JPH0312991A - 電磁シールド配線板の製造方法 - Google Patents
電磁シールド配線板の製造方法Info
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- JPH0312991A JPH0312991A JP14658889A JP14658889A JPH0312991A JP H0312991 A JPH0312991 A JP H0312991A JP 14658889 A JP14658889 A JP 14658889A JP 14658889 A JP14658889 A JP 14658889A JP H0312991 A JPH0312991 A JP H0312991A
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- development
- wiring board
- insulating material
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電磁シールド配線板の新規な製造方法に関す
る。
る。
近年、OA機器を始めとする各種電子機器(1)
より発生する電磁波ノイズ(以下、単にノイズという)
の問題がN要視され始め、ノイズ防止対策の要求が高ま
りつつある。
の問題がN要視され始め、ノイズ防止対策の要求が高ま
りつつある。
かかるノイズ防止対策の手段の1つとして、ノイズの発
生原因となるプリント配線基板の表面に導電性層を形成
させた電磁シールド配線板が提案されている。上記の電
磁ンールド配線板は、プリント配線回路パターン間の短
絡防止のため、該パターンと導電性層との間に絶縁層を
必要とする。
生原因となるプリント配線基板の表面に導電性層を形成
させた電磁シールド配線板が提案されている。上記の電
磁ンールド配線板は、プリント配線回路パターン間の短
絡防止のため、該パターンと導電性層との間に絶縁層を
必要とする。
従来、上記絶縁層の形成は、A8硬化性、あるいは、光
硬化性のエポキシタイプの絶縁レジストをスクリーン印
刷し、これを硬化させることにより行われていた。とこ
ろが、プリント配線基板のパターン密度の高度化に伴な
い、該基板の表面に絶縁性を有する光硬化拐料よりなる
層を形成させ、これを露光、現像することにより、より
高M度の絶縁層を形成する手段が必要と1よってきた。
硬化性のエポキシタイプの絶縁レジストをスクリーン印
刷し、これを硬化させることにより行われていた。とこ
ろが、プリント配線基板のパターン密度の高度化に伴な
い、該基板の表面に絶縁性を有する光硬化拐料よりなる
層を形成させ、これを露光、現像することにより、より
高M度の絶縁層を形成する手段が必要と1よってきた。
〔本発明が#決しようと′1イ、 1j11題点(2)
しかしながら、光硬化材料を用いてこれを地元、現像す
る方法は、形成される絶縁層のツイドワオールがアンダ
ーカットとなり易く、その後導電性ペーストを積層する
際、該部分に導電性ペーストを充填することが困難とな
る。そのため、該部分に充填された光硬化材料よりなる
層と絶縁層のサイドウオール下部との間に気泡が残留し
たまま導電性ペーストの硬化が行われる。その結果、絶
縁層にピンホールの生成等が生り1、導電層とプリント
配線基板上のアースパターンとの接触不良等により不良
品発生の原因になるという問題を生じる、4 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、かかる問題を解決すべく鋭意研究を1ね
た結果、プリント配線板上に光感度及び/または現像速
度の異なる2種類以上の光硬化材料の層を、現像後の硬
化体の残存量が表向に向って少なくなるよう形成するこ
とにより、形成される絶縁層のサイドワオルがアンダー
カットとなる現象をvノ止し、該部分に気泡の残留を伴
なうことなく導電層を形成し得ることを見い出し本発明
を完成するに至った。
る方法は、形成される絶縁層のツイドワオールがアンダ
ーカットとなり易く、その後導電性ペーストを積層する
際、該部分に導電性ペーストを充填することが困難とな
る。そのため、該部分に充填された光硬化材料よりなる
層と絶縁層のサイドウオール下部との間に気泡が残留し
たまま導電性ペーストの硬化が行われる。その結果、絶
縁層にピンホールの生成等が生り1、導電層とプリント
配線基板上のアースパターンとの接触不良等により不良
品発生の原因になるという問題を生じる、4 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、かかる問題を解決すべく鋭意研究を1ね
た結果、プリント配線板上に光感度及び/または現像速
度の異なる2種類以上の光硬化材料の層を、現像後の硬
化体の残存量が表向に向って少なくなるよう形成するこ
とにより、形成される絶縁層のサイドワオルがアンダー
カットとなる現象をvノ止し、該部分に気泡の残留を伴
なうことなく導電層を形成し得ることを見い出し本発明
を完成するに至った。
本発明は、プリント配線基板上に、絶縁層及び導電層を
順次積層して電磁シールド配線板を製造するに際し、該
プリント配線基板上に、光感度及び/又は現像速度の異
なる2層以上の光硬化性絶縁材料の層を、露光、現像後
の硬化層の残存量が表面に向って減少するように積層し
た後、露光及び現像を行って絶縁層を形成させることを
特徴とする電磁シールド配線板の製造方法である。
順次積層して電磁シールド配線板を製造するに際し、該
プリント配線基板上に、光感度及び/又は現像速度の異
なる2層以上の光硬化性絶縁材料の層を、露光、現像後
の硬化層の残存量が表面に向って減少するように積層し
た後、露光及び現像を行って絶縁層を形成させることを
特徴とする電磁シールド配線板の製造方法である。
本発明において、プリント配線基板は、公知の構造のも
のが特に制限なく使用される。
のが特に制限なく使用される。
例えば、ガラスエポキシ複合体、紙−フエノル樹脂複合
体などの複合体、プラスチックフィルム、又は金属など
の立体成形品、板又はフィルムを支持体として、その上
にアディティブ法、ザブトラクチイブ法、ダイスタンピ
ング法、フラッシュ法等の方法で導電性パターンを形成
したものが一般的である。かかるプリント配線基板は、
片面又は両面に配線パターンを有するもの、亀ねた多層
の配線パターン構造を有するものが特に制限なく使用さ
れる。
体などの複合体、プラスチックフィルム、又は金属など
の立体成形品、板又はフィルムを支持体として、その上
にアディティブ法、ザブトラクチイブ法、ダイスタンピ
ング法、フラッシュ法等の方法で導電性パターンを形成
したものが一般的である。かかるプリント配線基板は、
片面又は両面に配線パターンを有するもの、亀ねた多層
の配線パターン構造を有するものが特に制限なく使用さ
れる。
上記プリント配線基板において、電磁シールドの必要な
回路は、特にデジタル信号等の高周波電流を伝達する回
路配線又は外部からの高周波ノイズに影響を受けやすい
回路配線等である。本発明において、導電層の形成によ
る1i!磁シールド対策は、従来のように分散して存在
する電磁シールドの必要な回路配線に対策を施こす場合
は勿論、CAD等により、対策の必要な回路を片面に集
中させることにより片面だけのシールド対策により、経
済的力・つ効果的に電磁ンールドを行う場合をも含む。
回路は、特にデジタル信号等の高周波電流を伝達する回
路配線又は外部からの高周波ノイズに影響を受けやすい
