JPH031156A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH031156A
JPH031156A JP1135173A JP13517389A JPH031156A JP H031156 A JPH031156 A JP H031156A JP 1135173 A JP1135173 A JP 1135173A JP 13517389 A JP13517389 A JP 13517389A JP H031156 A JPH031156 A JP H031156A
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誠治 堀江
Shunichi Kondo
俊一 近藤
Hiroaki Yokoie
横家 弘明
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は導電性支持体上に、電荷発生材料、電荷輸送材
料、および増感剤から成る光導電層を設けた電子写真感
光体に関するものである。
「従来の技術」 可視光に光感度を有する電子写真感光体は、複写機、光
プリンター等への応用を目的に開発されてきた。このよ
うな電子写真感光体としては従来、セレン、酸化亜鉛、
硫化カドミニウム等の無機光導電性物質を主成分とする
感光体が広く使用されてきた。しかしながら、このよう
な無機感光体は、複写機等の電子写真感光体として要求
される性能、たとえば光感度、熱安定性、耐湿性、耐久
性等の特性を必ずしも満足するものではない。
たとえば、セレン感光体は熱や手で触った時の指紋の汚
れ等により結晶化するため電子写真感光体として要求さ
れる上記特性が劣化し易い。
また硫化カドミニウムを用いた電子写真感光体は、耐湿
性、耐久性に劣り、酸化亜鉛を用いた電子写真感光体は
膜強度等の耐久性に問題がある。
また、セレン、硫化カドミウムは毒性を有するため、製
造上あるいは取扱上の制約が大きい。
近年、これら無機物質を用いた感光体の欠点を排除する
ために、種々の有機物質を用いた電子写真感光体が研究
、開発され、一部実用に供されている0例えば、ポリ−
N−ビニルカルバゾールと2.4.7−)ジニトロフル
オレン−9−オンとからなる電子写真感光体(米国特許
3,484゜237号)、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ルをビリリウム塩基色素で増感したもの(特公昭48−
25Ei58号)、有機顔料を主成分とする電子写真感
光体(特開昭4 ’1−37543号)、染料と樹脂と
からなる共晶錯体を主成分とする電子写真感光体(特開
昭47−10785号)などである。
しかしこれらの感光体も前記無機感光体の欠点をある程
度まで改善したものの、概して光感度が低く、また繰り
返し使用に通さず、電子写真感光体として要求を十分に
満たすものではなかった。
このような欠点を改善するために、電荷発生機能と電荷
輸送機能とを異なる物質に個別に分担させた機能分離型
の光導電層を有する電子写真感光体が提案され、現在の
研究の主流になっている。
機能分離型電子写真感光体は、材料の選択範囲を拡げ、
それに伴い、電子写真感光体の感度、耐久性等の特性の
向上を可能にし、また電子感光体の塗膜作成上好都合な
物質を広い範囲より選び得る長所を有している。
この様な機能分離型の電子写真感光体の電荷発生層に使
用される有効な有機荷電発生物質としては、各種の有機
染料、有機顔料が開発され、例えば各種構造のアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、多環キノン系顔料、スクエアリッ
クメチン染料等が使用されている。
しかしながらこれらの顔料は短波長もしくは中波長域で
は、比較的良好な感度を示すが、長波長域での感度が低
く、高信鯨性の期待される半導体レーザー光源を用いる
レーザープリンター等に用いることは困難であった。
「発明が解決しようとするtill!J現在、半導体レ
ーザーとして広範に使用されているガリウムーアルミニ
ウムーヒ素系発光素子の発振波長は750 nm以上で
ある。このような長波長光に高感度の電子写真感光体を
得るために、従来数多くの検討がなされてきた0例えば
可視光領域に高感度を有する3e、、CdS等の感光材
料に、新たに長波化するための増窓剤を添加する方法が
考えられたが、Se、CdSは、上記した様に、温度、
湿度等に対する耐環境性が十分でない。
また多数知られている有機系光導電材料も、上記した様
に、その感度が通常70 Q nm以下の可視光領域に
限定され、これより長波長域に十分な感度を有する材料
は少ない。
これらのうちで、有機系光導電材料の一つであるフタロ
シアニン系化合物は、前記顔料、染料等に比較し、感度
域が長波長に拡大していることが知られているが、感度
、帯電性等の電子写真特性に不足が見られる。これらの
欠点を改良するため、フタロシアニンの中心金属を種々
変化させたもの、あるいは多種の結晶形の開発が行なわ
れた。不安定なα型のフタロシアニンが結晶形の安定な
β型に変わる過程で、各種結晶形のフタロシアニンが見
出されている。たとえば8−型の銅フタロシアニン、X
Iの無金属フタロシアニン、m型のチタニルフタロシア
ニンが知られている。これらのフタロシアニンは長波長
域に感度を有するが、複写機用又は光プリンター用とし
ては感度が不十分であり、更に繰り返し使用において、
電位安定性の不足、又は残留電位が大きい等の欠点を有
し、実用に供することができなかった。
一方、フタロシアニン顔料を含有する電子写真感光体の
感度を向上させる方法として、ヒドラゾン化合物やオキ
サゾール化合物等の電荷輸送性化合物の添加、あるいは
テトラニトロフルオレンやトリニトロフルオレンなどの
電子吸引性化合物の添加等が試みられているが、増感効
果は認められるもののその効果が不十分であったり、あ
るいはこれらの添加剤により、帯電性の低下、あるいは
繰り返し使用時のおける電位安定性の低下、感度の低下
、残留電位の上昇等の悪影響が見られ、実用に耐えるも
のはなかった。又前記電子吸引性化合物は有毒であるた
め実用に供することはできない。
ところで、一般に電子写真感光体においては、ある特定
の電荷発生物質に対して有効な電荷輸送物質が、他の電
荷発生物質に対しても有効とは限らず、逆に特定の!荷
輸送物質に対して有効な電荷発生物質が、他の電荷輸送
物質に対しても有効であるとも言うことができない。
この様に、電荷発生物質と電荷輸送物質とには、適切な
組み合わせが必要であり、この組み合わせに関しては、
ある程度の法則性はみられるが、全ての物質に当てはま
るというものではない。
例えば、!荷発生物質と組み合わせるMN輸送物物質選
択にはイオン化ポテンシャルを目安にする事が提案され
ているが、特定の同種材料間についての結果であり、−
膜性に欠け、異種の材料間における電子写真特性を明確
に説明するまでには至っていない。
このように、電荷発生物質と電荷輸送物質の駆合せにつ
いては現在までのところ、試行錯誤的に種々の組合せに
ついて検討がなされているというのが実情である。
以上述べたことで解るように、高感度、特に750nm
以上の長波長の光に対し、高感度であり、かつ繰り返し
使用における電位安定性が高く、残留電位および感度の
低下が少ない電子写真感光体の開発が望まれていた。
「発明の目的」 本発明の目的は、高感度、特に半導体レーザー等の長波
長の光に十分な感度を有し、かつ繰り返し使用において
、電位安定性が高(、残留電位が小さい、耐久性の高い
電子写真感光体を提供することにある。
「課題を解決するための手段」 我々は鋭意研究の結果、−a式(1)〜(VI)で表わ
される化合物が、フタロシアニン顔料を増感することを
発見し、更にフタロシアニン顔料及び−形成CI)〜(
Vl)で表わされる化合物及び−形成(■)で表わされ
