JPH03170901A - 反射防止薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、ホトマスク又はレチクルのためのダスト像を
ぼかすカバーとして用いられる薄膜に関する。特に本発
明は、ホトマスク又はレチクルへの入射光を大きな割合
で透過させる少なくとも１つの反射防止層を有する薄膜
に関する。

感光基板又はウエハ上に像を形成するための投影プリン
トシステムは、集積回路の製造において、ホトレジスト
を被覆された半導体ウエハの露光を行う上で特に適切で
ある。これらのシステムは、通常、一面に形成された不
透明及び透明領域のパターンを持つ透明基板を有するホ
トマスク又はレチクル（以下マスクと呼ぶ）、このマス
クを通してウエハに光又は紫外線のような放射エネルギ
ービームを照射するための照明システム、ウエハにマス
クパターンを結像する手段、及びダスト粒子の像のマス
クの表面への不結像を維持する薄膜を具備している。

薄膜は、フレームに支持された自立した光学膜である。

通常、フレームはマスクに取り付けられ、光学膜はマス
クから所定の距離だけ離れて立っている。薄膜がなけれ
ばマスク上に静置され、その像がウエハ上に投影される
ダスト粒子は、その代わりに薄膜上に載置され、不結像
とされる。その結果、通常の投影プリントシステムに薄
膜を用いる場合、ダスト粒子は与えられたウエハの収率
に影響を与えず、収率はかなり改善される。

理想的には、薄膜は投影プリントシステムの放射エネル
ギーに対し目に見えな′いものであるべきである。即ち
、明瞭な、良く限定されたパターンを得るため゛には、
薄膜の光学膜は、投影プリントプロセス中に使用される
放射エネルギーの１００％（即ち０％の反射）を透過す
べきである。

これまで、典型的にはニトロセスロースからなる単一層
薄膜が用いられてきた。微細化が進むに従って、パター
ン要素はますます小さくなり、薄膜の光の透過はますま
す不十分となる。薄膜の光の透過を増加させ（光の反射
を減少させるため）、明瞭な、良く限定されたパターン
を生成するため、様々な反射防止被覆を有する多層薄膜
が提案された。

例えば、特開昭第６１−２０９４４９号には、少なくと
も２つの最外層が、ＴＦＥ　（テトラフルオロエチレン
）　一ＶｄＦ　（弗化ビニリデン）コポリマー　ＴＦＥ
−ＲＦＰ　（ヘキサフルオ口プロピレン）−ＶｄＦター
ボリマー、弗素含有アクリレート又は弗素含有メタクリ
レートから選択された弗素化された材料から構戊される
５層以上の層を有する非反射多層薄膜が開示されている
。欧州特許出願第２２４，９８５号には、コア層及び２
層の有機反射防止被膜を有する薄膜が開示されている。

コア層と最外層との間の中間層は、芳香族ボリマー化合
物又はビニル基含有化合物から構威される。この中間層
は、最外層と共働して反射防止被膜を形戊する。反射防
止被膜の最外層は、フルオロカーボン化合物から構成さ
れる。３Ｍ社から製造されたＦＣ−７２１が刊行物に記
載されたフルオロカーボンの唯一の例である。ヘ コア層と反射防止層のみを有する多層薄膜もまた、従来
例に開示されている。特開昭第６０−２３７４５０号に
は、ニトロセルロースからなるコア層と少なくとも最外
層を有する多層薄膜が開示されている。反射防止層は、
シリコンポリマＴＦＥ−ＶｄＦ，又はＴＦＥＳＶｄＦ及
びＨＦＰのターボリマーのいずれかから構成される。

これらの公知の多層反射防止薄膜は、対応する単一層薄
膜よりも多く入射光を透過するが、未だ改良の余地があ
る。例えば、特開昭第６１−２０９４４９号及び欧州特
許第２２４，９８５号の５層及び７層の薄膜は、２又は
３層の巻くに比べ、製造が困難である。一方、特開昭第
６０−２３７４５０号の３層膜は、より容易に製造され
るが、報告された波長範囲においてさまざまな％の入射
光を透過し、透過の最小％は未被覆のコア層の透過より
少し多いだけである。このように、この分野において、
高い％の入射光を透過し、容易に製造される薄膜に対す
る要望がある。

