JPH03131111A - 気密端子の製造方法 - Google Patents
気密端子の製造方法Info
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- JPH03131111A JPH03131111A JP26970789A JP26970789A JPH03131111A JP H03131111 A JPH03131111 A JP H03131111A JP 26970789 A JP26970789 A JP 26970789A JP 26970789 A JP26970789 A JP 26970789A JP H03131111 A JPH03131111 A JP H03131111A
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水晶振動子用気密端子などの気密端子の製造
方法に関する。
方法に関する。
デジタル時計などに使用される水晶振動子は、例えば第
７図に示すような気密端子（１）に音叉形水晶振動片（
２）を取付け、これをキャップ（３）で封止した構造で
ある。気密端子（１）は金属外環（４）のリード封着穴
（５）に２本の平行なリード線（６）（６）を挿通して
ガラス（７）にて封着した構造で、金属外環（４）の上
面より突出するリード線（６） （６）のインナリー
ド部（６ａ） （６ａ）に水晶振動片（２）が電気的
機械的に接続され、金属外環（４）の外周にキャップ（
３）が気密に固定される。
７図に示すような気密端子（１）に音叉形水晶振動片（
２）を取付け、これをキャップ（３）で封止した構造で
ある。気密端子（１）は金属外環（４）のリード封着穴
（５）に２本の平行なリード線（６）（６）を挿通して
ガラス（７）にて封着した構造で、金属外環（４）の上
面より突出するリード線（６） （６）のインナリー
ド部（６ａ） （６ａ）に水晶振動片（２）が電気的
機械的に接続され、金属外環（４）の外周にキャップ（
３）が気密に固定される。
上記水晶振動子（８）は外部機器例えばプリント基板（
９）に、次のように半田付けされて使用される。気密端
子（１）の金属外環（４）の裏面より突出するリード線
（６）（６）のアウタリード部（６ｂ） （６ｂ）を
プリント基板（９）に形成したスルーホール（１０）
（１０）に挿通する０次に、プリント基板（９）の裏
面に形成した導電パターン（１１） （１１）と、ス
ルーホール（１０） （１０）より突出するリード線
（６）（６）の突出根元部分とを半田（１２） （１
２）にて接続する。この半田付けは噴流半田法などで行
われる。
９）に、次のように半田付けされて使用される。気密端
子（１）の金属外環（４）の裏面より突出するリード線
（６）（６）のアウタリード部（６ｂ） （６ｂ）を
プリント基板（９）に形成したスルーホール（１０）
（１０）に挿通する０次に、プリント基板（９）の裏
面に形成した導電パターン（１１） （１１）と、ス
ルーホール（１０） （１０）より突出するリード線
（６）（６）の突出根元部分とを半田（１２） （１
２）にて接続する。この半田付けは噴流半田法などで行
われる。
以上のような気密端子のリード線はＦｅ−Ｎｉ合金やＦ
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの金属線で、通常はその表面が
防錆を目的にニッケルメッキ処理される、また、このリ
ード線をプリント基板のスルーホールに挿通して、プリ
ント基板の導電パターンに半田付けする場合、リード線
の表面が円滑なニッケルメッキ面であると良好な半田付
けが望めないことがある。そこで、通常においては気密
端子の外部に突出するリード線の表面に予め半田メッキ
層を半田デイツプ法で形成して、この半田メッキ層を介
してリード線をプリント基板の導電パターンに半田付け
するようにしている。
ｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの金属線で、通常はその表面が
防錆を目的にニッケルメッキ処理される、また、このリ
ード線をプリント基板のスルーホールに挿通して、プリ