回路配線等である。本発明において、導電層の形成によ
る1i!磁シールド対策は、従来のように分散して存在
する電磁シールドの必要な回路配線に対策を施こす場合
は勿論、CAD等により、対策の必要な回路を片面に集
中させることにより片面だけのシールド対策により、経
済的力・つ効果的に電磁ンールドを行う場合をも含む。
本発明において、光硬化性絶縁材料は、可視光、紫外線
、X線等の活性光線によって硬(5) 化し、且つ硬化体が絶縁性を有するものであれば釉に制
限されない。一般には、(a)重合性不飽和化合物、(
b)光重合開始剤及び高分子結合剤よりなるものが使用
される。
、X線等の活性光線によって硬(5) 化し、且つ硬化体が絶縁性を有するものであれば釉に制
限されない。一般には、(a)重合性不飽和化合物、(
b)光重合開始剤及び高分子結合剤よりなるものが使用
される。
上記した重合性不飽和化合物は、ラジカル重合可能な公
知の化合物が特に制限なく使用される。好適な重合性不
飽和化合物を例示すれば、トリグリシジルイソシアヌレ
ートと不飽和基含有モノカルボン酸とを酸当量/エポキ
シ当量比を0.3〜09の範囲で付加反応させて得られ
るエポキシ基含有不飽和化合物、ノボラック型エポキシ
樹脂のエポキシ基/当飯とエチレン性不飽和カルボン酸
を0.8〜1.3当量とを反応させたエステル化樹脂、
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エボキン樹脂およびハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂からなる群から選はれた少
なくとも1種のノボラック型エポキシ樹脂と、不飽和カ
ルボン酸とを酸当量/エポキシ当量比が01〜09(6
) の範囲で付加反応させて得られる不飽和化合物の2級水
酸基に、インシアナートエチルメタクリレートなインン
アナート当敏/水酸基当飯比が01〜工2の範囲で反応
させて得られる不飽和化合物、少なくとも2個の末端エ
ポキシ基を有するエポキシ樹脂にこのエポキシ樹脂の1
エポキシ当量当り釣07〜15モルのエチレン結合を1
個有する不飽和カルボン酸を反応させた後、更にIエポ
キシ当量当り02〜1モルの多壌基酸無水物とを反応さ
せて得られる不飽和化合物等のエポキシ樹脂から誘導さ
れる不飽和基含有エポキシ樹脂類及びトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレト
、トリメチロールプロパンジメタクリレート、テトラメ
チロールメタントリアクリレート、テトラメチロールメ
タントリメタクリレート、テトラメチロールメタントリ
メタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアク
リレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリメタクリレート、ジベンタエリスリ
トールベンクアクリレート、ジペンタエリスリトールペ
ンタメタクリレート、1.111−)す(アクリロキシ
プロポキシメチル)プロパンなどの多官能モノマーが挙
げられる。
知の化合物が特に制限なく使用される。好適な重合性不
飽和化合物を例示すれば、トリグリシジルイソシアヌレ
ートと不飽和基含有モノカルボン酸とを酸当量/エポキ
シ当量比を0.3〜09の範囲で付加反応させて得られ
るエポキシ基含有不飽和化合物、ノボラック型エポキシ
樹脂のエポキシ基/当飯とエチレン性不飽和カルボン酸
を0.8〜1.3当量とを反応させたエステル化樹脂、
オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エボキン樹脂およびハロゲン化フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂からなる群から選はれた少
なくとも1種のノボラック型エポキシ樹脂と、不飽和カ
ルボン酸とを酸当量/エポキシ当量比が01〜09(6
) の範囲で付加反応させて得られる不飽和化合物の2級水
酸基に、インシアナートエチルメタクリレートなインン
アナート当敏/水酸基当飯比が01〜工2の範囲で反応
させて得られる不飽和化合物、少なくとも2個の末端エ
ポキシ基を有するエポキシ樹脂にこのエポキシ樹脂の1
エポキシ当量当り釣07〜15モルのエチレン結合を1
個有する不飽和カルボン酸を反応させた後、更にIエポ
キシ当量当り02〜1モルの多壌基酸無水物とを反応さ
せて得られる不飽和化合物等のエポキシ樹脂から誘導さ
れる不飽和基含有エポキシ樹脂類及びトリメチロールプ
ロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ
メタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレト
、トリメチロールプロパンジメタクリレート、テトラメ
チロールメタントリアクリレート、テトラメチロールメ
タントリメタクリレート、テトラメチロールメタントリ
メタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアク
リレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールトリメタクリレート、ジベンタエリスリ
トールベンクアクリレート、ジペンタエリスリトールペ
ンタメタクリレート、1.111−)す(アクリロキシ
プロポキシメチル)プロパンなどの多官能モノマーが挙
げられる。
また、光重合開始剤も特に制限されるものテハナい。例
えは、ベンゾフェノン、4.4ジメチルアミノベンゾフ
エノン、4.4’−ジエチルアミノベンゾフェノンなど
のベンゾフェノン類、2−エチルアントラキノン、tθ
rtブチルアントラキノンなどのアントラキノン類、ベ
ンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル
ナトのベンゾイルアルキルエーテル類 2.2−ジメト
キシ−2−フェニルアセトフェノン、 2+ 2−シ
ェド牛ジアセトフェノン、2−クロロチオキサントン、
ジエチルチオキサントン、2−ヒドロキシ−2−メチル
プロピオフェノン、4′−イソプロピル−2−ヒドロキ
ン−2−メチルプロピオフェノン、2−メチル−1−(
4−(メチルチオ)−フェニルツー2−モルフォリノ=
1−グロパノン等が挙げられ、これらの1種又は2種以
上組合せて使用される。
えは、ベンゾフェノン、4.4ジメチルアミノベンゾフ
エノン、4.4’−ジエチルアミノベンゾフェノンなど
のベンゾフェノン類、2−エチルアントラキノン、tθ
rtブチルアントラキノンなどのアントラキノン類、ベ
ンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル
ナトのベンゾイルアルキルエーテル類 2.2−ジメト
キシ−2−フェニルアセトフェノン、 2+ 2−シ
ェド牛ジアセトフェノン、2−クロロチオキサントン、
ジエチルチオキサントン、2−ヒドロキシ−2−メチル
プロピオフェノン、4′−イソプロピル−2−ヒドロキ
ン−2−メチルプロピオフェノン、2−メチル−1−(
4−(メチルチオ)−フェニルツー2−モルフォリノ=
1−グロパノン等が挙げられ、これらの1種又は2種以
上組合せて使用される。
更に、高分子結合剤としては、アルカリ水溶液又は有機
溶剤に可溶な公知のものが特に制限なく使用される。そ
のうち、アルカリ水溶液に可溶であり、かつ水に不溶性