本発明は、閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと
接着された光学薄膜を含む反射防止薄膜であって、前記
光学薄膜は、１．３２〜１．８０の屈折率と０．３〜２
０μｍの厚さを有するコア層と少なくとも１つの反射防
止層とを具備し、前記反射防止層は、３０〜９９モル％
のＰＤＤ　（ペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３
−ジオキソール）と、補充量のコモノマーとのアモルフ
ァスコボリマーを含み、前記コモノマーは、ａ）テトラ
フルオロエチレン、ｂ）クロロトリフルオロエチレン、
Ｃ）弗化ビニリデン、ｄ）へキサフルオロブロビレン、
ｅ）トリフルオロエチレン、ｆ）式ＣＦ２　−ＣＦＯＲ
ｐ　　（式中、Ｒ，は１−３の炭素原子を有する直鎖ペ
ルフルオロアルキルラジカルを示す）のべルフルオ口（
アルキルビニルエーテル）、ｇ）式ＣＦ２　＝ＣＦＯＱ
Ｚ　Ｃ式中、Ｑは１−５のエーテル酸素原子を含む過弗
化されたアルキレンラジカルであり、ＱにおけるＣとＯ
の合計は２〜１０であり、Ｚは一〇〇ＯＲ，−ＳＯ２Ｆ
、−ＣＮ，−ＣＯＦ及びー○ＣＨ，からなる群から選択
された基であり、ＲはＣ．−Ｃ４のアルキル基を示す）
、ｈ）弗化ビニル、及びｉ）式Ｒｆ　ＣＨ＝ＣＨ２　（
式中、Ｒｆはｃｌ　−Ｃ８　のＩｉ鎖ペルフルオロアル
キルラジカル）の（ペルフルオロアルキル）エチレンか
らなる群から選択された少なくとも１種であり、コポリ
マーのガラス転移点は８０℃以上であり、コポリマー中
のコモノマーの最大モル％Ｍａ…Ｍｉは、ａ）テトラフ
ルオロエチレンの場合Ｍａ−７０、ｂ）クロロトリフル
オロエチレンの場合Ｍｂ−７０、弗化ビニリデンの場合
、Ｍｃ−７０Ｓｄ）へキサフルオ口プロピレンの場合Ｍ
ｄ−１５、ｅ）｝リフルオ口エチレンノ場合Ｍｅ−３０
、Ｃ　Ｆ　２　−　Ｃ　Ｆ　Ｏ　Ｒ　ｐ　（７）場合Ｍ
「−３０、ＣＦ２＝ＣＦＯＱＺの場合Ｍｇ　−２０、ｈ
）弗化ビニルの場合Ｍｈ−７０、及びＲｆＣＨ＝ＣＨ２
の場合Ｍｉ−１０であり、１種を越えるコモノマーを含
むコポリマーの場合、それぞれのコモノマーの量は対応
する最大モル％Ｍａ…Ｍｉに対するモル％ｍａ・・・ｍ
ｉの比の合計Ｓが、下記式に示すように、１より多くな
い反射防止薄膜を提供する。

Ｓ＝ｍａ　／Ｍａ　＋ｍｂ　／Ｍｂ　＋−＋ｍｔ　／Ｍ
ｉ≦１ 本明細書において「補充量の」とは、ＰＤＤのモル％ブ
ラス上述のコポリマー中に存在する（ａ）〜（ｉ）のコ
モノマーのすべてが１００％になることを意味する。

反射防止層 本発明の反射防止層を形成するＰＤＤのアモルファスコ
ポリマーは、米国特許第４，７５４，０９９号及び米国
特許出願第０７／１４８．５７９号に開示されている。

ＰＤＤは、上述のモノマーの１種又はそれ以上と共重合
されてアモルファスコポリマーを生ａｔる。本発明に用
いる主要なモノマーのすべては、従来公知である。共重
合は選択された重合開始剤のために適切な温度でフリー
ラジカル発生剤の存在下で行われる。良好に攪拌された
圧力装置及び非テロゲン溶媒又は希釈剤、好ましくはボ
リマーから容易に除去可能な充分な揮発性を有するもの
を用いるべきである。

