JPH05303739A - 磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH05303739A JPH05303739A JP13145992A JP13145992A JPH05303739A JP H05303739 A JPH05303739 A JP H05303739A JP 13145992 A JP13145992 A JP 13145992A JP 13145992 A JP13145992 A JP 13145992A JP H05303739 A JPH05303739 A JP H05303739A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 円板状の剛性基板１上にＳｉＯ2 微粒子３を
高分子エマルジョンとともに被着され、且つその上に磁
性層５が形成される。 【効果】 ＳｉＯ2 微粒子の基板表面への付着強度を高
めることができる。
高分子エマルジョンとともに被着され、且つその上に磁
性層５が形成される。 【効果】 ＳｉＯ2 微粒子の基板表面への付着強度を高
めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、剛性基板上に磁性層が
形成されてなる磁気ディスクに関するものであり、特に
表面性の改良に関する。
形成されてなる磁気ディスクに関するものであり、特に
表面性の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、剛性基板に磁性層を形成してな
る磁気ディスク（いわゆるハードディスク）において
は、基板の表面に若干の凹凸を形成することによって表
面性をコントロールし、耐久性の向上や電磁変換特性の
向上を果たしている。
る磁気ディスク（いわゆるハードディスク）において
は、基板の表面に若干の凹凸を形成することによって表
面性をコントロールし、耐久性の向上や電磁変換特性の
向上を果たしている。
【０００３】剛性基板の表面に若干の凹凸を形成する手
法としては、テクスチャーと称される機械的な手法が主
流となっている。かかるテクスチャーは、例えばＡｌ−
Ｍｇ基板にＮｉ−Ｐメッキを施した後、その表面をラッ
ピングテープ或いは砥粒により研磨し、同心円状の微細
な溝を形成するという技術で、特にＣＳＳ（コンタクト
・スタート・ストップ）耐久性等を確保する上で現状で
は必要不可欠な処理である。
法としては、テクスチャーと称される機械的な手法が主
流となっている。かかるテクスチャーは、例えばＡｌ−
Ｍｇ基板にＮｉ−Ｐメッキを施した後、その表面をラッ
ピングテープ或いは砥粒により研磨し、同心円状の微細
な溝を形成するという技術で、特にＣＳＳ（コンタクト
・スタート・ストップ）耐久性等を確保する上で現状で
は必要不可欠な処理である。
【０００４】ところが、高密度記録に対応するべくヘッ
ド浮上量の微小化が進められ、より微細な表面粗さの制
御が必要とされる状況にあって、上記メカニカルなテク
スチャーでは十分に対処しきれなくなってきている。も
ちろん、メカニカルなテクスチャーにおいてもある程度
微細な表面粗さの制御は可能であるが、この場合装置が
大型化し製造コストも膨大なものとなるという問題があ
る。
ド浮上量の微小化が進められ、より微細な表面粗さの制
御が必要とされる状況にあって、上記メカニカルなテク
スチャーでは十分に対処しきれなくなってきている。も
ちろん、メカニカルなテクスチャーにおいてもある程度
微細な表面粗さの制御は可能であるが、この場合装置が
大型化し製造コストも膨大なものとなるという問題があ
る。
【０００５】そこで、さらに従来においては、処理コス
ト及びグラハイト制御の観点より、小さな球状をなす無
機微粒子や有機微粒子を基板表面に吸着させることによ
って、表面粗さを微細にコントロールする方法が提唱さ
れている。かかる方法においては、表面粗さは微粒子の
