JPH03105959A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH03105959A JPH03105959A JP24418789A JP24418789A JPH03105959A JP H03105959 A JPH03105959 A JP H03105959A JP 24418789 A JP24418789 A JP 24418789A JP 24418789 A JP24418789 A JP 24418789A JP H03105959 A JPH03105959 A JP H03105959A
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- semiconductor device
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特に信頼
性と作業性に優れた樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの構造に関スる。
性と作業性に優れた樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームの構造に関スる。
従来、樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレー
ムは、第３図（ａ）のように１枚の金属板を打ち抜きあ
るいはエッチング加工することにより、多遮りードフレ
ーム３１として形戒されている。各単位は略中夫に位置
する素子搭載部３２と、この素子搭載部３２を周囲位置
のフレーム部３６に支持させる吊りリード３３と、素子
搭載部３２を包囲するように配置した複数本の外部導出
用リード３４と、これら外部導出用リード３４を連結し
て樹脂封止時に樹脂が外方へ流出するのを防止するタイ
パー３５とで構或されている。
ムは、第３図（ａ）のように１枚の金属板を打ち抜きあ
るいはエッチング加工することにより、多遮りードフレ
ーム３１として形戒されている。各単位は略中夫に位置
する素子搭載部３２と、この素子搭載部３２を周囲位置
のフレーム部３６に支持させる吊りリード３３と、素子
搭載部３２を包囲するように配置した複数本の外部導出
用リード３４と、これら外部導出用リード３４を連結し
て樹脂封止時に樹脂が外方へ流出するのを防止するタイ
パー３５とで構或されている。
そして従来の樹脂封止型半導体装置は第３図（ｂ）に示
したように、上記素子搭載部３２に半導体素子３７を銀
ペースト等のろう材（図示せず）で固着し、かつ上記半
導体素子３７のボンディングパッドと外部導出用リード
３４とを金属細線３８で接続した後に、これらをモール
ド樹脂３９等で封止していた。
したように、上記素子搭載部３２に半導体素子３７を銀
ペースト等のろう材（図示せず）で固着し、かつ上記半
導体素子３７のボンディングパッドと外部導出用リード
３４とを金属細線３８で接続した後に、これらをモール
ド樹脂３９等で封止していた。
更に、封止後にはタイパー３５を切除し、封止部から露
出しているリードフレームに錫や半田等のメッキを施し
た上で、吊りリード３３や外部導出用リード３４等をフ
レーム部３６から切り離し、かつ外部導出用リード３４
を所定形状に或形することで半導体装置として完或して
いる。
出しているリードフレームに錫や半田等のメッキを施し
た上で、吊りリード３３や外部導出用リード３４等をフ
レーム部３６から切り離し、かつ外部導出用リード３４
を所定形状に或形することで半導体装置として完或して
いる。
上述した従来の半導体装置用リードフレームは、吊りリ
ード３３に所要の支持強度が得られるように、その幅も
しくは断面積を大きく設ける必要がある。またそのため
吊りリード３３とフレーム部３６とを切り離す工程では
、過大な剪断応力を吊りリード３３の端部に加えねばな
らず、第３図（ｃ）の部分拡大図に示すように、吊りリ
ード３３とモールド樹脂３９との接着界面にしばしば破
壊が生じている。以上述べた吊りリードの界面面積が大
きいことと、その界面に生じた破壊とが相俟って、水分
やイオン性不純物の侵入を容易にし、素子の配線層を形
戊するアルミニウムの腐食や断線不良の原因の１つさえ
なっている。
ード３３に所要の支持強度が得られるように、その幅も
しくは断面積を大きく設ける必要がある。またそのため
吊りリード３３とフレーム部３６とを切り離す工程では
、過大な剪断応力を吊りリード３３の端部に加えねばな