これらのＰＤＤのアモルファスコボリマーは、薄膜の反
射防止層に特に望ましい特性を有する。

そのような特性は広い波長範囲における光の低い吸収及
び分散、垂れ下がりを減少させるための低い水吸収、露
光の繰返しを可能とする大きな耐久性、粒子の接着を減
少させる低い界面エネルギー及び溶媒及び洗浄剤に対す
る良好な耐薬品性を有する。加えて、これらのＰＤＤの
アモルファスコボリマーは、下地層と適合せず、適用後
、蒸発して均一な反射防止層を形成する溶媒から適用さ
れ得る。適合しない溶媒は下地層を溶解せず、劣化させ
ないものである。そのような溶媒として、フルオリナー
トＦＣ−４０　（登録商標、エレクトロニック・リキッ
ド、ベルフルオロトリアルキルアミン）、フルオリナー
トＦＣ−７５　（登録商標、エレクトロニック・リキッ
ド、ペルフルオロ（２−プチルテトラヒドロフラン））
、及びフルオリナートＦＣ−７７　（登録商標、エレク
トロニック・リキッド、３００−１０００の典型的な分
子量を有する充分に弗素化された有機化合物）が挙げら
れる。

本発明の好ましい反射防止層は、３０−９９モル％のＰ
ＤＤと補充量のＴＦＥとのアモルファスコポリマーを含
み、１．２９〜１，３２の屈折率を有する。特に好まし
い反射防止層は、６５モル％のＰＤＤと３５モル％のＴ
ＦＥとのアモルファスコポリマーを含む。他の好ましい
反射防止層は、９０モル％のＰＤＤと１０モル％のＴＦ
Ｅとのアモルファスコボリマーを含む。

物理学の確立された原理により、反射防止層の最適の厚
さは、用いられる反射防止層材料の屈折率及びエネルギ
ーの波長に応じて変化するであろう。例えば、もし単一
透明層の屈折率が、それが適用される基板の屈折率より
小さく、かつその層が適当な厚さを有するならば、この
単一透明層は表面反射を減少させるであろう。もし単一
透明層の屈折率が基板の屈折率の平方根に等しいならば
、光のすべての反射は、屈折率と厚さの積が波長の１／
４に等しい波長について除去されるであろう。

他の波長では、反射防止層の頂部と底面から反射した光
の間の有害な干渉か完全ではないが、しかし全体的な反
射の減少がある。

コア層 本発明のコア層は、１３　３２〜１，８０の屈折率と、
０．３〜２０ミクロンの厚さを有する。好ましくはコア
層は、ｌ，５１の屈折率と、０．　　８〜３．０ミクロ
ンの厚さを有する。本発明のコア層としては、コートさ
れていない薄膜を作るための公知の材料を用いることが
出来る。これら．の材料は、低レベルの粒子性及び入射
光の低い吸収性を有する均一な厚さの、自立する単離可
能な膜を形成し得るものである。このタイプの膜は、厚
さが、１イン゛チ当り露光された光の周波数２波長未満
だけ変化する。「低レベルの粒子性」とは、膜が２０未
満の目で見える粒子を含み、２０ミクロン以上の粒子を
含まないことを意味する。「低い吸収性」とは、入射光
の１％未満が膜により吸収されることを意味する。

好ましくは、コア層は、ポリカーボネート、ポリアクリ
レート、ポリビニルブチラート、ＶＩＣＴＲＥＸ　（登
録商標、ＩＣＩ社）４１００Ｐのようなポリエーテルス
ルホン、ＵＤＥＬ　（登録商標、ユニオンカーバイド社
）１７００のようなポリスルホン、及びセルロースアッ
セテート、セリロースアセテートブチラート又はニトロ
セルロースのようなセルロース誘導体からなる群から選
択されたボリマーを含む。最も好ましいものはニトロセ
ルロースである。