大きさに依存し、該微粒子が大きければ大きい程、磁性
層表面の凹凸が大きくなり、小さな微粒子を用いれば磁
性層表面の凹凸は小さなものとなる。したがって、かか
る微粒子の大きさを適宜選択することによって、ディス
クとヘッドとの吸着（いわゆるスティクション）防止並
びにＣＳＳ耐久性を満足させることができる。
ト及びグラハイト制御の観点より、小さな球状をなす無
機微粒子や有機微粒子を基板表面に吸着させることによ
って、表面粗さを微細にコントロールする方法が提唱さ
れている。かかる方法においては、表面粗さは微粒子の
大きさに依存し、該微粒子が大きければ大きい程、磁性
層表面の凹凸が大きくなり、小さな微粒子を用いれば磁
性層表面の凹凸は小さなものとなる。したがって、かか
る微粒子の大きさを適宜選択することによって、ディス
クとヘッドとの吸着（いわゆるスティクション）防止並
びにＣＳＳ耐久性を満足させることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、微粒子を安
定して基板に吸着させるためには、無機微粒子の場合、
その粒径は約３０ｎｍ程度であり、それ以上の粒径の場
合、吸着後スパッタ成膜までの搬送時或いはスパッタ時
における熱により粒子が脱落してしまう。このため、ス
ティクション防止とＣＳＳ耐久性の両方を満足させるに
足る大きさの大径の微粒子を使用することができない。
定して基板に吸着させるためには、無機微粒子の場合、
その粒径は約３０ｎｍ程度であり、それ以上の粒径の場
合、吸着後スパッタ成膜までの搬送時或いはスパッタ時
における熱により粒子が脱落してしまう。このため、ス
ティクション防止とＣＳＳ耐久性の両方を満足させるに
足る大きさの大径の微粒子を使用することができない。
【０００７】そこで本発明は、かかる従来の技術的な課
題を解消するべく提案されたものであって、ＳｉＯ2 微
粒子の基板表面への付着強度を高めることができるとと
もに、ＣＳＳ耐久性及びスティクション防止のいずれも
が満足できる信頼性の高い磁気ディスクを提供すること
を目的とする。
題を解消するべく提案されたものであって、ＳｉＯ2 微
粒子の基板表面への付着強度を高めることができるとと
もに、ＣＳＳ耐久性及びスティクション防止のいずれも
が満足できる信頼性の高い磁気ディスクを提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る磁気ディスクは、円板状の剛性基板
上にＳｉＯ2 微粒子を高分子エマルジョンとともに被着
され、且つその上に磁性層が形成されてなることを特徴
とするものである。
めに、本発明に係る磁気ディスクは、円板状の剛性基板
上にＳｉＯ2 微粒子を高分子エマルジョンとともに被着
され、且つその上に磁性層が形成されてなることを特徴
とするものである。
【０００９】さらに本発明の磁気ディスクにおいては、
ＳｉＯ2 微粒子の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを
特徴とするものである。
ＳｉＯ2 微粒子の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを
特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明では、ＳｉＯ2 微粒子を高分子エマルジ
ョンとともに剛性基板上に被着しているので、この高分
子エマルジョンが結着剤として機能し、上記ＳｉＯ2 微
粒子を剛性基板に強固に吸着せしめる。したがって、Ｓ
ｉＯ2 微粒子の基板への付着強度が高まり、スパッタ成
膜工程への搬送時やスパッタ熱等によって脱落すること
がない。
ョンとともに剛性基板上に被着しているので、この高分
子エマルジョンが結着剤として機能し、上記ＳｉＯ2 微
粒子を剛性基板に強固に吸着せしめる。したがって、Ｓ
ｉＯ2 微粒子の基板への付着強度が高まり、スパッタ成
膜工程への搬送時やスパッタ熱等によって脱落すること
がない。