らず、第３図（ｃ）の部分拡大図に示すように、吊りリ
ード３３とモールド樹脂３９との接着界面にしばしば破
壊が生じている。以上述べた吊りリードの界面面積が大
きいことと、その界面に生じた破壊とが相俟って、水分
やイオン性不純物の侵入を容易にし、素子の配線層を形
戊するアルミニウムの腐食や断線不良の原因の１つさえ
なっている。
このため、吊りリード３３の幅を小さく設け、界面面積
並びに界面破壊を低減する試みがなされたが、この場合
には、吊りリードの支持強度が不足しているため、樹脂
封止後の各工程におけるハンドリング時に吊Ｐ）リード
が切断してしまい、後の工程で支障を生じることになる
。
並びに界面破壊を低減する試みがなされたが、この場合
には、吊りリードの支持強度が不足しているため、樹脂
封止後の各工程におけるハンドリング時に吊Ｐ）リード
が切断してしまい、後の工程で支障を生じることになる
。
また、さらに上記強度不足を補うために、第４図（ａ）
〜（Ｃ）に示したようなフック形の補助吊りリード４１
０を設ける試みがなされているが、上述の欠点を解消で
きる代わりに新しい欠点が生じるという問題を抱えてい
る。この場合、フック形の補助吊りリードは吊りリード
切断後にモールド樹脂４９中に埋め込まれる形となり、
また吊りリード切断時にはモールド樹脂自体のみが剪断
の際に発生する引張り応力に耐えねばならないことにな
る。半導体素子サイズが小さく、補助吊りリードのシー
ルバスを十分に確保できる場合は上記引張り応力に対し
モールド樹脂も十分耐えられるが、最先端メモリーのよ
うに半導体素子サイズが非常に大きく、シールパスもほ
とんど確保できない場合には、第４図（Ｃ）に示したよ
うに、フック形の補助吊りリード４１０のフック部より
樹脂クラックが発生してしまうという新たな欠点が生じ
ている。
〜（Ｃ）に示したようなフック形の補助吊りリード４１
０を設ける試みがなされているが、上述の欠点を解消で
きる代わりに新しい欠点が生じるという問題を抱えてい
る。この場合、フック形の補助吊りリードは吊りリード
切断後にモールド樹脂４９中に埋め込まれる形となり、
また吊りリード切断時にはモールド樹脂自体のみが剪断
の際に発生する引張り応力に耐えねばならないことにな
る。半導体素子サイズが小さく、補助吊りリードのシー
ルバスを十分に確保できる場合は上記引張り応力に対し
モールド樹脂も十分耐えられるが、最先端メモリーのよ
うに半導体素子サイズが非常に大きく、シールパスもほ
とんど確保できない場合には、第４図（Ｃ）に示したよ
うに、フック形の補助吊りリード４１０のフック部より
樹脂クラックが発生してしまうという新たな欠点が生じ
ている。
本発明の目的は、吊りリードと樹脂界面を通しての水分
やイオン性不純物の侵入による半導体素子の腐食や断線
不良を防止でき、また樹脂パッケージを強固に支持する
ことで工程でのハンドリング不良を防止すると共に、吊
りリードの切断工程における補助吊りリード引張りによ
る樹脂へのダメージを解消でき、また更に樹脂内部応力
を低減できる半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。
やイオン性不純物の侵入による半導体素子の腐食や断線
不良を防止でき、また樹脂パッケージを強固に支持する
ことで工程でのハンドリング不良を防止すると共に、吊
りリードの切断工程における補助吊りリード引張りによ
る樹脂へのダメージを解消でき、また更に樹脂内部応力
を低減できる半導体装置用リードフレームを提供するこ
とにある。
本発明の半導体装置用リードフレームは、素子搭載部を
直接支持する吊りリードの少なくともフレーム部と樹脂
封止外側面との間に相当する部位の断面を小さく形成す
ると共に、上記吊りリードに隣接する位置に、少なくと
も１本の樹脂封止部に到達する長さでかつ樹脂からの引
き抜き強度が樹脂強度に干渉されない形状を有する補助
吊りリードをフレーム部に突設した構戊としている。
直接支持する吊りリードの少なくともフレーム部と樹脂
封止外側面との間に相当する部位の断面を小さく形成す
ると共に、上記吊りリードに隣接する位置に、少なくと
も１本の樹脂封止部に到達する長さでかつ樹脂からの引
き抜き強度が樹脂強度に干渉されない形状を有する補助
吊りリードをフレーム部に突設した構戊としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の上面図であり、第１
図（ｂ）はそのリードフレームを用いて形成した半導体