本発明の閉鎖された支持フレームは、薄膜がマスク又は
レチクルの作用面に触れず、フレームがマスク又はレチ
クルの作用面を妨害しないように、マスク又はレチクル
への取付けに適切などのような形状及びサイズであって
もよい。典型的には、支持フレームは１−６インチ径の
円形、又は６インチの辺サイズの四角形である。支持フ
レームの材質は、高強度、低ダスト付着性、及び軽い重
量をを有するべきである。支持フレームの材質としては
、硬質プラスチック、及びアルミニウムやアルミニウム
合金のような金属が適切である。薄膜は、閉鎖された支
持フレームにしっかりと接着されている。接着剤がコア
層のための溶媒を含まなければ、薄膜をフレームに接着
するために、通常の接着剤を用いることが出来る。或い
は、薄膜は、熱圧着によりフレームに接着されてもよい
。好ましくは、マグナクリル２６１１（ビーコンケミカ
ル社製）のような液状のＵＶ硬化性（紫外線の照射によ
り硬化し得る）接着剤が用いられる。

薄膜 本発明のＰＤＤ共重合体は、薄膜を形成するためにコア
層の一面又は両面にコートすることが出来る。この膜は
、次いで閉ざされた支持フレームの端部にしっかりと接
着される。コア層の一方の側のみが反射防止層を有する
ならば、反射防止層がない側は支持フレームに接着され
るのが好ましい。薄膜の両側が反射防止膜を有するなら
ば、いずれの側が支持フレームに接着されてもよい。

本発明の薄膜は、例えば特開昭６０−２３７４５０号に
示すような公知の方法により製造することが出来る。

好ましい方法においては、コア層は、溶媒にコア層形成
材料を溶解し、この溶液をガラス基板にスビンコートす
ることにより製造される。スピンコートするのに適切な
溶液は、基板を濡らし、基板上に均一なコーティングを
形威し、均一に乾燥すべきである。溶液を回転する基板
にコートした後、回転を停止し、被膜を加熱して溶媒を
蒸発させ、均一なコア層を形成する。この均一なコア層
は、基板からリフトフレームに移される。り１フトフレ
ームはスピンコーター上に載置され、ＰＤＤ共重合体の
適切な溶液をスビンコートすることにより、反射防止膜
かコア層上に形或される。適切なＰＤＤ共重合体のスビ
ンコート溶液は、コア層に適合しない（コア層を溶解及
び劣化させない）溶媒にアモルファスＰＤＤ共重合体を
溶解することにより形成される。反射防止層がコア層の
両面に望まれるならば、リフトフレームをスピンコター
から離して上昇させ、１８０度回転してコア層の反対側
を露出し、スピンコーターに再び載置する。次いでコア
層の反対側にＰＤＤ共重合体溶液を上述の方法でコート
する。

コートされたコア層及びそれが取付けられるリフトフレ
ームは、スピンコーターから除かれ、溶媒を蒸発させる
ため加熱される。得られた膜は、次いで適切な接着剤に
よって閉ざされた支持フレームに接着され、リフトフレ
ームより小さい支持フレームを越えて伸びている。接着
された膜の反対側の支持フレームの側は、マスク面に固
定され、薄褒はマスク面上のパターンの上方に浮いてい
る。

第１図は、そのような薄膜が設けられたマスクを示す。

マスク３は透明であり、典型的にはシリカにより構成さ
れる。マスク３の上面にパターン４がコートされている
。このパターン４は支持フレーム２により囲まれ、薄膜
膜１によりカバーされている。薄膜１は、第２図に示す
ように、両側に反射防止層１１、第２Ａ図に示すように
上面のみに反射防止層１１、又は第２Ｂ図に示すように
底面のみに反射防止層１１を有するコア層１０を具備し
ている。集積回路を製造するために、薄膜の上方の源か
ら放射エネルギーか、膜、パターン及びマスクを通して
、ホトレジストがコートされたウエハに投影される。以
上の記載及び以下の実施例は、主としてコア層、及びそ
の一方又は両面にあるＰＤＤ共重合体反射防止層を有す
る光学薄膜にのみ向けられているが、本発明はそれに限
定されるものではない。当業者は、帯電防止層や共働す
る反射防止層のような追加の層が、本発明の光学薄膜の
一部となり得ることを認識するであろう。