る化合物を用いた感光体が、他の顔料を用いた感光体に
比較し、繰り返し使用における電位安定性及び残留電位
特性に優れていることを見出し、本発明に到達した。
−形成(+) 一般式(III) 一般式<rv> 一般式(V) 一般式(■) 一般式(Vl) 一般式(1)〜(■)において、Zは、硫黄原子または
酸素原子を表わす。
R1、R1,Rs、 Ra、  Rs、R&はそれぞれ
水素原子、アルキル基または複素環から誘導された1価
基を表し、互いに同じでも異なっても良い R1とR1
、またはR1とR4はそれぞれ連結していてもよい。−
形成(1)においてRIRl、R’J、R4が連結して
全体として架橋環を形成していてもよい。R?は2価の
アリーレン基、アラルキレン基、ポリメチレン基または
アルキ1/ン基を表す。
R1はアルキル基、アルコキシ基、単環式または2環線
合式のアリール基、単環式または2環線合式のアリール
オキシ基、または複素環から誘導された1価基を表わす
、−形成(V)において2個のR”は互いに同じでも異
なってもよい。
R9およびRIoはアルキル基、アリール基またはアラ
ルキル基を表し、R9とRIoは同一であっても互いに
異なった基であっても良い。
RI 1は水素原子、アルキル基、アリール基、または
アラルキル基を表す。また、Ar、とR11とで環を形
成してもよい。
R1!、R13は、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、及び水素原子、
ハロゲン原子を表わす。
これらは、互いに同じでも異なっていてもよい。
R14は、水素原子、アルキル基、アリール基を表わす
R15は、アルキル基、 アリール基を表わす。
\/   \/ \/ \/ XIは N 、0、S、、Se または置換されてH1
+ もよいメチレン基を表わす。
Xzは、ベンゼン、ナフタレン環を形成するに必要な原
子群を表わす。
nは、0または1の整数を表わす。
ArI、Arzは1価の芳香族炭化水素基または1価の
複素環基を表す。
即ち本発明は、 (1)導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感光
体において、光導電層がa)フタロシアニン顔料、b)
−儀式(1)〜(Vl)で表わされる化合物の少なくと
も一種、およびc) −R9式(■)で表わされる化合
物のすくなくさも一種、を含存することを特徴とする複
写機用または光プリンター用プリンター用電子写真感光
体。
(2)複写機および光プリンターの光源が、レーザー光
であることを特徴とする上記(1)の複写機用またはプ
リンター用電子写真感光体。
であり、本発明により、高感度であり、かつ操り返し使
用において良好な特性を示す、耐久性の高い電子写真感
光体を得ることができる。
(本発明の具体的構成および効果) 本発明の電子写真感光体の光導電層に使用されるフタロ
シアニン顔料としては、中心金属の異なるもの、結晶形
の異なるもの、ベンゼン環に置換基を有するものなど、
多様のフタロシアニン顔料を使用することができる6例
えば、特公昭44−14106、特公昭45−8102
、特公昭46−42511、特公昭46−42512、
特公昭49〜4338、特開昭58−182639、特
開昭62−47054等に記載の無金属フタロシアニン
、特開昭50−38543、特開昭50−95852、
特開昭51−108847、特開昭51−109841
等記載の銅フタロシアニン、特開昭59−49544、
特開昭59−166959、特開昭62−275272
、特開昭62−286059、特開昭62−67094
、特開昭63−364、特開昭63−365、特開昭6
3−37163、特開昭63−57670、特開昭63
−80253、特開昭63−116158、特開昭63
−198067等に記載のチタニルフタロシアニン、特
開昭57−90058、特開昭62−163060.特
開昭62−133462、特開昭62−177069.
、特開昭63−73529、特開昭63−43155等
に記載のアルミニウムフタロシアニン、特開昭57−1
46255、特開昭57−147641、特開昭57−
148747等に記載のバナジルフタロシアニン、特開
昭59−44053、特開昭59−128544、特開
昭59−133550、特開昭59−133551、特
開昭59−174846、特開昭59−174847、
特開昭60−59354、特開昭60−560054、
特開昭60−220958、特開昭62−229254
、特開昭6317457、特開昭59−155851、
特開昭63−27’562、特開昭63−56564等
に記載のハロゲン化メタルフタロシアニン等を挙げるこ
とができるが、これに限定されるものではなく、公知の
各種のフタロシアニンを使用できる。
代表的なフタロシアニンの中心金属としては、胴、ニッ
ケル、鉄9、バナジウム、アルミニウム、ガリウム、イ
ンジウム、ケイ素、チタニウム、マグネシウム、コバル
ト、白金、ゲルマニウムなどの金属、さらに無金属のフ
タロシアニンなど種々のものが知られている。
結晶形は、それぞれの金属のフタロシアニン、無金属の
フタロシアニンについてX線結晶回折により確認され、
例えば、銅フタロシアニンでは、α型、β型、τ型、δ
型、C型、η型、β型などの多形が、また無金属フタロ
シアニンでは、α型、β型、χ型、τ型その他の多形が
、チタニルフタロシアニンでは、α型、β型、m型その
他の多形がそれぞれ知られている。さらに、フタロシア
ニンのベンゼン環がフッ素、塩素、臭素のようなハロゲ
ン原子や、アルキル基、カルボキシル基、アミド基、ス
ルホニル基その他の置換基で置換された置換フタロシア
ニンも知られている。
更に本発明に使用されるフタロシアニン顔料としては、
特開昭63−233886号、特開昭63−18625
1号、特開昭63−72761号等に記載のゲルマニウ
ムナフタロシアニン、特開昭63−55556号、特開
昭63−141070等に記載のシリコンナフタロシア
ニン、特開昭63−186251号、特開昭64−20
51号等に記載のスズナフタロシアニン、特開昭63−
72761、特開昭63−231355等に記載の各種
金属ナフタロシアニン等もあげることができる。
これらは6、それぞれ吸収波長が異なり用途によって適
宜に使用されるが、半導体レーザーを光源とするレーザ
ービームプリンター等に使用する場合にば780nm〜
830nmに吸収を有するフタロシアニン顔料が好まし
い。
次にフタロシアニン顔料使用の光導電層の光導電性を向
上させる一般式(り〜(Vl)で表わされる化合物につ
いて説明する。
一般式(1)〜(Vl)において、Zは硫黄原子または
酸素原子を表す。
R1、R” 、R’ 、R’ 、R’ %R’ のいず
れかがアルキル基の場合、アルキル基として炭素原子数
1から22の範囲の直鎖状または分岐状の無1@または
置換アルキル基があげられる。
アルキル基に結合している置換基としてはハロゲン原子
(塩素原子、臭素原子、弗素原子)、シアノ基、ニトロ
基、フェニル基、トリル基及びトリフルオロメチル基が
あげられ、置換基の数は1個から3個である。
R’ 、R” 、R” 、R’ 、R’ 、R” (7
)いずれかがアリール基の場合、了り−ル基として置換
または無置換のフェニル基、置換または無置換のナフチ
ル基、置換または無置換のアントラニル基があげられる
。置換基としてはハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、
弗素原子)、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル
基、炭素原子数1から5の範囲の直鎖状または分岐状の
アルキル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基