であるもの、例えは、カルボキシル基、無水カルボン酸
基、スルホン酸基、スルホンアミド基等のアルカリ酊溶
性付与基を有する高分子が好適に用いられる。これらの
高分子結合剤は、例えば、特開昭59−151152号
公報、特開昭58−42040号公報、特開昭4873
148号公報等に記載されている。一般には、メタクリ
ル酸、アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、無水マレ
イン酸からなる群から選はねる不飽和基を1個有するカ
ルボン(9) 酸又は酸無水物とビニル単量体との共重合体が使用され
る。
溶剤に可溶な公知のものが特に制限なく使用される。そ
のうち、アルカリ水溶液に可溶であり、かつ水に不溶性
であるもの、例えは、カルボキシル基、無水カルボン酸
基、スルホン酸基、スルホンアミド基等のアルカリ酊溶
性付与基を有する高分子が好適に用いられる。これらの
高分子結合剤は、例えば、特開昭59−151152号
公報、特開昭58−42040号公報、特開昭4873
148号公報等に記載されている。一般には、メタクリ
ル酸、アクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、無水マレ
イン酸からなる群から選はねる不飽和基を1個有するカ
ルボン(9) 酸又は酸無水物とビニル単量体との共重合体が使用され
る。
そのうち、特に好ましい高分子結合剤の具体的態様を例
示すilば、メチルメタクリシト/エチルアクリレート
/メタクリル酸共1合体、メチルメタクリレート/エチ
ルアクリレート/アクリル酸共重合体、メチルメタクリ
レート/メタクリル酸ブチル/2−ヒドロキシエチルア
クリレート/メタクリル酸ブチル/メタクリルクリ1合
体、メチルメタクリレート/トリブロモフェニルアクリ
レート/メタクリル酸共重合体等をあげることができる
。また、これらの高分子結合剤はカルボキシル基含有量
が10〜50モル%であることが好ましい。
示すilば、メチルメタクリシト/エチルアクリレート
/メタクリル酸共1合体、メチルメタクリレート/エチ
ルアクリレート/アクリル酸共重合体、メチルメタクリ
レート/メタクリル酸ブチル/2−ヒドロキシエチルア
クリレート/メタクリル酸ブチル/メタクリルクリ1合
体、メチルメタクリレート/トリブロモフェニルアクリ
レート/メタクリル酸共重合体等をあげることができる
。また、これらの高分子結合剤はカルボキシル基含有量
が10〜50モル%であることが好ましい。
上記した光硬化性絶縁材料は、必吸に応じて、充填材、
重合禁止剤、染料、顔料、溶剤等を配合してもよい。
重合禁止剤、染料、顔料、溶剤等を配合してもよい。
本発明において、プリント配線基板上への上記した光硬
化性絶縁材料よりなる層は、光(10) 感度及び/又は現像速度の異なる少なくとも2種類の層
を露光、現像後の硬化層の残存量が表面に向かって減少
するように積層して形成される。
化性絶縁材料よりなる層は、光(10) 感度及び/又は現像速度の異なる少なくとも2種類の層
を露光、現像後の硬化層の残存量が表面に向かって減少
するように積層して形成される。
尚、本発明において、積層された光硬化性絶縁拐料より
なる層の層間の光感度の差は、ストウファー40段ステ
ップタブレットを用いたグレースケール法(以下、単に
グレースケール法という)により測定した値をいう。
なる層の層間の光感度の差は、ストウファー40段ステ
ップタブレットを用いたグレースケール法(以下、単に
グレースケール法という)により測定した値をいう。
力・かるグレースクール法による光感度の定量は、永松
元太部、乾英夫著、「感光性高分子」、P、50(講談
社)に記載の方法に準して実施される。即ち、市販の銅
張積層板上に、乾操後の光硬化性絶縁材料を厚みが25
μmとなる様、ドクターブレードを用いて塗布したもの
を評価試料として用いる。拳法に用いるグレースケール
としては、ストウファー(S■ touffer ) 4 o&ステップタブレットを
用いろ。本ステップタブレットを通して露光し、ブレー
クポイント50%で現像後、銅張積層板上に残存した硬
化体より、ステップタブレットに対応する段数(感度)
を読み取る。例えは、ステップタブレットの25段目ま
で硬化体が残存し、26段目か現像により洗い流されて
いる場合、この試料の光硬化性絶縁拐料の感度は25段
と読む。′thだ、積層された光硬化性絶縁拐料を用い
るが、まず、いずれか一方の試料を用いて上記手順によ
り15〜25段の感度が得られる様露光量を調節し、こ
こで決定された露光、現像条件を用いて、これに積層さ
れる他の光硬化性絶縁材料についても同一条件で感度を
測定する。
元太部、乾英夫著、「感光性高分子」、P、50(講談
社)に記載の方法に準して実施される。即ち、市販の銅
張積層板上に、乾操後の光硬化性絶縁材料を厚みが25
μmとなる様、ドクターブレードを用いて塗布したもの
を評価試料として用いる。拳法に用いるグレースケール
としては、ストウファー(S■ touffer ) 4 o&ステップタブレットを
用いろ。本ステップタブレットを通して露光し、ブレー
クポイント50%で現像後、銅張積層板上に残存した硬
化体より、ステップタブレットに対応する段数(感度)
を読み取る。例えは、ステップタブレットの25段目ま
で硬化体が残存し、26段目か現像により洗い流されて
いる場合、この試料の光硬化性絶縁拐料の感度は25段
と読む。′thだ、積層された光硬化性絶縁拐料を用い
るが、まず、いずれか一方の試料を用いて上記手順によ
り15〜25段の感度が得られる様露光量を調節し、こ
こで決定された露光、現像条件を用いて、これに積層さ
れる他の光硬化性絶縁材料についても同一条件で感度を
測定する。
1だ、光硬化性絶縁材料の現像速度は以下の方法によっ
て測定した値である。
て測定した値である。
即ち、光硬化性絶縁材料に適した現像液例えば水溶性光
硬化性絶縁材料の場合は1%N a 2 Co 3 水
溶液を用い、コーンタイプのノズルを有するスプレー現
像機を用い、目視で基板表向の光硬化性絶縁材料の残置
が確認できる位f&に未露光の光硬化性絶縁材料を25
11m厚で25 cm X 25 cmの面積に塗布し
た基板を置き、30℃の温度の現像液をスプレー圧力1
4カで、現像を行なう。この時、光硬化性絶縁材料が丁
度、基板表面から流い洗されるまでの時間をt(秒)と
すると、t(秒)が現像時間である(ブレークポイント
100%)。
硬化性絶縁材料の場合は1%N a 2 Co 3 水
溶液を用い、コーンタイプのノズルを有するスプレー現
像機を用い、目視で基板表向の光硬化性絶縁材料の残置
が確認できる位f&に未露光の光硬化性絶縁材料を25
11m厚で25 cm X 25 cmの面積に塗布し
た基板を置き、30℃の温度の現像液をスプレー圧力1
4カで、現像を行なう。この時、光硬化性絶縁材料が丁
度、基板表面から流い洗されるまでの時間をt(秒)と
すると、t(秒)が現像時間である(ブレークポイント
100%)。
尚、感度測定時に必要な現像時間は同一現像条件下にお
いて2t(秒)である。(ブレークポイント50%)。
いて2t(秒)である。(ブレークポイント50%)。
この2t(秒)は、穀に光硬化性絶縁材料の最適現像時
間として採用されることが多い1、 上記現像時間の測定方法に基づき、前記プリント配線板
に積層される光硬化性絶縁材料よりなる層の層間の現像
速度の差は、表面側の層の現像時間(tl)プリント配