追加の層を有するこれらの膜を製造するために、スピン
コーティングのような通常の方法が使用されるであろう
。

実施例 以下の実施列では、上述の薄膜を製造するための好まｌ
７い方法が、所定の材料及び条件とともに用いられた。

第３−１２図は、それぞれの実施例についての分光透過
グラフを示す。それぞれのグラフの水平軸は、標準高圧
水銀ランプの、ナノメーター単位の波長であり、垂直軸
は、それぞれの薄膜を透過した光の割合である。

参考例Ａ ニトロセルロース溶液（８１重量％のｎ−ブチルアセテ
ートに溶解された、３０％のｎ−ブタノールで濡らされ
た１９．２重量％のニトロセルロース）はガラス基板に
スピンコートし、］○Ｏ℃で５分間加熱して溶媒を蒸発
させた。得られた均一な２，８５μｍの厚さのニトロセ
ルロースは、第３図に示すように、３００〜８００ナノ
メーターに波長の人身・１光の約９９％を透過した。第
３図は、更に３５０〜４６０ナノメーターにおいて、こ
の膜を透過した入射光の量が約８３％から約９８％を変
化することを示している。

実施例１ 参考例Ａのニトロセルロース溶液をスピンコートし、１
　０　０　’Ｃで５分間加熱して、溶媒を蒸発させた。

リフトフ１ノームを接着剤により均一な２８５μｍの厚
さのニトロセルロース層に取付け、この層をスピンコー
タ〜基板から取り除いた。リフトフレームをスピンコー
ター上に載置した。フルオリナートＦＣ−４０　（登録
商標、３Ｍ社、エレクトロニック・リキッド、ベルフル
オロトリアルキルアミン）に溶解された、６５モル％の
ＰＤＤと３６モル％のＴＦＥとの共重合体１．２５重量
％の溶液を、０．２μｍのシリンジディスクフィルター
を通して濾過し、ニトロセルロース」二に分注した。濾
過された共重合体溶液の約２．５ｃｍ３をニトロセルロ
ース層上にコートした。コートされたニトロセルロース
層を２，５分間回転した。

最終的な回転速度は１２００ＲＰＭであった。

方の面を６５モル％のＰＤＤと３６モル％のＴＦＥとの
共重合体でコートしたニトロセルロース層を、１００℃
で５分間加熱した。得られた膜は、第４図に示すように
、３５０〜４６０ナノメーターの波長の入射光の９２％
以上を透過した。

実施例２ 参考例Ａのニトロセルロース溶液をスビンコートし、１
００゜Ｃて５分間加熱して、溶媒を蒸発させた。リフト
フレームをフレキシブル接着テープにより均一なニトロ
セルロース層に取付け、この層をスピンコータ〜基板か
ら取り除いた。リフトフレームをスビンフーター上に載
置した。フルオリナートＦＣ−４０　（登録商標、３Ｍ
社、エレクトロニック・リキッド、ベルフルオロトリア
ルキルアミン）に溶解された、６５モル％のＰＤＤと３
６モル％のＴＦＥとの共重合体１．２５重量％の溶液を
、０．２μｍのシリンジディスクフィルターを通して濾
過し、ニトロセルロース上に分注した。濾過された共重
合体溶液の約２．５０一をニトロセルロース層上にコー
トした。コートされたニトロセルロース層を２，５分間
回転した。最終的な回転速度は１２０ＯＲＰＭであった
。ニトロセルロース層の第一の面に前記共重合体溶液を
コートした後、リフトフレームを１８０度回転すること
により、ニトロセルロース層の反対の面をコートし、こ
のプロセスを繰り返した。両面に６５モル％のＰＤＤと
３６モル％のＴＦＥとの共重合体をコートされたニトロ
セルロース膜を、１００℃で５分間加熱した。得られた
膜は、第５図に示すように、３６０〜４５０ナノメータ
ーの波長の入射光の９８％以上を透過した。