、シアノ基、ニトロ基またはハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子)が1個から3個置換した(2個ま
たは3個の1換を有する場合はそれらは互いに同じでも
異なってもよい、)炭素原子数1から5の範囲の直鎖状
または分岐状のアルキル基、炭素原子数1から5の範囲
の直鎖状または分岐状のアルコキシ基があげられ、置換
基の数は1個から3個で、置換基が2個または3個の場
合はそれらは互いに同じでも異なってもよい。
R’ 、R” 、R3、R’ 、R3、R” 0)いず
れかが複素環から誘導された11TEの場合、1換また
は無置換のピロリジニル基、ピペリジニル基、ピペリジ
ノ基、モルホリニル基、モルホリノ基、ピロリル基、イ
ミダゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、インドリ
ニル基、イソインドリニル基、インドリル基、イソイン
ドリル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキ
ノリル基等、およびこれらに置換基としてハロゲン原子
(塩素原子、臭素原子、弗素原子)、シアノ基、ニトロ
基、トリフルオロメチル基、フェニル基、トリル基、ベ
ンジル基、フェネチル基、炭素原子数1から5の範囲の
直鎖状または分岐状のアルキル基が1乃至3個置換した
(2個または3個の置!!!1基が結合している場合、
置換基は互いに同じでも異なってもよい、)工価基があ
げられる。
R’ とRZ、またはR3とR4がそれぞれ連結してい
る場合、その例としてトリメチレン基、テトラメチレン
基、ペンタメチレン基、オキシジエチレン基(−CHz
−CHz  0−CHt−CHz−)、およびこれらの
2価基の水素原子の1個乃至3個がハロゲン原子(塩素
原子、臭素原子、弗素原子)、シアノ基、ニトロ基、フ
ェニル基、トリル基、ベンジル基、フェネチル基、炭素
原子数1乃至5の直鎖状または分岐状のアルキルにより
置換されている2価基があげられる。更にこれらの2価
基の構成部分が、アリール環、またはへテロ環の一部分
であってもよい。
R7が2価のアリーレン基の場合、その具体例としてp
−フェニレン基、m−フェニレンS、O−フェニレン!
、1.4−ナフチレン1,2.3−ナフチレン基、4,
4゛−ビフェリリレン基があげられる。ポリメチレン基
の場合は炭素原子数1乃至22のポリメチレン基があげ
られる。アルキレン基の場合、プロピレン基、ブチレン
基、ペンチリデン基、1,2−ジメチルエチレン基、1
゜3−ジメチルトリメチレン基、1,4−ジメチルテト
ラメチレン基、1.5−ジメチルペンタメチレン基、1
.6−ジメチルへキサメチレン基、1−エチルエチレン
基、1.2−ジエチルエチレン基があげられる。
アリーレン基、アラルキレン基は、置換基によって置換
されていても良い、置換基としては、ハロゲン原子、シ
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、炭素数1か
ら5の範囲のアルキル基などがあげられる。
R@が無置換または置換された、アルキル基、了り−ル
基、複素環から誘導されたli基の場合、前述のR1の
無置換または置換されたアルキル基、アリール基、複素
環から誘導された1価基と同様の基を表わす。
R1がアルコキシ基または置換アルコキシ基の場合、そ
の例として前述のアルキル基または置換アルキル基を有
するアルコキシ基または置換アルコキシ基を挙げること
ができる。
R1が置換または無置換の単環式または2環線合式アリ
ールオキシ基の場合、それらの例として前述の置換また
は無置換の単環式または2環線合式アリール基を有する
アリールオキシ基を挙げることができる。
R9およびRI@は置換基を有していても良いアルキル
基、置換基を有していても良いアリール基もしくは置換
基を有していても良いアラルキル基を表す、これらの基
が置換されている場合の置換基としては、アルキル基、
シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ニトロ基、
塩素、フッ素、臭素などのハロゲン原子、アミノ基、ア
ルコキシ基、了り−ル蟇、アリールオキシ基、アルコキ
シカルボニル基、アシルオキシ基、アルキル基もしくは
アリール基もしくはアラルキル基により置換されたアミ
ノ基、トリフルオロメチル基などをあげることができる
Re、R11の具体例としては、メチル基、エチル基、
n−プロピルaLtso−プロピル基、n−ブチル基、
5aC−ブチル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシ
ル基、フルオロメチル基、クロロメチル基、トリフルオ
ロメチル基、パーフルオロアルキル基、メトキシメチル
基、シアノメチル基などの直鎖状アルキル基、分岐状ア
ルキル基、置換アルキル基および、フェニル基、p−ト
リフルオロメチルフェニル基、0−)リフルオロメチル
フェニル基、p−シアノフェニル基、0−シアノフェニ
ルL p−二トロフェニルalt% O−ニトロフェニ
ル基、p−ブロモフェニルli% 0−7m1モフエニ
ルaE、p、−クロルフェニル55、o−クロルフェニ
ルL p−フルオロフェニル5、o−フルオロフェニル
基、N、N−ジメチルアミド基、N。
N−ジエチルアミド基、p−カルボキシルフェニル基、
p−メトキシフェニル基、O−メトキシフェニル基、N
、N−ジエチルアミノフェニル基、N、N−ジフェニル
アミノフェニル基、N、N−ジエチルアミノフェニル基
、N、 N−ジメチルフェニル基、ナフチル基、メトキ
シナフチル基、N、N−−ジエチルアミノナフチル基、
ベンジル基、p−ブロモベンジル基、p−シアノベンジ
ル基、p−ニトロベンジル基、p−1−リフルオロメチ
ルベンジル基、O−ブロモベンジル基、0−シアノヘン
シル基、O−ニトロベンジル基、フェニルエチル基、3
−フェニルプロピル基、p−クロルベンジル基、ナフチ
ルメチル基などのアリール基、置換子り−ル基、アラル
キル基、置換アラルキル基をあげることができる。R9
とR+oとは同一であっても互いに異なった基でも良い
RI +は水素原子もしくは置換基を有していても良い
アルキル基、置換基を有していても良いアリール基もし
くは置換基を存していても良いアラルキル基を表す、こ
のうちアルキル基、アリール基もしくはアラルキル基が
置換されている場合の1換基としては、R″およびR1
8の置換基としてあげた同じ置換基をあげることができ
る。R9およびR”の具体例としては、水素原子、メチ
ル基、エチル基、n−プロピルa、+30−プロピル基
、n−ブチル基、5ec−ブチル基、n−ヘキシル基、
2−エチルヘキシル基、フルオロメチル基、クロロメチ
ル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロアルキル基
、メトキシメチル基、シアノメチル基などの直鎖状アル
キル基、分岐状アルキル基、置換アルキル基および、フ
ェニル基、p−1−リフルオロメチルフェニル基、o−
トリフルオロメチルフェニル基、p−シアノフェニルL
 O−シア/フェニル基、p−ニトロフェニルi、o−
ニドoフェニ/1z基、p−7’ロモフエニル基、o 
−7’ロモフエニル基、p−クロルフェニル基、o−ク
ロルフェニルL p−フルオロフェニル75、o−フル
オロフェニル基、N、N−ジメチルアミド基、N、N−
ジエチルアミド基、p−カルボキシルフェニル基、p−
メトキシフェニル基、0−メトキシフェニル基、N、N
−ジエチルアミノフェニル基、N、N−ジフェニルアミ
ノフェニルL N。
N−ジベンジルアミノフェニル基、N、N−ジメチルア
ミノフェニル基、ナフチル基、メトキシナフチル基、シ
アノナフチル基、ニトロナフチル基、クロロナフチル基
、ブロモナフチル基、フルオロナフチル基、トリフルオ
ロメチルナフチル基、N。
N−ジエチルアミノナフチル基、ベンジル基、フェニル
エチル基、3−フェニルプロピルLp−クロルベンジル
