JPH0312372B2 - - Google Patents
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- JPH0312372B2 JPH0312372B2 JP58113517A JP11351783A JPH0312372B2 JP H0312372 B2 JPH0312372 B2 JP H0312372B2 JP 58113517 A JP58113517 A JP 58113517A JP 11351783 A JP11351783 A JP 11351783A JP H0312372 B2 JPH0312372 B2 JP H0312372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- magnetic
- film
- magnetic recording
- lubricant
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
- Y10T428/24612—Composite web or sheet
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
- Y10T428/24669—Aligned or parallel nonplanarities
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、磁気デイスク装置等に使用される連
続磁性膜型の磁気記録媒体に関し、特にCSSタイ
プの浮上磁気ヘツドを使用する磁気記録再生装置
用磁気記録媒体の改良に関する。
続磁性膜型の磁気記録媒体に関し、特にCSSタイ
プの浮上磁気ヘツドを使用する磁気記録再生装置
用磁気記録媒体の改良に関する。
データ処理装置などに使用される磁気デイスク
装置は、近年急激なデータ記録密度の向上、大容
量化が進み、また高速性、経済性の点から装置は
小型化の傾向にある。このような高記録密度の要
求に伴い、記録媒体が、従来の塗布膜から連続磁
性膜に変わりつつある。
装置は、近年急激なデータ記録密度の向上、大容
量化が進み、また高速性、経済性の点から装置は
小型化の傾向にある。このような高記録密度の要
求に伴い、記録媒体が、従来の塗布膜から連続磁
性膜に変わりつつある。
即ち従来は磁性粉を合成樹脂などのバインダに
混入し、これをアルミニウム基板にスピンコート
して塗布膜を形成し、磁気記録媒体の磁性膜を構
成している。
混入し、これをアルミニウム基板にスピンコート
して塗布膜を形成し、磁気記録媒体の磁性膜を構
成している。
これに対し、連続磁性膜は、鉄や鉄−コバルト
系合金などの磁性材料を、スパツタや蒸着、メツ
キなどの手法で基板上に形成するもので、バイン
ダ（結合剤）を含まないので連続的な磁性膜（連
続磁性媒体）と呼ばれている。この連続磁性膜
は、従来の塗布膜のように合成樹脂などのバイン
ダを含む非連続磁性膜に比して磁気特性が良く、
製造工程も簡単になる。また記録密度も格段と向
上し、高記録密度媒体として優れた特性を有する
ものが得られており、特にフエライト酸化膜は、
材質的にも硬く、更に耐蝕性がよく、磁気記録媒
体としては非常に良好なものとして評価されてい
る。
系合金などの磁性材料を、スパツタや蒸着、メツ
キなどの手法で基板上に形成するもので、バイン
ダ（結合剤）を含まないので連続的な磁性膜（連
続磁性媒体）と呼ばれている。この連続磁性膜
は、従来の塗布膜のように合成樹脂などのバイン
ダを含む非連続磁性膜に比して磁気特性が良く、
製造工程も簡単になる。また記録密度も格段と向
上し、高記録密度媒体として優れた特性を有する
ものが得られており、特にフエライト酸化膜は、
材質的にも硬く、更に耐蝕性がよく、磁気記録媒
体としては非常に良好なものとして評価されてい
る。
ところで従来の塗膜型の磁気デイスク装置と同
様に、この連続磁性膜を使用した磁気デイスク装
置にも、CSS（Contact Start Stop）方式が採用
される。従つて通常は、磁気ヘツドがデイスク面
から浮上して読書きを行なうが、磁気記録媒体の
回転開始時および停止時のように浮上力が発生し
ない状態では、磁気記録媒体表面と磁気ヘツドの
スライダーが接触し摺動する。そのため、磁気ヘ
ツドが摺動接触するヘツドランデイングゾーンの
磁気記録媒体表面が摩耗して、摩耗粉が磁気記録
媒体の全面に拡散し、ヘツドクラツシユを引き起
す原因となる。したがつて磁気記録媒体表面の摩
耗を極力防止することが必要となる。
様に、この連続磁性膜を使用した磁気デイスク装
置にも、CSS（Contact Start Stop）方式が採用
される。従つて通常は、磁気ヘツドがデイスク面
から浮上して読書きを行なうが、磁気記録媒体の
回転開始時および停止時のように浮上力が発生し
ない状態では、磁気記録媒体表面と磁気ヘツドの
スライダーが接触し摺動する。そのため、磁気ヘ
ツドが摺動接触するヘツドランデイングゾーンの
磁気記録媒体表面が摩耗して、摩耗粉が磁気記録
媒体の全面に拡散し、ヘツドクラツシユを引き起
す原因となる。したがつて磁気記録媒体表面の摩
耗を極力防止することが必要となる。
この磁気記録層の摩耗を防止するために従来か
ら、次のような方法が採用されている。
ら、次のような方法が採用されている。
磁気記録層表面に、磁気ヘツドと磁気記録層
との距離があまり大きくならない程度の厚さ
で、酸化シリコン（SiO2）や樹脂などの保護
膜を設ける。
との距離があまり大きくならない程度の厚さ
で、酸化シリコン（SiO2）や樹脂などの保護
膜を設ける。
磁気ヘツドの接触摺動の際の摩耗を軽減する
ために、磁気記録層上もしくは保護膜上に潤滑
剤を塗布して、磁気ヘツドスライダーの滑りを
よくする。
ために、磁気記録層上もしくは保護膜上に潤滑
剤を塗布して、磁気ヘツドスライダーの滑りを
よくする。
潤滑剤を塗布すると、潤滑剤で磁気ヘツドス
ライダーが磁気記録媒体面に粘着し、磁気記録
媒体が回転開始する際に、磁気ヘツドの支持機
構を破損したりヘツドクラツシユを招く恐れが
ある。そのため、この粘着を防止する目的で、
特開昭56−22221号公報などに記載の手法によ
り、第１図イに示すように、磁気記録層１上に
設けられた保護膜２の表面に無数の突起３…を
設ける。突起３…間の〓間に潤滑剤が含浸さ
