JPH03130837A - マイクロコンピュータ - Google Patents
マイクロコンピュータInfo
- Publication number
- JPH03130837A JPH03130837A JP1270882A JP27088289A JPH03130837A JP H03130837 A JPH03130837 A JP H03130837A JP 1270882 A JP1270882 A JP 1270882A JP 27088289 A JP27088289 A JP 27088289A JP H03130837 A JPH03130837 A JP H03130837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- test mode
- circuit
- test
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
- Microcomputers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロコンピュータに関し、特に三値入力回
路のテストモード設定回路を有するマイクロコンピュー
タに関する。
路のテストモード設定回路を有するマイクロコンピュー
タに関する。
第3図に示すようにマイクロコンピュータ1゜には、C
MO3論理回路が広く用いられている。
MO3論理回路が広く用いられている。
また、内蔵するテスト回路5を動作させるためのテスト
モード設定信号Stを発生するために高電圧信号■8を
含む三値入力信号S3を入力する三値入力回路8を有し
ている。
モード設定信号Stを発生するために高電圧信号■8を
含む三値入力信号S3を入力する三値入力回路8を有し
ている。
第4図は第3図の三値入力回路の一例であり、三値入力
端子T、にソースとゲートが接続されるNチャネルMO
8)ランジスタQ0と共通ゲートCGがVDD電源に接
続しかつ中点Mからテストモード設定信号STを出力す
る0MO3)ランジスタとA点を介して直列接続して構
成されている。
端子T、にソースとゲートが接続されるNチャネルMO
8)ランジスタQ0と共通ゲートCGがVDD電源に接
続しかつ中点Mからテストモード設定信号STを出力す
る0MO3)ランジスタとA点を介して直列接続して構
成されている。
この三値入力回路8は、入力端子T1にテストモードに
切換えるための高電圧信号V、Iが入力信号S、として
入力されると中点Mの電位のテストモード設定信号ST
がH”レベルに、また入力信号S、が接地電位から電源
電圧VDDの間であると中点Mの電位はI、 I+レベ
ルになる。
切換えるための高電圧信号V、Iが入力信号S、として
入力されると中点Mの電位のテストモード設定信号ST
がH”レベルに、また入力信号S、が接地電位から電源
電圧VDDの間であると中点Mの電位はI、 I+レベ
ルになる。
ここでテストモード設定信号Sアが“H”レベルである
ためには、入力信号S、が高電圧信号■、のとき、Nチ
ャネルMO3)ランジスタQ7のしきい値電圧をVTN
とするとそのドレインAの電位がV TN < (V
HV TN )の関係を満足する場合にトランジスタQ
、、がONする。
ためには、入力信号S、が高電圧信号■、のとき、Nチ
ャネルMO3)ランジスタQ7のしきい値電圧をVTN
とするとそのドレインAの電位がV TN < (V
HV TN )の関係を満足する場合にトランジスタQ
、、がONする。
そして、ドレインAの電位が(VDD+l Vア、1)
< (V)I VTN)の関係な満足する場合にCMO
Sトランジスタはオンし、中点Mの電位はCMOSを構
成する両トランジスタQ、及びQ7のオン抵抗の比で決
定されてH”レベルにできる様に設定されている。
< (V)I VTN)の関係な満足する場合にCMO
Sトランジスタはオンし、中点Mの電位はCMOSを構
成する両トランジスタQ、及びQ7のオン抵抗の比で決
定されてH”レベルにできる様に設定されている。
上述したマイクロコンピュータは、三値入力回路を用い
て三値入力信号を電流電圧より高くしてテストモードの
切換え設定をしているので、通常の動作中、三値入力端
子に電源電圧よりも高い電圧のサージ電圧が印加される
場合に、テストモード設定の誤動作をするという欠点が
あった。
て三値入力信号を電流電圧より高くしてテストモードの
切換え設定をしているので、通常の動作中、三値入力端
子に電源電圧よりも高い電圧のサージ電圧が印加される
場合に、テストモード設定の誤動作をするという欠点が
あった。
すなわち第4図において、入力端子T、に高電圧信号■
□以上のサージ電圧ノイズが入力されると、テストモー
ドに切換ってしまうので、ユーザの使用中にテスト回路
が誤って動作し、ユーザの要求する回路動作を行うこと
