JPH03159902A - 酸化物超電導体製造用複合酸化物及び酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体製造用複合酸化物及び酸化物超電導体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物超電導体製造用複合酸化物及びそれを
使用した酸化物超電導体の製造方法に関し、特に、配向
性が良く、かつ、高い遷移温度の酸化物超電導体粉末(
高温超電導体粉末)、バルク体、テープ、線材(コイル
状を含む)、薄膜及び厚膜の製造に適用して有効な技術
に関するものである。
使用した酸化物超電導体の製造方法に関し、特に、配向
性が良く、かつ、高い遷移温度の酸化物超電導体粉末(
高温超電導体粉末)、バルク体、テープ、線材(コイル
状を含む)、薄膜及び厚膜の製造に適用して有効な技術
に関するものである。
線材化を例にとると、これまで最も数多く行なわれた方
法は、金属管の中に酸化物超電導体の化焼粉を詰め込み
、冷間加工によって線またはテープにする。この後、熱
処理によって、この線またはテープの特性を決定してい
る。
法は、金属管の中に酸化物超電導体の化焼粉を詰め込み
、冷間加工によって線またはテープにする。この後、熱
処理によって、この線またはテープの特性を決定してい
る。
しかしながら,このような方法で得られた線材の超電導
特性である電流密度(Jc )は、満足できるものでは
ない。この原因としては、仮焼粉を利用することによる
試料の不均一性や低密度、または、多結晶体による結晶
方位の乱雑さ等が考えられている。
特性である電流密度(Jc )は、満足できるものでは
ない。この原因としては、仮焼粉を利用することによる
試料の不均一性や低密度、または、多結晶体による結晶
方位の乱雑さ等が考えられている。
前述の欠点すなわち電流密度Jcを向上するために、配
向性の処理技術として種々の方法が試みられている。
向性の処理技術として種々の方法が試みられている。
例えば、
(1)プレス加工、冷間圧縮等の方法により、配向性を
得ようとする方法がある。この方法に関しては、例えば
、関根久、前田弘;セラミックス、Vo1.24,No
.8,pp735(1989)に記載されている。
得ようとする方法がある。この方法に関しては、例えば
、関根久、前田弘;セラミックス、Vo1.24,No
.8,pp735(1989)に記載されている。
(2)磁場を利用して粒子(超電導仮焼粉)の配向性を
得ようとする方法がある。この方法に関しては、中川愛
彦等;日本金属学問講演概要(1989、秋期大会、N
o + 7 2 5 t p p 6 2 5 )に
記載されている。
得ようとする方法がある。この方法に関しては、中川愛
彦等;日本金属学問講演概要(1989、秋期大会、N
o + 7 2 5 t p p 6 2 5 )に
記載されている。
しかしながら、前述の方法(1)においては、力学的外
力を使用しているため、装置が高価になるという問題が
あった。
力を使用しているため、装置が高価になるという問題が
あった。
また、前述の方法(2)においては、磁気的外力を使用
しているため、加工工程が複雑になると一3 いう問題があった。
しているため、加工工程が複雑になると一3 いう問題があった。
また、前述した方法(1)及び(2)のような特殊な加
工方法を用いない製造方法で得られたテープ、線材、又
は膜においては、その結晶に配向性を持たせることは不
可能であった。
工方法を用いない製造方法で得られたテープ、線材、又
は膜においては、その結晶に配向性を持たせることは不
可能であった。
また、粉末の粒径が大きく焼結性にも問題がある他、粒
界に残るBaCO3等の不純物のために超電導特性が劣
化するという問題があった。
界に残るBaCO3等の不純物のために超電導特性が劣
化するという問題があった。
本発明は、前記問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、特殊な加工を必要とせずに配向性のあ
る酸化物超電導体を製造することができる技術を提供す
ることにある。
る酸化物超電導体を製造することができる技術を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、高いTcで高いJcの酸化物超電
導体を得ることができる技術を提供することにある。
導体を得ることができる技術を提供することにある。
前記目的を達或するために,本発明は、酸化物超電導体
を構成する金属の金属アルコキシド、水酸化物、硝酸塩
のうち1種以上を酸化物超電導体4一 が生成するように組合せる工程と、それらの物質が溶解
又は分散する溶媒を加える工程と、それらの前駆体ゾル
又は超微粒子を所定温度(例えば20乃至100℃)で
混合又は化学反応させて反応生戒物を生戊する工程と、
該混合物又は化物反応物を所定圧力,所定温度(例えば