れ、スライダーと磁気記録媒体間の潤滑剤膜が
薄くなるので、粘着が解消され、また平滑な面
に比べ摩擦係数も小さくなる。なお４はアルミ
ニウム基板、５はその表面に形成されたアルマ
イト層である。
ライダーが磁気記録媒体面に粘着し、磁気記録
媒体が回転開始する際に、磁気ヘツドの支持機
構を破損したりヘツドクラツシユを招く恐れが
ある。そのため、この粘着を防止する目的で、
特開昭56−22221号公報などに記載の手法によ
り、第１図イに示すように、磁気記録層１上に
設けられた保護膜２の表面に無数の突起３…を
設ける。突起３…間の〓間に潤滑剤が含浸さ
れ、スライダーと磁気記録媒体間の潤滑剤膜が
薄くなるので、粘着が解消され、また平滑な面
に比べ摩擦係数も小さくなる。なお４はアルミ
ニウム基板、５はその表面に形成されたアルマ
イト層である。
磁気記録層１の保護膜２として、多孔膜を使
用するか、フオトエツチングなどの手法で保護
膜表面に、第１図ロに示すように微小な孔６…
を設けて、潤滑剤を含浸する。
用するか、フオトエツチングなどの手法で保護
膜表面に、第１図ロに示すように微小な孔６…
を設けて、潤滑剤を含浸する。
ところがこれらの手法はいずれも、次のような
問題を有している。即ちのように単純に保護膜
を設けるだけでは、摩耗を防止できない。基板の
アルマイト面は鏡面に仕上げられ、その上に磁性
膜を設けるため、磁性膜表面も鏡面状態の極めて
平滑な面になる。したがつて磁性膜上の保護膜も
平滑で、磁気ヘツドが浮上しないで保護膜と摺動
接触している状態では、保護膜が摩耗することに
より塵埃が発生し、致命的な障害であるヘツドク
ラツシユを誘発する恐れがある。
問題を有している。即ちのように単純に保護膜
を設けるだけでは、摩耗を防止できない。基板の
アルマイト面は鏡面に仕上げられ、その上に磁性
膜を設けるため、磁性膜表面も鏡面状態の極めて
平滑な面になる。したがつて磁性膜上の保護膜も
平滑で、磁気ヘツドが浮上しないで保護膜と摺動
接触している状態では、保護膜が摩耗することに
より塵埃が発生し、致命的な障害であるヘツドク
ラツシユを誘発する恐れがある。
のように潤滑剤を塗布して滑りをよくすれ
ば、初期の間は摩擦係数が小さく有効であるが、
経時的に潤滑剤が消耗すると、潤滑作用が低下
し、摩耗粉が発生する。かといつて多量の潤滑剤
を塗布すると、磁気記録媒体が停止しスライダー
と接触している際に、潤滑剤でスライダーが磁気
記録媒体面に粘着するので、次に磁気記録媒体が
回転開始するときに、磁気ヘツドが急激に磁気記
録媒体面から引き剥がされる際の衝撃でヘツドク
ラツシユを招いたり、磁気ヘツドを支持している
ジンバルを破損したりする恐れがある。
ば、初期の間は摩擦係数が小さく有効であるが、
経時的に潤滑剤が消耗すると、潤滑作用が低下
し、摩耗粉が発生する。かといつて多量の潤滑剤
を塗布すると、磁気記録媒体が停止しスライダー
と接触している際に、潤滑剤でスライダーが磁気
記録媒体面に粘着するので、次に磁気記録媒体が
回転開始するときに、磁気ヘツドが急激に磁気記
録媒体面から引き剥がされる際の衝撃でヘツドク
ラツシユを招いたり、磁気ヘツドを支持している
ジンバルを破損したりする恐れがある。
のように磁気記録媒体面に無数の突起３…を
設ければ、突起の〓間に潤滑剤が含浸されるの
で、の手法における問題はある程度軽減される
が、遠心力で外側に流動して消失し、含浸剤を安
定して保持できない。従つて潤滑剤の寿命が短か
く、長期使用に耐えることができない。
設ければ、突起の〓間に潤滑剤が含浸されるの
で、の手法における問題はある程度軽減される
が、遠心力で外側に流動して消失し、含浸剤を安
定して保持できない。従つて潤滑剤の寿命が短か
く、長期使用に耐えることができない。
のように保護膜を多孔質にすれば、潤滑剤は
移動し難く、潤滑剤の持ちは良くなるが、保護膜
表面が平滑なため、摺動時の耐摩耗性が低下す
る。その結果、磨耗粉が拡散し、磨耗粉によつて
ヘツドクラツシユを引き起こす恐れがある。
移動し難く、潤滑剤の持ちは良くなるが、保護膜
表面が平滑なため、摺動時の耐摩耗性が低下す
る。その結果、磨耗粉が拡散し、磨耗粉によつて
ヘツドクラツシユを引き起こす恐れがある。
またマスクを使用してパターニングする手法で
は、目標の1μｍ程度の孔を形成することは不可
能で、10μｍ程度の大きなものしか得られない。
は、目標の1μｍ程度の孔を形成することは不可
能で、10μｍ程度の大きなものしか得られない。
本発明は、従来の連続磁性膜型磁気記録媒体に
おけるこのような問題を解消し、潤滑剤の持ちが
良く、かつ耐摩耗性にも優れた磁気記録媒体を実
現することを目的とする。
おけるこのような問題を解消し、潤滑剤の持ちが
良く、かつ耐摩耗性にも優れた磁気記録媒体を実
現することを目的とする。
この目的を達成するために講じた本発明による
技術的手段は、 基板上に形成された連続磁性膜上に保護膜を設
け、当該保護膜の表面に潤滑剤を保持して成る磁
気記録媒体であつて、 前記保護膜は、 前記連続磁性膜磁気記録層から所定の膜厚を隔
てた位置に形成された平面状の保護膜面と、 前記保護膜面の平面部から突出するよう設けら
れた無数の微小な突起と、 前記潤滑剤を保持するために前記保護膜面の平
面部より窪んだ無数の微小な凹部と、 を有する構成を採つている。
技術的手段は、 基板上に形成された連続磁性膜上に保護膜を設
け、当該保護膜の表面に潤滑剤を保持して成る磁
気記録媒体であつて、 前記保護膜は、 前記連続磁性膜磁気記録層から所定の膜厚を隔
てた位置に形成された平面状の保護膜面と、 前記保護膜面の平面部から突出するよう設けら
れた無数の微小な突起と、 前記潤滑剤を保持するために前記保護膜面の平
面部より窪んだ無数の微小な凹部と、 を有する構成を採つている。
次に本発明による連続磁性膜型磁気記録媒体が
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明
する。第２図は連続磁性膜型磁気記録媒体の第１
実施例を示すもので、イは断面図、ロは拡大断面
図である。アルミニウム基板４の表面を酸化して
アルマイト層５を形成し、その表面に磁性膜１と
して、γ−FeO3などをスパツタなどの手法で設
けてある。この磁性膜１の上に、無数の突起７…
と凹部８…が形成されている。Ｌは磁性膜１から
所定の膜厚を隔てた位置に形成された保護膜面の
位置であり、以下この保護膜面の位置を中間レベ