【００１１】また、本発明では、平均粒子が４０ｎｍ以
上のＳｉＯ2 微粒子を用いていることから、ＣＳＳ耐久
性が向上し、同時にスティクションも防止される。
上のＳｉＯ2 微粒子を用いていることから、ＣＳＳ耐久
性が向上し、同時にスティクションも防止される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ディスクにおいては、図１に示すように、円板状の剛
性基板１上に下地膜等を介して磁性層が形成されてな
る。かかる剛性基板１としては、例えばＡｌ基板、Ａｌ
合金基板、ガラス基板、プラスチック基板等がいずれも
使用できる。剛性基板１がＡｌ基板又はＡｌ合金基板で
ある場合には、その表面がアルマイト処理されていても
よいし、或いはその表面にＮｉ−Ｐメッキが施されてい
てもよい。本実施例では、Ａｌ−Ｍｇ合金よりなる基板
を使用し、その表面にＮｉ−Ｐメッキ膜２を形成した。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ディスクにおいては、図１に示すように、円板状の剛
性基板１上に下地膜等を介して磁性層が形成されてな
る。かかる剛性基板１としては、例えばＡｌ基板、Ａｌ
合金基板、ガラス基板、プラスチック基板等がいずれも
使用できる。剛性基板１がＡｌ基板又はＡｌ合金基板で
ある場合には、その表面がアルマイト処理されていても
よいし、或いはその表面にＮｉ−Ｐメッキが施されてい
てもよい。本実施例では、Ａｌ−Ｍｇ合金よりなる基板
を使用し、その表面にＮｉ−Ｐメッキ膜２を形成した。
【００１３】そして、特に本実施例の磁気ディスクにお
いては、上記Ｎｉ−Ｐメッキ膜２の表面にＣＳＳ耐久性
及びスティクション防止のためのＳｉＯ2 微粒子３が高
分子エマルジョン（図示は省略する。）とともに被着さ
れている。かかるＳｉＯ2 微粒子３には、ヘッド浮上量
の微小化（例えば、グラハイト０．１μｍ以下）並びに
ＣＳＳ耐久性を考慮して、その平均粒径が４０ｎｍ以上
の粒径のものを使用することが望ましい。なお、ＳｉＯ
2 微粒子３の平均粒径が４０ｎｍ未満であると、ヘッド
浮上量の微小化とＣＳＳ耐久性をいずれも満足させるこ
とができなくなる。
いては、上記Ｎｉ−Ｐメッキ膜２の表面にＣＳＳ耐久性
及びスティクション防止のためのＳｉＯ2 微粒子３が高
分子エマルジョン（図示は省略する。）とともに被着さ
れている。かかるＳｉＯ2 微粒子３には、ヘッド浮上量
の微小化（例えば、グラハイト０．１μｍ以下）並びに
ＣＳＳ耐久性を考慮して、その平均粒径が４０ｎｍ以上
の粒径のものを使用することが望ましい。なお、ＳｉＯ
2 微粒子３の平均粒径が４０ｎｍ未満であると、ヘッド
浮上量の微小化とＣＳＳ耐久性をいずれも満足させるこ
とができなくなる。
【００１４】上記ＳｉＯ2 微粒子３とともに被着される
高分子エマルジョンは、ＳｉＯ2 微粒子３をＮｉ−Ｐメ
ッキ膜２に付着させる結着剤として機能するものであ
る。かかる高分子エマルジョンとしては、例えばイソプ
ロピルアルコール溶液中にアクリル酸エステル系微粒子
を分散させたもの等が使用される。
高分子エマルジョンは、ＳｉＯ2 微粒子３をＮｉ−Ｐメ
ッキ膜２に付着させる結着剤として機能するものであ
る。かかる高分子エマルジョンとしては、例えばイソプ
ロピルアルコール溶液中にアクリル酸エステル系微粒子
を分散させたもの等が使用される。
【００１５】また、上記ＳｉＯ2 微粒子３を高分子エマ
ルジョンとともにＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着させるに
は、ディッピング法が採用できる。ディッピング法は、
アクリル酸エステル系微粒子とＳｉＯ2 微粒子３をイソ
プロピルアルコール溶液中に分散させておき、この中に
基板ごと浸漬せしめた後、該基板をゆっくりと引き上げ
ることでＮｉ−Ｐメッキ膜２の表面にＳｉＯ2 微粒子３
と高分子エマルジョンを被着させる手法である。したが