実施例３ 参考例Ａのニトロセルロース溶液をスピンコートし、１
００℃で５分間加熱して、溶媒を蒸発させた。リフトフ
レームを接着剤により均一な２．８５μｍの厚さのニト
ロセルロース層に取付け、この層をスピンコーター基板
から取り除いた。リフトフレームをスピンコーター上に
載置した。フルオリナートＦＣ−４０（登録商標、３Ｍ
社、エレクトロニック・リキッド、ペルフルオロトリア
ルキルアミン）に溶解された、９０モル％のＰＤＤと１
０モル％のＴＦＥとの共重合体１．００重量％の溶戚を
、ニトロセルロース上に分注した。

共重合体溶液の約２．５ｃｍ３をニトロセルロース層上
にコートした。コートされたニトロセルロース層を２、
５分間回転した。最總的な回転速度は１２０ＯＲＰＭで
あった。ニトロセルロース層の第一の面に前記共重合体
溶液をコートした後、リフトフレームを１８０度回転す
ることにより、ニトロセルロース層の反対の面をコート
し、このプロセスを繰り返した。両面に９０モル％のＰ
ＤＤと１０モル％のＴＦＥとの共重合体をコートされた
ニトロセルロース膜を、１００℃で１０分間加熱した。

得られた膜は、第６図に示すように、３６０〜４５０ナ
ノメーターの波長の入射光の９８％以上を透過した。

実施例４ 参考例Ａのニトロセルロース溶戚をスビンコトし、１０
０℃て５分間加熱して、溶媒を蒸発させた。リフトフレ
ームを接着剤により均一な２．８５μｍの厚さのニトロ
セルロース層に取付け、この層をスピンコーター基板か
ら取り除いた。リフトフレームをスピンコーター上に載
置した。９，０重量％のフルオリナー｝ＦＣ−７５　（
登録商標、エレクトロニック・リキッド、ベルフルオロ
（２ープチルテトラヒド口フラン））及び９０．０重量
％のフルオリナートＦＣ−４０　（登録商標、エレクト
ロニック・リキッド、ベルフルオロトリアノレキノレア
ミン）｛こ溶角牟されｔこ、３０モノレ％のＰＤＤと７
０モル％のＴＦＥとの具重合体１．００重量％の廂肢を
、ニトロセルロース上に分注した。

共重合体溶液の約１００ｆｆｌ３をニトロセルロース層
上にコートした。コートされたニトロセルロース層を最
終回転速度１７３５ＲＰＭで回転した。ニトロセルロー
ス層の第一の面に前記共重合体溶液をコートした後、リ
フトフレームを１８０度回転することにより、ニトロセ
ルロース層の反対の面をコートし、このプロセスを縁り
返した。得られた膜は、第７図に示すように、３６０〜
４５０ナノメーターの波長の入射光の９７％以上を透過
した。

参考例Ｂ ポリスルホン溶液（エチルベンゾエートに溶解した１２
重量％のＵＤＥＬ　（登録商標）１７００）を０，４５
μｍのフィルターに通し、ガラススピンコーター基板上
に分注し、基板を４５ＯＲＰＭの最終回転速度で１０分
間回転した。コートされた基板を２００℃で５分間加熱
して溶媒を蒸発させた。得られた均一な２．１μｍの厚
さのポリスルホン膜は、第８図に示すように、３００〜
８００ナノメーターの波長の入射光の７０％未満から約
９９％を透過した。第８図は、更に３５０〜４６０ナノ
メーターにおいて、この膜を透過した入射光のユが約８
３％から約９７％を変化することを示している。

実施例５ 参考例Ｂのポリスルホン溶戒をスビンコートし、２００
℃で５分間加熱して、溶媒を蒸発させた。

リフトフレームを接着剤により均一な２．１μｍの厚さ
のポリスルホン層に取付け、この層をスピンコーター基
板から取り除いた。リフトフレームをスピンコーター上
に載置した。フルオリナートＦＣ−４０　（登録商標、
エレクトロニック・リキッド、ベルフルオロトリアルキ
ルアミン）に溶解された、６５モル％のＰＤＤと３５モ
ル％のＴＦＥとの共重合体１．２５重量％の溶岐を、ポ
リスルホン層上に分注した。コートされたポリスルホン
層を最終的な回転速度１５００ＲＰＭで回転した。ポリ
スルホン層の第一の面に前記共重合体溶液をコートした
後、リフトフレームを１８０度回転することにより、ポ
リスルホン層の反対の面をコートし、このプロセスを繰
り返した。得られた膜は、第９図に示すように、３６０
〜４５０ナノメーターの波長の入射光の９８％以上を透
過した。