ルと呼ぶ。この中間レベルＬに対し、突起７…が
火口状に隆起しており、球面状の凹部８…は中間
レベルＬに対し窪んだ形状になつている。
実際上どのように具体化されるかを実施例で説明
する。第２図は連続磁性膜型磁気記録媒体の第１
実施例を示すもので、イは断面図、ロは拡大断面
図である。アルミニウム基板４の表面を酸化して
アルマイト層５を形成し、その表面に磁性膜１と
して、γ−FeO3などをスパツタなどの手法で設
けてある。この磁性膜１の上に、無数の突起７…
と凹部８…が形成されている。Ｌは磁性膜１から
所定の膜厚を隔てた位置に形成された保護膜面の
位置であり、以下この保護膜面の位置を中間レベ
ルと呼ぶ。この中間レベルＬに対し、突起７…が
火口状に隆起しており、球面状の凹部８…は中間
レベルＬに対し窪んだ形状になつている。
第３図、第４図は本発明の他の実施例を説明す
るために、磁気記録媒体の表面状態を模式的に示
したもので、イは断面図、ロは部分断面斜視図で
ある。磁性膜１上に設けた保護膜２には、無数の
突起７…と無数の凹部８…が形成されている。第
３図では、突起７…の総てが一定の形状および高
さになつており、凹部８…も総て一定形状および
一定深さになつている。これに対し第４図の場合
は、突起７ａで示されるように、突起が段付き形
状になつている。同様に、途中から深さを変えて
凹部８…も段付き形状としてもよい。
るために、磁気記録媒体の表面状態を模式的に示
したもので、イは断面図、ロは部分断面斜視図で
ある。磁性膜１上に設けた保護膜２には、無数の
突起７…と無数の凹部８…が形成されている。第
３図では、突起７…の総てが一定の形状および高
さになつており、凹部８…も総て一定形状および
一定深さになつている。これに対し第４図の場合
は、突起７ａで示されるように、突起が段付き形
状になつている。同様に、途中から深さを変えて
凹部８…も段付き形状としてもよい。
突起７ｂは、他の突起７，７ａより低くなつて
おり、このように突起の高さはまちまちであつて
も差支えない。また各凹部８…の深さも一定であ
る必要はない。
おり、このように突起の高さはまちまちであつて
も差支えない。また各凹部８…の深さも一定であ
る必要はない。
このように、ある中間レベルから突出した無数
の突起と中間レベルより窪んだ無数の凹部を備え
た構成になつている。そのため、独立した無数の
凹部８…中に潤滑剤が含浸されるので、潤滑剤の
移動はなく、安定して保持される。その結果長期
にわたつて潤滑作用が維持され、保護膜の摩耗に
よる摩耗粉の発生が防止される。また少々の摩耗
粉が発生しても、無数の凹部８……中や突起７…
間に埋没するので、ヘツドクラツシユの要因とは
ならない。
の突起と中間レベルより窪んだ無数の凹部を備え
た構成になつている。そのため、独立した無数の
凹部８…中に潤滑剤が含浸されるので、潤滑剤の
移動はなく、安定して保持される。その結果長期
にわたつて潤滑作用が維持され、保護膜の摩耗に
よる摩耗粉の発生が防止される。また少々の摩耗
粉が発生しても、無数の凹部８……中や突起７…
間に埋没するので、ヘツドクラツシユの要因とは
ならない。
各突起７…，７ａ…の頂端と磁気ヘツドスライ
ダーが摺動接触するので、第１図ロのように保護
膜２が平滑なためにスライダーが保護膜にぴつた
り密着するものに比べて、摩擦係数が小さくな
る。その結果、前記のように潤滑剤の寿命が長く
なつたことと相まつて、摩耗の発生が一層抑制さ
れる。
ダーが摺動接触するので、第１図ロのように保護
膜２が平滑なためにスライダーが保護膜にぴつた
り密着するものに比べて、摩擦係数が小さくな
る。その結果、前記のように潤滑剤の寿命が長く
なつたことと相まつて、摩耗の発生が一層抑制さ
れる。
次に第２図のように火口状に隆起した突起と球
面状凹部を無数に有する保護膜を得るための具体
的方法を第５図において説明する。第２図で説明
したようにアルマイト層５上に連続磁性膜１とし
て、γ−FeO3などを蒸着などの手法で設けた後、
次の順に処理を行なう。
面状凹部を無数に有する保護膜を得るための具体
的方法を第５図において説明する。第２図で説明
したようにアルマイト層５上に連続磁性膜１とし
て、γ−FeO3などを蒸着などの手法で設けた後、
次の順に処理を行なう。
(1) 混合液の塗布：この連続磁性膜１の上に、次
のように珪素（Si）と流動パラフインを含む混
合液を1000rpmでスピンコートする。
のように珪素（Si）と流動パラフインを含む混
合液を1000rpmでスピンコートする。
ポリシルセスキオキサン（ラダー部分が比較
的少ないもの）に属するシリコン樹脂でガラス
レジン（オーエンスイリノイス社の商標）と呼
ばれるもの： ２％ 酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル：
50％ キシレン： 17％ 酢酸エチル： 31％ 流動パラフイン： 全量の0.3％ (2) 焼付け：混合液塗布後、200℃〜350℃で１〜
５時間焼付けを行なう。
的少ないもの）に属するシリコン樹脂でガラス
レジン（オーエンスイリノイス社の商標）と呼
ばれるもの： ２％ 酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル：
50％ キシレン： 17％ 酢酸エチル： 31％ 流動パラフイン： 全量の0.3％ (2) 焼付け：混合液塗布後、200℃〜350℃で１〜
５時間焼付けを行なう。
その結果中間レベルＬから突出した突起７…と
中間レベルＬより窪んだ凹部８…が形成される。
即ち上記組成の混合液を塗布すると、第５図イの
ように、易熱蒸発性物質である流動パラフインが
ａで示すように球状になり、かつ各流動パラフイ
ンの球ａ…同士がはじき合うため、無数の流動パ
ラフインの球ａ…が混合液ｂ上に発生する。混合
液ｂは、流動パラフインの球ａと表面張力で吸着
されるため、流動パラフインの球ａとの接触部は
球状の窪みができ、かつ該窪みの外周は火口状に
隆起する。従つて焼付けを行なつて、混合液ｂを
硬化させると、混合液ｂ中の酢酸エチレングリコ
ールモノエチルエーテルやキシレン、酢酸エチル
などは分解蒸発し、かつガラスレジン中のSi
（OH）4が変化してSiO2のみが残り、SiO2保護膜
２が形成される。また焼付け時に、易熱蒸発性物
質である球状の流動パラフインａは容易に分解蒸
発するので、その痕跡が火口底状の球面凹部８と