って、かかるディッピング法では、分散液の管理が容易
であること、低コストであること、一度に大量塗布が可
能であること等、生産性の面で非常に有利である。
ルジョンとともにＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着させるに
は、ディッピング法が採用できる。ディッピング法は、
アクリル酸エステル系微粒子とＳｉＯ2 微粒子３をイソ
プロピルアルコール溶液中に分散させておき、この中に
基板ごと浸漬せしめた後、該基板をゆっくりと引き上げ
ることでＮｉ−Ｐメッキ膜２の表面にＳｉＯ2 微粒子３
と高分子エマルジョンを被着させる手法である。したが
って、かかるディッピング法では、分散液の管理が容易
であること、低コストであること、一度に大量塗布が可
能であること等、生産性の面で非常に有利である。
【００１６】また、かかるディッピング法においては、
液中より基板を引き上げると、高分子エマルジョンは基
板とＳｉＯ2 微粒子３との接触部分より次第にその表面
へと乾燥して行き、最終的に当該ＳｉＯ2 微粒子３をＮ
ｉ−Ｐメッキ膜２の表面に強固に被着せしめることにな
る。ＳｉＯ2 微粒子３のＮｉ−Ｐメッキ膜表面への吸着
能は、その表面積に比例し、その吸着安定性は体積に反
比例するため、その平均粒径は小さい程、吸着能及び吸
着安定性は高い。しかしながら、例えば平均粒径が２０
ｎｍ程度のものでは、吸着安定性は高いものの、その吸
着により基板表面（磁性層表面或いは保護膜層表面）に
付与される突起の高さはスティクションを十分満足させ
るには至らない。このため、スティクションを満足させ
ることができるに足る粒径の大きいものを基板表面に被
着させる必要があるが、その場合には吸着能が低くな
り、製造工程途中での振動やスパッタ時の熱等によって
脱落してしまう。しかし、本実施例のように、高分子エ
マルジョンとともにＳｉＯ2微粒子３をＮｉ−Ｐメッキ
膜２に被着することにより、スティクションを防止する
に足る大きな微粒子を脱落することなく被着させること
ができ、ＣＳＳ耐久性とスティクション防止をいずれも
満たすことができる。
液中より基板を引き上げると、高分子エマルジョンは基
板とＳｉＯ2 微粒子３との接触部分より次第にその表面
へと乾燥して行き、最終的に当該ＳｉＯ2 微粒子３をＮ
ｉ−Ｐメッキ膜２の表面に強固に被着せしめることにな
る。ＳｉＯ2 微粒子３のＮｉ−Ｐメッキ膜表面への吸着
能は、その表面積に比例し、その吸着安定性は体積に反
比例するため、その平均粒径は小さい程、吸着能及び吸
着安定性は高い。しかしながら、例えば平均粒径が２０
ｎｍ程度のものでは、吸着安定性は高いものの、その吸
着により基板表面（磁性層表面或いは保護膜層表面）に
付与される突起の高さはスティクションを十分満足させ
るには至らない。このため、スティクションを満足させ
ることができるに足る粒径の大きいものを基板表面に被
着させる必要があるが、その場合には吸着能が低くな
り、製造工程途中での振動やスパッタ時の熱等によって
脱落してしまう。しかし、本実施例のように、高分子エ
マルジョンとともにＳｉＯ2微粒子３をＮｉ−Ｐメッキ
膜２に被着することにより、スティクションを防止する
に足る大きな微粒子を脱落することなく被着させること
ができ、ＣＳＳ耐久性とスティクション防止をいずれも
満たすことができる。
【００１７】そして、この磁気ディスクにおいては、上
記高分子エマルジョンとともに被着されたＳｉＯ2 微粒
子３上に下地膜４を介して磁性層５と保護膜層６とが積
層形成されている。上記下地膜４と磁性層５並びに保護
膜層６には、この種の分野で使用される従来より公知の
材料がいずれも使用できる。本実施例では、下地膜４と
してＣｒ、磁性層５としてＣｏＣｒＴａ、保護膜層６と
してカーボンを使用した。
記高分子エマルジョンとともに被着されたＳｉＯ2 微粒
子３上に下地膜４を介して磁性層５と保護膜層６とが積
層形成されている。上記下地膜４と磁性層５並びに保護
