JPH03126301A

JPH03126301A - 静磁波装置

Info

Publication number: JPH03126301A
Application number: JP26574589A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nishikawa; 敏夫西川; Yohei Ishikawa; 容平石川; Takekazu Okada; 岡田　剛和; Satoru Niimura; 悟新村; Hiroaki Tanaka; 裕明田中
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-10-11
Filing date: 1989-10-11
Publication date: 1991-05-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は静磁波装置に関し、特に、たとえばＹＩＧ薄
膜などのフェリ磁性基体を有し、たとえばフィルタとし
て用いられる静磁波装置に関する。

（従来技術）この発明の背景となる従来の静磁波フィルタには、Ｙ、
Ｊ、　ＡｔａｉｉｙａｎおよびＪ、　Ｍ、　Ｏｗｅｎｓ
　らによって１９８６年ＩＥＥＥ　ＭＴＴ−Ｓ　Ｄｉｇ
ｅｓｔのＰ、Ｐ、　５７５〜５７Ｂに発表されているよ
うに、１つのＹＩＧ素子上にトランスデユーサを設けそ
のトランスデユーサの構造を工夫して通過帯域幅を制御
したものがある。

また、Ｊ、　Ｄ、　Ａｄａｍらによって１９８８年ＩＥ
ＥＥ　ＭＴＴ−ＳＤｉｇｅｓｔのＰ、Ｐ、　８７９〜８
８２に発表されているように、複数のＹＩＧ素子を用い
て１つのフィルタバンクを構成した静磁波フィルタがあ
る。

さらに、Ｔ、ＮｉＮ１５ｈｉｋａらによって１９８９年
ＩＥＥＥＭＴＴ−３ＤｉｇｅｓｔのＰ、Ｐ、　１５３〜
１５６に発表されているように、ＹＩＧ薄膜の膜厚を制
御して通過帯域幅を制御した静磁波フィルタや、Ｔ、　
ＮｉＮ１５ｈｉｋａらによって１９８９年電子情報通信
学会秋季全国大会予稿集に発表されているように、ｙｔ
ｃｍ膜の幅を制御して通過帯域幅を制御した静磁波フィ
ルタがある。

（発明が解決しようとする課題）ところが、従来の静磁波フィルタは、いずれも、たとえ
ば３ｄＢ以下という低挿入損失と、たとえば５０ｄＢと
いう優れた高次モード抑圧比と、３ｄＢにおける通過帯
域がたとえば２７ＭＨｚという広い通過帯域幅とを同時
に満足するものではなかった。

それゆえに、この発明の主たる目的は、低挿入損失で、
高次モード抑圧比が優れ、通過帯域幅が広い、静磁波装
置を提供することである。

（課題を解決するための手段）この発明は、それらの幅方向に間隔を隔てて設けられる
複数の幅の狭いフェリ磁性基体と、複数のフェリ磁性基
体を横切るようにして設けられる入出力用のトランスデ
ユーサとを含む、静磁波装置である。

（作用）フェリ磁性基体の幅を狭くしても、挿入損失があまり大
きくならなく、しかも、高次モードが抑圧される。

また、複数のフェリ磁性基体が用いられているので、通
過帯域幅が広がる。

（発明の効果）この発明によれば、低挿入損失で、高次モード抑圧比が
優れ、通過帯域幅が広い、静磁波装置が得られる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例）第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す要部平面図であり
、第１Ｂ図はその側面図である。

この静磁波装置１０は、台としてたとえば５つの０００
５体１２，１２．　　・・を含む。これらのＧＧＧ基体
１２は、それぞれ、たとえば長さ２０鶴２幅１重１の大
きさに形成され、幅方向に等間隔を隔てて配置される。

さらに、これらのＧＧＧ基体１２の一方主面には、それ
ぞれ、フェリ磁性基体としてのＹＩＧｉ膜１４膜形４さ
れる。なお、これらのＹＩＧ薄膜１４は、それぞれ、た
とえば長さ２０ｍｍ、幅１　ａｍ、厚さ１１３μｍの大
きさに形成される。したがって、これらのＹＩＧ薄膜１
４は、幅方向に等間隔を隔てて配置されることになる。

この実施例におけるそれぞれのＧＧＧ基体１２およびＹ
ＩＧ薄膜１４は、たとえば、板状のＧＧＧ基板の一方主
面にＹＩＧを液相エピタキシャル（Ｌ　Ｐ　Ｅ）成長さ
せたものを切断することによって形成される。