火口縁状の隆起部７として残る。球面凹部８は、
中間レベルＬより窪んでおり、また隆起部からな
る突起７は、中間レベルＬより突出している。
中間レベルＬより窪んだ凹部８…が形成される。
即ち上記組成の混合液を塗布すると、第５図イの
ように、易熱蒸発性物質である流動パラフインが
ａで示すように球状になり、かつ各流動パラフイ
ンの球ａ…同士がはじき合うため、無数の流動パ
ラフインの球ａ…が混合液ｂ上に発生する。混合
液ｂは、流動パラフインの球ａと表面張力で吸着
されるため、流動パラフインの球ａとの接触部は
球状の窪みができ、かつ該窪みの外周は火口状に
隆起する。従つて焼付けを行なつて、混合液ｂを
硬化させると、混合液ｂ中の酢酸エチレングリコ
ールモノエチルエーテルやキシレン、酢酸エチル
などは分解蒸発し、かつガラスレジン中のSi
（OH）4が変化してSiO2のみが残り、SiO2保護膜
２が形成される。また焼付け時に、易熱蒸発性物
質である球状の流動パラフインａは容易に分解蒸
発するので、その痕跡が火口底状の球面凹部８と
火口縁状の隆起部７として残る。球面凹部８は、
中間レベルＬより窪んでおり、また隆起部からな
る突起７は、中間レベルＬより突出している。
実際に行なつた実施例では、アルミニウム基板
上の2μｍの研削されたアルマイト膜上に、磁性
材料α−Fe2O3を0.2μｍスパツタし、還元酸化処
理して連続磁性膜を作成した。その保護膜とし
て、SiO2（50Å）をスパツタした膜の上に、上記
組成の混合液を、膜厚が約800Åとなるように塗
布し、300℃で１時間焼付けた後、弗素化オイル
をフロリナートで0.03％に希釈した液を潤滑剤と
して塗布し、磁気デイスクを得た。
上の2μｍの研削されたアルマイト膜上に、磁性
材料α−Fe2O3を0.2μｍスパツタし、還元酸化処
理して連続磁性膜を作成した。その保護膜とし
て、SiO2（50Å）をスパツタした膜の上に、上記
組成の混合液を、膜厚が約800Åとなるように塗
布し、300℃で１時間焼付けた後、弗素化オイル
をフロリナートで0.03％に希釈した液を潤滑剤と
して塗布し、磁気デイスクを得た。
この磁気デイスク媒体を、従来の加速評価方法
である高速高荷重逆回転試験を行なうと、50回以
上の強度を示した。従来の磁気デイスク媒体が１
度も耐えられなかつたことに比べると、保護膜の
強度が格段と向上しており、磁気ヘツドのCSS動
作を頻繁に繰り返しても、保護膜が損傷すること
はない。またクライトツクス（デユポン社の商
標）などの弗素化オイルは、従来の連続磁性膜に
は、強度や摩擦などの点から、塗布不可能であつ
たが、本発明の方法で凹凸処理された保護膜には
塗布可能となつた。しかも粘着を起さず且つ耐震
摩耗性にも富んでいる。
である高速高荷重逆回転試験を行なうと、50回以
上の強度を示した。従来の磁気デイスク媒体が１
度も耐えられなかつたことに比べると、保護膜の
強度が格段と向上しており、磁気ヘツドのCSS動
作を頻繁に繰り返しても、保護膜が損傷すること
はない。またクライトツクス（デユポン社の商
標）などの弗素化オイルは、従来の連続磁性膜に
は、強度や摩擦などの点から、塗布不可能であつ
たが、本発明の方法で凹凸処理された保護膜には
塗布可能となつた。しかも粘着を起さず且つ耐震
摩耗性にも富んでいる。
なお、上記の酢酸エチレングリコールモノエチ
ルエーテルやキシレン、酢酸エチルなどの溶剤を
組み替えることにより、その使用溶剤の沸点の違
いで、保護膜の表面形状および膜厚が、多種多様
となり、また添加する流動パラフインの重量の多
少でも、変化可能である。溶剤としては、上記の
ほかに、メチルイソブチルケトン、ジアセトンア
ルコール、ブタノール、エアミルアルコール、シ
クロヘキサノール等が使用できる。ガラスレジン
は、エタノールと酢酸エチルの溶媒の中のミラノ
ール構造をもつSi（OH）4を主成分とする珪素化合
物であり、珪素（Si）を含む溶剤である。
ルエーテルやキシレン、酢酸エチルなどの溶剤を
組み替えることにより、その使用溶剤の沸点の違
いで、保護膜の表面形状および膜厚が、多種多様
となり、また添加する流動パラフインの重量の多
少でも、変化可能である。溶剤としては、上記の
ほかに、メチルイソブチルケトン、ジアセトンア
ルコール、ブタノール、エアミルアルコール、シ
クロヘキサノール等が使用できる。ガラスレジン
は、エタノールと酢酸エチルの溶媒の中のミラノ
ール構造をもつSi（OH）4を主成分とする珪素化合
物であり、珪素（Si）を含む溶剤である。
この実施例の応用として、磁性膜１の上にスパ
ツタでSiO2を50〜300Å程度被着させてから、上
記の処理を行なうと、磁気ヘツドの粘着を更に改
善することができる。
ツタでSiO2を50〜300Å程度被着させてから、上
記の処理を行なうと、磁気ヘツドの粘着を更に改
善することができる。
次に突起と凹部を有する連続磁性膜型磁気記録
媒体の製造方法の別の実施例を、第６図に基づい
て工程順に説明する。
媒体の製造方法の別の実施例を、第６図に基づい
て工程順に説明する。
(1) SiO2スパツタ：アルミニウム基板のアルマ
イト層上に設けられた磁性膜１の上に、耐摩耗
性に富んだSiO2などの保護膜２をスパツタな
どの手法で形成する。
イト層上に設けられた磁性膜１の上に、耐摩耗
性に富んだSiO2などの保護膜２をスパツタな
どの手法で形成する。
(2) マスク成膜：この保護膜２の上に、１液性の
ポリウレタンゴムの溶液をコートし、界面活性
剤入りのフレオン溶液でゴムを変形させ、焼付
けて、ゴムのマスク９を形成する。
ポリウレタンゴムの溶液をコートし、界面活性
剤入りのフレオン溶液でゴムを変形させ、焼付
けて、ゴムのマスク９を形成する。
(3) エツチング：次にこのゴム９をマスクにし
て、フロンガス（CF4ガス）でドライエツチン
グを行ない、保護膜２のゴムマスク９…の下に
隠れた部分２１…のみを残す。
て、フロンガス（CF4ガス）でドライエツチン
グを行ない、保護膜２のゴムマスク９…の下に
隠れた部分２１…のみを残す。
(4) マスク拭き取り：溶剤でゴムマスク９を拭き
取ることにより、突起２１…が形成される。
取ることにより、突起２１…が形成される。
(5) SiO2スパツタ：こうして形成された突起２
１…上に、SiO2をスパツタなどの手法で50Å
程度被着させて、SiO2層１０を形成する。
１…上に、SiO2をスパツタなどの手法で50Å