150乃至800℃)、所定時間(例えば1分乃至10
0時間)、所定雰囲気{真空、酸化性雰囲気(酸化、空
気等)}又は不活性雰囲気(アルゴン、窒素等)下で焼
成する工程とからなることを最も主要な特徴とする。
を構成する金属の金属アルコキシド、水酸化物、硝酸塩
のうち1種以上を酸化物超電導体4一 が生成するように組合せる工程と、それらの物質が溶解
又は分散する溶媒を加える工程と、それらの前駆体ゾル
又は超微粒子を所定温度(例えば20乃至100℃)で
混合又は化学反応させて反応生戒物を生戊する工程と、
該混合物又は化物反応物を所定圧力,所定温度(例えば
150乃至800℃)、所定時間(例えば1分乃至10
0時間)、所定雰囲気{真空、酸化性雰囲気(酸化、空
気等)}又は不活性雰囲気(アルゴン、窒素等)下で焼
成する工程とからなることを最も主要な特徴とする。
また、前記製造方法で得られた複合酸化物を,バルク体
、テープ、線材又は厚膜に加工した後、所定温度と所定
雰囲気中で焼成することを特徴とする。
、テープ、線材又は厚膜に加工した後、所定温度と所定
雰囲気中で焼成することを特徴とする。
前述した手段によれば、前記酸化物超導電体製造用複合
酸化物を使用すれば、特殊な加工を必要とせずに配向性
のある(電流密度Jcの高い)酸化物超電導体を製造す
ることができる。
酸化物を使用すれば、特殊な加工を必要とせずに配向性
のある(電流密度Jcの高い)酸化物超電導体を製造す
ることができる。
また、酸化物超電導体中における不純物の生成を低減す
ることができ,かつ、高焼結性を可能にすることがきる
ので、高いTc高いJcの酸化物超電導体の製造を可能
にすることができる。
ることができ,かつ、高焼結性を可能にすることがきる
ので、高いTc高いJcの酸化物超電導体の製造を可能
にすることができる。
[実施例I]
本発明の実施例■の酸化物超電導体の製造方法を、第1
図(フローチャート)を用いて説明する。
図(フローチャート)を用いて説明する。
まず、例えば、イットリウムブ1・キサイドのキシレン
溶液、バリウムエトキサイドのエタノール溶液及び硝酸
銅のエタノール溶液をY:Ba:Cu=1:2:3(モ
ル比)の割合で混合する(101,102)。次に、前
記混合した試料を、60℃の窒素気流中で20時間還流
する(1 0 3)。この後、溶媒を蒸発させて混合物
又は反応生成物を生成する(104)。
溶液、バリウムエトキサイドのエタノール溶液及び硝酸
銅のエタノール溶液をY:Ba:Cu=1:2:3(モ
ル比)の割合で混合する(101,102)。次に、前
記混合した試料を、60℃の窒素気流中で20時間還流
する(1 0 3)。この後、溶媒を蒸発させて混合物
又は反応生成物を生成する(104)。
次に、この混合物又は反応生成物を電気炉に入れ、10
−”Pa以下の真空条件下において、1℃/分(+*i
n )で650℃まで昇温し、この温度で1時間焼成し
て、溶媒を除去する(1 0 5)。
−”Pa以下の真空条件下において、1℃/分(+*i
n )で650℃まで昇温し、この温度で1時間焼成し
て、溶媒を除去する(1 0 5)。
こうして得られた複合酸化物の超微粒子を、アセトン中
に分散させた後、MgO基板上に均一に塗布する。この
MgO基板を、酸素雰囲気中、950℃で0.5 時間
仮焼して複合酸化物を生成した(106)。
に分散させた後、MgO基板上に均一に塗布する。この
MgO基板を、酸素雰囲気中、950℃で0.5 時間
仮焼して複合酸化物を生成した(106)。
次に、前記複合酸化物をテープ、線材、バルク体等に加
工した(1.07)。
工した(1.07)。
次に、前記テープ、線材、バル体材等に加工した複合酸
化物を、1100℃に再加熱した後、1000℃まで1
00℃/(h)時で冷却してから5℃/hで950℃は
で徐々に冷却した後、炉冷した。更に、酸素を十分富化
させるため、1気圧の酸素中で600℃で1時間加熱後
炉冷し、本実施例■の酸化物超電導体を生成した(1
0 8)。
化物を、1100℃に再加熱した後、1000℃まで1
00℃/(h)時で冷却してから5℃/hで950℃は
で徐々に冷却した後、炉冷した。更に、酸素を十分富化
させるため、1気圧の酸素中で600℃で1時間加熱後
炉冷し、本実施例■の酸化物超電導体を生成した(1
0 8)。
得られたY系酸化物超電導体のX線回折図形を第2図に
示す。第3図は,多結晶体のX線粉末回折図形である。
示す。第3図は,多結晶体のX線粉末回折図形である。
第2図及び第3図に示すように、本実施例Iで得られた
Y系酸化物超電導体は、第3図に示す多結晶体と比べ、
かなり(OOn)面に配向していることが分かる。
Y系酸化物超電導体は、第3図に示す多結晶体と比べ、
かなり(OOn)面に配向していることが分かる。
[実施例■]
本発明の実施例Hの酸化物超電導体の製造方法7−
を説明する。
まず、硝酸銅をエタノールに溶解させた溶液にアンモニ
アガスを吹込み,水酸化銅を沈澱させる。