装置の上面図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の｛一℃′
線における断面図である。
図（ｂ）はそのリードフレームを用いて形成した半導体
装置の上面図、第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の｛一℃′
線における断面図である。
図示のように、リードフレーム１１は１枚の金属板を打
ち抜きあるいはエッチング加工により多連リードフレー
ムとして形成されている。各単位は略中央に位置する素
子搭載部ｌ２とこの素子搭載部１２を周囲位置のフレー
ム部１６に支持させる吊りリード１３と、素子搭載部１
２を包囲するように配置した複数本の外部導出用リード
１４と、これら外部導出用リード１４を連結して樹脂封
止時に樹脂が外方へ流出するのを防止するタイパー１５
を備えている。
ち抜きあるいはエッチング加工により多連リードフレー
ムとして形成されている。各単位は略中央に位置する素
子搭載部ｌ２とこの素子搭載部１２を周囲位置のフレー
ム部１６に支持させる吊りリード１３と、素子搭載部１
２を包囲するように配置した複数本の外部導出用リード
１４と、これら外部導出用リード１４を連結して樹脂封
止時に樹脂が外方へ流出するのを防止するタイパー１５
を備えている。
そして前記吊りリード１３はフレーム部１６から素子搭
載部１２に向かう所要の長さに亘る部位１３ａの幅を小
さく設け、その界面面積な低減している。またこの吊り
リードエ３に隣接する位置にはフレーム部１６から素子
搭載部１２に向かって突出形戊した引き抜き形補助吊り
リード１１０を形成している。この補助吊りリードは少
なくともその先端がモールド樹脂ｌ９にて封止される部
分に到達する長さに設定してあり、更にその形状は吊り
ビン切断工程において容易に引き抜けるように、引き抜
き方向と平行に形成してある。この場合、引き抜き時に
樹脂にかかる応力は樹脂と吊りリードの接着強度に依存
するものであり、フックを設けた場合のような樹脂バル
ク自体にかかる応力は皆無となる。本実施例のリードフ
レームを用いた半導体装置では、第１図（ｂ）及び（ｃ
）に示すように、吊りビン切断時に引き抜き形補助吊り
リード１１０はモールド樹脂１９に大きなストレスを与
えることなく、容易に引き抜かれ、引き抜き跡１１１を
残すのみとなる。従って吊りリードを細く形成した部位
Ｉ３ａにて樹脂との界面面積を低減し、かつ切断時のス
トレスなも低減することで水分や不純物の侵入を抑制で
き、半導体素子の配線腐食，断線不良を防止できる。
載部１２に向かう所要の長さに亘る部位１３ａの幅を小
さく設け、その界面面積な低減している。またこの吊り
リードエ３に隣接する位置にはフレーム部１６から素子
搭載部１２に向かって突出形戊した引き抜き形補助吊り
リード１１０を形成している。この補助吊りリードは少
なくともその先端がモールド樹脂ｌ９にて封止される部
分に到達する長さに設定してあり、更にその形状は吊り
ビン切断工程において容易に引き抜けるように、引き抜
き方向と平行に形成してある。この場合、引き抜き時に
樹脂にかかる応力は樹脂と吊りリードの接着強度に依存
するものであり、フックを設けた場合のような樹脂バル
ク自体にかかる応力は皆無となる。本実施例のリードフ
レームを用いた半導体装置では、第１図（ｂ）及び（ｃ
）に示すように、吊りビン切断時に引き抜き形補助吊り
リード１１０はモールド樹脂１９に大きなストレスを与
えることなく、容易に引き抜かれ、引き抜き跡１１１を
残すのみとなる。従って吊りリードを細く形成した部位
Ｉ３ａにて樹脂との界面面積を低減し、かつ切断時のス
トレスなも低減することで水分や不純物の侵入を抑制で
き、半導体素子の配線腐食，断線不良を防止できる。
またさらに、吊りリードを細くしたことによるハンドリ
ング時の吊りビン切断による不具合は引き抜き形補助吊
りリードで解消され、かつ上記補助吊りリードを設けた
ことで吊りビン切断工程での樹脂自体に与える弓張りス
トレスも皆無となる。
ング時の吊りビン切断による不具合は引き抜き形補助吊
りリードで解消され、かつ上記補助吊りリードを設けた
ことで吊りビン切断工程での樹脂自体に与える弓張りス
トレスも皆無となる。
更に補助吊りリードが樹脂内に残存しないということは
、樹脂の内部応力を低減する効果も併せ持ち、信頼性を
高めることができる。
、樹脂の内部応力を低減する効果も併せ持ち、信頼性を
高めることができる。
