JPH03152905A - 厚膜抵抗体の形成法 - Google Patents
厚膜抵抗体の形成法Info
- Publication number
- JPH03152905A JPH03152905A JP1292557A JP29255789A JPH03152905A JP H03152905 A JPH03152905 A JP H03152905A JP 1292557 A JP1292557 A JP 1292557A JP 29255789 A JP29255789 A JP 29255789A JP H03152905 A JPH03152905 A JP H03152905A
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- JP
- Japan
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- resistor
- heating
- thermosetting resin
- temperature
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回路基板上に、電子回路を形成するプロセス
において、ポリマー厚膜抵抗体を形成する方法に関する
。
において、ポリマー厚膜抵抗体を形成する方法に関する
。
樹脂基板、金属ベース基板、アルミナ等の基板上に、抵
抗体を形成する方法として、 ■基板上に張り合わせた銅等の金属箔をエツチングして
電極を形成したり、Pd−Ag等の導体ペーストを印刷
、次いで焼成して回路基板を作成する。特に電極に銅が
用いられる場合は、電極と抵抗体との接続を確実にする
ため、それらの間に、導体ペーストを用いて第二次の電
極を形成する場合もある。
抗体を形成する方法として、 ■基板上に張り合わせた銅等の金属箔をエツチングして
電極を形成したり、Pd−Ag等の導体ペーストを印刷
、次いで焼成して回路基板を作成する。特に電極に銅が
用いられる場合は、電極と抵抗体との接続を確実にする
ため、それらの間に、導体ペーストを用いて第二次の電
極を形成する場合もある。
■抵抗体粉末、バインダーとして熱硬化性樹脂、その他
溶媒等を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷、硬化させ、
厚膜抵抗体を形成する。
溶媒等を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷、硬化させ、
厚膜抵抗体を形成する。
■通常、耐環境性を向上させるため、抵抗体の表面上を
誘電体ペーストを用いてカバーする。
誘電体ペーストを用いてカバーする。
の■、■および■の工程により一般的に行われている。
しかしながら、基板上に形成された抵抗体の抵抗温度係
数(TCR)の値は、絶対値で300ppm/℃を越え
たり、25℃から 125°Cまで昇温し、また25°
Cまで降温した場合、最初の25℃の時の抵抗値と降温
後の25℃の抵抗値が等値ならず、数%の差(オフセッ
ト)が出る。
数(TCR)の値は、絶対値で300ppm/℃を越え
たり、25℃から 125°Cまで昇温し、また25°
Cまで降温した場合、最初の25℃の時の抵抗値と降温
後の25℃の抵抗値が等値ならず、数%の差(オフセッ
ト)が出る。
本発明の目的は上記の欠点を改良し、TCR値が小さく
、かつオフセットのない抵抗体を形成する方法を提供す
ることにある。
、かつオフセットのない抵抗体を形成する方法を提供す
ることにある。
すなわち、本発明は、回路基板上に、バインダーとして
熱硬化性樹脂を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷し、次
いで加熱硬化させて厚膜抵抗体を形成する方法において
、該加熱硬化後、または形成された該抵抗体を再加熱後
、徐冷することを特徴とする厚膜抵抗体の形成法を提供
する。
熱硬化性樹脂を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷し、次
いで加熱硬化させて厚膜抵抗体を形成する方法において
、該加熱硬化後、または形成された該抵抗体を再加熱後
、徐冷することを特徴とする厚膜抵抗体の形成法を提供
する。
以下、本発明について詳細に述べる。
本発明で使用する回路基板としては、例えば樹脂基板、
金属ベース基板、アルミナ基板等に前辺って導体回路を
形成したものを使用する。
金属ベース基板、アルミナ基板等に前辺って導体回路を
形成したものを使用する。
回路基板上に、バインダーとして熱硬化性樹脂(フェノ
ール樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂など)を含んだ抵
抗ペーストを用いて印刷する。
ール樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂など)を含んだ抵
抗ペーストを用いて印刷する。
抵抗ペーストには、通常バインダーの他に抵抗体となる
粉末(カーボン粉末、石墨粉末など)、溶媒、消泡剤等
が含まれており、さらに必要に応じ、TCP改良剤とし
てAl201 、S!02等の粉末、抵抗値を調節する
ために銀粉等の金属粉を加えてもよい。
粉末(カーボン粉末、石墨粉末など)、溶媒、消泡剤等
が含まれており、さらに必要に応じ、TCP改良剤とし
てAl201 、S!02等の粉末、抵抗値を調節する
ために銀粉等の金属粉を加えてもよい。
抵抗ペーストの印刷は一般にスクリーン印刷で行われる
。
。
印刷後、乾燥させて溶媒を除去し、ついでバインダーで
ある熱硬化性樹脂を硬化させる。硬化条件は特に限定さ
れず、熱硬化性樹脂か十分に硬化する温度、時間が選択
される。一般に温度は100℃以上、好ましくは150
°C以上である。また、必要に応じて抵抗体形成後、熱
処理(再加熱)を行ってもよい。
ある熱硬化性樹脂を硬化させる。硬化条件は特に限定さ
れず、熱硬化性樹脂か十分に硬化する温度、時間が選択
される。一般に温度は100℃以上、好ましくは150
°C以上である。また、必要に応じて抵抗体形成後、熱
処理(再加熱)を行ってもよい。
熱処理はバインダー樹脂の種類により適宜決めればよく
、通常温度範囲は120℃以上、樹脂の分解温度未満で
あればよいが、好ましくは125〜200℃の範囲であ
る。加熱時間についても加熱温度を考慮して適宜決めれ
ばよく、特に限定されるものではないが、通常1分〜2
0時間の範囲である。
、通常温度範囲は120℃以上、樹脂の分解温度未満で
あればよいが、好ましくは125〜200℃の範囲であ
る。加熱時間についても加熱温度を考慮して適宜決めれ
ばよく、特に限定されるものではないが、通常1分〜2
0時間の範囲である。
本発明において、特に重要なのは、加熱硬化させた後に
加熱されている基板を徐冷するか、または再加熱後加熱
されている基板を徐冷することで − あり、好ましくは加熱されている基板の冷却を降温速度
が0.1〜1°C/分、さらに好ましくは0.1〜0.
