JPH03166729A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03166729A JPH03166729A JP30731789A JP30731789A JPH03166729A JP H03166729 A JPH03166729 A JP H03166729A JP 30731789 A JP30731789 A JP 30731789A JP 30731789 A JP30731789 A JP 30731789A JP H03166729 A JPH03166729 A JP H03166729A
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- JP
- Japan
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- electrode wiring
- wiring layer
- contact window
- insulator
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電極配線層と半導体基板中の拡散層のコンタ
クト窓部分での電極配線層の平坦化を図った半導体装置
の製造方法に関する。
クト窓部分での電極配線層の平坦化を図った半導体装置
の製造方法に関する。
従来の技術
従来、第２図（ａ）〜（ｄ）に示すように半導体基板１
１の一生面上に不純物の拡散による拡散層領域１２を設
け（ａ）、その上に眉間絶縁膜１３としてＢＰＳＧ （
ホウ素−リンケイ酸ガラス）を形或し（ｂ）、続いてコ
ンタクト窓１４を開孔した後（Ｃ）、その上にアルミニ
ウム蒸着等により第１の電極配線層ｌ５を形或している
（ｄ）。
１の一生面上に不純物の拡散による拡散層領域１２を設
け（ａ）、その上に眉間絶縁膜１３としてＢＰＳＧ （
ホウ素−リンケイ酸ガラス）を形或し（ｂ）、続いてコ
ンタクト窓１４を開孔した後（Ｃ）、その上にアルミニ
ウム蒸着等により第１の電極配線層ｌ５を形或している
（ｄ）。
発明が解決しようとする課題
従来、第２図に示すように電極配線層１５として使われ
ているアルミニウム配線層は蒸着により形成されるため
，、段差のあるコンタクト窓では底部の周辺部の角で薄
くなる部分１６と底部の中央部で厚くなる部分１７とが
存在する。そのため、電極配線抵抗が高くなったり、時
には底部周辺部の角で薄くなる部分１６の電極配線が断
線することも見られる。またコンタクト窓１４付近で半
導体装置の段差が大きくなるなどの課題があった。
ているアルミニウム配線層は蒸着により形成されるため
，、段差のあるコンタクト窓では底部の周辺部の角で薄
くなる部分１６と底部の中央部で厚くなる部分１７とが
存在する。そのため、電極配線抵抗が高くなったり、時
には底部周辺部の角で薄くなる部分１６の電極配線が断
線することも見られる。またコンタクト窓１４付近で半
導体装置の段差が大きくなるなどの課題があった。
本発明はこのような課題を解決するものであり、コンタ
クト窓１４底部周辺部での電極配線抵抗値の増加または
その部分での断線をなくする半導体装置の製造方法を提
供することを目的とするものである。
クト窓１４底部周辺部での電極配線抵抗値の増加または
その部分での断線をなくする半導体装置の製造方法を提
供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は前記課題を解決するために、半導体基板上の所
定領域に拡散層領域を形戚する工程と、それらの上に層
間絶縁膜を被着する工程と、前記層間絶縁膜にコンタク
ト窓を開孔する工程と、前記コンタクト窓部分に露出し
た前記半導体基板の拡散層領域上に第１の電極配線層を
被着する工程と、前記コンタクト窓部分で前記第１の電
極配線層の凹部に絶縁物を埋め込む工程と、前記第１の
電極配線層およびコンタクト窓の凹部に埋め込まれた絶
縁物上に第２の電極配線層を被着する工程とを有する半
導体装置の製造方法である。
定領域に拡散層領域を形戚する工程と、それらの上に層
間絶縁膜を被着する工程と、前記層間絶縁膜にコンタク
ト窓を開孔する工程と、前記コンタクト窓部分に露出し
た前記半導体基板の拡散層領域上に第１の電極配線層を
被着する工程と、前記コンタクト窓部分で前記第１の電
極配線層の凹部に絶縁物を埋め込む工程と、前記第１の
電極配線層およびコンタクト窓の凹部に埋め込まれた絶
縁物上に第２の電極配線層を被着する工程とを有する半
導体装置の製造方法である。
作用
この半導体装置の製造方法によって、コンタクト窓の電
極配線層の平坦化が図られるとともに、電極配線抵抗を
低減することができる。
極配線層の平坦化が図られるとともに、電極配線抵抗を
低減することができる。
またコンタクト窓底部での第１の電極配線の断線は上部
の第２の電極配線層によって救済される。
の第２の電極配線層によって救済される。
実施例
以下に、第１図を参照して本発明の半導体装置の製造方
法について詳しく説明する。
法について詳しく説明する。
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明の半導体装置の製造方法
を説明するための図である。第２図における部分と同一
部分には同一番号を付している。また第１図（ａ）から
（イ）までは第２図（ａ）から（ｄ）までと同じである
。すなわち半導体基板１１上に眉間絶縁膜１３としてＢ
ＰＳＧ （ホウ素一リンケイ酸ガラス〉を形成し（ロ）
、エッチングにより所定の個所にコンタクト窓１４を開
孔した後（Ｃ）、前記コンタクト窓１４部分に露出した
前記半導体基板の拡散層領域１２上にアルミニウム蒸着
等により第１の電極配線層１５を被着する（イ）。１６
は第１の電極配線層１５の底部周辺部の角で薄くなる部
分、１７は同じく底部中央部で厚くなる部分である。次
に前記第１の電極配線層１５の上部に絶縁物１８として
例えばポリイミドをスビンナーにより塗布した後（ｅ）
、上から全面に一様にエッチングして行く、いわゆるエ
ッチバック法により第１の電極配線層１５の凹部以外の
絶縁物（ポリイミド）を除去し、凹部に埋め込まれた絶
縁物１８−ａを残して、全面を面一になるようにした後
（ｆ）、前記第１の電極配線層１５とその第１の電極配
線層１５の凹部に埋め込まれた絶縁物１８−ａ上に第２
の電極配線層ｌ９を被着する（ｇ）。
を説明するための図である。第２図における部分と同一
部分には同一番号を付している。また第１図（ａ）から
（イ）までは第２図（ａ）から（ｄ）までと同じである
。すなわち半導体基板１１上に眉間絶縁膜１３としてＢ
ＰＳＧ （ホウ素一リンケイ酸ガラス〉を形成し（ロ）
、エッチングにより所定の個所にコンタクト窓１４を開
孔した後（Ｃ）、前記コンタクト窓１４部分に露出した
前記半導体基板の拡散層領域１２上にアルミニウム蒸着
等により第１の電極配線層１５を被着する（イ）。１６