〆第２図（ａ）は本発明の他の実施例の上面図であり、
第２図（ｂ）はそのリードフレームを用いて形成した半
導体装置の上面図、第２図（ｃ）は第２図（ｂ）のｍ−
ｍ’線における断面図である。
第２図（ｂ）はそのリードフレームを用いて形成した半
導体装置の上面図、第２図（ｃ）は第２図（ｂ）のｍ−
ｍ’線における断面図である。
第２の実施例では、引き抜き形補助吊りリード２１０は
抜きテーバーを設けた形状としてあり、吊りリード２３
切断時においてさらに引き抜きを容易にし、ストレスの
低減を図っている。
抜きテーバーを設けた形状としてあり、吊りリード２３
切断時においてさらに引き抜きを容易にし、ストレスの
低減を図っている。
なお更に引き抜きを容易にするために、樹脂との密着性
の悪い被膜（例えば金，銀，ニッケルメッキ，シリコー
ン樹脂膜等）を上記補助吊りリードの樹脂との接触面に
設けてやれば一層効果的である。
の悪い被膜（例えば金，銀，ニッケルメッキ，シリコー
ン樹脂膜等）を上記補助吊りリードの樹脂との接触面に
設けてやれば一層効果的である。
以上説明したように本発明は、素子搭載部を直接支持す
る吊りリードの一部の断面を小さく形戊すると共に、こ
の吊りリードに隣接する位置に吊りピン切断工程におい
て容易に引き抜ける形状を有する補助吊りリードをフレ
ーム部に突設１〜たことで、吊りリードと樹脂界面な通
しての水分やイオン性不純物の侵入による半導体素子の
腐食や断線不良を防止でき、また樹脂パッケージを強固
に支持することで工程でのハンドリング不良を防止する
と共に、吊りリード切断工程における補助吊りリード引
張りによる樹脂へのダメージを解消でき、また更に補助
吊りリードが樹脂中に残存しないために樹脂内部応力の
低減できるなど様々な効果を有している。
る吊りリードの一部の断面を小さく形戊すると共に、こ
の吊りリードに隣接する位置に吊りピン切断工程におい
て容易に引き抜ける形状を有する補助吊りリードをフレ
ーム部に突設１〜たことで、吊りリードと樹脂界面な通
しての水分やイオン性不純物の侵入による半導体素子の
腐食や断線不良を防止でき、また樹脂パッケージを強固
に支持することで工程でのハンドリング不良を防止する
と共に、吊りリード切断工程における補助吊りリード引
張りによる樹脂へのダメージを解消でき、また更に補助
吊りリードが樹脂中に残存しないために樹脂内部応力の
低減できるなど様々な効果を有している。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の上面図、第１図（ｂ
）はそのリードフレームを用いた半導体装置の上面図、
第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の１一ｌ′線断面図、第２
図（ａ）は木発明の実施例２の上面図、第２図（ｂ）は
そのリードフレームを用いた半導体装置の」二面図、第
２図（ｃ）はｍ−ｍ’線断面図、第３図（ａ） ， （
ｂ） ， （ｃ）及び第４図（ａ） ， （ｂ） ，
（ｃ）はそれぞれ従来の半導体装置用リードフレームと
それを用いた半導体装置の上面図及び断面図である。 １１，２１，３１．４１・・・・・・リードフレーム、
１２，２２，３２．４２・・・・・・素子搭載部、１３
，２ ３， ３ ３． ４ ３＝−＝−吊りリード
、１３ａ，２３ａ，４３ａ・・・・・・吊りビンを細く
した部位、１４，２４，３４．４４・・・・・・外部導
出用リード、１５，２５，３５，４５・・・・・・タイ
パー １６．２６，３６．４６・・・・・・フレーム部
、１７，２７．３７，４７・・・・・・半導体素子、１
８，２８，３８．４８・・・・・・金属細線、１９，２
９，３９．４９・・・・・・モールド樹脂、１１０，２
１０・・・・・・引き抜き形補助吊りリード、１１１，
２１１・・・・・・引き抜き跡、４１０・・・・・・フ
ック形補助吊りリード、４１１・・・・・・樹脂クラッ
ク。
）はそのリードフレームを用いた半導体装置の上面図、
第１図（ｃ）は第１図（ｂ）の１一ｌ′線断面図、第２
図（ａ）は木発明の実施例２の上面図、第２図（ｂ）は
そのリードフレームを用いた半導体装置の」二面図、第
２図（ｃ）はｍ−ｍ’線断面図、第３図（ａ） ， （
ｂ） ， （ｃ）及び第４図（ａ） ， （ｂ） ，
（ｃ）はそれぞれ従来の半導体装置用リードフレームと
それを用いた半導体装置の上面図及び断面図である。 １１，２１，３１．４１・・・・・・リードフレーム、
１２，２２，３２．４２・・・・・・素子搭載部、１３