5°C/分の速度で行う。
加熱されている基板を徐冷するか、または再加熱後加熱
されている基板を徐冷することで − あり、好ましくは加熱されている基板の冷却を降温速度
が0.1〜1°C/分、さらに好ましくは0.1〜0.
5°C/分の速度で行う。
また、より好ましくは少なくとも約120°C〜約65
℃の温度範囲においては上記の降温速度で徐冷すること
である。
℃の温度範囲においては上記の降温速度で徐冷すること
である。
このようにすることによりTCRが小さい抵抗体を得る
ことができる。
ことができる。
さらに、耐環境特性を向上させるため、抵抗体の表面上
を誘電体ペーストを用いてカバーしてもよい。
を誘電体ペーストを用いてカバーしてもよい。
実施例 l
エポキシ樹脂としてスミエポキシ■ESCN−195X
(住友化学工業■製)100重量部、タノマール■(フ
ェノールノボラック樹脂)(荒用化学■製)56重量部
、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン1重量部か
らなる固体エポキシ組成物を混合溶媒(酢酸エチル45
wtX、 トルエン30wt%、メチルエチルケトン
15wt%、n−ブチルアルコール10wtX)に溶解
して作製したバインダー溶液と、カーボンH3−500
(旭カーホン(掬製)50重量部および溶媒(αテルピ
ネオール85wt%、ブチルカルピトールアセテ−1−
15wt%)50重量部を乳鉢で1時間混練し抵抗ペー
ストを得た。このペーストをAg−Pd導体電極を予め
形成したアルミナ回路基板上にスクリーン印刷により印
刷し、100℃で10分間乾燥後、260℃1時間加熱
硬化後、室温まで自然冷却した。次いで125℃まで再
加熱した後、65°Cまでは降温速度0.2°C/分で
徐冷した後、炉より取り出し室温まで自然冷却した。
(住友化学工業■製)100重量部、タノマール■(フ
ェノールノボラック樹脂)(荒用化学■製)56重量部
、硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン1重量部か
らなる固体エポキシ組成物を混合溶媒(酢酸エチル45
wtX、 トルエン30wt%、メチルエチルケトン
15wt%、n−ブチルアルコール10wtX)に溶解
して作製したバインダー溶液と、カーボンH3−500
(旭カーホン(掬製)50重量部および溶媒(αテルピ
ネオール85wt%、ブチルカルピトールアセテ−1−
15wt%)50重量部を乳鉢で1時間混練し抵抗ペー
ストを得た。このペーストをAg−Pd導体電極を予め
形成したアルミナ回路基板上にスクリーン印刷により印
刷し、100℃で10分間乾燥後、260℃1時間加熱
硬化後、室温まで自然冷却した。次いで125℃まで再
加熱した後、65°Cまでは降温速度0.2°C/分で
徐冷した後、炉より取り出し室温まで自然冷却した。
得られた抵抗体のTCRは約1100pp/’Cで、2
5°Cでのオフセットはなかった。
5°Cでのオフセットはなかった。
実施例 2
実施例と同様にして加熱硬化後、冷却し、150℃から
65℃までの温度範囲においては降温速度が0.2°C
/分で徐冷した後、炉より取り出し室温まで自然冷却し
た。
65℃までの温度範囲においては降温速度が0.2°C
/分で徐冷した後、炉より取り出し室温まで自然冷却し
た。
得られた抵抗体のTCRは約1100pp/’Cで、2
5°Cでのオフセットはなかった。
5°Cでのオフセットはなかった。
比較例
実施例と同様にして硬化後、炉より取り出し、室温まで
自然冷却した。得られた抵抗体のTCRは約400pp
m/℃で、25℃における初期値とのオフセットは約2
%発生した。
自然冷却した。得られた抵抗体のTCRは約400pp
m/℃で、25℃における初期値とのオフセットは約2
%発生した。
本発明の方法により抵抗温度係数(TCR)の値が小さ
く、オフセットのない熱的に安定で信頼性のある抵抗体
を回路基板上に作成することができ、その工業的価値は
大きい。
く、オフセットのない熱的に安定で信頼性のある抵抗体
を回路基板上に作成することができ、その工業的価値は
大きい。
7穀
Claims (1)
- 回路基板上に、バインダーとして熱硬化性樹脂を含ん
だ抵抗ペーストを用いて印刷し、次いで加熱硬化させて
厚膜抵抗体を形成する方法において、該加熱硬化後、ま
たは形成された該抵抗体を再加熱後、徐冷することを特
徴とする厚膜抵抗体の形成法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292557A JPH03152905A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 厚膜抵抗体の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1292557A JPH03152905A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 厚膜抵抗体の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152905A true JPH03152905A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17783310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1292557A Pending JPH03152905A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 厚膜抵抗体の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03152905A (ja) |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1292557A patent/JPH03152905A/ja active Pending
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