程度被着させて、SiO2層１０を形成する。
(6) マスク成膜：再度前記のゴムマスク作成と同
じ要領で、ポリウレタンゴムをコートし、変形
させた後、焼付けを行なつて、ゴムマスク１１
を形成する。
じ要領で、ポリウレタンゴムをコートし、変形
させた後、焼付けを行なつて、ゴムマスク１１
を形成する。
(7) エツチング：ドライエツチングを行なつて、
ゴムマスク１１…の回りの薄膜を取り去り、次
工程のSiO2の密着を良くする。
ゴムマスク１１…の回りの薄膜を取り去り、次
工程のSiO2の密着を良くする。
(8) SiO2スパツタ：ゴムマスク１１の上から
SiO2をスパツタして、SiO2層１２を形成する。
このとき、SiO2層１２は、(6)工程の凹部１３
上に直接被着された層１２ａ、凹部１３上のゴ
ムマスク１１の上に被着された層１２ｂ、(6)工
程の突起２１上に直接被着された層１２ｃ、該
突起２１上のゴムマスク１１の上に被着された
層１２ｄとなる。
SiO2をスパツタして、SiO2層１２を形成する。
このとき、SiO2層１２は、(6)工程の凹部１３
上に直接被着された層１２ａ、凹部１３上のゴ
ムマスク１１の上に被着された層１２ｂ、(6)工
程の突起２１上に直接被着された層１２ｃ、該
突起２１上のゴムマスク１１の上に被着された
層１２ｄとなる。
(9) マスク剥離：SiO2スパツタ部を拭いて、ゴ
ムマスク１１…を強制的に拭き取る。すると、
(6)工程の凹部１３上のゴムマスク１１を除去し
た後に残つた凹部１３が最も深く、次は(6)工程
の凹部１３上に直接被着された層１２ａが深
い。そして(6)工程の突起２１上に直接被着され
た層１２ｃが最も高く、次は該突起２１上のゴ
ムマスク１１を除去した後に残つた部分、即ち
突起２１の頂端が高い。したがつて(6)工程の凹
部１３上に直接被着された層１２ａを中間レベ
ルＬとすると、凹部１３と、最も高い突起１２
ｃ、次に高い突起２１および段付きの突起１２
ｅを備えた構成となる。この段付きの突起１２
ｅは、(6)工程の突起２１の一部にゴムマスク１
１が付着したために、該ゴムマスク１１の除去
後に、段が付いたものである。
ムマスク１１…を強制的に拭き取る。すると、
(6)工程の凹部１３上のゴムマスク１１を除去し
た後に残つた凹部１３が最も深く、次は(6)工程
の凹部１３上に直接被着された層１２ａが深
い。そして(6)工程の突起２１上に直接被着され
た層１２ｃが最も高く、次は該突起２１上のゴ
ムマスク１１を除去した後に残つた部分、即ち
突起２１の頂端が高い。したがつて(6)工程の凹
部１３上に直接被着された層１２ａを中間レベ
ルＬとすると、凹部１３と、最も高い突起１２
ｃ、次に高い突起２１および段付きの突起１２
ｅを備えた構成となる。この段付きの突起１２
ｅは、(6)工程の突起２１の一部にゴムマスク１
１が付着したために、該ゴムマスク１１の除去
後に、段が付いたものである。
(10) 清掃：溶剤で残留マスクなどを除去し、浄化
する。
する。
(11) 潤滑剤塗布：最後に潤滑剤１４を塗布する
と、潤滑剤１４が、凹部１３中や突起１２ｃ…
間に含浸され、安定して保持される。したがつ
て潤滑剤１４は少しずつスライダーとの接触部
に供給され、潤滑剤の付き過ぎによる粘着が解
消され、摩擦係数やCSS強度も向上する。
と、潤滑剤１４が、凹部１３中や突起１２ｃ…
間に含浸され、安定して保持される。したがつ
て潤滑剤１４は少しずつスライダーとの接触部
に供給され、潤滑剤の付き過ぎによる粘着が解
消され、摩擦係数やCSS強度も向上する。
こうして出来上がつた磁気記録媒体の表面形状
は、(1)の工程におけるSiO2層２の膜厚X1、(8)の
工程におけるSiO2層１２の膜厚X2により、次の
３つの形状となる。
は、(1)の工程におけるSiO2層２の膜厚X1、(8)の
工程におけるSiO2層１２の膜厚X2により、次の
３つの形状となる。
(a)：X1＝X2の場合は、第３図のように、突起
７…の高さと凹部８…の深さが等しい凹凸と
なる。
７…の高さと凹部８…の深さが等しい凹凸と
なる。
(b)：X1＞X2＝X1＜X2の場合は、第４図の突起
７ａ，７ｂのように、高さの異なる突起がで
きる。X1＞X2の場合は、凹部８が浅く突起
７ｂが高くなるが、X1＜X2の場合は、凹部
８が深く突起７ｂが低くなる。また突起７ａ
で示されるように、段付きの突起も形成され
る。
７ａ，７ｂのように、高さの異なる突起がで
きる。X1＞X2の場合は、凹部８が浅く突起
７ｂが高くなるが、X1＜X2の場合は、凹部
８が深く突起７ｂが低くなる。また突起７ａ
で示されるように、段付きの突起も形成され
る。
なお(5)工程のSiO2スパツタは、(10)の浄化工程
の次に行なうこともできる。
の次に行なうこともできる。
このように１液性のポリウレタンゴムの表面張
力を利用することにより、簡単にサブミクロン
（0.3〜数μｍ）の微小マスクを作成することがで
き、且つエツチングおよびリフトオフ法を併用す
ることにより、無数の突起を容易に形成できる。
そのため従来の平滑面と違つて、磁気ヘツドと磁
気デイスク円板との粘着現象が確実に軽減され、
摩擦係数も小さくなる。またゴムの濃度やスピン
コート条件、スピン回数などを適宜選択すれば、
小突起、大突起、小凹部、大凹部、またはそれぞ
れの組合せにより、第７図イ，ロのように、突起
や凹部のサイズ、密度、形状なども自由に選定で
きる。エツチングされる保護膜の厚みにより、突
起の高さ、凹部の深さも容易に制御でき、エツチ
ング時間を変化させることで、多くの段差をもつ
た凹凸が形成される。またゴムを変形させる界面
活性剤入りフレオン溶液のスピン回数で、凹凸の
密度も自由に変化できる。
力を利用することにより、簡単にサブミクロン
（0.3〜数μｍ）の微小マスクを作成することがで
き、且つエツチングおよびリフトオフ法を併用す
ることにより、無数の突起を容易に形成できる。
そのため従来の平滑面と違つて、磁気ヘツドと磁
気デイスク円板との粘着現象が確実に軽減され、
摩擦係数も小さくなる。またゴムの濃度やスピン
コート条件、スピン回数などを適宜選択すれば、
小突起、大突起、小凹部、大凹部、またはそれぞ
れの組合せにより、第７図イ，ロのように、突起
や凹部のサイズ、密度、形状なども自由に選定で
きる。エツチングされる保護膜の厚みにより、突
起の高さ、凹部の深さも容易に制御でき、エツチ
ング時間を変化させることで、多くの段差をもつ
