JPH03153105A - 無反射終端器のトリミング方法 - Google Patents
無反射終端器のトリミング方法Info
- Publication number
- JPH03153105A JPH03153105A JP1291189A JP29118989A JPH03153105A JP H03153105 A JPH03153105 A JP H03153105A JP 1291189 A JP1291189 A JP 1291189A JP 29118989 A JP29118989 A JP 29118989A JP H03153105 A JPH03153105 A JP H03153105A
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- Japan
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- resistance
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- wide spread
- resistance film
- resistive film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はマイクロ波回路に使用される無反射終端器に
関し、特に、電極間の抵抗値を正確に基準値に合わせる
トリミング方法に関する。
関し、特に、電極間の抵抗値を正確に基準値に合わせる
トリミング方法に関する。
（従来の技術）
第４図（Ａ）（Ｂ）に無反射終端器の代表的な構造を示
している。直方体形状の基板１はアルミナ、フェライト
、ベリリア、チッ化アルミニウム等のセラミンクスから
なる。基板１には金、銀、銅等の導電性のよい金属材料
で２つの電極部２とと３が形成されてる。基板１の上面
部分において電極部２と３は相対向する両端部分に形成
されており、この電極部２と３の間に抵抗膜４が帯状に
形成されている。抵抗膜４の材料としては、薄膜の場合
チッ化タンタル、ニクロ１１等が使用され、厚膜の場合
は酸化ルテニウム、銀−バラジュウム合金等が使用され
る。抵抗膜４を形成する段階では、電極部２．３間の抵
抗値が基準値（５０Ω）より若干小さくなるように設計
されている。
している。直方体形状の基板１はアルミナ、フェライト
、ベリリア、チッ化アルミニウム等のセラミンクスから
なる。基板１には金、銀、銅等の導電性のよい金属材料
で２つの電極部２とと３が形成されてる。基板１の上面
部分において電極部２と３は相対向する両端部分に形成
されており、この電極部２と３の間に抵抗膜４が帯状に
形成されている。抵抗膜４の材料としては、薄膜の場合
チッ化タンタル、ニクロ１１等が使用され、厚膜の場合
は酸化ルテニウム、銀−バラジュウム合金等が使用され
る。抵抗膜４を形成する段階では、電極部２．３間の抵
抗値が基準値（５０Ω）より若干小さくなるように設計
されている。
製造工程のほぼ最終段階で電極部２．３間の抵抗値を測
定しながら、レーザトリミング装置などにより第４図（
Ｃ）（Ｄ）に示すように抵抗膜４を部分的に削除しく５
は削除部分）抵抗値を基準値に正確に合わせる。
定しながら、レーザトリミング装置などにより第４図（
Ｃ）（Ｄ）に示すように抵抗膜４を部分的に削除しく５
は削除部分）抵抗値を基準値に正確に合わせる。
（発明が解決しようとする課題）
第４図に示すように、従来の無反射終端器では抵抗膜４
は均一な幅の帯状に形成され、トリミングにより幅方向
に局部的に削除している。従って削除部５が形成された
部分の抵抗膜４の幅が非常に狭くなり、その狭い部分に
電流が集中することになる。電流値が小さい場合は問題
ないが、高電力マイクロ波回路に使用した場合、無反射
終端器の抵抗膜４に比較的大きな電流が流９れ、その電
流か一部に集中すると、素子が過熱して破壊する。
は均一な幅の帯状に形成され、トリミングにより幅方向
に局部的に削除している。従って削除部５が形成された
部分の抵抗膜４の幅が非常に狭くなり、その狭い部分に
電流が集中することになる。電流値が小さい場合は問題
ないが、高電力マイクロ波回路に使用した場合、無反射
終端器の抵抗膜４に比較的大きな電流が流９れ、その電
流か一部に集中すると、素子が過熱して破壊する。
つまり従来のトリミング方法では、耐電力の高い無反射
終端器を限られた素子寸法で実現するのか難しかっｔ二
。
終端器を限られた素子寸法で実現するのか難しかっｔ二
。
この発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、抵抗膜に極端な電流集中が起きないよう
に１２だ無反射終端器のトリミング方法を提供すること
にある。
、その目的は、抵抗膜に極端な電流集中が起きないよう
に１２だ無反射終端器のトリミング方法を提供すること
にある。
（課題を解決するための手段）
そこでこの発明では、前記抵抗膜の幅を局部的に拡大１
．た拡幅部を予め形成しておき、この拡幅部を徐々に削
除しながら電極部間の抵抗値を基桑値に合イつせるよう
にｌ〜た。
．た拡幅部を予め形成しておき、この拡幅部を徐々に削
除しながら電極部間の抵抗値を基桑値に合イつせるよう
にｌ〜た。
（作 用）
前記抵抗膜にηめ形成しである前記拡幅部を削除しなが
ら抵抗値を調整するので、トリミングを施した部分が他
の部分より幅が狭くはならず、電流の集中箇所は牛しな
い。
ら抵抗値を調整するので、トリミングを施した部分が他
の部分より幅が狭くはならず、電流の集中箇所は牛しな
い。
（実施例）
第１図（Ａ ）は本発明の一実施例による無反射終端器
のトリミング前の状態を示（７ている。１は基板、２と
３は電極部、・４は抵抗膜であり、その材料は前述した
通りである。この実施例の特徴は、ｊ；）状の抵抗膜４
の中間部分の片側に局部的に幅を拡大りまた拡幅部、４
ａを形成し、た点にある。そＬ −Ｃ第１図（Ｂ）（
Ｃ）に示すように、電極部２と３間の抵抗値を測定しな
からレーザトリミング装置などにより、抵抗膜４の拡幅
部４ａを徐々に削除し、抵抗値を基準値に正確に合わせ
る。、１５はトリミングにより抵抗膜４を削除した部分
を示す。このように削除部５が拡幅部４ａにあるので、
抵抗ｌＩ！２！、 ４の幅を極端に狭める箇所は発生ｌ
−ない。
のトリミング前の状態を示（７ている。１は基板、２と
３は電極部、・４は抵抗膜であり、その材料は前述した
通りである。この実施例の特徴は、ｊ；）状の抵抗膜４
の中間部分の片側に局部的に幅を拡大りまた拡幅部、４
ａを形成し、た点にある。そＬ −Ｃ第１図（Ｂ）（
Ｃ）に示すように、電極部２と３間の抵抗値を測定しな
からレーザトリミング装置などにより、抵抗膜４の拡幅
部４ａを徐々に削除し、抵抗値を基準値に正確に合わせ
る。、１５はトリミングにより抵抗膜４を削除した部分