ント基板の導電パターンに半田付けする場合、リード線
の表面が円滑なニッケルメッキ面であると良好な半田付
けが望めないことがある。そこで、通常においては気密
端子の外部に突出するリード線の表面に予め半田メッキ
層を半田デイツプ法で形成して、この半田メッキ層を介
してリード線をプリント基板の導電パターンに半田付け
するようにしている。
例えば、第７図の水晶振動子（８）の気密端子（１）に
おいては、第８図に示すように、半田槽（１３）の溶融
半田（１４）にリード線（６）（６）のアウタリード部
（６ｂ） （６ｂ）を浸漬して引き上げることにより
、第９図に示すようにアウタリード部（６ｂ） （６
ｂ）の外周面に半田メッキ層（１５） （１５）を被
着形成するようにしている。この半田メッキ層（１５）
（１５）の厚さは、リード線（６）（６）をプリン
ト基板（９）の導電パターン（１１） （１１）に簡
単な半田付は設備を使って作業性良く、確実に半田付け
する上で、約４μｍ以上必要であることが分かっている
。
おいては、第８図に示すように、半田槽（１３）の溶融
半田（１４）にリード線（６）（６）のアウタリード部
（６ｂ） （６ｂ）を浸漬して引き上げることにより
、第９図に示すようにアウタリード部（６ｂ） （６
ｂ）の外周面に半田メッキ層（１５） （１５）を被
着形成するようにしている。この半田メッキ層（１５）
（１５）の厚さは、リード線（６）（６）をプリン
ト基板（９）の導電パターン（１１） （１１）に簡
単な半田付は設備を使って作業性良く、確実に半田付け
する上で、約４μｍ以上必要であることが分かっている
。
ところで、上記のように製造された気密端子のリード線
のアウタリード部を半田デイツプ法で半田メッキ処理す
る場合、半田槽の溶融半田からリード線を引き上げたと
きに、リード線に付着した熔融半田が自重でリード線を
伝って流下する。そのため、リード線のアウタリード部
における半田メッキ層の厚さは、リード線先端部分では
４μｍを超える大きさとなるが、他の部分で厚さを４μ
ｍ以上に確保することが難しく、リード線のプリント基
板に半田付けされる部分の半田メッキ層が数μｍと薄く
なり過ぎて、プリント基板に良好に半田付けできない問
題があった。
のアウタリード部を半田デイツプ法で半田メッキ処理す
る場合、半田槽の溶融半田からリード線を引き上げたと
きに、リード線に付着した熔融半田が自重でリード線を
伝って流下する。そのため、リード線のアウタリード部
における半田メッキ層の厚さは、リード線先端部分では
４μｍを超える大きさとなるが、他の部分で厚さを４μ
ｍ以上に確保することが難しく、リード線のプリント基
板に半田付けされる部分の半田メッキ層が数μｍと薄く
なり過ぎて、プリント基板に良好に半田付けできない問
題があった。
以上の問題の解決策として、リード線の半田メッキ処理
を半田デイツプ法でなく半田蒸着法や半田スパッタ法で
行うことが検討されている、しかし、リード線の周面に
半田メッキ層を半田蒸着法や半田スパッタ法で４μｍ以
上の厚さで形成するとなると多大の時間を要して作業能
率が極めて悪くなり、かつ、製造設備に大掛りで高価な
ものを必要とする。
を半田デイツプ法でなく半田蒸着法や半田スパッタ法で
行うことが検討されている、しかし、リード線の周面に
半田メッキ層を半田蒸着法や半田スパッタ法で４μｍ以
上の厚さで形成するとなると多大の時間を要して作業能
率が極めて悪くなり、かつ、製造設備に大掛りで高価な
ものを必要とする。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、リード線のアウタリード部に４μｍ
以上の必要な厚さで半田メッキ層を設備的、製法的に簡
単に形成することのできる気密端子の製造方法を提供す
ることにある。
的とするところは、リード線のアウタリード部に４μｍ
以上の必要な厚さで半田メッキ層を設備的、製法的に簡
単に形成することのできる気密端子の製造方法を提供す
ることにある。
上記目的を達成する本発明の技術的手段は、金属外環の
リード封着火にリード線を貫通させてガラス封着した気
密端子の製造を、予めリード線の少なくとも金属外環よ
り突出するアウタリード部で、プリント基板などに半田
