JPH03120339A - 磁気デバイス用磁性合金 - Google Patents
磁気デバイス用磁性合金Info
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- JPH03120339A JPH03120339A JP1256102A JP25610289A JPH03120339A JP H03120339 A JPH03120339 A JP H03120339A JP 1256102 A JP1256102 A JP 1256102A JP 25610289 A JP25610289 A JP 25610289A JP H03120339 A JPH03120339 A JP H03120339A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、特に高密度磁気記録用の磁気ヘッドに適する
磁性合金に関する。
磁性合金に関する。
(従来の技術)
近年、磁気記録の高密度化や広帯域化の必要性が高まり
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度記録再
生を実現している。
、磁気記録媒体に高い抗磁力を有する磁性材料を使用し
て記録トラック幅を狭くすることにより、高密度記録再
生を実現している。
そして、この高い抗磁力(Ha)を持つ磁気記$j g
体に記録再生するための磁気ヘッド材料として、飽和
磁束密度(Bs)の高い磁性合金が必要とされており、
センダスト合金や非晶質合金等をコアの一部または全部
に使用した磁気ヘッドが提案されている。
体に記録再生するための磁気ヘッド材料として、飽和
磁束密度(Bs)の高い磁性合金が必要とされており、
センダスト合金や非晶質合金等をコアの一部または全部
に使用した磁気ヘッドが提案されている。
しかしながら、磁気記録媒体の高抗磁力化が一段と進み
、抗磁力が20000 e以上になるとセンダスト合金
や非晶質合金を使用した磁気ヘッドでは良好な磁気記録
再生が困難になった。
、抗磁力が20000 e以上になるとセンダスト合金
や非晶質合金を使用した磁気ヘッドでは良好な磁気記録
再生が困難になった。
また、磁気記録媒体の長手方向ではなく、厚さ方向に磁
化して記録する垂直磁化記録方式ら提案されているが、
この垂直磁化記録方式を良好に行うには、磁気ヘッドの
主磁極の先端部の厚さを0.5μm以下にする必要があ
り、比較的抗磁力の低い磁気記録媒体に記録するのにも
、高い飽和磁束密度を持つ磁気ヘッドが必要とされてい
る。
化して記録する垂直磁化記録方式ら提案されているが、
この垂直磁化記録方式を良好に行うには、磁気ヘッドの
主磁極の先端部の厚さを0.5μm以下にする必要があ
り、比較的抗磁力の低い磁気記録媒体に記録するのにも
、高い飽和磁束密度を持つ磁気ヘッドが必要とされてい
る。
そして、センダスト合金や非晶質合金等よりも飽和磁束
密度の高い磁気ヘッド用合金として窒化鉄、Fe−3t
系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られている。
密度の高い磁気ヘッド用合金として窒化鉄、Fe−3t
系合金等の鉄を主成分とした磁性合金が知られている。
(発明が解決しようとする課題)
ところが、従来より知られている高飽和磁束密度の磁性
合金は、保磁力が大きくそのままでは磁気ヘッドの材料
としては不十分であるので、センダスト合金やパーマロ
イ等の保磁力の小さい磁性材料を眉間膜として使用した
多層膜構造の磁気ヘッドが提案されている。
合金は、保磁力が大きくそのままでは磁気ヘッドの材料
としては不十分であるので、センダスト合金やパーマロ
イ等の保磁力の小さい磁性材料を眉間膜として使用した
多層膜構造の磁気ヘッドが提案されている。
しかし、多層膜構造にするには工数やコストがかかり、
信頼性を保つのも難しいという問題があった。特に、数
μm以上の膜厚にする為には場合によっては100層以
上の多層膜構造にする必要があり、使用範囲も限られて
いた。この問題を解決するために、本発明人等はF e
−N −0合金によって単層で高Bsで、かつ低Ha
の磁性合金を得られることを提案したが、熱安定性の面
からガラスモールド工程には適さないという問題があっ
た。
信頼性を保つのも難しいという問題があった。特に、数
μm以上の膜厚にする為には場合によっては100層以
上の多層膜構造にする必要があり、使用範囲も限られて
いた。この問題を解決するために、本発明人等はF e
−N −0合金によって単層で高Bsで、かつ低Ha
の磁性合金を得られることを提案したが、熱安定性の面
からガラスモールド工程には適さないという問題があっ
た。
そこで、本発明は多層補遺にしなくても高飽和磁束密度
を持ち、且つ保磁力の小さい熱安定性に優れた磁性合金
を提供することを、目的とする。
を持ち、且つ保磁力の小さい熱安定性に優れた磁性合金