基、p−jロモベンジルLp−シアノベンジルL p−
二トロベンジルM、p−トリフルオロメチルベンジル4
、o−ブロモベンジル基、0−シアノベンジル基、0−
ニトロベンジル基、ナフチルメチル基などのアリール基
、置換アリール基、アラルキル基、1換アラルキル基を
あげることができる。
Ar1は置換基を有していても良い1価の芳香族炭化水
素基もしくは置換基を有していても良い1価の複素環基
を表す、この場合の芳香族炭化水素基あるいは、複素環
基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基
、フラン、ビロール、チオフェン、インドール、ベンゾ
フラン、ベンゾチオフラン、オキサゾール、イミダゾー
ル、チアゾール、イソオキサゾール、ピリジン、キノリ
ン、イソキノリン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン
、フタラジンおよびこれらのy!:’1体、たとえば、
2−チオ−4−チアゾリジノン、3−ピラゾリジノン、
5−イソオキサシロン、2−オキサゾリドン、2,4−
チアゾリジンジオン、2−チオフェノン、2−フラノン
、4−ピリミドンなどがあげられる。これらが置換基を
有する場合の置換基としては、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、1so−プロピル基、n−ブチル基、5
ec−ブチル基、n−ヘキシル基、2−エチルヘキシル
基、フルオロメチル基、クロロメチル基、トリフルオロ
メチル基、パーフルオロアルキル基、メトキシメチル基
、シアンメチル基などの直鎖状アルキル基、分岐状アル
キル基2.1換アルキル基、およびフェニルL p−ト
リフルオロメチルフェニル基、〇−シアノフェニル基、
p−ニトロフェニル基、p−ブロモフェニル基、O−ブ
ロモフェニル基、0−クロルフェニル基、p−フルオロ
フェニル基、p−メトキシフェニルL N、N−ジエチ
ルアミノフニル基、N、N−ジメチルアミノフェニル基
、ナフチル基、メトキシナフチル基、シアノナフチル基
、クロロナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基、
3−フェニルプロピル基、p−クロルベンジルL p−
シアノベンジル基、p−ニトロベンジルLp−トリフル
オロメチルベンジル基、O−ブロモベンジル基、0−シ
アノベンジル基、0−ニトロベンジル基、ナフチルメチ
ル基などのアリール基、1換アリール基、アラルキル基
、置換アラルキル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボ
キシル基、ニトロ基、塩素、フッ素、臭素などのハロゲ
ン原子、−NHCOR”で表される基(R”は置換もし
くは非置換のアルキル基、アリール基、アラルキル基を
表す) 、−NH3O□R1ff(R17は上記と同義
)、SOR” (R”は上記と同義) 、−5ozR”
 (R1′は上記と同義〕、−CORI?(R”は上記
と同義)、 異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは非1換の
アルキル基、アリール基、アラルキル基をと同義)、ス
ルホン酸基、アミノ基、アルコキシ基、アリール基、ア
リールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシルオキ
シ基、アルキル基もしくはアリール基もしくはアラルキ
ル基により置換されたアミノ基およびアミド基、トリフ
ルオロメチル基などをあげることができる。これらの1
換基としては、水素原子よりも電子吸引性の置換基が好
ましく使用される。
次に一般式(■)で表わされる化合物についてさらに詳
しく説明する。
R+zおよびR1″としては置換基を有するかまたは有
しないアルキル基、置換基を有するか存しない基があり
、これは前述のR1で表わされる基と同様の基である。
その池水素原子、ハロゲン原子、(塩素原子、臭素原子
、弗素原子等)、炭素数1〜12のアルコキシ基(例え
ばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基
、オクチル基、ベンジルオキシ基等)、炭素数1〜12
のアラルキルオキシ基(例えばヘンシルオキシ基、フェ
ネチルオキシ基等)。
R14の具体例としては水素原子、炭素数1〜4のアル
キル基(例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基等)および置換基を有するかまたは有しないアリー
ル基がある。置換基を有するアリール基とは、前述のR
′2.  R13で表わされる置換基を有するアリール
基と同様の基である。
RI5としては、置換基を有するかまたは有しないアル
キル基、およびWl、換基を有するかまたは有しないア
リール基があり、前述のR目 )j+3で表わされる、
無置換または置換基を有するアルキル基および無置換ま
たは置換基を有するアリール基と同様の基である。
Artは、フェニル、ナフチル、アンスリル等の芳香族
炭化水素基または、2−フリル基、2−チエニル基、1
−メチル−2−ピロリル基、5−メチル−2−チエニル
基、2−ピリジル基、2−ベンゾ(d)チエニル基、2
−ナフト(2,,3−b)チエニル基、9−エチルカル
バゾール−2−イル基、ジベンゾチオフェン−2−イル
基、2−2エノキサチイニル基、10−エチルフェノキ
サジン−3−イル基、10−エチルフェノチアジン−3
−イル基等の複素環基を表わす。
これらは、置換基を有していてもよく、その、置換基と
しては、アルキル基、アルコキシ基、ア換アミノ基があ
る。
Artの置換基の具体例は、メチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、ヘキシル基、などの炭素数1〜12
のアルキル基、また、アルコキシ基またはアラルキルオ
キシ基としては炭素数1〜12のアルコキシ基、炭素数
のアラルキルオキシ基がありその具体例としては、メト
キシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、オク
チルオキシ基、ベンジルオキシ基がある。
換アミノ基の場合、R16およびR1?としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの1換基を
有しない炭素数1〜12のアルキキ基または、下記の如
き置換基を有する炭素数1〜12のアルキル基がある。
置換も゛しくは置換フェニル基を表わし、RuhとR1
は連結して、複素環を形成してもよい。
RI6およびR1?で表わされる置換基を有するアルキ
ル基の置換基としては炭素数1〜4のアルコキシ基、炭
素数6〜12のアリールオキシ基、ヒドロキシ基、炭素
数6〜12のアリール基、シアノ基およびハロゲン原子
などがある。
R16およびR′7で表わされる置換基を有するアルキ
ル基の具体例としては、アルコキシアルキル基(例えば
メトキシメチル基、メトキシチル基、エトキシメチル基
、エトキシエチル基、エトキシプロポキシ基、メトキシ
チル基、プロポキシメチル基等)、アリールオキシアル
キル基(例えばフェノキシメチル基、フェノキシエチル
基、ナフトキシメチル基、フェノキシペンチル基等)、
ヒドロキシアルキル基(例えばヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシプロピル基、ヒドロキシオクチル基等)、アラ
ルキル基(例えばベンジル基、フェネチル基、ω、ω−
ジフェニルアルキル基等)、シアノアルキル基(例えば
シアンメチル基、シアンエチル基、シアノプロピル基、
シアノブチル基等)ハロアル基(例えばクロロメチル基
、ブロモメチル基、クロロエチル基、ブロモペンチル基
、クロロオクチル基等)などが好ましい。