参考例Ｃ ポリスルホン溶液（ｎ−メチルビロリジノンに溶解した
２０重量％の’ｔＭｃＴＲＥＸ　（登録商標）４１００
Ｐ）をガラススピンコーター基板上に分注し、基板を１
２０ＯＲＰＭの最終回転速度で１５分間回転した。コー
トされた基板を２００′Ｃで１０分間加熱して后媒を蒸
発させた。得られた均−な２．６μｍの厚さのポリエー
テルスルホン膜は、第１０図に示すように、３００〜８
００ナノメーターの波長の入射光の７０％未満から約９
９％を透過した。第］○図は、更に３５０〜４６０ナノ
メーターにおいて、この膜を透過した入射光の足か約７
４％から約９８％を変化することを示している。

実施例６ 参考例Ｃのポリエーテルスルホン溶液をスビンコートし
、２００゜Ｃて１０分間加熱して、溶媒を蒸発させた。

リフトフレームを接着剤により均一な２、６μｍの厚さ
のポリスルホン層に取付け、この層をスピンコーター基
板から取り除いた。リフトフレームをスピンコーター上
に載置した。フルオリナートＦＣ−４０　（登録商標、
エレクトロニック・リキッド、ベルフルオロトリアルキ
ルアミン）に溶解された、６５モル％のＰＤＤと３５モ
ル％のＴＦＥとの共重合体１．２５重量％の溶液を、ポ
リエーテルスルホン上に分注した。コー１・されたポリ
エーテルスルホン層を最終的な回転速度１２００ＲＰＭ
で回転した。ポリエーテルスルホン層の第一の面に前記
共重合体溶液をコートした後、リフトフレームを１８０
度回転することにより、ポリエーテルスルホン層の反対
の面をコートし、このプロセスを繰り返した。得られた
膜は、第１１図に示すように、３６０〜４５０ナノメー
ターの波長の入射光の９８％以上を透過した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、それにコートされたパターンとそれに固定さ
れた薄膜を有するホトマスクの断面図、第２図は、本発
明の１実施態様である、第１図に示す薄膜の５−５線で
切断された、コア層の両方の側に反射防止層を有する薄
膜を示す断面図、第２Ａ図は、本発明の他の実施態様で
ある、第１図に示す薄膜の５−５線で切断された、コア
層のフレームから離れた側に反射防止層を有する薄膜を
示す断面図、第２Ｂ図は、本発明の１実施態様である、
第１図に示す薄膜の５−５線で切断された、コア層のフ
レームに続く側に反射防止層を有する薄膜を示す断面図
、第３図は、参考例Ａの膜について波長に対する光の透
過量を示すグラフ、第４図は、実施例１の膜について波
長に対する光の透過量を示すグラフ、第５図は、実施例
２の膜について波長に対する光の透過量を示すグラフ、
第６図は、実施例３の膜について波長に対する光の透過
量を示すグラフ、第７図は、実施例４の膜について波長
に対する光の透過量を示すグラフ、第８図は、参考例Ｂ
の膜について波長に対する光の透過量を示すグラフ、第
９図は、実施例５の膜について波長に対する光の透過量
を示すグラフ、第１０図は、参考例Ｃの膜について波長
に対する光の透過量を示すグラフ、第１１図は、実施例
６の膜について波長に対する光の透過量を示すグラフ。 １・・・薄膜、２・・・支持フレーム、３・・・ホトマ
スク、４・・・パターン。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）閉ざされた支持フレームの一端にしっかりと接着
   された光学薄膜を含む反射防止薄膜であって、前記光学
   薄膜は、１．３２〜１．８０の屈折率と０．３〜２０μ
   ｍの厚さを有するコア層と少なくとも１つの反射防止層
   とを具備し、前記反射防止層は、３０〜９９モル％のペ
   ルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール
   と、補充量のコモノマーとのアモルファスコポリマーを
   含み、前記コモノマーは、ａ）テトラフルオロエチレン
   、ｂ）クロロトリフルオロエチレン、ｃ）弗化ビニリデ
   ン、ｄ）ヘキサフルオロプロピレン、ｅ）トリフルオロ
   エチレン、ｆ）式ＣＦ＿２＝ＣＦＯＲ＿Ｆ（式中、Ｒ＿
   Ｆは１−３の炭素原子を有する直鎖ペルフルオロアルキ
   ルラジカルを示す）のペルフルオロ（アルキルビニルエ
   ーテル）、ｇ）式ＣＦ＿２＝ＣＦＯＱＺ（式中、Ｑは１
   −５のエーテル酸素原子を含む過弗化されたアルキレン
   ラジカルであり、ＱにおけるＣとＯの合計は２〜１０で
   あり、Ｚは−ＣＯＯＲ、−ＳＯ＿２Ｆ、−ＣＮ、−ＣＯ
   Ｆ及び−ＯＣＨ＿３からなる群から選択された基であり
   、ＲはＣ＿１−Ｃ＿４のアルキル基を示す）、ｈ）弗化
   ビニル、及びｉ）式ＲｆＣＨ＝ＣＨ＿２（式中、Ｒｆは
   Ｃ＿１−Ｃ＿８の直鎖ペルフルオロアルキルラジカル）
   の（ペルフルオロアルキル）エチレンからなる群から選
   択された少なくとも１種であり、コポリマーのガラス転
   移点は８０℃以上であり、コポリマー中のコモノマーの
   最大モル％Ｍａ…Ｍｉは、ａ）テトラフルオロエチレン
   の場合Ｍａ＝７０、ｂ）クロロトリフルオロエチレンの
   場合Ｍｂ＝７０、弗化ビニリデンの場合、Ｍｃ＝７０、
   ｄ）ヘキサフルオロプロピレンの場合Ｍｄ＝１５、ｅ）
   トリフルオロエチレンの場合Ｍｃ＝３０、ＣＦ＿２＝Ｃ
   ＦＯＲ＿Ｆの場合Ｍｆ＝３０、ＣＦ＿２＝ＣＦＯＱＺの
   場合Ｍｇ＝２０、ｈ）弗化ビニルの場合Ｍｈ＝７０、及
   びＲｆＣＨ＝ＣＨ＿２の場合Ｍｉ＝１０であり、１種を
   越えるコモノマーを含むコポリマーの場合、それぞれの
   コモノマーの量は対応する最大モル％Ｍａ…Ｍｉに対す
   るモル％ｍａ…ｍｉの比の合計Ｓが、下記式に示すよう
   に、１より多くない反射防止薄膜。 Ｓ＝ｍａ／Ｍａ＋ｍｂ／Ｍｂ＋…＋ｍｉ／Ｍｉ≦１
2. （２）前記反射防止層は、９９モル％のペルフルオロ−
   ２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと補充量のテ
   トラフルオロエチレンとのアモルファスコポリマーを含
   む請求項１に記載の反射防止薄膜。
3. （３）前記コア層は、ポリカーボネート、ポリアクリレ
   ート、ポリビニルブチラート、ポリエーテルスルホン、
   ポリスルホン、及びセルロース誘導体からなる群から選
   択されたポリマーを含む請求項２に記載の反射防止薄膜
   。
4. （４）前記コア層は、ニトロセルロースを含む請求項３
   に記載の反射防止薄膜。
5. （５）前記光学薄膜は３５０〜４６０ナノメーターのバ
   ンドにおいて入射光の９７％以上を透過する請求項４に
   記載の反射防止薄膜。
6. （６）前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の一方の
   側に反射防止層を具備する請求項５に記載の反射防止薄
   膜。
7. （７）前記光学薄膜は、コア層と、このコア層の両方の
   側に反射防止層を具備する請求項５に記載の反射防止薄
   膜。
8. （８）前記反射層は、６５〜９０モル％のペルフルオロ
   −２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールと３５〜１
   ０モル％のテトラフルオロエチレンとのアモルファスコ
   ポリマーを含む請求項６又は７に記載の反射防止薄膜。