膜層６には、この種の分野で使用される従来より公知の
材料がいずれも使用できる。本実施例では、下地膜４と
してＣｒ、磁性層５としてＣｏＣｒＴａ、保護膜層６と
してカーボンを使用した。
【００１８】ここで実際に、以下の条件の下に磁気ディ
スクを作製し、コンタクト・スタート・ストップ試験を
行い、ＣＳＳ回数による最大静止摩擦係数μｓの変化を
調べてみた。先ず、Ａｌ−Ｍｇ合金よりなる剛性基板１
の表面にＮｉ−Ｐメッキ膜２を形成した。
スクを作製し、コンタクト・スタート・ストップ試験を
行い、ＣＳＳ回数による最大静止摩擦係数μｓの変化を
調べてみた。先ず、Ａｌ−Ｍｇ合金よりなる剛性基板１
の表面にＮｉ−Ｐメッキ膜２を形成した。
【００１９】次に、平均粒径４０ｎｍ以上のＳｉＯ2 微
粒子を０．００１ｗｔ％、平均粒径２５〜３０ｎｍのア
クリル酸エステル系微粒子を同じく０．００１ｗｔ％含
むイソプロピルアルコール溶液を調整した。
粒子を０．００１ｗｔ％、平均粒径２５〜３０ｎｍのア
クリル酸エステル系微粒子を同じく０．００１ｗｔ％含
むイソプロピルアルコール溶液を調整した。
【００２０】しかる後、上記剛性基板１を上記溶液中に
浸漬し、ゆっくりと引き上げることにより、ＳｉＯ2 微
粒子３とアクリル酸エステル系微粒子を含む高分子エマ
ルジョンをＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着させた。次に、上
記剛性基板１を２００℃の高温度条件下で１時間加熱し
た。このときの熱で高分子エマルジョンは少し溶け出
し、かかる高分子エマルジョンの溶着により上記ＳｉＯ
2 微粒子３がＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着される。
浸漬し、ゆっくりと引き上げることにより、ＳｉＯ2 微
粒子３とアクリル酸エステル系微粒子を含む高分子エマ
ルジョンをＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着させた。次に、上
記剛性基板１を２００℃の高温度条件下で１時間加熱し
た。このときの熱で高分子エマルジョンは少し溶け出
し、かかる高分子エマルジョンの溶着により上記ＳｉＯ
2 微粒子３がＮｉ−Ｐメッキ膜２に被着される。
【００２１】続いて、Ｃｒを被着した後、ＣｏＣｒＴａ
とカーボンを順次成膜した。上記ＣｒとＣｏＣｒＴａは
その膜厚が６０ｎｍとなるようにし、カーボンは３０ｎ
ｍとなるようにした。
とカーボンを順次成膜した。上記ＣｒとＣｏＣｒＴａは
その膜厚が６０ｎｍとなるようにし、カーボンは３０ｎ
ｍとなるようにした。
【００２２】なお、この他、平均粒径が４０ｎｍと２０
ｎｍのＳｉＯ2 微粒子３のみ０．００１ｗｔ％溶液中で
吸着せしめてなる磁気ディスクをそれぞれ前述の条件の
下に作製した。そして、これら３種類の磁気ディスクに
対してコンタクト・スタート・ストップ試験を行った。
その結果を図２に示す。
ｎｍのＳｉＯ2 微粒子３のみ０．００１ｗｔ％溶液中で
吸着せしめてなる磁気ディスクをそれぞれ前述の条件の
下に作製した。そして、これら３種類の磁気ディスクに
対してコンタクト・スタート・ストップ試験を行った。
その結果を図２に示す。
【００２３】この結果からわかるように、高分子エマル
ジョンとともにＳｉＯ2 微粒子３を被着せしめて作製し
た磁気ディスクでは、滑らかなＣＳＳプロファイルを示
すが、ＳｉＯ2 微粒子３のみを被着させてなる磁気ディ
スクでは、数千回のＣＳＳサイクルで摩擦係数が急上昇
を起こすことが判る。ただし、２０ｎｍ程度のＳｉＯ2
微粒子３のみを吸着せしめてなる磁気ディスクは、良好
なＣＳＳ挙動を示すが、これは粒径による吸着力の差異
によるものと考えられる。
ジョンとともにＳｉＯ2 微粒子３を被着せしめて作製し
た磁気ディスクでは、滑らかなＣＳＳプロファイルを示
すが、ＳｉＯ2 微粒子３のみを被着させてなる磁気ディ
スクでは、数千回のＣＳＳサイクルで摩擦係数が急上昇