を提供することを、目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は上記課題に鑑みてなされたものでありFe
N OSi なる組成式で表わされ、VWX
’/ v、w、x、yで示される原子%は 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 v+w+x+y=100 なる関係を有する磁性合金、 または、F e N OS iRu zなる組成式
%式% で表わされ、V、W/、X、3’+ zで示される原子
%は 1 ≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 0.3≦2≦3 v+w+x+y+z=1 o。
N OSi なる組成式で表わされ、VWX
’/ v、w、x、yで示される原子%は 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 v+w+x+y=100 なる関係を有する磁性合金、 または、F e N OS iRu zなる組成式
%式% で表わされ、V、W/、X、3’+ zで示される原子
%は 1 ≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 0.3≦2≦3 v+w+x+y+z=1 o。
なる関係を有する磁性合金をそれぞれ提供するものであ
る。
る。
(実 施 例)
本発明の磁性合金の製造装置の一例を第1図に示す。
一対のターゲット5.5は鉄(Fe)とシリコン(Si
)、ルテニウム(Ru)等の添加元素の合金ターゲット
か、或いは適当な凹部を設けた純鉄のターゲットの凹部
にチップ状のSiまたはRuをはめ込んだ複合ターゲッ
トである。このターゲット5.5はターゲットホルダー
9によって支えられており、このターゲット5とターゲ
ットホルダー9には、直流電源13よりマイナス電位が
印加され、さらにこのターゲットホルダー9の周囲には
シールド4が取り付けである。
)、ルテニウム(Ru)等の添加元素の合金ターゲット
か、或いは適当な凹部を設けた純鉄のターゲットの凹部
にチップ状のSiまたはRuをはめ込んだ複合ターゲッ
トである。このターゲット5.5はターゲットホルダー
9によって支えられており、このターゲット5とターゲ
ットホルダー9には、直流電源13よりマイナス電位が
印加され、さらにこのターゲットホルダー9の周囲には
シールド4が取り付けである。
また、このターゲットホルダー9の内部には、両ターゲ
ット5,5間にプラズマ14を集束するための磁石6.
6が挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐた
めに冷却水8が流入している。
ット5,5間にプラズマ14を集束するための磁石6.
6が挿入され、かつターゲット5の表面の加熱を防ぐた
めに冷却水8が流入している。
そして、接地された真空槽15の左右に、2個のターゲ
ットホルダー9が絶縁体7によって絶縁されて設けられ
ている。
ットホルダー9が絶縁体7によって絶縁されて設けられ
ている。
また、この真空槽15の上部より、酸素(02)、窒素
(N2)、アルゴン(Ar)がそれぞれ流量計1〜3に
より、所定の流量に調節されて導入されている。
(N2)、アルゴン(Ar)がそれぞれ流量計1〜3に
より、所定の流量に調節されて導入されている。
なお、アルゴンは、ターゲット5をスパッタすると同時
に成膜する磁性合金膜中の窒素及び酸素の量を調節する
ためのらのである。
に成膜する磁性合金膜中の窒素及び酸素の量を調節する
ためのらのである。
そして、真空槽15の下部には、基板ホルダー12上に
基板11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッター10
が基板11を覆っている。
基板11が置かれ、不純物を防ぐためのシャッター10
が基板11を覆っている。
このようなスパッタ装置において、直流電源13により
、左右のターゲットホルダー9に支えられたターゲット
5.5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット
5はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴ
ンイオン(Ar ”)がターゲット5に衝突し、ターゲ
ット5の鉄原子およびSiまたはRu等の原子が飛び出
す、そして、ターゲット5から飛び出した鉄原子と、プ
ラズマ中の酸素及び窒素の原子または分子とが結合して
、基板11の上に成長していく。
、左右のターゲットホルダー9に支えられたターゲット
5.5の間にプラズマ14を発生させると、ターゲット
5はマイナス電位であるので、プラズマ14中のアルゴ
ンイオン(Ar ”)がターゲット5に衝突し、ターゲ
ット5の鉄原子およびSiまたはRu等の原子が飛び出