R1&およびR1ffで表わされるフェニル基は置換基
を有していてもよく、置換基を有するフェニル基の場合
の置換基の具体例としては、炭素数1〜12のアルキル
基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数6〜7のアリ
ールオキシ基、炭素数2〜8のアシル基、炭素数2〜5
のアルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、炭素数1〜
4のアルキル基で置換されたモノアルキルアミノ基、炭
素数1〜4のアルキル基で置換されたジアルキルアミノ
基、炭素数2〜4のアミド基、およびニトロ基などがあ
る。
炭素数1〜12のアルキル基として、メチル基、エチル
基、直鎖状ないしは分岐状のプロピル基、ブチル基、ペ
ンチル基、ヘキシル基、炭素数1〜4のアルコキシ基と
してメキトシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、アリールオキシ基としてフェノキシ基、o−lm−
またはP−)リルオキシ基、アシル基として、アセチル
基、プロピオニル基、ベンゾイル基、0−5m−または
p−トルオイル基、炭素数2ないし5のアルコキシカル
ボニル基としてメトキシカルボニル基、エトキシカルボ
ニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル
基、ハロゲン原子として塩素原子、臭素原子、弗素原子
、炭素数1ないし4のアルキル基で置換されたモノアル
キルアミノ基として、メチルアミノ基、エチルアミノ基
、ブチルアミノ基、炭素数1ないし4のアルキル基で置
換されたジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミ
ノ基、N−メチル−N−エチルアミノ基、アミド基とし
てアセトアミド基、プロピオンアミド基、その他の置換
基としてニトロ基がある。
としでは、RI&とRI7とが連結して、複素環を形成
してもよく、その場合の複素環としては、ピロリジノ環
、モルホリノ環、N−メチルピペラジノ環、ジェロリジ
ノ環等があげられる。
次に、上記−儀式(1) (Vl) で示される化 例示化合物5 合物の具体例を以下に示すが、本発明はこれらの化合物
に限定されるものではない。
例示化合物1 例示化合物6 例示化合物2 例示化合物7 ○ 例示化合物3 例示化合物8 例示化合物4 例示化合物9 例示化合物1゜ 例示化合物15 例示化合11!11 例示化合切工6 ○ 例示化合物12 例示化合物17 例示化合@IJ13 例示化合物1日 例示化合物14 例示化合物19 例示化合物20 O 例示化合物21 例示化合物22 例示化合物23 例示化合物24 例示化合物30 例示化合物31 例示化合物33 例示化合物34 例示化合物25 例示化合物26 例示化合物27 例示化合物2日 例示化合物29 例示化合物35 例示化合物36 例示化合物37 例示化合物38 例示化合物39 例示化合物40 例示化合物41 例示化合物42 例示化合物43 例示化合物4日 例示化噛物49 例示化合物50 例示化合物51 例示化合物44 例示化合物45 例示化合物46 例示化合物47 例示化合物52 例示化合@J53 例示化合物54 例示化合物56 例示化合物57 例示化合物58 例示化合物62 例示化合物63 例示化合物64 例示化合物59 例示化合物60 例示化合vyJ61 例示化合物65 例示化合物66 例示化合物69 CH3 例示化合’!!7167 例示化合物71 次に一般式(■) で表わされる化合物の具体例 を以下に示す。
例示化合物68 例示化合物72 CH3 例示化合物73 例示化合物77 CH) 例示化合物74 例示化合物7日 例示化合物75 C1(。
例示化合物76 L Hff 例示化合物81 CZ II 5 例示化合物82 例示化合物83 i13 H3 例示化合物84 Hs 本発明における一般式N)または−儀式(II)で表わ
れる尿素、チオ尿素化合物はいづれも’J、 chel
Il、Soe、 J上−955,1571−1581に
記載の方法により容易に合成することができる。
又、−S式(lit)〜(IV)で表わされるアミド、
チオアミド化合物はいづれもrBeilsteins 
llandbuchderOrganichen Ch
emie J第12巻265ページに記載の方法により
容易に合成することができる。
更に、−儀式(Vl)で表わされる(チオ)バルビッー
ル酸化合物は、rorganic Reactions
 J第15S、第204〜599ページに記載のKno
evenagel縮合法により、対応するアルデヒドあ
るいはケトンとバルビッール酸もしくはチオバルビッー
ル酸とをアルカリ(例、NaOH,KOH,アンモニア
、アミン(例、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピ
ペリジン等)等)を触媒として脱水縮合することによっ
て容易に製造することができる。
更に一般式(■)で表わされるヒドラゾン化合物は、特
開昭57 148749号報に記載0方法により、容易
に合成することができる。
フタロシアニン顔料を使用した電子写真感光体は、光照
射直後の表面電位の減衰に遅れを生ずるインダラシ5ン
効果が現れることが知られており、これが悪魔低下の原
図となっている。この原因については明確になっていな
いが、フタロシアニン粒子表面にキャリアトラップが存
在し、光照射により発生したキャリアがこのキャリアト
ラップに補足されてしまうために、この間表面電位の減
衰が見られないと考えられている0本発明の化合物はこ
のインダラシ3ン効果を軽減し、表面電位の減衰しない
時間(誘導期)を短かくし、結果として感度を向上させ
るための増悪剤であると考えられる。
電子写真感光体の用途に本発明の一般式(1)〜(Vl
)で示される化合物を用いることは、特開昭58−10
2239号、同58−102240号、特開昭58−6
5438号、同58−65439号、特開昭56−14
9462号、同57−29650号にその記載がある。
しがしながら、これらは、色素増感された有機光導電体
を更に増感するための増悪剤としての発明を主張するも
のであり、本発明のような色素増感を行っていない感光
体に関する増感効果は記載されていない、また、前記明
細書には、本発明における光導電性顔料であるフタロシ
アニン顔料を用いることは記載されていない、また、光
導電性顔料の使用に関しては無機光導電性顔料であるZ
n○を使用する記載があるが、これらもZn○等の無機
光導電体が色素増感されている場合に有効であると知ら
れていたのみであり、本発明におけるような、フタロシ
アニン顔料に特有なインダクション効果を軽減する効果
のあることは全く予期し得ないものであった。
又、特開昭58−102239号、同5日−10224
0号、悴開昭58−65438号、同58−65439
号、特開昭56−149462号、同57−29650
号に記載の電子写真感光体は、−回限りの使用において
は良好な電子写真特性を示すが、数回の繰り返し使用に
より、著り、い帯電電位の低下、恣度の低下、残留電位
の増大を生じ、とても繰り返し使用の複写機および光プ
リンター用の感光体として使用することはできない。
又通常フタロシアニンの感度を上げる目的で種々の添加
剤たとえばテトラニトロフルオレン、テトラシアノエチ
レン等の電子吸引性化合物を加えた場合、帯電性の低下
および繰り返し使用時、帯電電位の低下、残留電位の増
加を生じる。
しかし、本発明の一般式(1)〜(VT)で表わされる
化合物は、上記繰り返し特性の劣化を引きおこすことが
なく、フタロシアニンを増感するため、高感度及び良好
な繰り返し特性が要求される複写機および光プリンター
用感光体への使用に適する。
本発明の電子写真感光体は前述したフタロシアニン顔料