線基板側の層の現像時間(t2)との比(tl/12)
によって表される。
間として採用されることが多い1、 上記現像時間の測定方法に基づき、前記プリント配線板
に積層される光硬化性絶縁材料よりなる層の層間の現像
速度の差は、表面側の層の現像時間(tl)プリント配
線基板側の層の現像時間(t2)との比(tl/12)
によって表される。
光硬化性絶縁材料として、固体であるドライフィルムを
用いる場合、ドライフィルムの感度及び現像速度の測定
はレジスト部分をい(13) つたん良溶媒に溶解し、その後、液状レジストと同様の
方法で評価する。
用いる場合、ドライフィルムの感度及び現像速度の測定
はレジスト部分をい(13) つたん良溶媒に溶解し、その後、液状レジストと同様の
方法で評価する。
本発明において、光硬化性絶縁材料よりなる層間の光感
度の差によって、硬化層の残存量を表面に向かって減少
するようにするためには、前記した感度の差を示す段数
の差(X)が、1〜15、好ましくは、3〜9となるよ
うに、且つ表面に向かって該段数か下がるように積層す
れはよい。上記段数の差か、1より小さい場合は、光硬
化性絶縁材料よりなる層を露光、現像したとき、硬化層
の残存蓋を表面に向かって減少させることが困難となり
、又、段数の差が15より大きい場合には核層の現像度
が低下し、高密度のパターンを形成することが困難とな
る。尚、この場合、層r川の現像速度の差は、t 1
/ t 2が、0.1〜10となる範囲で冷)ることか
好ましい5 また、光硬化性絶縁材料よりなる層間の現像速度の差に
よって、硬化層の残存量を表面に自刃・つて減少するよ
うにするためには、前(14) 記したt l / t 2比が、01〜1、好ましくは
0.5〜0.8となるように各層の現像速度を調整すれ
はよい。上記現像速度の比が01より小さい場合には、
光硬化性絶縁材料よりなる層を露光、現像したとき、硬
化層の残存量を表向に向かって減少させることが困難と
なり、又、現像速度の比が1以上の場合には、核層の現
像度が低下し、高密度のパターンを形成することが困難
となる。尚、この場合、層間の前記した感度を示す段数
の差(X)は、−10〜15となるように設定すること
が好ましい。
度の差によって、硬化層の残存量を表面に向かって減少
するようにするためには、前記した感度の差を示す段数
の差(X)が、1〜15、好ましくは、3〜9となるよ
うに、且つ表面に向かって該段数か下がるように積層す
れはよい。上記段数の差か、1より小さい場合は、光硬
化性絶縁材料よりなる層を露光、現像したとき、硬化層
の残存蓋を表面に向かって減少させることが困難となり
、又、段数の差が15より大きい場合には核層の現像度
が低下し、高密度のパターンを形成することが困難とな
る。尚、この場合、層r川の現像速度の差は、t 1
/ t 2が、0.1〜10となる範囲で冷)ることか
好ましい5 また、光硬化性絶縁材料よりなる層間の現像速度の差に
よって、硬化層の残存量を表面に自刃・つて減少するよ
うにするためには、前(14) 記したt l / t 2比が、01〜1、好ましくは
0.5〜0.8となるように各層の現像速度を調整すれ
はよい。上記現像速度の比が01より小さい場合には、
光硬化性絶縁材料よりなる層を露光、現像したとき、硬
化層の残存量を表向に向かって減少させることが困難と
なり、又、現像速度の比が1以上の場合には、核層の現
像度が低下し、高密度のパターンを形成することが困難
となる。尚、この場合、層間の前記した感度を示す段数
の差(X)は、−10〜15となるように設定すること
が好ましい。
勿論、光硬化性絶縁材料の層間の光感度の差及び現像速
度の差を共に、核層を露光、現像後の硬化層の残存量が
表向に向って減少するように各層の光感度及び現像速度
を調整することも可能である。
度の差を共に、核層を露光、現像後の硬化層の残存量が
表向に向って減少するように各層の光感度及び現像速度
を調整することも可能である。
上記した光硬化性絶縁材料の光感度又は現像速度の調整
は、前記1合性不飽和化合物、光重合開始剤及び高分子
結合剤の組成比、各(15) 成分の種類等を変えることにより行うことができる。即
ち、光感度は特に光重合開始剤の配合比により変化させ
ることが可能であり、また、現像速度は、11合性不飽
和化合物の化学構造によっても多少変化させることがで
きるか、主に、高分子結合剤のカルボキシル基含有量を
変化させることにより、調整可能である。更に、高分子
結合剤の分子量及びコモノマーの親水性によっても変化
させ得る。
は、前記1合性不飽和化合物、光重合開始剤及び高分子
結合剤の組成比、各(15) 成分の種類等を変えることにより行うことができる。即
ち、光感度は特に光重合開始剤の配合比により変化させ
ることが可能であり、また、現像速度は、11合性不飽
和化合物の化学構造によっても多少変化させることがで
きるか、主に、高分子結合剤のカルボキシル基含有量を
変化させることにより、調整可能である。更に、高分子
結合剤の分子量及びコモノマーの親水性によっても変化
させ得る。
一般に、各成分の組成比は、高分子結合剤が1合性不飽
和化合物100重社部に対して50〜30ON量部、好
ましくは100〜200重量部の範囲となるように、ま
た、光重合開始剤は、重合性不飽和化合物と高分子結合
剤との合計量に対して01〜20重組%、好ましくは3
〜101量%の範囲内で決定することか好ましい。
和化合物100重社部に対して50〜30ON量部、好
ましくは100〜200重量部の範囲となるように、ま
た、光重合開始剤は、重合性不飽和化合物と高分子結合
剤との合計量に対して01〜20重組%、好ましくは3
〜101量%の範囲内で決定することか好ましい。
本発明において、光硬化性絶縁材料の積層は、前条件を
満足するものであれは、その積層方法は特に制限されな
い。例えは、光硬化(I6) 性絶縁材料は、一般にドライフィルムと称される固体フ
ィルム状、液状等の状態でプリント配線基板上に積層す
ることができる。即ち、光感度及び/又は現像速度の異
なる固体フィルム抄成いは液状の光硬化性絶縁材料同志
を積層してもよいし、光感度及び/又は現像速度の異な
る、液状の光硬化性絶縁材料と固体フィルム状の光硬化
性絶縁材料とを積層してもよい。尚、液状の光硬化性絶
縁材料により層を形成させる方法は、公知の手段、例え
ば、デイツプコート法、ブローコート法、スクリーン印
刷法等公知の手段が特に制限なく採用される。また、上
記層は、含有する溶剤を乾燥させた後、他の層を積層或
いは露光を行えばよい。
満足するものであれは、その積層方法は特に制限されな
い。例えは、光硬化(I6) 性絶縁材料は、一般にドライフィルムと称される固体フ
ィルム状、液状等の状態でプリント配線基板上に積層す
ることができる。即ち、光感度及び/又は現像速度の異
なる固体フィルム抄成いは液状の光硬化性絶縁材料同志
を積層してもよいし、光感度及び/又は現像速度の異な
る、液状の光硬化性絶縁材料と固体フィルム状の光硬化
性絶縁材料とを積層してもよい。尚、液状の光硬化性絶
縁材料により層を形成させる方法は、公知の手段、例え
ば、デイツプコート法、ブローコート法、スクリーン印
刷法等公知の手段が特に制限なく採用される。また、上
記層は、含有する溶剤を乾燥させた後、他の層を積層或
いは露光を行えばよい。
上記した積層方法のうち、プリント配線基板に接する層
として、液状の光硬化性絶縁材料を使用することが好ま
しい。即ち、液状の光硬化性絶縁材料を使用することに