接続される予定の部分の外周面を粗面に加工する工程と
、粗面加工されたリード線を金属外環にガラス封着する
工程と、最後にリード線のアウタリード部を溶融半田に
浸漬して半田メッキ処理して厚さ４μｍ以上の半田層を
形成する工程とで行うことである。
リード封着火にリード線を貫通させてガラス封着した気
密端子の製造を、予めリード線の少なくとも金属外環よ
り突出するアウタリード部で、プリント基板などに半田
接続される予定の部分の外周面を粗面に加工する工程と
、粗面加工されたリード線を金属外環にガラス封着する
工程と、最後にリード線のアウタリード部を溶融半田に
浸漬して半田メッキ処理して厚さ４μｍ以上の半田層を
形成する工程とで行うことである。
上記リード線の粗面加工はサンドブラスト法や化学エツ
チング法、ローレフト加工法などで行えばよい。
チング法、ローレフト加工法などで行えばよい。
上記リード線の粗面加工工程において、リード線のアウ
タリード部に形成された粗面の凹凸は、アウタリード部
を溶融半田に浸漬して引き上げたときに、熔融半田との
接触面積を大にして熔融半田の付着力を高め、溶融半田
の流下量を抑制する作用をし、その結果、アウタリード
部に形成される半田メッキ層の厚さが所望値に安定する
。
タリード部に形成された粗面の凹凸は、アウタリード部
を溶融半田に浸漬して引き上げたときに、熔融半田との
接触面積を大にして熔融半田の付着力を高め、溶融半田
の流下量を抑制する作用をし、その結果、アウタリード
部に形成される半田メッキ層の厚さが所望値に安定する
。
以下、本発明を具体化した実施例でもって第１図乃至第
６図を参照して説明する。尚、この実施例は第７図の気
密端子（１）の製造に通用したもので、第１図乃至第６
図の第７図乃至第９図と同一、又は相当するものには同
一参照符号が付しである。
６図を参照して説明する。尚、この実施例は第７図の気
密端子（１）の製造に通用したもので、第１図乃至第６
図の第７図乃至第９図と同一、又は相当するものには同
一参照符号が付しである。
まず、本発明においては、第１図に示すリード線（６）
のアウタリード部（６ｂ）の外周面を、第２図に示すよ
うにサンドブラスト法などで粗面（ｍ）に仕上げる。こ
の粗面（ｍ）は梨地面や網目面などの小さな凹凸面で、
その一部拡大断面を第３図に示す。粗面（ｍ）の凹凸の
平均深さｄや平均ピンチＰは後述の熔融半田（１４）の
流下を抑制して充分な量が付着して残る大きさで、通常
のサンドブラスト法で形成される凹凸の深さやピッチで
あればよい。
のアウタリード部（６ｂ）の外周面を、第２図に示すよ
うにサンドブラスト法などで粗面（ｍ）に仕上げる。こ
の粗面（ｍ）は梨地面や網目面などの小さな凹凸面で、
その一部拡大断面を第３図に示す。粗面（ｍ）の凹凸の
平均深さｄや平均ピンチＰは後述の熔融半田（１４）の
流下を抑制して充分な量が付着して残る大きさで、通常
のサンドブラスト法で形成される凹凸の深さやピッチで
あればよい。
次に、粗面加工されたリード線（６）の２本を、第４図
に示すように、金属外環（４）のリード封着穴（５）に
挿入してガラス（７）で封着する。このような気密端子
（１）のガラス封着は従来同様の封着治具（図示せず）
を使って従来同様に行えばよい、しかる後に、第５図に
示すように、気密端子（１）の２本のリード線（６）（
６）の粗面加工されたアウタリード部（６ｂ） （６
ｂ）を前処理後、半田槽（１３）の熔融半田（１４）に
浸漬して引き上げ、第６図に示すように、アウタリード
部（６ｂ） （６ｂ）の粗面（ｍ）に半田メッキ層（
１６）を形成する。上記溶融半田（１４）からリード線
（６）のアウタリード部（６ｂ）を引き上げたとき、ア
ウタリード部（６ｂ）の表面は粗面（ｍ）であるので、
この粗面（ｍ）を溶融半田（１４）は流下し難く、かつ
、粗面（ｍ）の凹部に熔融半田（１４）が入り込んで保
持されるので、粗面（ｍ）上に形成される半田メッキ層
（１６）の厚さはリード線全長で平均化し、その厚さは
溶融半田（１４）の粘度や、温度などの条件にもよるが
４μｍ以上になる。例えば粗面（ｍ）の平均深さｄが５
μｌ、平均ピッチＰが３０μ編、熔融半田（１４）の温
度が３５０℃の場合、半田メッキｍ （１６）は４μｍ