た凹凸が形成される。またゴムを変形させる界面
活性剤入りフレオン溶液のスピン回数で、凹凸の
密度も自由に変化できる。
このように突起の高さおよび凹部の深さを色々
変えることによつて、多段構成とする方が好まし
い。第８図は段数を更に増やす製造方法の実施例
を示すものである。(1)工程から(4)工程までは、第
６図の製造方法と同じなため、(5)工程以降を説明
する。
変えることによつて、多段構成とする方が好まし
い。第８図は段数を更に増やす製造方法の実施例
を示すものである。(1)工程から(4)工程までは、第
６図の製造方法と同じなため、(5)工程以降を説明
する。
(5) マスク成膜：突起２１上に前記の要領でゴム
マスク１５を形成する。
マスク１５を形成する。
(6) エツチング：このゴムマスク１５の上からド
ライエツチングを行なつて、ゴムマスク１５の
陰になる部分以外をエツチングする。この場合
エツチング時間を、前記(3)の工程におけるエツ
チングの1/3とする。
ライエツチングを行なつて、ゴムマスク１５の
陰になる部分以外をエツチングする。この場合
エツチング時間を、前記(3)の工程におけるエツ
チングの1/3とする。
(7) マスク成膜：前記のゴムマスク１５を除去し
ないで、新たにゴムマスク１６を形成する。
ないで、新たにゴムマスク１６を形成する。
(8) エツチング：そして前記(3)の工程におけるエ
ツチングの1/3の時間エツチングを行なう。
ツチングの1/3の時間エツチングを行なう。
(9) マスク成膜：再度ゴムマスク１７を追加形成
する。
する。
(10) エツチング：そして先のゴムマスク１５，１
６および今回のゴムマスク１７の上からドライ
エツチングを行なう。最後に溶剤でゴムマスク
１５，１６，１７を除去する。
６および今回のゴムマスク１７の上からドライ
エツチングを行なう。最後に溶剤でゴムマスク
１５，１６，１７を除去する。
したがつて(5)工程で形成されたゴムマスク１５
の下の、全くエツチングが行なわれない突起２１
ａが最も高く、２回目の(7)工程で形成されたゴム
マスク１６の下の突起２１ｂが次に高くなる。そ
して(9)工程で最後に形成されたゴムマスク１７の
下の突起２１ｃが３番目に高い。ゴムマスク１
５，１６，１７のいずれの陰にもならず、総ての
エツチング工程でエツチングされた突起２１ｄが
最も低くなる。なお各突起２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄの間の部分１３が凹部８となる。
の下の、全くエツチングが行なわれない突起２１
ａが最も高く、２回目の(7)工程で形成されたゴム
マスク１６の下の突起２１ｂが次に高くなる。そ
して(9)工程で最後に形成されたゴムマスク１７の
下の突起２１ｃが３番目に高い。ゴムマスク１
５，１６，１７のいずれの陰にもならず、総ての
エツチング工程でエツチングされた突起２１ｄが
最も低くなる。なお各突起２１ａ，２１ｂ，２１
ｃ，２１ｄの間の部分１３が凹部８となる。
第９図はこうして作成した磁気記憶媒体表面の
斜視図で、最も高い突起２１ａの高さが300Å、
２番目に高い突起２１ｂの高さが200Å、最も低
い突起２１ｃが100Åであつた。また凹部１３の
深さは、500Åであつた。各突起および凹部の径
は、２〜3μｍ程度となつた。
斜視図で、最も高い突起２１ａの高さが300Å、
２番目に高い突起２１ｂの高さが200Å、最も低
い突起２１ｃが100Åであつた。また凹部１３の
深さは、500Åであつた。各突起および凹部の径
は、２〜3μｍ程度となつた。
このようにして、マスク成膜とエツチングの回
数を増やせば、段数を自由に増やすことができ、
また強度的にも向上する。その後第６図の(6)以降
の工程をたどると、 突起数：マスク成膜とエツチング回数：ｎ 凹部数： １ となる。
数を増やせば、段数を自由に増やすことができ、
また強度的にも向上する。その後第６図の(6)以降
の工程をたどると、 突起数：マスク成膜とエツチング回数：ｎ 凹部数： １ となる。
実験的には、突起が３段、凹部が１段で、計６
段の形状まで行なつた。
段の形状まで行なつた。
以上のように本発明によれば、基板上に形成さ
れた連続磁性膜の表面に、平面状の中間レベルよ
り高い微小な突起と該中間レベルより窪んだ微小
な凹部をそれぞれ無数に形成し、かつ該凹部中に
潤滑剤を含ませた構成を採つている。そのため潤
滑剤が各凹部中に独立して安定保持され、潤滑剤
が長期にわたつて安定して磁気ヘツドとの摺動面
に供給される。また潤滑剤が多過ぎるために発生
する磁気ヘツドスライダーの粘着現象も解消され
る。
れた連続磁性膜の表面に、平面状の中間レベルよ
り高い微小な突起と該中間レベルより窪んだ微小
な凹部をそれぞれ無数に形成し、かつ該凹部中に
潤滑剤を含ませた構成を採つている。そのため潤
滑剤が各凹部中に独立して安定保持され、潤滑剤
が長期にわたつて安定して磁気ヘツドとの摺動面
に供給される。また潤滑剤が多過ぎるために発生
する磁気ヘツドスライダーの粘着現象も解消され
る。
しかも磁気ヘツドスライダーとの接触部は、無
数の突起の頂面なため、平滑な面と違つて摩擦係
数が小さくなり、耐摩耗性が向上するので、前記
のように潤滑剤が長寿命となつたことと相まつ
て、摩耗粉の発生がより確実に防止される。万一
磨耗粉が発生しても、スライダーとの摺動面より
窪んだ中間レベルＬ（平面状の保護膜面）に溜ま
るので、ヘツドラツシユを誘発しにくい。また磁
気デイスク媒体面（スライダーとの摺動面）に拡
散しにくい。
数の突起の頂面なため、平滑な面と違つて摩擦係
数が小さくなり、耐摩耗性が向上するので、前記
のように潤滑剤が長寿命となつたことと相まつ
て、摩耗粉の発生がより確実に防止される。万一
磨耗粉が発生しても、スライダーとの摺動面より
窪んだ中間レベルＬ（平面状の保護膜面）に溜ま
るので、ヘツドラツシユを誘発しにくい。また磁
気デイスク媒体面（スライダーとの摺動面）に拡
散しにくい。
さらに保護膜はSiO2で構成できるので、特願
昭57−84383号の発明のような樹脂製の保護膜や
塗膜型の磁気記録層に直接凹凸を形成する場合に
比べてCSS強度も充分である。
昭57−84383号の発明のような樹脂製の保護膜や
塗膜型の磁気記録層に直接凹凸を形成する場合に
比べてCSS強度も充分である。
第１図は従来の連続磁性膜型磁気記録媒体の表