ができなくなるといった欠点があった。
□以上のサージ電圧ノイズが入力されると、テストモー
ドに切換ってしまうので、ユーザの使用中にテスト回路
が誤って動作し、ユーザの要求する回路動作を行うこと
ができなくなるといった欠点があった。
本発明の目的は、高電圧ノイズによるテストモード設定
の誤動作のないマイクロコンピュータを提供することに
ある。
の誤動作のないマイクロコンピュータを提供することに
ある。
本発明のテスト回路は、フログラム可能型ROMと、低
電圧の論理信号及び高電圧信号を含む三値入力信号を入
力して前記高電圧信号を受けた場合に内部のテスト回路
にテストモード設定信号を供給する三値入力回路とを有
するマイクロコンピュータにおいて、前記プログラム可
能型ROMにモード状態の読出用のモードセルを設け、
テストモード設定の場合に前記モードセルから読出され
たモード判定信号と前記テストモード設定信号との論理
積信号をテストモード決定信号として前記テスト回路に
供給するテストモード判定回路を設けて構成されている
。
電圧の論理信号及び高電圧信号を含む三値入力信号を入
力して前記高電圧信号を受けた場合に内部のテスト回路
にテストモード設定信号を供給する三値入力回路とを有
するマイクロコンピュータにおいて、前記プログラム可
能型ROMにモード状態の読出用のモードセルを設け、
テストモード設定の場合に前記モードセルから読出され
たモード判定信号と前記テストモード設定信号との論理
積信号をテストモード決定信号として前記テスト回路に
供給するテストモード判定回路を設けて構成されている
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図のブロックの動作を説明するための三値入力信号とテ
ストモードセルデータとモード状態を示す図である。
図のブロックの動作を説明するための三値入力信号とテ
ストモードセルデータとモード状態を示す図である。
マイクロコンピュータlは、第3図のFROM3、にモ
ードセルCユ、を設け、そのデータ状態に対応するモー
ド判定信号Sユ、とテストモード設定信号Srとを入力
してテストモード決定信号S、を出力するテストモード
判定回路2を付加したことが累る点以外は、従来のマイ
クロコンピュータ1゜と同様である。
ードセルCユ、を設け、そのデータ状態に対応するモー
ド判定信号Sユ、とテストモード設定信号Srとを入力
してテストモード決定信号S、を出力するテストモード
判定回路2を付加したことが累る点以外は、従来のマイ
クロコンピュータ1゜と同様である。
次に、ブロックの動作を説明する。
通常、マイクロコンピュータのプログラムを実行する際
は、最初回路全体を初期化するが、本実施例では、リセ
ット端子TRに°′H”レベルのリセット信号SRを入
力して初期化を行う。
は、最初回路全体を初期化するが、本実施例では、リセ
ット端子TRに°′H”レベルのリセット信号SRを入
力して初期化を行う。
リセット信号SRとしてH”レベルが入力すれると、ア
ドレスバス4とFROM3の間に挿入されているXデコ
ーダ、Yデコーダの出力信号を入力する他の論理ゲート
は全て“L”レベルを出力する。
ドレスバス4とFROM3の間に挿入されているXデコ
ーダ、Yデコーダの出力信号を入力する他の論理ゲート
は全て“L”レベルを出力する。
従ってリセット時には、FROM3のうちの所定のモー
ドセルch+が選択される。
ドセルch+が選択される。
ここで、選択されたモードセルCユ、のデータ状態に対
応して出力するモード判定信号Sユ、は、センスアンプ
を介してテストモード判定回路2のう、子回路6に入力
する。
応して出力するモード判定信号Sユ、は、センスアンプ
を介してテストモード判定回路2のう、子回路6に入力
する。
次に初期化を終了し、リセット端子T3が“L”レベル
になると、ラッチ回路6は、モード判定信号SMの値を
保持し、三値入力端子T1に入力された入力信号S、は
、三値入力回路8を経由してテストモード設定信号ST
となりラッチ回路6の出力するラッチ信号SLと、AN
Dゲート7を通り、テスト回路5を制御するテストモー
ド決定信号S、な作っている。
になると、ラッチ回路6は、モード判定信号SMの値を
保持し、三値入力端子T1に入力された入力信号S、は
、三値入力回路8を経由してテストモード設定信号ST
となりラッチ回路6の出力するラッチ信号SLと、AN
Dゲート7を通り、テスト回路5を制御するテストモー
ド決定信号S、な作っている。
第2図は第1図のブロックの動作を説明するための各部
の論理状態図である。
の論理状態図である。
モード判定信号S4が“H”レベル、すなわちセルCM
にデータDが書き込れていない「消去」状態の時に、三
値入力信号S、が高電圧信号VMならば、ANDゲート
7が′H′′のテストモード決定信号Slを出力し、テ