，２ ３， ３ ３． ４ ３＝−＝−吊りリード
、１３ａ，２３ａ，４３ａ・・・・・・吊りビンを細く
した部位、１４，２４，３４．４４・・・・・・外部導
出用リード、１５，２５，３５，４５・・・・・・タイ
パー １６．２６，３６．４６・・・・・・フレーム部
、１７，２７．３７，４７・・・・・・半導体素子、１
８，２８，３８．４８・・・・・・金属細線、１９，２
９，３９．４９・・・・・・モールド樹脂、１１０，２
１０・・・・・・引き抜き形補助吊りリード、１１１，
２１１・・・・・・引き抜き跡、４１０・・・・・・フ
ック形補助吊りリード、４１１・・・・・・樹脂クラッ
ク。
Claims (1)
- 素子搭載部を吊りリードを用いてフレーム部に支持させ
、かつ前記素子搭載部を含む領域を樹脂封止してなる半
導体装置用リードフレームにおいて、前記吊りリードは
少なくともフレーム部と樹脂封止外側面との間に相当す
る部位の断面を吊りリードの他の部分の断面より小さく
形成すると共に、上記吊りリードに隣接する位置に少な
くとも１本以上の樹脂封止部に到達する長さを有し、か
つ樹脂からの引き抜き強度が樹脂強度の干渉を受けない
形状とした補助吊りリードをフレーム部に突設したこと
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244187A JP2536184B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1244187A JP2536184B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03105959A true JPH03105959A (ja) | 1991-05-02 |
| JP2536184B2 JP2536184B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=17115067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1244187A Expired - Lifetime JP2536184B2 (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 半導体装置用リ―ドフレ―ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2536184B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8525307B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-09-03 | Panasonic Corporation | Semiconductor device, lead frame assembly, and method for fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6357415B2 (ja) | 2014-12-26 | 2018-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128164A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Nec Corp | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
| JPS6362366A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS6481256A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Ltd | Lead frame and manufacture of semiconductor device using said lead frame |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP1244187A patent/JP2536184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2536184B2 (ja) | 1996-09-18 |
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