す、そして、ターゲット5から飛び出した鉄原子と、プ
ラズマ中の酸素及び窒素の原子または分子とが結合して
、基板11の上に成長していく。
なお、スパッタ開始後の数分間は、シャッター10を閉
じて基板11を覆うことにより、ターゲット5の表面の
不純物が基板11の上に付かないようにし、その後でシ
ャッター10を開けるようにする。
じて基板11を覆うことにより、ターゲット5の表面の
不純物が基板11の上に付かないようにし、その後でシ
ャッター10を開けるようにする。
そして、流量計1〜3にて酸素、窒素、アルゴンの導入
量を調節することにより、所望の酸素及び窒素を含んだ
p e v Nw Ox S t yなる組成式の合金
を得ることができる。
量を調節することにより、所望の酸素及び窒素を含んだ
p e v Nw Ox S t yなる組成式の合金
を得ることができる。
このようにして得たF ev Nいoxsi、なる組成
式の合金の窒素、酸素およびRuなとの添加元素の含有
量と回転磁場中で300” Cの熱処理を行なった後の
飽和磁束密度(Bs)と保磁力(Hc)との関係を表に
示す。
式の合金の窒素、酸素およびRuなとの添加元素の含有
量と回転磁場中で300” Cの熱処理を行なった後の
飽和磁束密度(Bs)と保磁力(Hc)との関係を表に
示す。
(以下、余白、)
この表においては酸素、窒素およびR11,Sの含有量
と飽和磁束密度(Bs)、保磁力(Hc)との関係を示
す表であり、含有量はESCA (X線光電子分光分析
法)、EPMA(X線マイクロアナライザ法)等による
定量分析で原子%で表している。なお表においては±2
0%の誤差が見込まれている。保磁力は真空中での熱処
理を行なった時の値であり、熱処理温度は300°Cで
ある6表における、試料番号1は鉄のみの場合の結果で
あり、試料番号2は鉄に酸素のみを含有させた時の結果
、試料番号3は鉄に窒素のみを含有させた時の結果であ
る。試料番号5〜11はそれぞれ本発明の磁性合金を示
すものである。
と飽和磁束密度(Bs)、保磁力(Hc)との関係を示
す表であり、含有量はESCA (X線光電子分光分析
法)、EPMA(X線マイクロアナライザ法)等による
定量分析で原子%で表している。なお表においては±2
0%の誤差が見込まれている。保磁力は真空中での熱処
理を行なった時の値であり、熱処理温度は300°Cで
ある6表における、試料番号1は鉄のみの場合の結果で
あり、試料番号2は鉄に酸素のみを含有させた時の結果
、試料番号3は鉄に窒素のみを含有させた時の結果であ
る。試料番号5〜11はそれぞれ本発明の磁性合金を示
すものである。
試料番号4のFe −8i −0合金の熱処理温度30
0°C以下ではHCが低くなっているが、300°C以
上になるとHcの急激な増大が起り磁気ヘッドの一般的
な加工法であるガラスモールドには適さない、また、試
料番号3のPe −3合金はHcが8.OOeと大きく
、試料番号1のFe−N合金は比較的Hcが小さいが1
0eより大きく、特に耐熱性が不十分である。これに対
して第2図に示す試料番号5に代表されるように、本発
明の磁性合金は熱処理温度500°CでHCがo、1o
eというように上記したガラスモールド可能な耐熱性と
、磁気ヘッドなどに必要な低Hcを同時に満たし、さら
にBSが19KGと高い値を示している。
0°C以下ではHCが低くなっているが、300°C以
上になるとHcの急激な増大が起り磁気ヘッドの一般的
な加工法であるガラスモールドには適さない、また、試
料番号3のPe −3合金はHcが8.OOeと大きく
、試料番号1のFe−N合金は比較的Hcが小さいが1
0eより大きく、特に耐熱性が不十分である。これに対
して第2図に示す試料番号5に代表されるように、本発
明の磁性合金は熱処理温度500°CでHCがo、1o
eというように上記したガラスモールド可能な耐熱性と
、磁気ヘッドなどに必要な低Hcを同時に満たし、さら
にBSが19KGと高い値を示している。
ここで、酸素の含有量が0.1原子%未満であると、顕
著な酸素の効果がみられず、HCはほとんど低下しない
、また、酸素の含有量が20原千%を越えると軟磁気特
性が大幅に劣化し、BSの低下とHcの増大が起こる。
著な酸素の効果がみられず、HCはほとんど低下しない
、また、酸素の含有量が20原千%を越えると軟磁気特
性が大幅に劣化し、BSの低下とHcの増大が起こる。
従って、酸素の含有量が0.1〜20原子%、さらに好
ましくは0.1〜10原子%であるとBsが高くかつH
cの小さい磁性合金が得られる。窒素の含有量は1原子
%未溝であると顕著な磁気特性の向上は見られず、20
原子%を越えるとBsの低下とHcの増大、特にBSが
本発明の目的である高BSを達成できなくなる。従って
、窒素の含有量が1〜20原子%、さらに好ましくは1
〜10原子%である時、Bsが高くかつHCの小さい磁
性合金が得られる。
ましくは0.1〜10原子%であるとBsが高くかつH