面状態を示す部分断面斜視図、第２図以下は本発
明による連続磁性膜型磁気記録媒体の実施例を示
すもので、第２図は磁気記録媒体の表面状態の一
例を示す断面図、第３図、第４図は連続磁性膜型
磁気記録媒体の他の表面状態を示す断面図と部分
断面斜視図、第５図は本発明磁気記録媒体の製造
方法を示す断面図、第６図と第８図は本発明磁気
記録媒体の他の製造方法を示す工程図、第７図と
第９図は連続磁性膜型磁気記録媒体の他の表面状
態を示す斜視図である。 図において、１は連続磁性膜、２は保護膜、Ｌ
は中間レベル（平面状の保護膜面）、４はアルミ
ニウム基板、５はアルマイト層、７，７ａ，７ｂ
は突起、８は凹部、ａは流動パラフインの球、ｂ
は混合液、９，１１はゴムマスクをそれぞれ示
す。
面状態を示す部分断面斜視図、第２図以下は本発
明による連続磁性膜型磁気記録媒体の実施例を示
すもので、第２図は磁気記録媒体の表面状態の一
例を示す断面図、第３図、第４図は連続磁性膜型
磁気記録媒体の他の表面状態を示す断面図と部分
断面斜視図、第５図は本発明磁気記録媒体の製造
方法を示す断面図、第６図と第８図は本発明磁気
記録媒体の他の製造方法を示す工程図、第７図と
第９図は連続磁性膜型磁気記録媒体の他の表面状
態を示す斜視図である。 図において、１は連続磁性膜、２は保護膜、Ｌ
は中間レベル（平面状の保護膜面）、４はアルミ
ニウム基板、５はアルマイト層、７，７ａ，７ｂ
は突起、８は凹部、ａは流動パラフインの球、ｂ
は混合液、９，１１はゴムマスクをそれぞれ示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に形成された連続磁性膜上に保護膜を
設け、当該保護膜の表面に潤滑剤を保持して成る
磁気記録媒体であつて、 前記保護膜は、 前記連続磁性膜磁気記録層から所定の膜厚を隔
てた位置に形成された平面状の保護膜面と、 前記保護膜面の平面部から突出するよう設けら
れた無数の微小な突起と、 前記潤滑剤を保持するために前記保護膜面の平
面部より窪んだ無数の微小な凹部と、 を有することを特徴とする連続磁性膜型磁気記録
媒体。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113517A JPS605423A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 連続磁性膜型磁気記録媒体 |
| CA000456920A CA1251360A (en) | 1983-06-22 | 1984-06-19 | Magnetic recording medium and production processes thereof |
| AU29721/84A AU551438B2 (en) | 1983-06-22 | 1984-06-21 | Magnetic recording medium |
| US06/623,259 US4664963A (en) | 1983-06-22 | 1984-06-21 | Magnetic recording medium and production processes thereof |
| EP84304232A EP0130063B1 (en) | 1983-06-22 | 1984-06-22 | Magnetic recording media |
| DE8484304232T DE3480239D1 (en) | 1983-06-22 | 1984-06-22 | Magnetic recording media |
| US06/899,130 US4675075A (en) | 1983-06-22 | 1986-08-22 | Magnetic recording production processes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113517A JPS605423A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 連続磁性膜型磁気記録媒体 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5044090A Division JPH0648536B2 (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605423A JPS605423A (ja) | 1985-01-12 |
| JPH0312372B2 true JPH0312372B2 (ja) | 1991-02-20 |
Family
ID=14614344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113517A Granted JPS605423A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 連続磁性膜型磁気記録媒体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4664963A (ja) |
| EP (1) | EP0130063B1 (ja) |
| JP (1) | JPS605423A (ja) |
| AU (1) | AU551438B2 (ja) |
| CA (1) | CA1251360A (ja) |
| DE (1) | DE3480239D1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150211A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Res Dev Corp Of Japan | 垂直磁気記録媒体およびその製法 |
| US4717627A (en) * | 1986-12-04 | 1988-01-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dynamic high pressure process for fabricating superconducting and permanent magnetic materials |