より、プリント配線基板に凹凸、スルーホール等かあ(
17) る場合の密着性をより向上することができる。
として、液状の光硬化性絶縁材料を使用することが好ま
しい。即ち、液状の光硬化性絶縁材料を使用することに
より、プリント配線基板に凹凸、スルーホール等かあ(
17) る場合の密着性をより向上することができる。
また、液状の光硬化性絶縁材料は、超音波を照射するこ
とにより、小孔スルーホールが存在する場合でも、該ス
ルーホール中に確実に浸入させることができる。か力)
ろ液状の光硬化性絶縁材料は、前記光硬化性絶縁41料
の組成のうち、液状のものを使用してもよいし、光硬化
性絶縁材料を溶剤に溶解することにより調製することも
できる。かかる溶剤としては、例えば、メチルエチルケ
トン、メチルセロソルブアでテート、エチルセロンルブ
アセテート、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、プ
IJピレングリコール千ツメチルエーテルアセテート、
塩化メチレン、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル等をaげることかできる。
とにより、小孔スルーホールが存在する場合でも、該ス
ルーホール中に確実に浸入させることができる。か力)
ろ液状の光硬化性絶縁材料は、前記光硬化性絶縁41料
の組成のうち、液状のものを使用してもよいし、光硬化
性絶縁材料を溶剤に溶解することにより調製することも
できる。かかる溶剤としては、例えば、メチルエチルケ
トン、メチルセロソルブアでテート、エチルセロンルブ
アセテート、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、プ
IJピレングリコール千ツメチルエーテルアセテート、
塩化メチレン、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ル等をaげることかできる。
上記した光硬化性絶縁材料よりなる層の厚みは、特に限
定されるものではないか、一般に各層の厚みが5〜50
μm、射すしくけ10〜30μm、全層の厚みが100
μm以下と(]8) なるように行うことが好ましい。
定されるものではないか、一般に各層の厚みが5〜50
μm、射すしくけ10〜30μm、全層の厚みが100
μm以下と(]8) なるように行うことが好ましい。
本発明において、プリント配線基板上に形成された光硬
化性絶縁材料よりなる層の露光方法及び現像方法は、公
知の方法が特に制限なく採用される。即ち、露光は、前
記した活性光線を子ガマスフを介して核層に照射するこ
とによって行えはよい。また、現像は、未硬化の光硬化
性絶縁材料をエツチング司能な液体で、露光後の未硬化
部分を除去することにより行えばよい9.力)かる液体
としては、光硬化性絶縁材料の構成成分である1合性不
飽和化合物及び/又は高分子結合剤を溶解し得るもので
あれば特に制限されず、リン酸ナトリウム、リン酸カリ
ワム等のアルカリ金属リン酸地の水溶液、炭酸す) I
Jウム等のアルカリ金属炭酸塩の水溶液等のアルカリ水
溶液、1.1.1−)リクロロエタン、パークロルエチ
レン、ブチルセロソルブ、トルエン、キシレン等の有機
溶剤より適宜選択して使用される。
化性絶縁材料よりなる層の露光方法及び現像方法は、公
知の方法が特に制限なく採用される。即ち、露光は、前
記した活性光線を子ガマスフを介して核層に照射するこ
とによって行えはよい。また、現像は、未硬化の光硬化
性絶縁材料をエツチング司能な液体で、露光後の未硬化
部分を除去することにより行えばよい9.力)かる液体
としては、光硬化性絶縁材料の構成成分である1合性不
飽和化合物及び/又は高分子結合剤を溶解し得るもので
あれば特に制限されず、リン酸ナトリウム、リン酸カリ
ワム等のアルカリ金属リン酸地の水溶液、炭酸す) I
Jウム等のアルカリ金属炭酸塩の水溶液等のアルカリ水
溶液、1.1.1−)リクロロエタン、パークロルエチ
レン、ブチルセロソルブ、トルエン、キシレン等の有機
溶剤より適宜選択して使用される。
また、現像後に80〜200℃で加熱処理を行なうこと
は、形成される絶縁層のプリント配線基板に対する密着
性、耐熱性、耐溶剤性等の特性を向上でき好ましい態様
である。
は、形成される絶縁層のプリント配線基板に対する密着
性、耐熱性、耐溶剤性等の特性を向上でき好ましい態様
である。
本発明において、絶縁層は、一般にプリント配線基板の
アースパターン端子の一部を除く配線パターン、導通用
バイアホール等を被覆するように形成される。
アースパターン端子の一部を除く配線パターン、導通用
バイアホール等を被覆するように形成される。
本発明において、導11層は、一般にプリント配線基板
上の絶縁層、アースパターンを含む向上に形成される5
゜ 上記導電層の形成には、導電性ペーストが一般に使用さ
れる。か力)る導電性ペーストとしては、公知のものが
偶に制限なく使用される。例えは、銅、金、銀、ニッケ
ル、カーボンなどの金属粉末を充填したエポキン樹脂、
フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂からなっているものが
好適に使用される。これをスクリン印刷法等で必要な面
上にパターン印刷し、硬化させることにより導電層か形
成される。
上の絶縁層、アースパターンを含む向上に形成される5
゜ 上記導電層の形成には、導電性ペーストが一般に使用さ
れる。か力)る導電性ペーストとしては、公知のものが
偶に制限なく使用される。例えは、銅、金、銀、ニッケ
ル、カーボンなどの金属粉末を充填したエポキン樹脂、
フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂からなっているものが
好適に使用される。これをスクリン印刷法等で必要な面
上にパターン印刷し、硬化させることにより導電層か形
成される。
導電層の厚みは、電気抵抗に関係するが通常10μ〜1
00μの厚みになるように、スクリーンメツンユ、印刷
条件、印刷回数、ペースト粘度などにより調節すること
が好可しい。
00μの厚みになるように、スクリーンメツンユ、印刷
条件、印刷回数、ペースト粘度などにより調節すること
が好可しい。
本発明において、上記方法によって得られる電磁シール
ド配線板の表面を外部環境から保護するためにオーバー
コート層を設けることが好ましい。オーバーコート層の
材質は、耐熱性、耐薬品性、表面硬度、耐湿性、高電気
絶縁性などの特性を兼ね備えたものが好適である。
ド配線板の表面を外部環境から保護するためにオーバー
コート層を設けることが好ましい。オーバーコート層の
材質は、耐熱性、耐薬品性、表面硬度、耐湿性、高電気
絶縁性などの特性を兼ね備えたものが好適である。
一部には、ンルダーマスクとして市販さねているエボ千
シ樹脂をベースとする熱硬化性樹脂、ur硬化性樹脂等
が用いられる。勿論、オーバーコート層として本発明の
光硬化性絶縁材料も使用することができる。
シ樹脂をベースとする熱硬化性樹脂、ur硬化性樹脂等
が用いられる。勿論、オーバーコート層として本発明の
光硬化性絶縁材料も使用することができる。
本発明の方法を第1図を用いて具体的に説明する。
第1図は、本発明の方法による電磁シールド配線板の製
法の代表的な態様を示す処理工(21) 第1図は、本発明の方法による電磁シールド配線板の製
法の代表的な態様を示す処理工程図である。即ち、(a
Jにおいて、配線バタン2、アースパターン5を有する