以上の厚さで確実に形成されることが確認されている。
に示すように、金属外環（４）のリード封着穴（５）に
挿入してガラス（７）で封着する。このような気密端子
（１）のガラス封着は従来同様の封着治具（図示せず）
を使って従来同様に行えばよい、しかる後に、第５図に
示すように、気密端子（１）の２本のリード線（６）（
６）の粗面加工されたアウタリード部（６ｂ） （６
ｂ）を前処理後、半田槽（１３）の熔融半田（１４）に
浸漬して引き上げ、第６図に示すように、アウタリード
部（６ｂ） （６ｂ）の粗面（ｍ）に半田メッキ層（
１６）を形成する。上記溶融半田（１４）からリード線
（６）のアウタリード部（６ｂ）を引き上げたとき、ア
ウタリード部（６ｂ）の表面は粗面（ｍ）であるので、
この粗面（ｍ）を溶融半田（１４）は流下し難く、かつ
、粗面（ｍ）の凹部に熔融半田（１４）が入り込んで保
持されるので、粗面（ｍ）上に形成される半田メッキ層
（１６）の厚さはリード線全長で平均化し、その厚さは
溶融半田（１４）の粘度や、温度などの条件にもよるが
４μｍ以上になる。例えば粗面（ｍ）の平均深さｄが５
μｌ、平均ピッチＰが３０μ編、熔融半田（１４）の温
度が３５０℃の場合、半田メッキｍ （１６）は４μｍ
以上の厚さで確実に形成されることが確認されている。
以上のように、気密端子（１）のリード線（６）のアウ
タリード部（６ｂ）の全長にわたる半田メッキ層（１６
）の厚さが４μｍ以上と安定すると、アウタリード部（
６ｂ）のいずれをプリント基板などの外部機器に半田付
けしても、常に良好な半田付けが実行できる。
タリード部（６ｂ）の全長にわたる半田メッキ層（１６
）の厚さが４μｍ以上と安定すると、アウタリード部（
６ｂ）のいずれをプリント基板などの外部機器に半田付
けしても、常に良好な半田付けが実行できる。
尚、本発明は上記実施例に限らず、リード線の全外周面
を粗面加工、或いはアウタリード部の、後で外部機器に
半田付けされる部分だけを粗面加工して金属外環にガラ
ス封着するようにしてもよい。
を粗面加工、或いはアウタリード部の、後で外部機器に
半田付けされる部分だけを粗面加工して金属外環にガラ
ス封着するようにしてもよい。
本発明のように、リード線の少なくともアウタリード部
の後で外部機器に半田付けされる部分を粗面加工してお
いて、リード線を金属外環にガラス封着し、アウタリー
ド部に溶融半田の浸漬で半田メッキ処理すると、アウタ
リード部の粗面上に形成される半田メッキ層の厚さが粗
面の作用で大きく安定して得られ、従って、プリント基
板等の外部機器との半田付は性の良い気密端子が量産性
良（製造できる。
の後で外部機器に半田付けされる部分を粗面加工してお
いて、リード線を金属外環にガラス封着し、アウタリー
ド部に溶融半田の浸漬で半田メッキ処理すると、アウタ
リード部の粗面上に形成される半田メッキ層の厚さが粗
面の作用で大きく安定して得られ、従って、プリント基
板等の外部機器との半田付は性の良い気密端子が量産性
良（製造できる。
第１図乃至第６図は本発明の製造方法を工程別に説明す
るためのもので、第１図はリード線の正面図、第２図は
粗面加工されたリード線の正面図、第３図は第２図のリ
ード線の部分拡大断面図、第４図は気密端子の部分断面
を含む正面図、第５図は半田メッキ処理装置の断面図、
第６図は半田メッキ処理された気密端子の部分拡大断面
図である。 第７図は従来製法により製造された気密端子を具えた水
晶振動子をプリント基板に実装したときの部分断面を含
む正面図、第８図は気密端子のリード線半田メッキ処理
装置の断面図、第９図は第７図における気密端子のリー
ド線半田メッキ処理後の部分断面を含む部分拡大正面図
である。 （１）・−・−・気密端子、 （４）−・・金属外環
、（５）・−・ガラス封着火、 （６）・−・リード線、 （６ｂ）・・−・アウタリード部、 （ｆｆｌ）・・−粗面、 （７）−・ガラス、（
１４）・−・溶融半田、 （１６） −半田メッキ層
。 第１ 図 第２図 第４図 第３図 第５ 図 第６図 第７ 図 第８図 楽９図
るためのもので、第１図はリード線の正面図、第２図は
粗面加工されたリード線の正面図、第３図は第２図のリ
ード線の部分拡大断面図、第４図は気密端子の部分断面