| US4762754A (en) * | 1986-12-04 | 1988-08-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dynamic high pressure process for fabricating superconducting and permanent magnetic materials |
| JPH01182920A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-20 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH067410B2 (ja) * | 1989-10-02 | 1994-01-26 | 伊藤忠商事株式会社 | 記録ディスク基板及び磁気記録ディスクの製造方法 |
| US5504646A (en) * | 1989-10-13 | 1996-04-02 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk including protective layer having surface with protusions and magnetic disk apparatus including the magnetic disk |
| US5285343A (en) * | 1989-10-13 | 1994-02-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk with surface protective layer having convex portions and magnetic disk apparatus including such a magnetic disk |
| US5316844A (en) * | 1990-04-16 | 1994-05-31 | Hoya Electronics Corporation | Magnetic recording medium comprising an aluminum alloy substrate, now magnetic underlayers, magnetic layer, protective layer, particulate containing protective layer and lubricant layer |
| US5656349A (en) * | 1990-07-04 | 1997-08-12 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk, method of manufacturing the same and magnetic disk apparatus including the magnetic disk |
| WO1993012520A1 (en) * | 1991-12-17 | 1993-06-24 | Certus Magnetics | Magnetic disk medium with designed textured surfaces and controlled surface roughness and method of providing same |
| US5470447A (en) * | 1992-08-19 | 1995-11-28 | Stormedia, Inc. | Method for applying a protective coating on a magnetic recording head |
| JP2717048B2 (ja) * | 1992-11-12 | 1998-02-18 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク製造方法および製造装置 |
| US5635037A (en) * | 1993-08-02 | 1997-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Method of texture by in-situ masking and etching for thin film magnetic recording medium |
| US5768076A (en) * | 1993-11-10 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk having a laser-textured surface |
| US5841608A (en) * | 1994-08-30 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Head slider with projections arranged on rails thereof |
| JPH08249637A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 磁気ディスクおよびその製造方法ならびに磁気ディスク装置 |
| JP2738394B2 (ja) * | 1996-12-16 | 1998-04-08 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク |
| US6205002B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Disk drive with textured slider contact region |
| US6835317B2 (en) * | 1997-11-04 | 2004-12-28 | Ebara Corporation | Method of making substrate with micro-protrusions or micro-cavities |
| US6673429B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-01-06 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with a multiple-layer lubricant |
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