基板上1上に液状の光硬化性絶縁材料によって層4を形
成させた後、(b)に45いて、核層4−aに対して前
記光感度及び/又は現像i!l!度の差を有する固体フ
ィルム状の光硬化性絶縁材料による層4−1)を積層す
る。尚、3はスルーホールである。その後、フォトマス
クを介して露光し、次いで現像を行って、(C)に示す
ように、必要な部分に絶縁層を有する配線基板が得られ
る。〃・かる絶縁層は表向に向って硬化層の残存量が減
少するように形成されるため、サイドウオールが表面に
向って広がった状態となる。そのため、(dJにおいて
、該絶縁層上に、気体を巻き込むことなく導電ペースト
6を積層でき、これを硬化して良好な電磁シールド配線
板が得られる。
法の代表的な態様を示す処理工(21) 第1図は、本発明の方法による電磁シールド配線板の製
法の代表的な態様を示す処理工程図である。即ち、(a
Jにおいて、配線バタン2、アースパターン5を有する
基板上1上に液状の光硬化性絶縁材料によって層4を形
成させた後、(b)に45いて、核層4−aに対して前
記光感度及び/又は現像i!l!度の差を有する固体フ
ィルム状の光硬化性絶縁材料による層4−1)を積層す
る。尚、3はスルーホールである。その後、フォトマス
クを介して露光し、次いで現像を行って、(C)に示す
ように、必要な部分に絶縁層を有する配線基板が得られ
る。〃・かる絶縁層は表向に向って硬化層の残存量が減
少するように形成されるため、サイドウオールが表面に
向って広がった状態となる。そのため、(dJにおいて
、該絶縁層上に、気体を巻き込むことなく導電ペースト
6を積層でき、これを硬化して良好な電磁シールド配線
板が得られる。
(22)
以上の説明より理解されるように、本発明によれば、プ
リント配線基板の配線パターン上に、特定の光硬化性絶
縁材料を組合せて用いることにより、サイドウオールが
上方に向って拡大する絶縁層が形成される。そのため、
上記絶縁層を覆って導電層を形成させる場合、騒絶縁層
のサイドウオール下部へのfi 体(1) 8菌を完全
に防止することができる。従って、プリント配線板が高
密度の配線パターンを有する場合であっても、その上に
、絶縁層、導電層を確実に形成することができ、得られ
る電磁シールド配線板の信頼性を著しく向上させること
ができる。
リント配線基板の配線パターン上に、特定の光硬化性絶
縁材料を組合せて用いることにより、サイドウオールが
上方に向って拡大する絶縁層が形成される。そのため、
上記絶縁層を覆って導電層を形成させる場合、騒絶縁層
のサイドウオール下部へのfi 体(1) 8菌を完全
に防止することができる。従って、プリント配線板が高
密度の配線パターンを有する場合であっても、その上に
、絶縁層、導電層を確実に形成することができ、得られ
る電磁シールド配線板の信頼性を著しく向上させること
ができる。
以下、本発明を更に具体的に説明するため、実施例を丞
すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
尚、1部」の表永は1鼠部を示す。複だ、実施例におけ
る光感度及び現像時間の具体的な測定方法は以下のとお
りである。
る光感度及び現像時間の具体的な測定方法は以下のとお
りである。
(1) 感度の測定
光硬化性絶縁材料σ】溶液を、銅張積層板上に塗布し、
室温で20分、80°Cで10分間乾燥し、厚さ25μ
mの光硬化性絶縁材料の層を形成した。次いでスト97
740段のステップタブレットを通してオーク製作所■
製)IMW−6N型高圧水銀灯露光機を用い、500
mt/crrLで露光した。露光後、10分放置した後
、1重針%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、
60秒間スプレー現像しくブレークポイント50%)、
直ちに60秒間スプレー水洗した。
室温で20分、80°Cで10分間乾燥し、厚さ25μ
mの光硬化性絶縁材料の層を形成した。次いでスト97
740段のステップタブレットを通してオーク製作所■
製)IMW−6N型高圧水銀灯露光機を用い、500
mt/crrLで露光した。露光後、10分放置した後
、1重針%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、
60秒間スプレー現像しくブレークポイント50%)、
直ちに60秒間スプレー水洗した。
残存した硬化体より感度を読んだ。
(2)現像速度の測定
光硬化性絶縁材料溶液を、銅張積層板上に塗布し、室温
で20分、80℃で10分乾燥し、厚さ25μm1大き
さ20儂×20αの層を形成した。未露光の状態で、1
%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スプレー
圧14ジノでスプレー現像し、光硬化性絶縁材料が銅表
面から完全に溶解除去されるまでの時Itii tを測
定した。
で20分、80℃で10分乾燥し、厚さ25μm1大き
さ20儂×20αの層を形成した。未露光の状態で、1
%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を用いて、スプレー
圧14ジノでスプレー現像し、光硬化性絶縁材料が銅表
面から完全に溶解除去されるまでの時Itii tを測
定した。
実施@1
(a) 、*合性不飽和化合物の合成A、TEPIC
−G (日産化学工岡株製トリグリシジルイソンアヌレ
ート、エポキシ当鼠110)110部 B、メタクリル酸 57部P−メトキ
シフェノール 0.1部co プロピレンクリコ
ールモノメチルエーテル 53部り、メチルバイオレッ
ト 0.01部上記A化合物を14
0℃に昇温し、均一に溶解させた後、110℃に冷却し
、温度を110℃に保ちながら、1時間かけてB化合物
を滴下した。B化合物の滴下後、110℃で反応系の酸
価を1以下にした後、C化合物を添加し、不揮発分75
重量%のトリグリシジルインシアヌレート/アクリル酸
(酸当量/エポキシ当量比−273)系エポ千ン基含有
の重合性不飽和化合物の(25) 溶液(1)を得た。
−G (日産化学工岡株製トリグリシジルイソンアヌレ
ート、エポキシ当鼠110)110部 B、メタクリル酸 57部P−メトキ
シフェノール 0.1部co プロピレンクリコ
ールモノメチルエーテル 53部り、メチルバイオレッ
ト 0.01部上記A化合物を14
0℃に昇温し、均一に溶解させた後、110℃に冷却し
、温度を110℃に保ちながら、1時間かけてB化合物
を滴下した。B化合物の滴下後、110℃で反応系の酸
価を1以下にした後、C化合物を添加し、不揮発分75
重量%のトリグリシジルインシアヌレート/アクリル酸
(酸当量/エポキシ当量比−273)系エポ千ン基含有
の重合性不飽和化合物の(25) 溶液(1)を得た。
(b) 光硬化性絶縁材料(1)の調製(aJで得ら
れた重合性不飽和化合物の溶液87部(固形分66部)
、メタクリル酸メチル/アクリル醒ブチル/メタクリル
酸(7015/25 モル比)共1合体(重量平均分
子量 8カ)35部、ベンゾフェノン5flJs、4.
4’−ヒスジエチルアミノベンゾフェノン05部及びプ
ロピレンクリコールモノメチルエーテル200 k’t
配合L−1均一に攪拌溶解した。
れた重合性不飽和化合物の溶液87部(固形分66部)
、メタクリル酸メチル/アクリル醒ブチル/メタクリル
酸(7015/25 モル比)共1合体(重量平均分
子量 8カ)35部、ベンゾフェノン5flJs、4.
4’−ヒスジエチルアミノベンゾフェノン05部及びプ