を示す。このように削除部５が拡幅部４ａにあるので、
抵抗ｌＩ！２！、 ４の幅を極端に狭める箇所は発生ｌ
−ない。
第２図は本発明の第２実施例を示し、（Ａ）はトリミン
グ前、（Ｂ）はトリミング後である。この実施例では抵
抗膜４の両端側に２箇所の拡幅部４ａ、４））を予め形
成しておき、この拡幅部４ａ、４ｂにトリミングによる
削除部５を成形する。
グ前、（Ｂ）はトリミング後である。この実施例では抵
抗膜４の両端側に２箇所の拡幅部４ａ、４））を予め形
成しておき、この拡幅部４ａ、４ｂにトリミングによる
削除部５を成形する。
第３図は抵抗膜４に形成する拡幅部４ａ、４ｋ〕のさま
ざまな形態例を示している。
ざまな形態例を示している。
（発明の効果）
以−Ｌ詳細に説明したように、この発明の無反射終端器
のトリミング方法では、予め形成しである抵抗膜の拡幅
部を削除しながら抵抗値を基準値に合わせるので、トリ
ミングによる削除部ができても抵抗膜の幅が極端に狭く
なる箇所は発生しない。
のトリミング方法では、予め形成しである抵抗膜の拡幅
部を削除しながら抵抗値を基準値に合わせるので、トリ
ミングによる削除部ができても抵抗膜の幅が極端に狭く
なる箇所は発生しない。
そのため抵抗膜中に極端な電流集中は起きず、その結果
耐電力の高い無反射終端器を限られた未了＝Ｊ−法にて
容易に実現することができる。
耐電力の高い無反射終端器を限られた未了＝Ｊ−法にて
容易に実現することができる。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例によるトリミング前の
無反射終端器の平面図、同図（Ｂ）（Ｃ）はトリミング
後の無反射終端器の平面図、第２図（Ａ）は本発明の第
２実施例によるトリミング前の無反射終端器の平面図、
同図（Ｂ）はｌ・リミング後の無反射終端器の平面図、
第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明による拡幅部を形成した
抵抗膜のさまざまなバクーンを示す平面図、第４図（Ａ
）は従来の無反ｑ、ｔｐ端器のトリミング］１ｉｊの平
面図、同図（Ｂ）はその西＋Ｊｘｊ図、同図ＣＣ）（Ｄ
）はトリミング後の゛Ｉ４面図「ある。 ・基板 ・・電極部 ・・抵抗膜 ４ｂ・・拡幅部 ・・・・・シリミングによる削除部 １ ・・ ３ ４ ・・・・・ ａ ５ ・・
無反射終端器の平面図、同図（Ｂ）（Ｃ）はトリミング
後の無反射終端器の平面図、第２図（Ａ）は本発明の第
２実施例によるトリミング前の無反射終端器の平面図、
同図（Ｂ）はｌ・リミング後の無反射終端器の平面図、
第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明による拡幅部を形成した
抵抗膜のさまざまなバクーンを示す平面図、第４図（Ａ
）は従来の無反ｑ、ｔｐ端器のトリミング］１ｉｊの平
面図、同図（Ｂ）はその西＋Ｊｘｊ図、同図ＣＣ）（Ｄ
）はトリミング後の゛Ｉ４面図「ある。 ・基板 ・・電極部 ・・抵抗膜 ４ｂ・・拡幅部 ・・・・・シリミングによる削除部 １ ・・ ３ ４ ・・・・・ ａ ５ ・・
Claims (1)
- 基板上に形成された２つの電極部の間に抵抗膜を帯状
に形成した無反射終端器において、前記抵抗膜の幅を局
部的に拡大した拡幅部を予め形成しておき、この拡幅部
を徐々に削除しながら前記電極部間の抵抗値を基準値に
合わせることを特徴とする無反射終端器のトリミング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291189A JPH03153105A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 無反射終端器のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291189A JPH03153105A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 無反射終端器のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153105A true JPH03153105A (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=17765614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1291189A Pending JPH03153105A (ja) | 1989-11-10 | 1989-11-10 | 無反射終端器のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03153105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08154005A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Fujitsu Ltd | 抵抗減衰装置 |
| CN107342450A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-10 | 中国电子科技集团公司第十六研究所 | 一种可用激光精确调整频率的超导微带谐振器的设计方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63214002A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプラインに対する終端抵抗素子の抵抗値調整方法 |
-
1989
- 1989-11-10 JP JP1291189A patent/JPH03153105A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63214002A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Murata Mfg Co Ltd | ストリツプラインに対する終端抵抗素子の抵抗値調整方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08154005A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Fujitsu Ltd | 抵抗減衰装置 |
| CN107342450A (zh) * | 2017-07-11 | 2017-11-10 | 中国电子科技集团公司第十六研究所 | 一种可用激光精确调整频率的超导微带谐振器的设计方法 |
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