JPH0316237A - インナーリードボンダ - Google Patents

インナーリードボンダ

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JPH0316237A
JPH0316237A JP15075589A JP15075589A JPH0316237A JP H0316237 A JPH0316237 A JP H0316237A JP 15075589 A JP15075589 A JP 15075589A JP 15075589 A JP15075589 A JP 15075589A JP H0316237 A JPH0316237 A JP H0316237A
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JP
Japan
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semiconductor element
bonding
supply
supply operation
existence
Prior art date
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JP15075589A
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Masahiro Nakajima
昌宏 中島
Yasushi Takeda
武田 泰
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Toshiba Mechatronics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Seiki Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的1 (産業上の利用分野) 本発明は、インナーリードボンダに関する。
(従来の技術〉 一般に、インナーリードボンダは、供給リールに巻かれ
たキャリアテープを間欠的に繰り出し、巻き取りリール
に巻き取るとともに、供給リールと巻き取りリールとの
間のボンディングスデーションにおいて、ボンデイング
手段によりキVリアテープに半導体素子をボンディング
するようにしている。
(允明が解決しようとづる課題〉 ところで従来、この種の装置においては、ポンディング
ステーションにおけるボンディングスデージに対して半
導体素子が正しく供給ざれているかの確認装置、並びに
ボンディング後、半導体素子がインナーリードに確実に
ボンディングされているかの確認装着は諦えていなかっ
た。このため、例えばホンディングステージに半聯休素
子が供給ざれずにボンディング作業が行なわれた場合、
この不良部の除去1よ、後の検査工程で行ムわな(づれ
ぼならなかった。またボンディングステージに半導体素
子が供給されたとして゛し、ij<ンディング不良が生
じると、ホンディングざれなかった半導体素子がボンデ
ィングステージ上に取り残され、次ステップでボンディ
ングステージへ供給される半導体素子が、この取り残さ
れた半轡休素子上に重なり状態で載置されてしまうとい
う不具合を生じていた。
そこで本発明においては、ボンディング製品の歩留向上
を目的とする。
[発明の構或] (課題を解決するための手段) 上記目的を達或するため本発明においては、ボンデイン
グステージに順次供給される半導体素子と、キi/リア
テープまたはリードフレームのインナーリードとをボン
ディングずるインナーリードボンダにおいて、ボンディ
ングステージに半導体素子の有無を検知する検出手段を
設けたことを特徴とする。
(作用〉 従って、ボンデインダステージにおける半導体素子の有
無状態を監視できることから、例えばボンディングステ
ージへの半導体素子供給動作直前と供給動作直後におい
て半導体素子の有無検を行ない、供給動作直前に「無」
信号、供給動作直後に「有」信号が得られれば正常と判
定することができる。
一方、供給動作直前に「有」信号あるいは供給動作直後
に「無」信月の場合、ボンデイング状態あるいは半導体
素子の供給状態不良と判定づることができ、ホンダを停
止させる等の処置により、製品の歩留向上が図れる。
{実施例} 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図は本発明のインナーリードボンダの一例を模式的
に示す正面図、第2図は第1図の平面図、第3図は第1
図の部分拡大図である。図において、1は供給リール、
2は巻き取りリールで、供給リール1に巻回されたキャ
リアテープ3は、この供給リール1より間欠的に供給さ
れ、巻き取りり一ル2にて巻ぎられることとなる。なお
キレリアテープ3は、一対のノjイドローラ4によって
供給リール1と巻き取りリール2との間の所定距離をほ
ぼ水平に走行するようになっている。5はボンディング
スデーションで、このボンデイングスデーション5には
、ボンディング手段6が設けられる。
このボンディング手段6は、ボンデイングヘッド7を備
え、ボンデイングヘッド7の先端に設けたツール8は、
その先端がキャリアテープ3の上面に対向している。9
はボンデイングステージで、XYテーブル10上に設け
られ、このXYテーブル10の移動より、ボンディング
ステージ9上の載陪台11は、半導体素子供給位IHA
とボンデイング位f2iBとの間を移動、位置決めされ
る。また121よ圃送アームであり、その先端の吸着部
で半導体ペレッl−aを保持し、半導体素子供給位置に
位置決めされた栽置台11に順次供給する。なお詳細は
例えば特開昭63−107130号公報に記伐されてい
るので省略する。
ここで、載置台11には、半導体素子aの外径より小な
る貫通孔11aが設けられ、かつこの貫通孔11a4よ
、配管コ3、電磁弁14、圧カセンサ15を介して真空
発生源16に適宜接続される。
ここで電磁弁14は、制御部17により次のように作動
する。すなわちボンデイングスデージ9の載置台11が
半導体素子供給位置Aに位置付けられ、搬送アーム12
が半導体素子aの供給動作を開始する直前から、載置台
11がボンデイング位7置Bに位置付けられ、ボンディ
ング作業が聞胎ざれる直前まで、〔4通孔11aと真空
発生源16とを接続するように作動する。
一方圧カセンサ15においては、戟置台1]が半尊休素
子供給位置Aに位置付けられ、搬送アーム12が半導体
素子aの供給動作を開始する直前並びに供給動作を終了
した直後における配管内の圧力を検知するとともに、検
知信@を制御部17に出力1゛る。
