンで構或されているため、寸法の
小さい半導体チップを搭載した場合にはボンディング線
の長さが長くなりボンディング線のループ形状が悪くな
って隣接ボンディング線間相互の短絡や、ボンディング
線の垂れ下りによる半導体チップの端部との短絡等を生
ずるという問題点がある。
本発明の半導体装置用セラミックパッケージは、セラミ
ック容器の中央に形或した凹部底面に設けた素子搭載部
と前記素子搭載部周囲の前記凹部上段水平面に設けた内
部リードとを有する半導体装置用パッケージにおいて、
前記凹部の側面に接して設け且つ上面にボンディング線
接続用のパッド電極を配列して設けた絶縁体を備えてい
る。
ック容器の中央に形或した凹部底面に設けた素子搭載部
と前記素子搭載部周囲の前記凹部上段水平面に設けた内
部リードとを有する半導体装置用パッケージにおいて、
前記凹部の側面に接して設け且つ上面にボンディング線
接続用のパッド電極を配列して設けた絶縁体を備えてい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第l図(a),(b)は本発明の第1の実施例を示す平
面図及びA−A’線断面図である。
面図及びA−A’線断面図である。
第1図(a),(b)に示すように、セラミック容器1
の中央に設けた凹部の底面に素子搭載部4を設け、素子
搭載部4の周囲の凹部上段水平面に金属化層をパターニ
ングして内部リード3を設け、内部リード3の外側のセ
ラミック容器1の上面に環状のウェルドリング2を設け
る。次に、内部リード3を設けた凹部上段に隣接する凹
部の側面に接して直方体状の絶縁体5を取付け、内部リ
ード3に隣接する絶縁体5の上面に配列してパッド電極
6を設けてパッケージを構戒する。
の中央に設けた凹部の底面に素子搭載部4を設け、素子
搭載部4の周囲の凹部上段水平面に金属化層をパターニ
ングして内部リード3を設け、内部リード3の外側のセ
ラミック容器1の上面に環状のウェルドリング2を設け
る。次に、内部リード3を設けた凹部上段に隣接する凹
部の側面に接して直方体状の絶縁体5を取付け、内部リ
ード3に隣接する絶縁体5の上面に配列してパッド電極
6を設けてパッケージを構戒する。
第2図(a),(b)は第1の実施例の使用例を示す部
分平面図及びB−B’線断面図である。
分平面図及びB−B’線断面図である。
第2図(a),(b)に示すように、第1の実施例のパ
ッケージの素子搭載部4に半導体チップ7を搭載し、半
導体チップ7の電極と電極パツド6との間及びパッド電
極6と内部リード3との間をそれぞれボンディング線8
で接続する。
ッケージの素子搭載部4に半導体チップ7を搭載し、半
導体チップ7の電極と電極パツド6との間及びパッド電
極6と内部リード3との間をそれぞれボンディング線8
で接続する。
第2図(a>.(b)は、本発明の第2の実施例を示す
平面図及びc−c’線断面図である。枠状の絶縁体5a
が素子搭載部4の周囲の凹部側面に接して固着されてい
る以外は第1の実施例と同じ構成を有しており、絶縁体
5aが棒状であるため素子搭載部4への固着時の位置決
めが容易という利点がある。
平面図及びc−c’線断面図である。枠状の絶縁体5a
が素子搭載部4の周囲の凹部側面に接して固着されてい
る以外は第1の実施例と同じ構成を有しており、絶縁体
5aが棒状であるため素子搭載部4への固着時の位置決
めが容易という利点がある。
以上説明したように本発明は、素子搭載部に各種のパッ
ド電極パターンを有する各種寸法の絶縁体を固着するこ
とにより、ボンディング線の事故を発生することなく多
種の形状の半導体チップを搭載することが可能になると
いう効果を有する。
ド電極パターンを有する各種寸法の絶縁体を固着するこ
とにより、ボンディング線の事故を発生することなく多
種の形状の半導体チップを搭載することが可能になると
いう効果を有する。
第1図(a),(b)は本発明の第1の実施例を示す平
面図及びA−A’線断面図、第2図(a>,(b)は第
1の実施例の使用状態を示す部分平面図及びB−B’線
断面図、第3図(a>(b)は本発明の第2の実施例を
示す平面図及びc−c’線断面図、第4図(a),(b
)は従来の半導体装置用セラミックパッケージの平面図
、及びD−D’線断面図である。 1・・・セラミック容器、2・・・ウェルドリング、3
・・・内部リード、4・・・素子搭載部、5,5a・・
・絶縁体、6・・・バット電極、7・・・半導体チップ
、8・・・ボンディング線。 カ 1 図
面図及びA−A’線断面図、第2図(a>,(b)は第
1の実施例の使用状態を示す部分平面図及びB−B’線
断面図、第3図(a>(b)は本発明の第2の実施例を
示す平面図及びc−c’線断面図、第4図(a),(b
)は従来の半導体装置用セラミックパッケージの平面図
、及びD−D’線断面図である。 1・・・セラミック容器、2・・・ウェルドリング、3
・・・内部リード、4・・・素子搭載部、5,5a・・
・絶縁体、6・・・バット電極、7・・・半導体チップ
、8・・・ボンディング線。 カ 1 図
Claims (1)
- セラミック容器の中央に形成した凹部底面に設けた素子
搭載部と前記素子搭載部周囲の前記凹部上段水平面に設
けた内部リードとを有する半導体装置用パッケージにお
いて、前記凹部の側面に接して設け且つ上面にボンディ
ング線接続用のパッド電極を配列して設けた絶縁体を備
えたことを特徴とする半導体装置用セラミックパッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244236A JPH03105935A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用セラミックパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244236A JPH03105935A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用セラミックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105935A true JPH03105935A (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=17115766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244236A Pending JPH03105935A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用セラミックパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03105935A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58210650A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61161730A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1244236A patent/JPH03105935A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58210650A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS61161730A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Nec Corp | 半導体装置 |
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