を含む正面図、第５図は半田メッキ処理装置の断面図、
第６図は半田メッキ処理された気密端子の部分拡大断面
図である。 第７図は従来製法により製造された気密端子を具えた水
晶振動子をプリント基板に実装したときの部分断面を含
む正面図、第８図は気密端子のリード線半田メッキ処理
装置の断面図、第９図は第７図における気密端子のリー
ド線半田メッキ処理後の部分断面を含む部分拡大正面図
である。 （１）・−・−・気密端子、 （４）−・・金属外環
、（５）・−・ガラス封着火、 （６）・−・リード線、 （６ｂ）・・−・アウタリード部、 （ｆｆｌ）・・−粗面、 （７）−・ガラス、（
１４）・−・溶融半田、 （１６） −半田メッキ層
。 第１ 図 第２図 第４図 第３図 第５ 図 第６図 第７ 図 第８図 楽９図
Claims (1)
- （１）金属外環のリード封着穴にリード線を貫通させて
ガラス封着した気密端子の製造方法であって、 リード線の、少なくとも金属外環の裏面側に突出するア
ウタリード部で、外部機器に半田接続される予定の部分
の外周面を粗面に加工する工程と、 リード線金属外環のリード封着穴に挿入してガラス封着
する工程と、 リード線のアウタリード部を溶融半田に浸漬して半田メ
ッキ処理して厚さ４μｍ以上の半田層を形成する工程と
を含むことを特徴とする気密端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26970789A JPH03131111A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 気密端子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26970789A JPH03131111A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 気密端子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03131111A true JPH03131111A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17476064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26970789A Withdrawn JPH03131111A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 気密端子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03131111A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102798A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | 関西日本電気株式会社 | ステムおよびそのリ−ド線の半田被覆方法 |
| JPS63269611A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Kansai Ltd | 水晶振動子用気密端子の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP26970789A patent/JPH03131111A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102798A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | 関西日本電気株式会社 | ステムおよびそのリ−ド線の半田被覆方法 |
| JPS63269611A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Nec Kansai Ltd | 水晶振動子用気密端子の製造方法 |
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