ロピレンクリコールモノメチルエーテル200 k’t
配合L−1均一に攪拌溶解した。
上記光硬化性材料の光感度は、25段、ブレークポイン
)100%の現像時間は30秒であった。
)100%の現像時間は30秒であった。
(C)光硬化性絶縁材料(2)の調製
上記(b)において、ベンゾフェノン3部、4.4′−
ビスジエチルアミノベンゾフェノン01部とした外は同
様に行ない、レジスト(2)を調製した。、 上記光硬化性絶縁材料の感度は19段、(26) ブレークポイント100%の現像時間は30秒であった
。
ビスジエチルアミノベンゾフェノン01部とした外は同
様に行ない、レジスト(2)を調製した。、 上記光硬化性絶縁材料の感度は19段、(26) ブレークポイント100%の現像時間は30秒であった
。
(dJ シールド板の形成
パターン形成されたエツチング基板(FR−4、銅張積
層板)に光(便化性絶縁材料(1)溶液を塗布し、室温
で20分、80℃で10分乾燥し、厚さ25μmのレジ
スト層を形成した。次いで同様にして光硬化性絶縁材料
(2)の25μmの1曽をレジスト(]〕の上に形成し
た。次いでネカマスクを通して800mt/、7 で
f!!光した。露光後10分放&した後、1%炭酸ナト
リウム水溶液を用いて30℃で100秒間スプレ現像し
くブレークポイント50%)、直ちに60秒間スプレー
水洗した。感度は22段を示していた。次いで150°
Cで30分間加熱処理して、ネガマスクに相比・する寸
法精度の優れた絶縁層を得た。絶縁層の断固を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、サイドウオルが上方に向っ
て広かつていた。
層板)に光(便化性絶縁材料(1)溶液を塗布し、室温
で20分、80℃で10分乾燥し、厚さ25μmのレジ
スト層を形成した。次いで同様にして光硬化性絶縁材料
(2)の25μmの1曽をレジスト(]〕の上に形成し
た。次いでネカマスクを通して800mt/、7 で
f!!光した。露光後10分放&した後、1%炭酸ナト
リウム水溶液を用いて30℃で100秒間スプレ現像し
くブレークポイント50%)、直ちに60秒間スプレー
水洗した。感度は22段を示していた。次いで150°
Cで30分間加熱処理して、ネガマスクに相比・する寸
法精度の優れた絶縁層を得た。絶縁層の断固を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、サイドウオルが上方に向っ
て広かつていた。
次いで、絶縁レジスト上にンールドパタンを形成した。
その後、】80°Cで30分間熱処理し、銅ペーストを
熱硬化させて電磁ンールド配線板を得た。
熱硬化させて電磁ンールド配線板を得た。
上記方法により10コの電磁シールド配線板を製造した
ところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシール
ド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆無であった。5
実施例2゜ (a)光硬化性絶縁材料(3)の調製 実施例1−(atで得られたエポキシ基含有の1合性不
飽和化合物の溶液87部(固形分 66部)、メタクリ
ル酸メチル/アクリル酸ブチル/メタクリル酸(601
5/35 モル比)共重合体(重量平均分子斑8カ)3
5部、ベンゾフェノン 5部、4゜4′−ビスジエチル
アミノベンゾフェノン05部、及びプロピしングリコー
ルモノメチルエーテル 200部を配合し、均一に攪拌
溶解した。
ところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシール
ド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆無であった。5
実施例2゜ (a)光硬化性絶縁材料(3)の調製 実施例1−(atで得られたエポキシ基含有の1合性不
飽和化合物の溶液87部(固形分 66部)、メタクリ
ル酸メチル/アクリル酸ブチル/メタクリル酸(601
5/35 モル比)共重合体(重量平均分子斑8カ)3
5部、ベンゾフェノン 5部、4゜4′−ビスジエチル
アミノベンゾフェノン05部、及びプロピしングリコー
ルモノメチルエーテル 200部を配合し、均一に攪拌
溶解した。
上記光硬化性絶縁材料の現像速度及び感度を測定したと
ころ現像時間はブレークポイント100%で17秒、感
度は、25段を示した。
ころ現像時間はブレークポイント100%で17秒、感
度は、25段を示した。
(bン シールド板の形成
実施例1−(d)において、光硬化性絶縁材料(2)に
代えて、本実施例の光硬化性絶縁材料(3)を用いた以
外は同様にして電磁シールド配線板を製造した。尚、ボ
ストチニア後絶縁層の断面を走査型電子顕微鏡で観察し
たところ、上方に広かったサイドウオールを形成してい
た。
代えて、本実施例の光硬化性絶縁材料(3)を用いた以
外は同様にして電磁シールド配線板を製造した。尚、ボ
ストチニア後絶縁層の断面を走査型電子顕微鏡で観察し
たところ、上方に広かったサイドウオールを形成してい
た。
上記方法により10コの電磁シールド配線板を製造した
ところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシール
ド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆無にあった。
ところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシール
ド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆無にあった。
実施例3゜
(a) 光硬化性絶縁材料(4)の調製実施例1−(
a)で得られたエポキシ含有の重台性不飽和化合物の溶
液87部(固形分(29) 66部)、メタクリル酸メチル/アクリル酸ブチル/メ
タクリル酸(6015/35モル比)共重合体11平均
分子鼠8万)35部、ベンゾフェノン3部、4.4′−
ビスジエチルアミンベンゾフェノンo1m(及びプロピ
レングリコールモノメチルエーテル200部を配合し、
均一に攪拌溶解した。
a)で得られたエポキシ含有の重台性不飽和化合物の溶
液87部(固形分(29) 66部)、メタクリル酸メチル/アクリル酸ブチル/メ
タクリル酸(6015/35モル比)共重合体11平均
分子鼠8万)35部、ベンゾフェノン3部、4.4′−
ビスジエチルアミンベンゾフェノンo1m(及びプロピ
レングリコールモノメチルエーテル200部を配合し、
均一に攪拌溶解した。
上記光硬化性絶縁材料の現像速度及び感度を測定したと
ころ、現像時間は、ブレクポイント100%で17秒、
感度は500mt/i で19段を示した。
ころ、現像時間は、ブレクポイント100%で17秒、
感度は500mt/i で19段を示した。
(b) シールド板の形成
実施例1−(d)において、光硬化性絶縁材料(2)に
代えて本実施例(&)の光硬化性絶縁材料(4〕を用い
た以外は同様にして電磁シールド配線板を製造した。尚
、ボストチニア後、絶縁層の断面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、上方に広かったサイドウオールを形成
していた。
代えて本実施例(&)の光硬化性絶縁材料(4〕を用い
た以外は同様にして電磁シールド配線板を製造した。尚