次に上記構或による作用について説明する。まずボンデ
ィング作業は次のように行なわれる。供給リール1から
順次間欠的に供給されるキレリアテープ3には、ボンデ
ィングステーション5にあけるボンディング千段6によ
り、半導体素子aが順次ボンディングされる。Vなわら
半導体素子供給位置Aに位置句けられたボンディングス
テージ9には、その載圃台11にl1役送アーム12に
よって半導体素子aが1個供給される。次にXYテーブ
ル10の移動により、ボンディングステージ9はボンデ
ィング位置Bに移動させ1うれ、載若台11上の素子a
がツール8の真下にくるように位置付けられる。そして
ツール8が下降する。これによって半導体素子aは停止
中のキャリアテープ3のインナーリードにボンディング
される。
さて載置台11と圧カセンサ15について注目して説明
する。まず載置台11が半導体素子供給位置Aに移動後
、搬送アーム12による載置台11への半導体素子供給
動作直前において、貫通孔11aは真′9!発生源16
と接続ざれた状態となっている。ここで圧カセンザ15
は配管13内の圧ノJを検知する。前ステップでボンデ
イングが正常に行われれば、この段階では戟置台11に
半導体素子aは存在しないはずである。つまりこの状態
において、貫通孔11aからは大気が吸込まれることと
なり、載若台]1に半導体素子aが存在する時に比べ、
圧力センサ15は高い圧力を検知することとなる。すな
わちこの圧力センリ15の検出値に基づき、載置台11
上での半導体素子aの「有」、「無」が判断できる。従
って半導体素子供給動作直前で、載置台11における半
導体素子「右」の111定の場合、LIJ御部17は供
給リール1、巻き取りリール2によるキャリアテープ3
のピッチ動を今回停止するとともに、搬送アーム12に
よる半導体素子aの供給動作も停止させる。そして載置
台11をボンディング位置Bに再度移動させ、再ボンデ
ィング動作を行なわぜる。
一方載置台11が半導体素子供給位置Aに移動ざ′せら
れた時、半導体素子「照」の判定が行われた場合、新た
な半導体素子aが戟置台11に供給ざれることとなるが
、この供給動作終了直後においても圧力センFj15に
よる半導体素子「有」、「無」の検知が行われる。すな
わち半導体素子供給動作が終了した直後は、圧力ヒンサ
15により検知される圧力は、貫通孔11aが半導体素
子aによって塞がれるために低下するはずである。とこ
ろが、供給動作が正常に行なわれなかった場合は、依然
として半導体素子「無」と判定される。
この場合は、ホンディングステージ9のボンディング位
置Bへの移動は行わず、搬送アーム12により半導体素
子aの供給動作を再度行わせるようにする。
このように上記実施例においては、ボンデイング状態や
半導体素子aの供給状態が正常に行われているかどうか
のU?Uを行うことができ、もし正常でない場合は、正
常動作に導くことかでぎる。
このため、ボンディング製品の歩留を大「1」に向上さ
けることが可能となる。また実施例では、ボンディング
ステージ9の載置台11に供給ざれる半導体素子aは、
真空圧によって半導体供給位置Aからホンディング位憎
Bまで保持ざれることとなるため、ボンディングステー
ジ9の移動による振動等で位置ずれが生じることも防止
でぎる。またポンデイングステージ9の載置台11に半
導体素子aが存在ずるか否かを検知することにより、ボ
ンダを自動運転させる時のその開始時、現在の状態を把
握した上で最適なシーケンスからスタートさせることも
できる。
なお上記実施例においては、圧カセンリ15による圧力
検知で、半導体素子の「有」、「無,1を検知づるよう
にしたが、これに代わるものとして、例えば半導体素子
供給位置Aに光学セン勺やカメラを配設しておくように
してもよい。
またボンディング動作不良並びに半導体素子供給動作不
良を、載l1台11が半導体素子供給位置八に位置決め
ざれた時に検知するようにした。しかしながら、載置台
11がボンディング位置Bに位置決めされ、ツール下降
によるボンディング動作終了直後にボンディング動作不
良を検知するようにしてもよい。この場合、ボンディン
グ不良を検知した時には、戟直台11の位若はそのまま
で、ツール8を再度下降ざえすればj;いため、再小ン
ディングを短時間で行なうことができる。
また実施例では、ボンディングステージを移動さけて位
置決めするようにしたが、キー?リアテープ側を移動さ
せてもよく、また両者を相対移動させてもよい。
なお、本允明はリードフレームと半導体素子のボンディ
ング装置にも適用できる。
[発明の効果] 木梵明によるインナーリードボンダによれば、ボンディ
ング製品の歩留を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のインナーリードボンダの一例を模式的
に示す正面図、第2図は第1図の平面図、第3図は第1
図の部分拡大図を示す。 1・・・供給リール、2・・・巻き取りリール、3・・
・キ1−リアテープ、5・・・ボンディングステーショ
ン、7・・・ボンディングヘッド、8・・・ツール、9
・・・ボンディングステージ、11・・・載置台、11
a・・・貫通孔、15・・・圧力セン+j(検出手段)
、a・・・半導体素子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ボンディングステージに順次供給される半導体素
    子と、キャリアテープまたはリードフレームのインナー
    リードとをボンディングするインナーリードボンダにお
    いて、ボンディングステージに半導体素子の有無を検知
    する検出手段を設けたことを特徴とするインナーリード
    ボンダ。
JP1150755A 1989-06-14 1989-06-14 インナーリードボンダ Expired - Lifetime JP2754043B2 (ja)

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JPH0316237A true JPH0316237A (ja) 1991-01-24
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US20220033931A1 (en) * 2018-11-14 2022-02-03 Druids Process Technology, S.L. Cooling method and device for cooling a wire and corresponding wire-processing installation

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