と、−形式(I)〜(Vl)で表わされる化合物の少な
くとも一種、および−形式(■)で表わされる化合物を
含有する光導電層を育する。
電子写真感光体としては各樺の形態が知られているが、
本発明の電子写真感光体は、そのいづれのタイプの感光
体であっても良い9通常本発明の電子写真感光体は下に
例示した層構成のタイプにて使用される。
(1)導電性支持体上に、フタロシアニン顔料および一
般式(I)〜(Vl)で表わされる化合物の一種、およ
び−形式(■)で表わされる化合物を含有する単層の光
導を贋を設けたもの。
(2)導電性支持体上にフタロシアニン顔料と一般式(
1)〜(VI)で表わされる化合物を含有する電荷発生
層を設け、その上に一般式(■)で表わされる化合物を
含有する電荷輸送層を設けたもの。
(3)導電性支持体上に一般式(■)で表わされる化合
物を含有する電荷輸送層を設け、その上にフタロシアニ
ン顔料と一般式(f)〜(Vl)で表わされる化合物を
含有する電荷発生層を設けたもの。
タイプ(11の電子写真感光体を作成するには、−形式
(1)〜(Vl)で表わされる化合物と、−S式(■)
で表わされる化合物およびバインダーを溶解した溶液中
に、フタロシアニン顔料を分散せしめ、これを導電性支
持体上に、塗布、乾燥すれば良い、あるいはフタロシア
ニン顔料をバインダー溶液に分散し、その後この溶液に
一般式(1)〜(Vl)で表わされる化合物、および−
形式(■)で表わされる化合物を溶解して塗布液を作成
しても良い。
この時の光導を層の膜厚は3〜50μ、好ましくは5〜
30μが良い。
タイプ(2)の電子写真感光体を作成するには、まず導
電性支持体上に、フタロシアニンおよび一般式(1)〜
(V[)で表わされる化合物を適当な溶剤、もしくは必
要があればバインダーを溶解せしめた溶剤中に分散して
塗布乾燥し、電荷発止1を設ける。あるいは、フタロシ
アニン顔料をi9荊、またはバインダーを溶解せしめた
溶剤中に分散し、その後−形式(I)〜(Vl>で表わ
される化合物で表ねされる化合物を溶解して塗布液を作
成しても良い、その後、この上に、−形式(■)で表わ
される電荷輸送化合物およびバインダーを含む溶液を塗
布、乾燥して電荷輸送層を設けることにより得られる。
この時の電荷発生層の厚みは4μ以下、特に0.1〜2
μが好ましく、電荷輸送層の厚みは3〜50μ、特に5
〜30μが好ましい。
又、本発明の電荷発生層は、電荷発生層と導電性支持体
の間に、−形式<1)〜(VT)で表わされる化合物で
表わされる化合物を含有する薄層を設け、その上に蕩着
によりフタロシアニン顔料の電荷発生層を設け、上層塗
布溶剤の拡散により、結果的にフタロシアニン顔料と一
般式(I)〜(VT)で表わされる化合物を含有させる
方法、あるいは導電性支持体上にフタロシアニン顔料を
澤着し、その上に一般式(1)〜(VT)で表わされる
化合物を含有する溶液を塗布し、フタロシアニン顔料と
共存させる方法により作成することができる。この場合
蒸着されるフタロシアニン顔料の厚みは0.001μ〜
1μ、特に0.01μ〜0.5μが好ましい。
タイプ(3)の電子写真感光体はタイプ(2)の電荷発
生層と電荷輸送層の積層順序を逆にすることにより作成
される。
本発明におけるタイプ(1)の感光体は、フタロシアニ
ン自身がアゾ顔料等に比較して、電荷移動能力を持つた
め、比較的良好な繰り返し特性を有するが、タイプ(2
)及び(3)の感光体に比較すると低怒であり、繰り返
し使用による帯電電位の低下、残留電位の増加もやや大
きい。
そのため、本発明の使用形態としてはタイプ(2)及び
(3)が好ましく、この形態において、極めて高感度で
あり、繰り返し使用において、帯it位の変化が少なく
、残留電位の低い、窩耐剛性、高耐久性の電子写真感光
体が得られる。
fil f21及び(3)のタイプの感光体で用いられ
るフタロシアニン顔料は、公知の分散機、例えばボール
ミル、サンドミル、振動ミル等により、粉砕、分散され
るが、フタロシアニンの粒径が5μ以下、好ましくは0
.1〜2μに粉砕して使用される。
タイプfi+の電子写真感光体において使用されるフタ
ロシアニン顔料の量は少な過ぎると感度が悪く、多すぎ
ると帯電性が悪くなったり、電子写真感光層の強度が弱
くなったりし、電子写真感光層中のフタロシアニン顔料
の占める割合はバインダーに対し0.01〜2重量倍、
好ましくは0.05〜1重量倍がよい。
一般式(■)で表わされる電荷輸送化合物の割合はバイ
ンダーに対し0.1〜2重世倍、好ましくは0,3〜1
.3重量倍の範囲がよい。
又−形式(1)〜(VT)で表わされる化合物の含有量
はフタロシアニン顔料に対し0.01〜1重量倍、好ま
しくは0.02〜0,4重量倍の範囲が適当である。
またタイプ(2)および(3)の電子写真感光体におい
て電荷発生層となるフタロシアニン化合物含有層を塗布
形成する場合、バインダー樹脂に対するフタロシアニン
顔料の使用量は0.1〜50重量倍が好ましくそれ以下
だと十分な感光性が得られない、を荷輸送媒体中の一般
式(■)で表わされる電荷輸送化合物の割合はバインダ
ーに対し0.01〜10重量倍、好ましくは0.2〜2
重量倍が好ましい。
この場合においても一般式<1)〜(Vl)で表わされ
る化合物の含を量はフタロシアニン顔料に対し、0.0
1〜1重量倍、好ましくは0.02〜0.4重量倍の範
囲が適当である。
またタイプ(2)及び(3)の感光体において特開昭6
0−196767号、特開昭60−254045号、特
開昭60−262159号各明細書0記載されているよ
うに電荷発生層中に、ヒドラゾン化合物、オキシム化合
物等の電荷輸送化合物を添加することもできる。
本発明の電子写真感光体において使用される導電性支持
体としては、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス等の
金属板、、金属ドラム、またはプラスチック、紙等のシ
ートあるいは円筒状基体上にアルミニウム、酸化インジ
ェーム、S n Ox 、カーボン等の導電材料を蒸着
もしくは分散塗布したもの、あるいは導電性ポリマー等
を設けたもの、あるいは塩化ナトリウム、塩化カルシウ
ム等の無機塩や有機四級アンモニウム塩により導電処理
された祇、紙管、カーボンをぬり込み成型したフェノー
ル樹脂ドラム、ベークライトドラム等が使用される。
本発明のタイプ(2)およびタイプ(3)の電荷発生層
に使用されるバインダーとしては、広範な絶縁性樹脂か
ら選択でき、例えばポリエステル樹脂、セルロース樹脂
、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラー
ル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、
ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、ポリブタジェン
樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂
、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂等をあ
げることができるが、これに限定されるものではない。
電荷輸送層に使用されるバインダーとしては、疎水性で
、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分
子重合体を用いるのが好ましい。
この様な、高分子重合体としては、例えば次のものを挙
げることができるが、勿論これらに限定されるものでは
ない。
ポリカーボネート、ポリエステル、メタクリル樹脂、ア
クリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリビニルアセテ−ト、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、
シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデ
ヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール等をあげることができる。
タイプ(1)の光導電層のバインダーとしては上記電荷
発生層および電荷輸送層のバインダーの中から適当に選
択して使用することができる。
これらのバインダーは、単独あるいは2種以上の混合物
として用いることができる。
本発明の電子写真感光体を作成する場合、バインダーと
共に可塑剤あるいは増感剤などの添加剤を使用してもよ
い。
可塑剤としてはビフェニル、塩化ビフェニル、O−テル
フェニル、p−テルフェニル、シフチルフタレート、ジ
メチルグリコールフタレート、ジオクチルフタレート、
トリフェニル燐酸、メチルナフタリン、ベンゾフェノン
、塩素化パラフィン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ジラウリルチオジプロピオネート、3.5−ジニトロサ
リチル酸、ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、
ジイソブチルアジペート、ジメチルセバケート、ジブチ
ルセバケート、ラウリン酸ブチル、メチルフタリールエ
チルグリコレート、各種フルオロ炭化水素類等が挙げら
れる。
その他、電子写真感光体の表面性をよくするために、シ
リコンオイル等を加えてもよい。
増感剤としては、クロラニル、テトラシアノエチレン、
メチルバイオレフト、ローダミンB、シアニン染料、メ
ロシアニン染料、ビリリウム染料、チアピリリウム染料
、特開昭58−65439号、同58−102239号
、同58−129439号、同62−71965号等に
記載の化合物等を挙げることができる。
塗布溶剤としては、アルコールM(例えばメタノール、
エタノール、インプロパツール等)、ケトンM(例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等)、アミドR(例えば、N、N
−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミ
ド等)、エステル類(例えば、酢酸メチル、酢酸エチル
、酢酸ブチル等)、エーテル類(例えば、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム等)、
ハロゲン化炭化水素類(例えば、塩化メチレン、クロロ
ホルム、メチルクロロホルム、四塩化炭素、モノクロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン等)等全単独あるいは混合
して用いることができる。
塗布は、スプレー、ローラーコーティング、スピンナー
コーティング、ブレードコーティング、デイツブコーテ
ィング等の汎用のコーティング法を用いて行うことがで
きる。
また本発明においては、導電性支持体と光導電層の間に
、必要に応じて接着層またはバリヤ層を設けることがで
きる。これらの層に用いられる材料としては、前記バイ
ンダーに用いられる高分子重合体のほか、ゼラチン、カ
ゼイン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、カ
ルボキン−メチルセルロース、特開昭59−84247
号に記載の塩化ビニリデン系、ポリマーラテックス、特
開昭59−114544号に記載のスチレン−ブタジェ
ン系ポリマーラテックスまたは、酸化アルミニウムなど
であり、これらの層の厚さは、0゜1〜5μmが好まし
い。
また本発明においては、光導電層上に必要によりオーバ
ーコート層を設けることができる。このオーバーコート
層は、機械的にマット化されたもの、あるいはマット剤
が含育される樹脂層であってもよい、この場合、マット
剤としては二酸化珪素、ガラス粒子、アルミナ、デンプ
ン、酸化チタン、酸化亜鉛、ポリメチルメタクリレート
、ポリスチレン、フェノール樹脂などの重合体の粒子、
および米国特許第2,701,245号、同第2゜99
2.101号明細書に記されているマント剤が含まれる
。これらは、2種以上併用することができる。
オーバーコート層に使用される樹脂としては光導電層に
使用される樹脂の他、公知の各種の樹脂より選択して用
いることができる。
以上本発明について詳細に説明したが、本発明の電子写
真感光体は感度に優れ、操り返し使用における帯電電位
の変化が少なく、残留電位の小さい高耐剛性、亮耐久性
の電子写真感光体である。
本発明の電子写真感光体と、電子写真複写機は勿論レー
ザー、ブラウン管を光源とするプリンターの感光体など
の分野に広く応用する事ができる。
特に長波長域まで高感度を有するので、半導体レーザー
、He −N eレーザー等を光源とするレーザービー
ムプリンターに適する。
次に本発明を実施例により具体的に説明するがこれによ
り本発明が実施例に限定されるものではない。なお実施
例中「部」とあるのは「重量部」を示す。
実施例 1 ε型銅フクロシアニン (リオフォ1−ンEPPC: 東洋インキ(株)製)      0.5部例示化合物
(1)           0.05部ポリエステル
樹脂 (バイロン200: 東洋紡績(株)製)3.0部 例示化合物(73)         3.0部テトラ
ヒドロフラン        100部を500−のガ
ラス製容器にガラスピーズと共に入れ、ペイントシェカ
ー(東洋精機製作所(株))で60分間分散したのち、
ガラスピーズをろ別して光導電層用分散液とした。
次にこの光導ti用骨分散液ワイヤーラウンドロッドを
用いて導電性支持体(75μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムの表面にアルミニウムの蒸着膜を設けた
もの。表面抵抗103Ω)上に塗布、乾燥し7て20μ
mの光導電層を有する電子写真感光体を得た。
次に、作成した電子写真感光体の電気特性をEPA−8
100(川口電気(株)製)を用いて、スタチック方式
により+8.Okvでコロナ帯電し、780部mの単色
光を]、mw/rdの光強度により露光する条件にて測
定した。帯電直後の表面電位(■。)、帯電直後から1
0秒後の表面電位のV、に対する比を電荷保持率(DD
、。)、また感度として、露光前の表面電位が光減衰し
て1/2になる露光!!(Es。)と1/10になる露
光量(E 9゜)、残留電位(■、)として露光量10
0μJ/c4時点の表面電位を調べたところ■。   
+667■ ES、    2.1μJ/ct E、、    、1.8μJ / crADD、、  
 76% v、    +19V であった。
比較例 1 実施例1の光導電層用塗布液より、例示化合物(1)を
除いた他は、実施例1と全く同様にして、電子写真感光
体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実施例
1と同条件で測定したところ■。   +695■ Eso    2.7μJ/d E、。   8.1μJ/cd DD、、   79% V、    +41V であった。
実施例 2 ε−型銅フタロシアニン(リオフォトンEPPC)3部
と例示化合物(1)0.3部およびポリエステル樹脂(
バイロン200)3部をテ)ラヒトロフラン100部に
溶かした液と共にボールミルで、20時間分散した後、
ワイヤーラウンドロッドを用いて、導電性支持体(前述
のAN蒸着膜)上に塗布、乾燥して厚さ0.5μmの電
荷発生層を得た。
次に電荷発生層の上に、電荷輸送物質として、例示化合
物(70)10部とビスフェノールAのポリカーポ不−
1・10部とをジクロルメタン50部に7容解した?容
;夜をワイヤーラウンドロンドを用いて、塗布、乾燥し
、厚さ20μmの電荷輸送層を形成させて、電子写真感