cの小さい磁性合金が得られる。窒素の含有量は1原子
%未溝であると顕著な磁気特性の向上は見られず、20
原子%を越えるとBsの低下とHcの増大、特にBSが
本発明の目的である高BSを達成できなくなる。従って
、窒素の含有量が1〜20原子%、さらに好ましくは1
〜10原子%である時、Bsが高くかつHCの小さい磁
性合金が得られる。
また、第2図には本発明の磁性合金と従来例である窒化
鉄合金の熱処理温度による保磁力(Hc)の変化を示す
。
鉄合金の熱処理温度による保磁力(Hc)の変化を示す
。
この第2図から、本発明の磁性合金は、HCが小さく熱
安定性にも優れていることが判る。ここで、Siの含有
量が0.5原子%未溝であると、低HC化と熱安定性の
向上に対する顕著な効果は見られず、6原子%を越える
と高BSかつ低Hcである磁性合金を得ることができな
い。
安定性にも優れていることが判る。ここで、Siの含有
量が0.5原子%未溝であると、低HC化と熱安定性の
向上に対する顕著な効果は見られず、6原子%を越える
と高BSかつ低Hcである磁性合金を得ることができな
い。
従って、Fe、NwO,Stなる式で示される組成の合
金において、v、w、x、yが次のような原子%の時に
優れた軟磁気特性を示す磁性合金が得られる。
金において、v、w、x、yが次のような原子%の時に
優れた軟磁気特性を示す磁性合金が得られる。
即ち、
1≦w≦20
0.1≦x≦20
0.5≦y≦6
v+w+x+y=100
る間係を満せばよい。
第3図はRuが耐蝕性の向上に寄与していることを示す
ものであり、試料を2wt%塩水に浸した後、これを取
り出し、その試料を60°C−90%の恒温恒温中に放
置した。同図中、横軸は放置した時間であり、縦軸は塩
水に浸す前のBS [BS(O)]に対する放置後の
Bs [Bs (t >]の値を示している。
ものであり、試料を2wt%塩水に浸した後、これを取
り出し、その試料を60°C−90%の恒温恒温中に放
置した。同図中、横軸は放置した時間であり、縦軸は塩
水に浸す前のBS [BS(O)]に対する放置後の
Bs [Bs (t >]の値を示している。
Ruの含有Iが0.3原子%未満であると、Ruの顕著
な効果が見られず、3原子%を越えると高Bsと低Hc
を達成できなくなる。従って、Ruの含有量は0.3原
子%〜3原子%であると良い。
な効果が見られず、3原子%を越えると高Bsと低Hc
を達成できなくなる。従って、Ruの含有量は0.3原
子%〜3原子%であると良い。
さらに、主に耐蝕性および耐牽耗性の向上を目的として
、炭素、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、
コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、ゲルマニウム、イ
ツトリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、インジウ
ム、錫、アンチモン、ハフニウム、タングステン、白金
、金、タリウム、鉛、パラジウムからなる群の中から、
少なくとも1種類以上の元素を合計で3原子%以下含有
させることができる。
、炭素、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、
コバルト、ニッケル、銅、ガリウム、ゲルマニウム、イ
ツトリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、インジウ
ム、錫、アンチモン、ハフニウム、タングステン、白金
、金、タリウム、鉛、パラジウムからなる群の中から、
少なくとも1種類以上の元素を合計で3原子%以下含有
させることができる。
従って、Fe、NwOxS i、Ruzなる式で示され
る組成の合金において、 v、w、x、y、zが、 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 0.3≦2≦3 v+w+x+y−1−z=100 なる原子%の時に優れた軟磁気特性を示し、かつ耐蝕性
の優れた磁性合金が得られる。
る組成の合金において、 v、w、x、y、zが、 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 0.3≦2≦3 v+w+x+y−1−z=100 なる原子%の時に優れた軟磁気特性を示し、かつ耐蝕性
の優れた磁性合金が得られる。
また、本発明の磁性合金と、他の軟磁性材(センダスト
等)とを交互に積層して、多層構造とすることにより、
さらに保磁力の低下が期待できるが、本発明磁性合金だ
けの単層構造でも優れた磁気特性を有する磁性合金が得
られる。
等)とを交互に積層して、多層構造とすることにより、
さらに保磁力の低下が期待できるが、本発明磁性合金だ
けの単層構造でも優れた磁気特性を有する磁性合金が得
られる。
(発明の効果)
本発明は、以上のような組成式の磁性合金にすることに