アガスを吹込み,水酸化銅を沈澱させる。
更に、アルコールで溶液中の硝酸イオンを十分に洗浄し
、エタノール中に水酸化銅を分散させる。
、エタノール中に水酸化銅を分散させる。
更に、前記実施例Iと同じ方法で得たイットリウムとバ
リウムの溶液を混合し,前記実施例Iと同様の方法によ
り反応、還流し、混合物又は反応生成物を生戒する。こ
の粉末を前記実施例■と同様の方法で、膜に或形した後
焼成した。
リウムの溶液を混合し,前記実施例Iと同様の方法によ
り反応、還流し、混合物又は反応生成物を生戒する。こ
の粉末を前記実施例■と同様の方法で、膜に或形した後
焼成した。
[実施例■]
本発明の実施例■の酸化物超電導体の製造方法を説明す
る。
る。
まず、硝酸イットリウムをエタノール中に加え、水酸化
イットリウムの超微粒末がエタノール中に分散した溶液
を得る。水酸化バリウムも同様にして、超微粉末がエタ
ノール中に分散した溶液を得る。硝酸銅の水溶液にアン
モニア水を加えて水酸化銅を沈澱させ、この沈澱物を濾
過、洗浄後、エタノール中に分散させた。これらの溶液
を混合し、前記実施例■と同様の方法で混合,反応,還
流し,混合物又は反応生成物を生成する。この粉末を前
記実施例Iと同様の方法で、膜に成形した後焼成した。
イットリウムの超微粒末がエタノール中に分散した溶液
を得る。水酸化バリウムも同様にして、超微粉末がエタ
ノール中に分散した溶液を得る。硝酸銅の水溶液にアン
モニア水を加えて水酸化銅を沈澱させ、この沈澱物を濾
過、洗浄後、エタノール中に分散させた。これらの溶液
を混合し、前記実施例■と同様の方法で混合,反応,還
流し,混合物又は反応生成物を生成する。この粉末を前
記実施例Iと同様の方法で、膜に成形した後焼成した。
[実施例■]
本発明の実施例■の酸化物超電導体の製造方法を説明す
る。
る。
まず、前記実施例■と同様の方法で、水酸化イットリウ
ムと水酸化網をエタノール中に分散させた溶液を得る。
ムと水酸化網をエタノール中に分散させた溶液を得る。
この溶液中に金属バリウムを加え、前記実施例■と同様
の方法で混合、還流、反応し、混合物又は反応生成物を
生成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法で、膜
にした後焼成した。
の方法で混合、還流、反応し、混合物又は反応生成物を
生成した。この粉末を前記実施例■と同様の方法で、膜
にした後焼成した。
また、前記実施例I乃至■の製造方法により得られた酸
化物超電導体が高い遷移温度を有することを確認した。
化物超電導体が高い遷移温度を有することを確認した。
以上の説明からわかるように、本実施例■乃至■によれ
ば、特殊な加工を必要とせずに、テープ、線材、バルク
体等の配向性のある酸化物超電導体を製造することがで
きる。
ば、特殊な加工を必要とせずに、テープ、線材、バルク
体等の配向性のある酸化物超電導体を製造することがで
きる。
また,酸化物超電導体中における不純物の生成を低減す
ることができ、かつ、高焼結性を可能にすることがきる
ので、高いTc高いJcの酸化物超電導体の製造を可能
にすることができる。
ることができ、かつ、高焼結性を可能にすることがきる
ので、高いTc高いJcの酸化物超電導体の製造を可能
にすることができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
以上、説明したように、本発明によれば、特殊な加工を
必要とせずに、配向性のある酸化物超電導を製造するこ
とができる。
必要とせずに、配向性のある酸化物超電導を製造するこ
とができる。
また、高いTc高いJcの酸化物超導体を製造すること
ができる。
ができる。
第1図は、本発明の実施例1の酸化物超電導体の製造方
法を示すプロセスフローチャート、第2図は、YBaC
uO系酸化物超電導体の粉末X線回折図形を示す図、 第3図は,多結晶体の粉末X線図形を示す図である。 − 11 −
法を示すプロセスフローチャート、第2図は、YBaC
uO系酸化物超電導体の粉末X線回折図形を示す図、 第3図は,多結晶体の粉末X線図形を示す図である。 − 11 −
Claims (2)
- (1)酸化物超電導体を構成する金属の金属アルコキシ
ド、水酸化物、硝酸塩のうち1種以上を酸化物超電導体
が生成するように組合せる工程と、それらの物質が溶解
または分散する溶媒を加える工程と、それらの前駆体ゾ
ル又は超微粒子を所定の温度で混合又は化学反応させて
、混合物又は反応生成物を生成する工程と、該混合物又
は反応生成物を所定圧力、所定温度、所定時間(1分乃
至100時間)、所定雰囲気又は不活性雰囲気下で焼成
する工程とからなることを特徴とする酸化物超電導体製
造用複合酸化物の製造方法。 - (2)前記請求項第1項に記載の製造方法で得られた複
合酸化物を、バルク体、テープ、線材又は厚膜に加工し
た後、所定温度と所定雰囲気中で焼成することを特徴と