さらに、各ＹＩＧ薄膜１４の一端部を横切るよう−にし
て、入力用の平行ストリップトランスデユーサ１６が設
けられる。この実施例では、トランスデユーサ１６は、
幅方向に間隔を隔てて設けられるたとえば５つの細長い
ストリップライン１６ａ、１５ａ、　　・・を含み、こ
れらのストリップライン１６ａは、各’ｙＭＧｉｌ膜１
４の一方端部を横切るように配置される。

同様に、たとえば５つのストリップライン１８ａ、１１
３ａ、　　・・を有する出力用の平行ストリップトラン
スデユーサ１８が、各ＹＩＧＩ膜１４の他端部を横切る
ようにして設けられる。

この静磁波装置ＩＯには、たとえばＹ　Ｉ　Ｇ薄膜１４
の主面に直交する方向に、直流磁界が印加される。その
状態で、入力用のトランスデユーサ１６に信号を入力す
れば、そのトランスデユーサ１６のストリップライン１
６ａから発生する電磁波などによって、体積前進静磁波
（ＭＳＦＶＷ）が励起される。また、この体積前進静磁
波は、各ＹＩＧ薄膜１４上で出力用のトランスデユーサ
１８側に伝搬される。そして、その体積前進静磁波は出
力用のトランスデユーサ１８のストリップライン１８ａ
で受信され、そのトランスデユーサ１８から信号として
出力される。

この実施例では、ＹＩＧ薄膜１４の幅が狭いため、高次
モードの抑圧比が高められる。さらに、ＹＩＧ薄膜１４
の膜厚さが１１３μｍと挿入損失を良好にするために十
分な厚みを有するので、低挿入損失となる。

しかも、この実施例では、複数のＹＩＧＩ膜１４膜設４
られているので、通過帯域幅も広くなる。

すなわち、この静磁波装置ｌＯの周波数特性を第２図に
示し、この静磁波装置１０と比べてＹＩＧ薄膜１４が１
つしか設けられていない静磁波装置の周波数特性を第３
図に示すように、この静磁波装置ｌＯでは、ＹＩＧ薄膜
１４が１つしか設けられていない静磁波装置と比べて、
その通過帯域の幅が広い。

第４Ａ図は第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の変形
例を示す要部平面図であり、第４Ｂ図はその側面図であ
る。

この実施例では、第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例
と比べて、特に、５つのＹＩＧ薄膜１４が１つの板状の
０００５体１２の一方主面に幅方向に等間隔を隔てて形
成されている。この実施例におけるＹＩＧ薄膜１４は、
たとえば、ＧＧＧ基体１２の一方主面にＹｒＧを成長さ
せたものをエツチングによって形成することができる。

この実施例でも、第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例
と同様に、低挿入損失で高次モードの抑圧比が優れ通過
帯域幅が広い。

なお、上述の各実施例では、５つのＹＩＧ薄膜１４の幅
が同じ寸法に形成されかつ各ＹＩＧ薄膜１４が等間隔を
隔てて配置されているが、各ＹＩＧ薄膜１４の幅は異な
る寸法に形成されてもよく、また、それらのＹＩＧ薄膜
１４は異なった間隔を隔てて配置されてもよい。さらに
、ＹＩＧ薄Ｊｌｉ１４の数や厚みを任意に変更してもよ
い。

また、上述の各実施例では、トランスデユーサとして平
行ストリップトランスデユーサを用いたが、この発明で
は、他の形状のトランスデユーサが用いられてもよい。

さらに、ＹＩＧｉ膜１４に印加する直流磁界の方向を、
任意に変更してもよい。たとえば、ＹＩＧ薄膜１４の主
面に平行でかつ静磁波の伝搬方向に対して直角な方向に
磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ薄膜Ｉ４上に
は、表面静磁波（ＭＳＳＷ）が伝搬される。あるいは、
ＹＩＧ薄膜１４の主面と平行でかつ静磁波の伝搬方向と
平行な方向に磁界を印加してもよい。この場合、ＹＩＧ
薄膜１４には、体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が伝搬さ
れる。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図はこの発明の一実施例を示す要部平面図であり
、第１Ｂ図はその側面図である。第２図は第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の周波数
特性を示すグラフである。第３図はＹＩＧ薄膜が１つしか設けられていない静磁波
装置の周波数特性を示すグラフである。第４Ａ図は第１Ａ図および第１Ｂ図に示す実施例の変形
例を示す要部平面図であり、第４Ｂ図はその側面図であ
る。図において、１０は静磁波装置、１４はＹＩＧ薄膜、１
６および１８はトランスデユーサを示す。第１Ａ図

Claims

【特許請求の範囲】　それらの幅方向に間隔を隔てて設けられる複数の幅の
狭いフェリ磁性基体、および前記複数のフェリ磁性基体を横切るようにして設けられ
る入出力用のトランスデューサを含む、静磁波装置。