は第１の電極配線層１５の底部周辺部の角で薄くなる部
分、１７は同じく底部中央部で厚くなる部分である。次
に前記第１の電極配線層１５の上部に絶縁物１８として
例えばポリイミドをスビンナーにより塗布した後（ｅ）
、上から全面に一様にエッチングして行く、いわゆるエ
ッチバック法により第１の電極配線層１５の凹部以外の
絶縁物（ポリイミド）を除去し、凹部に埋め込まれた絶
縁物１８−ａを残して、全面を面一になるようにした後
（ｆ）、前記第１の電極配線層１５とその第１の電極配
線層１５の凹部に埋め込まれた絶縁物１８−ａ上に第２
の電極配線層ｌ９を被着する（ｇ）。
この実施例によれば、コンタクト窓１４底部での第１の
電極配線層１５が断線しても上部の′Ｎ４．２の電極配
線層１９によって救済される。
電極配線層１５が断線しても上部の′Ｎ４．２の電極配
線層１９によって救済される。
なお、実施例ではコンタクト窓凹部に絶縁物としてポリ
イミドを埋め込んだが、ＳＯＧ （Ｓｐ ｉｎＯｎ Ｇ
ｌａｓｓ）を埋め込んでもよく、その他の絶縁物を用い
ることもできる。また電極配線層の材料としてアルミニ
ウム以外の材料を用いてもよい。
イミドを埋め込んだが、ＳＯＧ （Ｓｐ ｉｎＯｎ Ｇ
ｌａｓｓ）を埋め込んでもよく、その他の絶縁物を用い
ることもできる。また電極配線層の材料としてアルミニ
ウム以外の材料を用いてもよい。
発明の効果
本発明の半導体装置の製造方法によれば、コンタクト窓
において、第１の電極配線層の凹部に絶縁物を埋め込み
、その上に第２の電極配線層を形成するので、コンタク
ト窓付近での半導体装置の平坦化を図ることができ、電
極配線抵抗を低減するとともに、断線もなくすことがで
きる。
において、第１の電極配線層の凹部に絶縁物を埋め込み
、その上に第２の電極配線層を形成するので、コンタク
ト窓付近での半導体装置の平坦化を図ることができ、電
極配線抵抗を低減するとともに、断線もなくすことがで
きる。
この結果、電極配線層の信頼性を向上させることができ
る。
る。
【図面の簡単な説明】
の製造方法を説明するための図である。
ｌ１・・・・・・半導体基板、１２・・・・・・拡散層
領域、１３・・・・・・層間絶縁膜、１４・・・・・・
コンタクト窓、１５・・・・・・第１の電極配線層、１
８−ａ・・・・・・埋め込まれた絶縁物、１９・・・・
・・第２の電極配線層。 第７図 ／ｂ 郭２図 第７図 ７品己・・・理纜偉れた絶緑物
領域、１３・・・・・・層間絶縁膜、１４・・・・・・
コンタクト窓、１５・・・・・・第１の電極配線層、１
８−ａ・・・・・・埋め込まれた絶縁物、１９・・・・
・・第２の電極配線層。 第７図 ／ｂ 郭２図 第７図 ７品己・・・理纜偉れた絶緑物
Claims (3)
- （１）半導体基板上の所定領域に拡散層領域を形成する
工程と、それらの上に層間絶縁膜を被着する工程と、前
記層間絶縁膜にコンタクト窓を開孔する工程と、前記コ
ンタクト窓部分に露出した前記半導体基板の拡散層領域
上に第１の電極配線層を被着する工程と、前記コンタク
ト窓部分で前記第１の電極配線層の凹部に絶縁物を埋め
込む工程と、前記第１の電極配線層およびコンタクト窓
の凹部に埋め込まれた絶縁物上に第２の電極配線層を被
着する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - （２）第１の電極配線層の凹部に埋め込む絶縁物がポリ
イミドである請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - （３）第１の電極配線層の凹部に埋め込む絶縁物がＳＯ
Ｇ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）である請求項１記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30731789A JPH03166729A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30731789A JPH03166729A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03166729A true JPH03166729A (ja) | 1991-07-18 |
Family
ID=17967693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30731789A Pending JPH03166729A (ja) | 1989-11-27 | 1989-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03166729A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427980A (en) * | 1992-12-02 | 1995-06-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of making a contact of a semiconductor memory device |
| CN1047566C (zh) * | 1993-07-19 | 1999-12-22 | 施乐公司 | 可调节纸盒 |
| JP2015142013A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置 |
| JP2015185792A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 配線構造及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-11-27 JP JP30731789A patent/JPH03166729A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5427980A (en) * | 1992-12-02 | 1995-06-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of making a contact of a semiconductor memory device |
| CN1047566C (zh) * | 1993-07-19 | 1999-12-22 | 施乐公司 | 可调节纸盒 |
| JP2015142013A (ja) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置 |
| JP2015185792A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 配線構造及びその製造方法 |
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