する酸化物超電導体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295827A JPH03159902A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 酸化物超電導体製造用複合酸化物及び酸化物超電導体の製造方法 |
| US07/606,921 US5236890A (en) | 1989-11-13 | 1990-10-31 | Method of producing superconductor of metal oxides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1295827A JPH03159902A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 酸化物超電導体製造用複合酸化物及び酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159902A true JPH03159902A (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=17825692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295827A Pending JPH03159902A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 酸化物超電導体製造用複合酸化物及び酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5236890A (ja) |
| JP (1) | JPH03159902A (ja) |
Families Citing this family (9)
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| US6562761B1 (en) * | 2000-02-09 | 2003-05-13 | American Superconductor Corporation | Coated conductor thick film precursor |
| US6893732B1 (en) | 1999-07-23 | 2005-05-17 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| US6765151B2 (en) * | 1999-07-23 | 2004-07-20 | American Superconductor Corporation | Enhanced high temperature coated superconductors |
| WO2001015245A1 (en) | 1999-08-24 | 2001-03-01 | Electric Power Research Institute, Inc. | Surface control alloy substrates and methods of manufacture therefor |
| US6974501B1 (en) | 1999-11-18 | 2005-12-13 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| US6673387B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-06 | American Superconductor Corporation | Control of oxide layer reaction rates |
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0230615A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-02-01 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化物超伝導体製造方法 |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP1295827A patent/JPH03159902A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-31 US US07/606,921 patent/US5236890A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5236890A (en) | 1993-08-17 |
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