を起こすことが判る。ただし、２０ｎｍ程度のＳｉＯ2
微粒子３のみを吸着せしめてなる磁気ディスクは、良好
なＣＳＳ挙動を示すが、これは粒径による吸着力の差異
によるものと考えられる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ディスクにおいては、ＳｉＯ2 微粒子を高分子
エマルジョンとともに剛性基板に被着しているので、か
かる高分子エマルジョンがＳｉＯ2 微粒子の剛性基板に
対する結着剤として機能し、上記ＳｉＯ2 微粒子の基板
への付着強度が大幅に向上する。したがって、その後の
工程への搬送時やスパッタ時における熱でＳｉＯ2 微粒
子が基板より脱落するのを防止することができる。これ
により、大きな粒径のＳｉＯ2 微粒子を被着することが
可能となり、ＣＳＳ耐久性並びにスティクション防止の
いずれも満足できる信頼性の高い磁気ディスクを提供で
きる。
明の磁気ディスクにおいては、ＳｉＯ2 微粒子を高分子
エマルジョンとともに剛性基板に被着しているので、か
かる高分子エマルジョンがＳｉＯ2 微粒子の剛性基板に
対する結着剤として機能し、上記ＳｉＯ2 微粒子の基板
への付着強度が大幅に向上する。したがって、その後の
工程への搬送時やスパッタ時における熱でＳｉＯ2 微粒
子が基板より脱落するのを防止することができる。これ
により、大きな粒径のＳｉＯ2 微粒子を被着することが
可能となり、ＣＳＳ耐久性並びにスティクション防止の
いずれも満足できる信頼性の高い磁気ディスクを提供で
きる。
【００２５】さらに、本発明の磁気ディスクにおいて
は、メカニカルなテクスチャーに比べてコストの面でも
有利であり、微細な表面性制御を行う場合にも装置の大
型化や生産性の低下を招くことがない。
は、メカニカルなテクスチャーに比べてコストの面でも
有利であり、微細な表面性制御を行う場合にも装置の大
型化や生産性の低下を招くことがない。
【図１】本発明を適用した磁気ディスクの要部拡大断面
図である。
図である。
【図２】ＣＳＳ回数による最大静止摩擦係数の変化の様
子を示す特性図である。
子を示す特性図である。
１・・・剛性基板 ２・・・Ｎｉ−Ｐメッキ膜 ３・・・ＳｉＯ2 微粒子 ４・・・下地膜 ５・・・磁性層 ６・・・保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 円板状の剛性基板上にＳｉＯ2 微粒子を
高分子エマルジョンとともに被着され、且つその上に磁
性層が形成されてなる磁気ディスク。 - 【請求項２】 ＳｉＯ2 微粒子の平均粒径が４０ｎｍ以
上であることを特徴とする請求項１記載の磁気ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13145992A JPH05303739A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13145992A JPH05303739A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303739A true JPH05303739A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15058457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13145992A Pending JPH05303739A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303739A (ja) |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP13145992A patent/JPH05303739A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010410 |