スト回路5がテストモードに設定される様に回路構成さ
れている。
にデータDが書き込れていない「消去」状態の時に、三
値入力信号S、が高電圧信号VMならば、ANDゲート
7が′H′′のテストモード決定信号Slを出力し、テ
スト回路5がテストモードに設定される様に回路構成さ
れている。
また、モードセルch+に通常のデータが書込まれてい
る状態では、モード判定信号Sユ、は“L″レベルなり
ラッチ信号SLが“L°゛レベルとなる。
る状態では、モード判定信号Sユ、は“L″レベルなり
ラッチ信号SLが“L°゛レベルとなる。
初期化が終了し、リセット信号SRが“L” レベルに
なると、ラッチ信号SLはII L 11 レベルを保
持するので、仮に高圧ノイズで三値入力信号S、が高電
圧信号V)lになってもANDゲート7のテストモード
決定信号S、が“L”となって、テスト回路5がテスト
モードに入ることができない。
なると、ラッチ信号SLはII L 11 レベルを保
持するので、仮に高圧ノイズで三値入力信号S、が高電
圧信号V)lになってもANDゲート7のテストモード
決定信号S、が“L”となって、テスト回路5がテスト
モードに入ることができない。
すなわち、通常動作としてマイクロコンピュータlのF
ROM3のモードセルCX、に通常データが書込れてい
る通常モードの状態では、仮に高圧ノイズが三値入力端
子T、が印加されても誤ってテストモードに入ることは
ない。
ROM3のモードセルCX、に通常データが書込れてい
る通常モードの状態では、仮に高圧ノイズが三値入力端
子T、が印加されても誤ってテストモードに入ることは
ない。
そのため、拡散条件又は、温度変化、入力高圧ノイズに
よって発生するテスト回路モード不良といった不具合を
なくす事ができるので、製造費用を削減する事ができる
効果がある。
よって発生するテスト回路モード不良といった不具合を
なくす事ができるので、製造費用を削減する事ができる
効果がある。
又、ユーザにテストモードを開放したくない場合、セル
CXlに何かのデータを書込む事によって実現できる効
果もある。
CXlに何かのデータを書込む事によって実現できる効
果もある。
以上説明した様に本発明は、テストモードな決定する情
報をFROMの一部にデータとして書き込んでいるため
、使用中に外来のサージノイズ等でテストモードに切換
る誤動作が防止できる。
報をFROMの一部にデータとして書き込んでいるため
、使用中に外来のサージノイズ等でテストモードに切換
る誤動作が防止できる。
4、
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図のブロックの動作を説明するための各部の論理状態図
、第3図は従来のマイクロコンピュータの一例のブロッ
ク図、第4図は第3図の三値入力回路の回路図、第5図
は第4図の三値入力回路の動作を説明するための入力信
号とモードの特性図である。 l・・・・・・マイクロフンピユータ、2・・・・・・
テストモード判定回路、3・・・・・・PROM、5・
・・・・・テスト回路、6・・・・・・ラッチ回路、8
・・・・・・三値入力回路、CX、・・・・・・モード
セル、S、・・・・・・三値入力信号、St、・・・・
・・ラッチ信号、Sユ、・・・・・・モード判定信号、
Sア・・・・・・テストモード設定信号、S、・・・・
・・テストモード決定信号、■8・・・・・・高電圧信
号。
図のブロックの動作を説明するための各部の論理状態図
、第3図は従来のマイクロコンピュータの一例のブロッ
ク図、第4図は第3図の三値入力回路の回路図、第5図
は第4図の三値入力回路の動作を説明するための入力信
号とモードの特性図である。 l・・・・・・マイクロフンピユータ、2・・・・・・
テストモード判定回路、3・・・・・・PROM、5・
・・・・・テスト回路、6・・・・・・ラッチ回路、8
・・・・・・三値入力回路、CX、・・・・・・モード
セル、S、・・・・・・三値入力信号、St、・・・・
・・ラッチ信号、Sユ、・・・・・・モード判定信号、
Sア・・・・・・テストモード設定信号、S、・・・・
・・テストモード決定信号、■8・・・・・・高電圧信
号。
Claims (1)
- プログラム可能型ROMと、低電圧の論理信号及び高電
圧信号を含む三値入力信号を入力して前記高電圧信号を
受けた場合に内部のテスト回路にテストモード設定信号
を供給する三値入力回路とを有するマイクロコンピュー
タにおいて、前記プログラム可能型ROMにモード状態
の読出用のモードセルを設け、テストモード設定の場合
に前記モードセルから読出されたモード判定信号と前記
テストモード設定信号との論理積信号をテストモード決
定信号として前記テスト回路に供給するテストモード判