、ボストチニア後、絶縁層の断面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、上方に広かったサイドウオールを形成
していた。
上記方法によりIOコの電磁シールド配(30)
線板を製造したところ、導通チエッカ−による検査で銅
ペーストシールド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆
無であった。。
ペーストシールド層と銅箔アスラインとの導通不良は皆
無であった。。
比較例1
実施例1−(d)において、光硬化性絶縁材料(2)の
代りに光硬化性絶縁材料(すな用いた以外は同様にして
電磁シールド配線板を製造した。
代りに光硬化性絶縁材料(すな用いた以外は同様にして
電磁シールド配線板を製造した。
尚、上記製造において、導電層形成後、絶縁層の断固を
走査型電子顕微鏡で観察したところ、そのサイドウオー
ルのアンダーカット部にエアーをトラップしたまま、銅
ペーストが充填している状況が観察された。
走査型電子顕微鏡で観察したところ、そのサイドウオー
ルのアンダーカット部にエアーをトラップしたまま、銅
ペーストが充填している状況が観察された。
上記方法により、]0コの電磁シールド配線板を製造し
たところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシー
ルド層と銅箔アースラインとの導通不良が全アース箇所
に対して15.3発生した。
たところ、導通チエッカ−による検査で銅ペーストシー
ルド層と銅箔アースラインとの導通不良が全アース箇所
に対して15.3発生した。
第1図は、本発明による電磁シールド配線板の製法の代
表的な態様を示す処理工程図である。図において、1は
基板、2は配線バタン、3はスルーホール、4−a、4
−bは光硬化性絶縁林料、5はアースパターン、6は導
電性ペーストを夫々示す。
表的な態様を示す処理工程図である。図において、1は
基板、2は配線バタン、3はスルーホール、4−a、4
−bは光硬化性絶縁林料、5はアースパターン、6は導
電性ペーストを夫々示す。
Claims (1)
- (1) プリント配線基板上に、絶縁層及び導電層を順
次積層して電磁シールド配線板を製造するに際し、該プ
リント配線基板上に、光感度及び/又は現像速度の異な
る2層以上の光硬化性絶縁材料の層を、露光、現像後の
硬化層の残存量が表面に向って減少するように積層した
後、露光及び現像を行って絶縁層を形成させることを特
徴とする電磁シールド配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146588A JPH0685465B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電磁シールド配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146588A JPH0685465B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電磁シールド配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312991A true JPH0312991A (ja) | 1991-01-21 |
| JPH0685465B2 JPH0685465B2 (ja) | 1994-10-26 |
Family
ID=15411111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146588A Expired - Lifetime JPH0685465B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | 電磁シールド配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685465B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013515358A (ja) * | 2009-12-22 | 2013-05-02 | ▲華▼▲為▼▲終▼端有限公司 | 印刷回路基板をシールドするための方法およびその印刷回路基板 |
| CN105530766A (zh) * | 2016-02-22 | 2016-04-27 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种防止线路板铜皮起泡的工艺 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124781A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Fujitsu Ltd | Photosensitive resist material for producing printed board |
| JPS6127697A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-07 | 日本シイエムケイ株式会社 | 片面プリント配線基板とその製造法 |
| JPS61156251A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-15 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニー | ポジの多層型ドライフイルム状フオトレジスト |
| JPS6298799A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | 株式会社リコー | 多層配線形成方法 |
| JPS6318697A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-26 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS6387799A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-19 | アルプス電気株式会社 | コンタクトホ−ルの形成方法 |
| JPS63200594A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-18 | 日本電気株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1146588A patent/JPH0685465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
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| JPS53124781A (en) * | 1977-04-07 | 1978-10-31 | Fujitsu Ltd | Photosensitive resist material for producing printed board |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685465B2 (ja) | 1994-10-26 |
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