より高飽和磁束密度を有し、かつ低保磁力であり、更に
、熱安定性と耐蝕性の優れた磁気ヘッドなどの磁気デバ
イス用磁性合金が得られる。
より高飽和磁束密度を有し、かつ低保磁力であり、更に
、熱安定性と耐蝕性の優れた磁気ヘッドなどの磁気デバ
イス用磁性合金が得られる。
従って、本発明の磁性合金を用いれば、高保磁力磁気媒
体への良好な記録再生が行なえると共に、高性能の薄膜
磁気ヘッド製造することができ、その結果、高密度磁気
記録再生が実現できる特長がある。
体への良好な記録再生が行なえると共に、高性能の薄膜
磁気ヘッド製造することができ、その結果、高密度磁気
記録再生が実現できる特長がある。
第1図は本発明の磁性合金を製造する装置の一例である
スパッタ装置の概略図、第2図は本発明の磁性合金と従
来例である窒化鉄合金の熱処理温度によるHCの変化を
表す図、第3図は本発明合金におけるRuによる耐蝕性
の特性を示す図である。
スパッタ装置の概略図、第2図は本発明の磁性合金と従
来例である窒化鉄合金の熱処理温度によるHCの変化を
表す図、第3図は本発明合金におけるRuによる耐蝕性
の特性を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)Fe_vN_wO_xSi_yなる組成式で表わ
され、v,w,x,yで示される原子%は 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 v+w+x+y=100 なる関係を有する磁性合金。 (2)Fe_vN_wO_xSi_yRu_zなる組成
式で表わされ、v,w,x,y,zで示される原子%は 1≦w≦20 0.1≦x≦20 0.5≦y≦6 0.3≦z≦3 v+w+x+y+z=100 なる関係を有する磁性合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256102A JP2569828B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気デバイス用磁性合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1256102A JP2569828B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気デバイス用磁性合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03120339A true JPH03120339A (ja) | 1991-05-22 |
| JP2569828B2 JP2569828B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=17287918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1256102A Expired - Lifetime JP2569828B2 (ja) | 1989-09-29 | 1989-09-29 | 磁気デバイス用磁性合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569828B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158306A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-14 | Hitachi Ltd | 高密度鉄系磁性体膜およびその製造方法 |
| JPH0199203A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Sony Corp | 軟磁性積層膜 |
-
1989
- 1989-09-29 JP JP1256102A patent/JP2569828B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62158306A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-14 | Hitachi Ltd | 高密度鉄系磁性体膜およびその製造方法 |
| JPH0199203A (ja) * | 1987-10-13 | 1989-04-18 | Sony Corp | 軟磁性積層膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569828B2 (ja) | 1997-01-08 |
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Legal Events
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