定回路を設けたことを特徴とするマイクロコンピュータ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270882A JPH03130837A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | マイクロコンピュータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1270882A JPH03130837A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | マイクロコンピュータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03130837A true JPH03130837A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17492280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1270882A Pending JPH03130837A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | マイクロコンピュータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03130837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010102491A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Denso Corp | マイクロコンピュータチップ |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP1270882A patent/JPH03130837A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010102491A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Denso Corp | マイクロコンピュータチップ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100242782B1 (ko) | 반도체장치및그제어회로 | |
| JP2846850B2 (ja) | センスアンプ回路 | |
| JPS6023432B2 (ja) | Mosメモリ | |
| JPH0197016A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0241838B2 (ja) | ||
| JPH03176681A (ja) | Icデバイス | |
| KR0147712B1 (ko) | 에스램의 저전압 동작용 비트 라인 회로 | |
| JPH0512898A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0766675B2 (ja) | プログラマブルrom | |
| US5675536A (en) | Flash memory device | |
| JPH01211396A (ja) | デコーダバッファ回路 | |
| JP3630847B2 (ja) | ラッチ回路 | |
| JPH04259995A (ja) | 書き込み電圧発生回路 | |
| JPH05204503A (ja) | 複数の電源電位の一つで動作を選択するためのプログラム可能なモードを有するデータ処理システム | |
| JPH063679B2 (ja) | 半導体装置の制御回路 | |
| JP3550168B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPH10132909A (ja) | 外部ピンを用いた多種類のテストモード設定方法及びその回路、該回路を有する装置 | |
| JPH04278291A (ja) | メモリセル回路 | |
| KR960005797Y1 (ko) | 반도체장치의 제어회로(control circuit of semiconductor device) | |
| KR100233271B1 (ko) | 디코더 회로에서 전력 소비 감소 방법 | |
| JPH11185480A (ja) | 入力バッファ回路 | |
| JPH0234117B2 (ja) | ||
| JPS6161295A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS6325438B2 (ja) | ||
| JPH0440800B2 (ja) |