光体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を一8
kvでコロナ帯電した以外は実施例1と同条件で測定し
た結果、Vo   −753V E、。   1.5μ、J / ct E、。   2.8μJ/ci DD、。  73% Vえ   −20V であった。その後帯電と露光の2工程を10,000回
繰り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性と殆
ど変化がなかった。
比較例 2 実施例2の例示化合物(1)を除いた他は、実施例2と
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同条件で測
定したところ Vo      767 V 巳、。   2.3μJ/c艷 E、。   6.5μJ/cA DD、。  79% v、    −33V であった。
比較例3,4 電荷輸送物質として、例示化合物(70)に替えて下記
の比較化合物を用いた他は、実施例2と全く同様にして
電子写真感光体を作成し、電気特性を測定した。
結果を第1表に示す。
比較化合物(2) 第1表 実施例 3 実施例2のε−型銅フタロシアニン(リオフォl−ンE
PPC)をX型無金属フタロシアニン(大日本、インキ
(株)製、Fastogen Blue 8120)に
替えた他は実施例2と全く同様にして、電子写真感光体
を作成したにの電子写真感光体の電気特性を実施例2と
同し条件で測定した結果、V、    −745V 巳、。   0.7μJ/c4 E9G    1. 8 p J/c4DD、、   
75% VR13V であった。その後帯電と露光の2工程を10000@繰
り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がなかった。
比較例 5 実施例3の例示化合物(1)を除いた他は、実施例3と
全く同様にして電子写真感光体を作成した。
この電子写真感光体の電気特性を実施例2と同条件で測
定したところ ■。     −756■ 巳、。    1.0μJ/、ff1 E、。    3.5μJ/d DD、。   80% Vl      −32V であった。
実施例 4 実施例2のε−型銅フタロシアニン(リオフォトンEP
VC)をα型チタニル銅フタロシアニン(東洋インキ製
、)に替えた他は実施例2と全く同様にして、電子写真
感光体を作成した。この電子写真感光体の電気特性を実
施例2と同し条件で測定した結果、 ■。   −723■ E、。   0.6μJ/ci E、。    〕、 7μJ/cイ DD、。   73% VR−14V であった。その後帯電と露光の2工程を10000回繰
り返し、電気特性を調べたが、繰り返し前の特性と殆ど
変化がなかった。
比較例 6 実施例4の例示化合物(1)を除いた他は、実施例3と
全く同様にして電子写真感光体の電気特性を実施例2と
同条件で測定した結果、 ■。   −758V Eso    t、oμJ/c4 E、。   2.9μJ/cd DD、。  78% ■え   −20V であった。
実施例5〜25 増感剤として、実施例3の例示化合物(1)の替わりに
第2表の例示化合物、また電荷輸送物質として実施例3
の例示化合物(70)の替わりに第2表の例示化合物を
用いた以外は実施例3と全く同様にして電子写真感光体
を作成した。この電子写真感光体の電気特性を第2表に
示す。電気特性の測定は実施例3と同一の条件で行った
/ / 実施例1と比較例1、実施例2,5〜25と比較例2〜
4.実施例3と比較例5、および実施例4と比較例6を
各々比較すると、−S式(■)で表わされる化合物を含
有し、且つ一般式(1)〜(■)で表わされる化合物を
添加した電子写真感光体は、比較例の感光体に比較し、
1.5〜2倍高感度である。しかも帯電型、暗減衰、残
留電位に大きな差がなく良好な電子写真特性が保たれて
いることがわかる。更に、実施例2,3.4においてi
o、ooo回の繰り返し使用後の電気特性が、初期の特
性と殆ど変化がないことが(iiv2された。
以上により、実施例で示した電子写真感光体は本発明の
目的「高感度であり、かつ繰り返し使用において電位安
定性が高く、残留電位が小さい、耐久性の高い電子写真
感光体」を満足するものであることがわかる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性支持体上に光導電層を設けた電子写真感光
    体において、光導電層がa)フタロシアニン顔料、b)
    一般式( I )〜(VI)で表わされる化合物の少なくと
    も一種、およびc)一般式(VII)で表わされる化合物
    の少なくとも一種、を含有することを特徴とする複写機
    用または光プリンター用電子写真感光体。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(V) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(VI) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(VII) ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式( I )〜(VII)において、Zは、硫黄原子また
    は酸素原子を表わす。 R^1、R^2、R^3、R^4、R^5、R^6はそ
    れぞれ水素原子、アルキル基または複素環から誘導され
    た1価基を表し、互いに同じでも異なっても良い。R^
    1とR^2、またはR^3とR^4はそれぞれ連結して
    いてもよい。一般式( I )においてR^1、R^2、
    R^3、R^4が連結して全体として架橋環を形成して
    いてもよい。R^7は2価のアリーレン基、アラルキレ
    ン基、ポリメチレン基またはアルキレン基を表す。 R^8はアルキル基、アルコキシ基、単環式または2環
    縮合式のアリール基、単環式または2環縮合式のアリー
    ルオキシ基、または複素環から誘導された1価基を表わ
    す。一般式(V)において2個のR^8は互いに同じで
    も異なってもよい。 R^9およびR^1^0はアルキル基、アリール基また
    はアラルキル基を表し、R^9とR^1^0は同一であ
    っても互いに異なった基であっても良い。 R^1^1は水素原子、アルキル基、アリール基、また
    はアラルキル基を表す。また、Ar_1とR^1^1と
    で環を形成してもよい。 R^1^2、R^1^3は、アルキル基、アリール基、
    アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、及び水
    素原子、ハロゲン原子を表わす。 これらは、互いに同じでも異なっていてもよい。 R^1^4は、水素原子、アルキル基、アリール基を表
    わす。 R^1^5は、アルキル基、フェニル基を表わす。 X^1は▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があ
    ります▼、▲数式、化学式、表等があります▼または置
    換されてもよいメチレン基を表わす。 X^2は、ベンゼン、ナフタレン環を形成するに必要な
    原子群を表わす。 nは、0または1の整数を表わす。 Ar_1、Ar_2は1価の芳香族炭化水素基または1
    価の複素環基を表す。
  2. (2)複写基または光プリンターの光源が、レーザー光
    であることを特徴とする請求項(1)の複写機用または
    光プリンター用電子写真感光体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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